CN103868350B - 一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法 - Google Patents

Abstract

本发明专利涉及机电技术领域，尤其涉及一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法，一种半导体靶体烧结装置，包括设备主体、气体装置、热场组件、加热装置和冷却水道，设备主体包括机架、炉腔、锁定装置和液压升降装置，液压升降平台可以快捷的移动工作平台，锁定装置锁合底盖和工作平台，保证烧结过程中的密封性，炉腔外表面安装有冷却水道，冷却水道起到冷却作用的同时使炉腔内部受热均匀还有加固支撑炉腔的作用，引入了质量流量计和浮子流量计精确控制气氛，降低了烧结失败的次数；本发明还包括一种用上述半导体靶体烧结装置烧结的半导体靶体烧结方法以及最后得到半导体靶体产品。

Description

一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法

技术领域：

本发明专利涉及机电技术领域，尤其涉及一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法。

背景技术：

ITO 靶材目前世界上只有日本、 美国、 德国等少数几个发达国家和地区能生产，我国现有每年需进口大量的 ITO 靶材，因此，国内研制开发 ITO 靶材生产设备和技术方法是十分迫切和必要的。

目前公知的 ITO 靶材的制备方法主要有 ：

1) 热等静压法

热等静压法简称 HIP，既可以看作加压下的烧结，同时也可以认为是高温下的压制，相对于传统的无压烧结来说，热等静压可以在相对较低的温度下获得完全致密化，而且组织结构可以很好地控制，晶粒生长得到了抑制，可以获得均匀的、各向同性的组织，热等静压法是生产高致密度 ITO 靶材的一种有效途径。但是热等静压法使用的热等静压机价格昂贵，制品的成本较高，生产周期较长，且由于设备的限制，无法烧结大尺寸的靶材。

2) 热压烧结法

热压烧结法可生产密度达91％～96％理论密度的高密度ITO陶瓷靶，但由于陶瓷靶尺寸较大，易发生热应力开裂，故对热压机的温度场均匀性、压力稳定性要求极高，热压机需要进口，而且不适于工业化连续生产，成本高，而且对模具材料要求高，一般为高纯高强石墨，模具寿命短、损耗大，它在高温下与 ITO 靶材容易发生还原反应。

3) 常压烧结法

常压烧结法是二十世纪 90 年代初期兴起的一种靶材制备方法，它是采用预压方式制备高密度的靶材素坯，在一定气氛和温度下对靶材素坯进行烧结，通过对烧结温度和烧结气氛控制，使靶材素坯晶粒的生长得到有效控制，达到靶材的高致密化及晶粒分布的均匀性。

常压烧结法的主要优点有：靶材尺寸不受设备限制，能生产大尺寸靶材，且设备投入少、生产成本低，生产效率高，靶材性能优良，易实现工业化生产，适合高端显示器用镀膜靶材性能要求。

但国内少有公司大规模化的烧结半导体靶体，现有技术鲜有见对现有设备方面诸多缺点的改进，使得现有设备有很多不便的地方，例如：

需要花费人力将半导体坯体放置在工作平台上或将半导体靶材从工作平台上取出，这容易造成半导体坯体或半导体靶材损坏、不合格较多等问题。

一般的半导体靶体烧结装置在高压环境下作业，仅仅通过升降装置来实现其密封性，不仅操作困难，还容易造成定位不准确，升降装置损坏，密封性能差等现象。

在高温高压的情况下加厚壳体，这样子使得炉体花费昂贵并且降温速率较低，还存在加热管附近局部过热，整个炉体内部受热不均匀等问题。

在烧结过程中，气氛或压力的控制不够精确，导致烧结失败等问题。

发明内容：

本发明的目的是提供一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法，更好的解决现有技术存在的诸多问题：

一种半导体靶体烧结装置，其特征在于：包括设备主体、气体装置、热场组件、加热装置和冷却水道；

设备主体包括机架、炉腔、液压升降装置和锁定装置，机架是整体框架结构，炉腔包括上法兰、下法兰、壳体、底盖和冷却水道，液压升降装置包括液压升降平台、工作平台、滚轮、轻轨A、锁合装置、把手、轻轨B和支撑架，锁定装置包括锁夹、固定座、液压缸支架、垫块、液压缸接头、连接销、液压缸、双肘接头、保持板和销轴。

炉腔位于液压升降装置的上部，上法兰密封固定连接在壳体的上开口部，下法兰密封固定连接在壳体的下开口部，下法兰的下部定位连接有底盖，冷却水道固定连接在壳体外侧表面；液压升降装置在机架内部，支撑架在机架外部，液压升降平台上表面固定有轻轨A，轻轨A和液压升降平台表面的侧边平行，支撑架上表面固定有轻轨B，轻轨B和支撑架的侧边平行，处于同一水平面时轻轨A和轻轨B等宽、平行并且相通，滚轮固定安装在工作平台下部并和轻轨A、轻轨B三者配套，工作平台定位安装把手，工作平台下部定位安装带轴气缸，液压升降平台上表面和支撑架上表面分别定位安装了能和工作平台下部带轴气缸的轴配套的锁套，带轴气缸和锁套组成锁合装置；锁定装置的固定座一端和机架固定连接，固定座另一端和锁夹的外侧固定连接，两个锁夹开口端相对，开口形成的空间可以咬合密封对接的底盖和工作平台，锁夹的下槽面为锯齿状，与锁夹的下槽面夹合接触的工作平台下表面有相应的槽口，锁夹闭合端外侧固定连接液压缸接头，液压缸接头的另一端和双肘接头通过销轴轴向连接，保持板安装在双肘接头外表面，双肘接头另一端和液压缸固定连接，液压缸的另一端通过连接销和液压缸支架轴向连接，液压缸支架另一端和垫块固定连接，液压缸支架和垫块固定连接在机架下部；

气体装置包括真空装置、氧气装置、空气装置，所述真空装置、氧气装置和空气装置分别与炉腔密封连通；热场组件由外层隔热材料和内层保温材料构成，外层隔热材料和内层保温材料定位连接后一起摆放在炉腔内；加热装置固定安装在热场组件内表面。

本发明的一种技术方案是液压升降平台为套缸式，包括底座、套缸式用液压缸和平台，套缸式用液压缸装有两个以上的套缸，套缸彼此套接，套缸内部装有套缸式用液压缸和柱塞杆，液压升降平台与柱塞杆顶部定位连接，柱塞杆底部和液套缸式用压缸定位连接，套缸式用液压缸另一端和底座定位连接。

本发明的一种技术方案是液压升降平台为剪叉式，包括底座，剪叉臂、剪叉式用液压缸、连接杆和平台，两剪叉臂在中心转动连接成剪叉，两剪叉之间用连接杆连接，两剪叉的上端、下端与平台、底座分别成转动、滑动连接，剪叉式用液压缸活塞杆的一端与连接杆相连，另一端与剪叉式用液压缸相连，剪叉式用液压缸另一端和底座定位连接。

本发明的一种技术方案是固定座接触锁夹的一面固定安装有铜质垫片；锁夹的上槽面为平板状且内侧相对于锁夹下槽面锯齿状凹进的位置固定安装有同凹进面积等大的铜片。

本发明的一种技术方案是炉腔的下法兰内部安装有冷却水道，底座内部安装有冷却水道，液压升降装置的工作台下表面安装有冷却水道。

本发明的技术方案改进是所有的冷却水道都是均匀对称分布。

本发明的一种技术方案是氧气装置的氧气流量是通过质量流量计测量和控制。

本发明的一种技术方案是气体装置中的空气装置的空气流量是通过浮子流量计测量和控制。

本发明同时还提供一种半导体靶体的制备方法：

是使用上述半导体靶体烧结装置进行的半导体靶体烧结方法，步骤如下 ：将半导体坯体放置在所述半导体烧结装置中，用真空装置将设备主体的炉腔压力抽至-60Kpa，加热装置1开始加热，利用氧气装置和空气装置分别将0.2MPa的氧气和0.5MPa的空气的混合气体通入炉腔，在1600℃的温度条件下烧结72小时，得到合格的半导体靶体。

本发明得到用上述半导体靶体烧结装置及其烧结方法烧结制成的产品。

使用以上技术方案，本发明通过液压升降装置解决了人工搬运造成半导体坯体或半导体靶材损坏或不合格品较多这个问题，快捷、方便的移动放有半导体坯体或半导体靶材的工作平台，并且节约劳动力。

使用以上技术方案，本发明通过锁定装置解决了一般的半导体靶体烧结装置在高压环境下作业，仅仅通过升降装置来实现其连接法兰与固定法兰的密封性，不仅操作困难，还容易造成定位不准确，升降装置损坏，密封性能差等问题。

使用以上技术方案，本发明在半导体靶体烧结装置中加入了冷却水道，冷却水道起到冷却并且使整个炉体内部受热均匀的同时，起到了加固支撑炉腔的作用，大大降低了成本。

通过以上技术方案，本发明解决了因为烧结过程中气氛控制的不够好，导致烧结失败的问题，氧气流量是通过质量流量计测量和控制，空气流量是通过浮子流量计测量和控制，精确控制气氛，降低了烧结失败的次数。

通过以上技术方案，用上述一种半导体靶体烧结装置及其烧结方法得到了一种半导体靶体产品。

附图说明：

附图1一种半导体靶体烧结装置正视图。

附图2一种半导体靶体烧结装置局部放大图。

附图3一种半导体靶体烧结装置的锁定装置立体图。

附图4一种半导体靶体烧结装置的锁定装置俯视图。

附图5一种半导体靶体烧结装置锁定装置的固定座立体图。

附图6一种半导体靶体烧结装置锁定装置的锁夹立体图。

附图7一种半导体靶体烧结装置的液压升降装置轴视图。

附图8一种半导体靶体烧结装置的液压升降装置左视图。

附图9一种半导体靶体烧结装置的炉腔正视图。

图中：加热装置1、冷却水道2、真空装置3、氧气装置4、空气装置5、隔热材料6、保温材料7、机架8、上法兰9、下法兰10、壳体11、底盖12、锁夹13、固定座14、液压缸支架15、垫块16、液压缸接头17、连接销18、液压缸19、双肘接头20、保持板21、销轴22、铜质垫片23、工作平台24、滚轮25、轻轨A26、带轴气缸27、锁套28、把手29、轻轨B30、支撑架31、剪叉式用液压缸32、剪叉臂33、连接杆34。

具体实施方式：

常压烧结法得到的靶材尺寸不受设备限制，生产效率高、设备投入少、生产成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大，靶材性能优良，适合高端显示器用镀膜靶材性能要求。本公司采用常压烧结法，用预压方式或粉浆浇铸方式制备高密度的靶材素坯，利用本发明的半导体靶体烧结装置及其烧结方法在一定气氛和温度下对靶材素坯进行烧结，通过对烧结温度和烧结气氛的控制，使靶材素坯晶粒的生长得到有效控制，达到靶材的高致密化及晶粒分布的均匀性的要求。

一种半导体靶体烧结装置，包括设备主体、气体装置、热场组件、加热装置1和冷却水道2。

设备主体包括机架8、炉腔、锁定装置和液压升降装置；机架8为焊接成的框架结构，下半部分为柱状支撑结构，四个角支撑起炉腔，形成的空间中间摆放液压升降平台，上半部分为壳体结构，包围形成的空间摆放炉腔，机架8侧面安装有梯子，以供工作人员上下。

气体装置包括真空装置3、氧气装置4、空气装置5，其中真空装置3、氧气装置4和空气装置5分别与设备主体的炉腔密封连通，氧气装置4和空气装置5的通气管道汇入一个通气管道后，从工作平台的下部通入设备主体炉腔内；空气装置5引进了浮子流量计测量和控制空气的流量，氧气装置4引进了质量流量计精确测量和控制氧气的流量，控制精度在±0.01L，解决烧结过程中气氛控制不精确而导致的烧结失败这个问题。

热场组件由外层隔热材料6和内层保温材料7构成，其中外层隔热材料6和内层保温材料7定位连接后一起摆放在设备主体的炉腔内。加热装置1固定安装在热场组件内表面。

炉腔包括上法兰9、壳体11、底盖12、冷却水道2和下法兰10，其中壳体11为不锈钢板材制作，上法兰9、下法兰10和底盖12均为不锈钢锻件，上法兰9密封固定连接在壳体11的上开口部，下法兰10密封固定连接在壳体11的下开口部，冷却水道2为不锈钢板材制成的密封水道，均匀对称的焊接在壳体11外侧的四个表面上，下法兰10和底盖12内部都均匀对称分布有冷却通道，炉腔的下法兰10的下部通过螺钉定位连接有底盖12。

锁定装置由液压缸19驱动，包括锁夹13、固定座14、液压缸支架15、垫块16、液压缸接头17、连接销18、液压缸19、双肘接头20、保持板21、铜质垫片23和销轴22， 固定座14的一边和机架8固定连接，固定座14的另一边和锁夹13的闭合端外侧固定连接；锁夹13为卧倒状U形长槽，两个锁夹13开口端相对，开口形成的空间可以咬合密封对接的底盖12和工作平台24，卧倒U形长槽的下槽面为锯齿状，与卧倒U形长槽的下槽面夹合接触的工作平台24下表面有和锯齿状对应的槽口；锁夹13闭合端外侧固定连接液压缸接头17，液压缸接头17的另一端和双肘接头20通过销轴22轴向连接，保持板21安装在双肘接头20外表面，双肘接头20另一端和液压缸19固定连接，液压缸19的另一端通过连接销18和液压缸支架15轴向连接，液压缸支架15另一端和垫块16固定连接，液压缸支架15和垫块16固定连接在机架8下部。

固定座14是为了防止工作状态时锁夹13向外倾斜；固定座14接触锁夹13一面固定有铜质垫片23，这里的铜质垫片23是为了减少固定座14和锁夹13之间的摩擦；锁夹13的上槽面为平板状且内侧相对于锁夹13下槽面锯齿状凹进的位置固定安装有同凹进面积等大的铜质垫片23，这里的铜质垫片23是为了减少摩擦保证滑动的稳定性。

本发明锁定装置还可以有另一种实施方式是由气缸驱动，气缸驱动的锁定装置包括固定座14、锁夹13、滑杆、滑套、气缸；工作时底盖12和工作平台24密封对接，工作平台24的下部定位连接有液压升降装置；两个固定座14分别安装在在底盖12的两侧，固定座14近底盖12一侧放置有锁夹13，锁夹13是槽形结构，锁夹13和滑杆通过螺钉定位连接，滑杆穿过固定座14进入滑套内，滑套内部装有滑动滚珠，滑套定位连接在固定座14的远底盖12端；气缸定位连接在固定座14的远底盖12一侧，气缸的伸缩活塞杆穿过固定座14并通过螺钉与锁夹13定位连接。

液压升降装置包括液压升降平台、工作平台24、滚轮25、轻轨A26、锁合装置、把手29、轻轨B30、和支撑架31，液压升降平台包括平台、底座、剪叉式用液压缸32、剪叉臂33和连接杆34，工作平台24为不锈钢焊接件，工作平台24下表面固定安装有冷却水道2，两剪叉臂33在中心转动连接成剪叉，两剪叉之间用连接杆34连接，两剪叉的上端、下端与平台、底座分别成转动、滑动连接，剪叉式用液压缸32活塞杆的一端与连接杆34相连，另一端与底座相连。剪叉式用倾斜一定角度推动连接杆34，升降平台；液压升降平台在机架8内部，支撑架31在机架8外部，液压升降装置底座和机架8底座的接触面相互定位连接，支撑架31底座和机架8底座的接触面相互定位连接；平台上表面固定有轻轨A26，轻轨A26和液压升降装置平台的侧边平行，支撑架31上表面固定有轻轨B30，轻轨B30和支撑架31的侧边平行，处于同一水平面时轻轨A26和轻轨B30等宽、平行并且相通，滚轮25固定安装在工作平台24下部并和轻轨A26、轻轨B30三者配套；工作平台24前侧定位安装把手29，工作平台24下部定位安装气缸支架，气缸支架另一端与带轴气缸27定位连接；平台上表面和支撑架31上表面分别定位安装了能和带轴气缸27的轴配套的锁套28，带轴气缸27和锁套28组成锁合装置。

作为本发明的另一种实施方式，所述的液压升降平台为套缸式，包括底座、套缸式用液压缸和平台，套缸式用液压缸装有两个以上的套缸，套缸彼此套接，套缸内部装有套缸式用液压缸和柱塞杆，平台与柱塞杆顶部定位连接，柱塞杆底部和套缸式用液压缸定位连接，套缸式用液压缸另一端和底座定位连接。套缸式用竖直方向工作，升降平台。

在具体的半导体靶体烧结装置作业过程中，外侧的冷却水道2对称安装在加热管两侧，在半导体坯烧结过程中冷却水道2一直通冷却水，冷却水在炉腔周围被加热后进入冷却塔，冷却后再回到炉腔周围的冷却水道2行使冷却功能，流动的冷却水可以使加热管周围不会局部过热，保证炉腔内部热场均匀；高压的工作情况下冷却水道2有加固并支撑壳体11的作用，费用相比单纯加厚壳体11大大降低，节约炉腔的制作成本。

在具体的半导体靶体烧结装置作业过程中，将等待烧结的半导体坯体放置在支撑架31上面的工作平台24上，操作液压升降平台运动到和支撑架31同一水平面，轻轨A26同轻轨B30接轨相通，操作带轴气缸27的轴从支撑架31上的锁套28中拔出，人通过把手29将工作平台24由轻轨B30推至轻轨A26上，即工作平台24由支撑架31运动到液压升降平台上，到达正确的工作位置后，然后操作带轴气缸27的轴插入到位于液压升降平台上的锁套28中, 操作液压升降平台，使得工作平台24随液压升降平台升起到指定位置，工作平台24和底盖12对接，液压缸19开始动作，通过液压缸19的将锁夹13推出至工作位置，锁夹13的下槽面的锯齿状与工作平台24下表面相应的槽口锁合，锁夹13夹合住对接的工作平台24和底盖12，保证了烧结半导体靶材的作业过程中的密封性。

半导体靶体烧结装置烧结完成后，锁定装置的锁夹13离开对接的工作平台24和底盖12，工作平台24随液压升降平台落下，直到升降平台和支撑架31同一水平面，轻轨A26同轻轨B30接轨相通，带轴气缸27的轴从液压升降平台上的锁套28中拔出，人通过把手29将工作平台24由轻轨A26拉至轻轨B30上，即工作平台24运动到支撑架31上，到达正确的工作位置后，操作带轴气缸27的轴插入到支撑架31上的锁套28中，工作平台24处于宽阔的工作区域，方便取出烧结成的半导体靶材。

作为本发明气缸驱动的锁定装置的实施方式，升降装置将工作平台24升起至工作位置时，底盖12和工作平台24密封对接，气缸开始动作，通过气缸的伸缩活塞杆和滑杆的导向将锁夹13推出至工作位置，锁夹13的上部和工作平台24的上表面接触，锁夹13的下部和底盖12的下表面接触，锁夹13夹合住对接的底盖12和工作平台24，起到了锁紧功能，减轻烧结半导体靶材的工作过程中升降装置所受的压力，保证了烧结半导体靶材的作业过程中的准确定位和密封性。

使用本发明的一种半导体靶体烧结装置，确定了一种半导体靶体烧结方法，步骤如下 ：半导体坯体在所述半导体烧结装置中，用真空装置3将设备主体的炉腔压力抽至-60Kpa，加热装置1开始加热，利用氧气装置4和空气装置5分别将0.2MPa的氧气和0.5MPa的空气的混合气体通入炉腔，在1600℃的高温条件下烧结72小时，用上述一种半导体靶体烧结装置和半导体靶体烧结方法得到了一种半导体靶体，达到靶材的高致密化及晶粒分布的均匀性的要求。

本发明通过液压升降装置解决了人工搬运造成半导体坯体或半导体靶材损坏或不合格品较多这个问题，快捷、方便的移动放有半导体坯体或半导体靶材的工作平台24，并且节约劳动力；通过锁定装置解决了一般的半导体靶体烧结装置在高压环境下作业，仅仅通过升降装置来实现其连接法兰与固定法兰的密封性，不仅操作困难，还容易造成定位不准确，升降装置损坏，密封性能差等问题；本发明在半导体靶体烧结装置中加入了冷却水道2，冷却水道2起到冷却并且使整个炉体内部受热均匀的同时，起到了加固支撑炉腔的作用，大大降低了成本；解决了因为烧结过程中气氛控制的不够好，导致烧结失败的问题，引用了质量流量计控制调节氧气的量，浮子流量计控制调节氧气的量，精确控制气氛，降低了烧结失败的次数。

Claims (10)

1.一种半导体靶体烧结装置，其特征在于：包括设备主体、气体装置、热场组件、加热装置和冷却水道；

设备主体包括机架、炉腔、液压升降装置和锁定装置，机架是整体框架结构，炉腔包括上法兰、下法兰、壳体、底盖和冷却水道，液压升降装置包括液压升降平台、工作平台、滚轮、轻轨A、锁合装置、把手、轻轨B和支撑架，锁定装置包括锁夹、固定座、液压缸支架、垫块、液压缸接头、连接销、液压缸、双肘接头、保持板和销轴；

炉腔位于液压升降装置的上部，上法兰密封固定连接在壳体的上开口部，下法兰密封固定连接在壳体的下开口部，下法兰的下部定位连接有底盖，冷却水道固定连接在壳体外侧表面；液压升降装置在机架内部，支撑架在机架外部，液压升降平台上表面固定有轻轨A，轻轨A和液压升降平台表面的侧边平行，支撑架上表面固定有轻轨B，轻轨B和支撑架的侧边平行，处于同一水平面时轻轨A和轻轨B等宽、平行并且相通，滚轮固定安装在工作平台下部并和轻轨A、轻轨B三者配套，工作平台定位安装把手，工作平台下部定位安装带轴气缸，液压升降平台上表面和支撑架上表面分别定位安装了能和工作平台下部带轴气缸的轴配套的锁套，带轴气缸和锁套组成锁合装置；锁定装置的固定座一端和机架固定连接，固定座另一端和锁夹的外侧固定连接，两个锁夹开口端相对，开口形成的空间可以咬合密封对接的底盖和工作平台，锁夹的下槽面为锯齿状，与锁夹的下槽面夹合接触的工作平台下表面有相应的槽口，锁夹闭合端外侧固定连接液压缸接头，液压缸接头的另一端和双肘接头通过销轴轴向连接，保持板安装在双肘接头外表面，双肘接头另一端和液压缸固定连接，液压缸的另一端通过连接销和液压缸支架轴向连接，液压缸支架另一端和垫块固定连接，液压缸支架和垫块固定连接在机架下部；

气体装置包括真空装置、氧气装置、空气装置，所述真空装置、氧气装置和空气装置分别与炉腔密封连通；热场组件由外层隔热材料和内层保温材料构成，外层隔热材料和内层保温材料定位连接后一起摆放在炉腔内；加热装置固定安装在热场组件内表面。

2.根据权利要求1所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述液压升降平台为套缸式，包括底座、套缸式用液压缸和平台，套缸式用液压缸装有两个以上的套缸，套缸彼此套接，套缸内部装有套缸式用液压缸和柱塞杆，液压升降平台与柱塞杆顶部定位连接，柱塞杆底部和套缸式用液压缸定位连接，套缸式用液压缸另一端和底座定位连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述液压升降平台为剪叉式，包括底座，剪叉臂、剪叉式用液压缸、连接杆和平台，两剪叉臂在中心转动连接成剪叉，两剪叉之间用连接杆连接，两剪叉的上端、下端与平台、底座分别成转动、滑动连接，剪叉式用液压缸活塞杆的一端与连接杆相连，另一端与剪叉式用液压缸相连，剪叉式用液压缸另一端和底座定位连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述固定座接触锁夹的一面固定安装有铜质垫片；锁夹的上槽面为平板状且内侧相对于锁夹下槽面锯齿状凹进的位置固定安装有同凹进面积等大的铜片。

5.根据权利要求1所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述下法兰内部、底座内部和工作台下表面分别安装有冷却水道。

6.根据权利要求5所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所有冷却水道均匀对称分布。

7.根据权利要求6所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述氧气装置的氧气流量是通过质量流量计测量和控制。

8.根据权利要求7所述的一种半导体靶体烧结装置，其特征在于所述空气装置的空气流量是通过浮子流量计测量和控制。

9.一种半导体靶体烧结方法，包括使用权利要求1-8中任意一种半导体靶体烧结装置，步骤如下：将半导体坯体放置在所述半导体烧结装置中，用真空装置将设备主体的炉腔压力抽至-60Kpa，加热装置开始加热，利用氧气装置和空气装置分别将0.2MPa的氧气和0.5MPa的空气的混合气体通入炉腔，在1600℃的温度条件下烧结72小时。

10.一种半导体靶体，其特征在于，利用权利要求9所述的半导体靶体烧结方法制成的产品。