CN103869415A - 脊型光波导的制造方法 - Google Patents

脊型光波导的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103869415A
CN103869415A CN201210547273.9A CN201210547273A CN103869415A CN 103869415 A CN103869415 A CN 103869415A CN 201210547273 A CN201210547273 A CN 201210547273A CN 103869415 A CN103869415 A CN 103869415A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical waveguide
ridge
substrate
manufacture method
resistance layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210547273.9A
Other languages
English (en)
Inventor
黄新舜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201210547273.9A priority Critical patent/CN103869415A/zh
Publication of CN103869415A publication Critical patent/CN103869415A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种脊型光波导的制造方法，一种脊型光波导的制造方法，其包括以下步骤：提供一个基底；在该基底上镀一个蚀刻阻抗层；将设置有该蚀刻阻抗层的基底浸入第一种蚀刻液中进行湿式蚀刻形成一个脊型结构；去掉该蚀刻阻抗层；在该脊型结构上镀一个钛金属层；及对该钛金属层进行高温扩散，使该钛金属层扩散到脊型结构内。该脊型光波导的制造方法的制程简单，制造成本低。

Description

脊型光波导的制造方法
技术领域
本发明涉及一种脊型光波导的制造方法。
背景技术
现有的脊型光波导一般是利用活性离子蚀刻法制造，其首先通入四氟化氮(CF4)与氧气(O2)，再加上高频电压，以解出氟离子而成为电浆，利用氟离子的动能和化学反应能力很强的特性进行蚀刻。但是，这种蚀刻方法中，CF4与O2的比例不同所产生的蚀刻效率和品质也会不同，要找出最佳比例尤为复杂，另外，该制程设备昂贵，不适合量产。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种制程简单，制造成本低的脊型光波导的制造方法。
一种脊型光波导的制造方法，其包括以下步骤：
提供一个基底；
在该基底上镀一个蚀刻阻抗层；
将设置有该蚀刻阻抗层的基底浸入第一种蚀刻液中进行湿式蚀刻形成一个脊型结构；
去掉该蚀刻阻抗层；
在该脊型结构上镀一个钛金属层；及
对该钛金属层进行高温扩散，使该钛金属层扩散到脊型结构内。
本发明的脊型光波导的制造方法，通过在基底上设置蚀刻阻抗层，再进行湿蚀刻，最后进行钛金属层的扩散，整个制程简单，由于采用化学蚀刻，制造成本较低，适合量产。
附图说明
图1为本发明提供的脊型光波导的制造方法的制程示意图。
图2为本发明提供的脊型光波导的制造方法的流程图。
主要元件符号说明
基底 10
顶面 101
脊型结构 110
蚀刻阻抗层 20
钛金属层 130
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。请参阅图1及图2，本发明实施方式提供的脊型光波导的制造方法，其包括以下步骤：
S10：提供一个基底10；
该基底10呈矩形。由于铌酸锂扩散金属钛(单质)可以形成折射率渐变型的加载光波导，因此，该基底10的材料采用铌酸锂晶体。
S12：在该基底10上镀一个蚀刻阻抗层20；
其中，该蚀刻阻抗层20镀设于该基底10的顶面101上。该蚀刻阻抗层20沿着该基底10的长度方向设置于该基底10的顶面101的中间区域。本实施方式中，该蚀刻阻抗层20采用铬金属。具体地，是先将该顶面101上整个表面旋转镀上阻抗，再利用曝光显影的方式留下该蚀刻阻抗层20。
S14：将设置有该蚀刻阻抗层20的基底10浸入第一种蚀刻液中进行湿式蚀刻形成一个脊型结构110；
由于该基底10为铌酸锂晶体，则该第一种蚀刻液为氢氟酸。在蚀刻过程中，由于该基底10的一部分被该蚀刻阻抗层20所覆盖，被覆盖的部分以及该蚀刻阻抗层20均不会被蚀刻掉。其中，蚀刻该基底10的高度为2微米~3微米时，该基底10的蚀刻时间大约为4小时。
S16：去掉该蚀刻阻抗层20；
具体是将蚀刻阻抗层20浸入第二种蚀刻液中。本实施方式中，该第二种蚀刻液为含有硝酸的铬蚀刻液。该步骤所用的时间约为10~20分钟。
S18：在该脊型结构110上镀一个钛金属层130；
S20：对该钛金属层130进行高温扩散，使该钛金属层130扩散到脊型结构110内。
其中，扩散时的温度为1020度，约持续10~20分钟即可。本实施方式中，该钛金属层130的宽度小于该脊型结构110的宽度。由于脊型表面的越平，光场场形越集中，该钛金属层130的宽度比该脊型结构110的宽度小，可以防止钛金属扩散到脊型结构110的侧边而导致脊型结构110的侧边不平坦，从而增加传播损耗。
上述脊型光波导的制造方法，通过在基底上设置蚀刻阻抗层，再进行湿蚀刻，最后进行钛金属层的扩散，整个制程简单，由于采用化学蚀刻，制造成本较低，适合量产，而且所制成的脊型光波导可以降低光弯曲结构中的弯曲损失，提高工作频率，光场分布近似于圆形，导光能力强，提高传播效率。
虽然本发明已以较佳实施方式披露如上，但是，其并非用以限定本发明，另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化等。当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种脊型光波导的制造方法，其包括以下步骤：
提供一个基底；
在该基底上镀一个蚀刻阻抗层；
将设置有该蚀刻阻抗层的基底浸入第一种蚀刻液中进行湿式蚀刻形成一个脊型结构；
去掉该蚀刻阻抗层；
在该脊型结构上镀一个钛金属层；及
对该钛金属层进行高温扩散，使该钛金属层扩散到脊型结构内。
2.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该基底的材料采用铌酸锂晶体。
3.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该基底呈矩形，该蚀刻阻抗层镀设于该基底的顶面上。
4.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该第一种蚀刻液为氢氟酸。
5.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该蚀刻阻抗层采用铬金属。
6.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，将蚀刻阻抗层浸入第二种蚀刻液中以去掉该蚀刻阻抗层。
7.如权利要求6所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该第二种蚀刻液为含有硝酸的铬蚀刻液。
8.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该钛金属层的宽度小于该脊型结构的宽度。
9.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，该基底的蚀刻时间为4小时。
10.如权利要求1所述的脊型光波导的制造方法，其特征在于，去掉该蚀刻阻抗层所用的时间为10~20分钟。
CN201210547273.9A 2012-12-17 2012-12-17 脊型光波导的制造方法 Pending CN103869415A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210547273.9A CN103869415A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 脊型光波导的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210547273.9A CN103869415A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 脊型光波导的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103869415A true CN103869415A (zh) 2014-06-18

Family

ID=50908143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210547273.9A Pending CN103869415A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 脊型光波导的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103869415A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111722318A (zh) * 2020-06-29 2020-09-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0329904A (ja) * 1989-06-27 1991-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路の製造方法
US20010022885A1 (en) * 1998-01-07 2001-09-20 Koji Yamada Ridge waveguide-type optical semiconductor device and method of fabricating the same
US20010046343A1 (en) * 1998-06-04 2001-11-29 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Indiffused optical waveguide structures in a substrate
CN1916673A (zh) * 2002-05-31 2007-02-21 松下电器产业株式会社 光学元件
CN101723307A (zh) * 2009-12-25 2010-06-09 中国科学院光电技术研究所 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法
CN103383478A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 脊型y分支光波导结构的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0329904A (ja) * 1989-06-27 1991-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路の製造方法
US20010022885A1 (en) * 1998-01-07 2001-09-20 Koji Yamada Ridge waveguide-type optical semiconductor device and method of fabricating the same
US20010046343A1 (en) * 1998-06-04 2001-11-29 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Indiffused optical waveguide structures in a substrate
CN1916673A (zh) * 2002-05-31 2007-02-21 松下电器产业株式会社 光学元件
CN101723307A (zh) * 2009-12-25 2010-06-09 中国科学院光电技术研究所 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法
CN103383478A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 脊型y分支光波导结构的制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111722318A (zh) * 2020-06-29 2020-09-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法
CN111722318B (zh) * 2020-06-29 2021-12-03 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101962469B1 (ko) 결정질 실리콘 태양전지의 텍스쳐 구조의 제조방법
CN110911528A (zh) 一种TOPCon电池及其制作方法
CN112596160B (zh) 一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法
CN107863420A (zh) 无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺
CN113328012B (zh) 降低复合速率的perc电池的制作方法和perc电池
WO2021228164A1 (zh) 极耳及使用该极耳的电池结构
CN112965166A (zh) 一种z切铌酸锂锥形波导及其制备方法
CN104576813A (zh) 一种光电材料表面的纳米结构绒面及其制备方法
Wan et al. Flexible Asymmetric Supercapacitors with Extremely Slow Self‐Discharge Rate Enabled by a Bilayer Heterostructure Polymer Electrolyte
CN110764188A (zh) 一种铌酸锂脊型光波导的制备方法
CN103869415A (zh) 脊型光波导的制造方法
CN115810693A (zh) 硅衬底的制造方法、硅衬底及太阳能电池
WO2019006799A1 (zh) 纳米线栅偏光片的制作方法
CN104716206B (zh) 一种提高镀减反射膜后电池片返工品转换效率的方法
CN1218206C (zh) 用质子交换制造铌酸锂光波导的方法
CN213210533U (zh) 一种中段涂覆层浸蚀装置
CN103487882A (zh) 二维质子交换MgO:PPLN脊波导的制备方法
CN103774193A (zh) 一种中高压电子铝箔表面电沉积弥散锌晶核的方法
CN102496660A (zh) 一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒方法
CN112130253A (zh) 一种在z切铌酸锂薄膜上制作y传脊型光波导的方法
CN208953817U (zh) 高阻抗匹配电光调制器电极
Reece et al. Exploiting new electrochemical understanding of niobium electropolishing for improved performance of SRF cavities for CEBAF
TW201423180A (zh) 脊型光波導的製造方法
CN103901535A (zh) 垂直式光波导及其制造方法
CN116908963A (zh) 一种气相质子交换铌酸锂光波导的模斑转换器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140618

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication