CN103866273A - 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。
Description
技术领域
本发明涉及氧化锌薄膜的制备技术领域，特别涉及原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法。
背景技术
半导体薄膜在微电子、光学、信息学等高新技术产业中发挥出十分重要的作用，发展高晶体质量半导体薄膜的制备与掺杂技术，特别是对于第三代半导体材料ZnO薄膜的制备、表征、掺杂极其特性研究，对于包括紫外波段发光材料、紫外探测器，高集成度光子学与电子学器件、太阳能电池等面向新能源的重要应用领域具有十分重要的意义。氧化锌作为一种新型的II－Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物，具有大的室温禁带宽度3.37eV，而且自由激子结合能高达60meV，作为半导体材料越来越受到人们的重视。与其它宽禁带半导体材料相比，ZnO薄膜生长温度低，抗辐射性好，受激辐射有较低的阈值功率和很高的能量转换效率，这些优点使ZnO正成为光电子、微电子、信息等高新技术在十二五之后赖以继续发展的关键基础材料。然而本征ZnO由于存在缺陷，使得ZnO呈n型，p型ZnO薄膜制备是目前ZnO相关研究的热点和难点。氮掺杂虽然在理论上的计算使得p型ZnO的制备成为可能，但是众多实验表明，由于N元素在ZnO中固溶度较低，因此单独的N元素掺杂不能实现高载流子浓度和高迁移率的p型ZnO薄膜。为了解决该问题，受主-施主-受主的共掺被认为是制备出高质量的p-ZnO薄膜最优发展前景的方向之一。
近年来，制备ZnO薄膜的方法通常包括：如磁控溅射、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、激光脉冲沉积(PLD)和湿化学沉积等。这些制备工艺各有优缺点，从结晶情况来看以MOCVD和MBE法制备的薄膜质量较好。然而，MOCVD不能在原位进行薄膜的掺杂并且反应中存在的湍流和气流分布会影响膜的厚度和均匀性。MBE技术对于特定原子层位置的精确掺杂也难以实现。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可以对氧化锌薄膜进行原位的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变的原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述Zr沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。
本发明提供的原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，利用原子层沉积层层生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中，掺入两次受主元素N和一次Zr，形成N-Zr-N共掺的氧化锌薄膜。N-Zr-N复合体的形成，降低了离化能，促进p型电导的形成。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于提高氧化锌薄膜p型电学性质的稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法的流程图；
具体实施方式
参见图1所示，本发明实施例提供的原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括：将硅衬底或者玻璃衬底用浓硫酸双氧水进行处理，再用超纯水超声波进行清洗，N2吹干，其中浓硫酸:双氧水=4:1。将衬底放入原子层沉积的腔室内，开启原子层沉积设备，调整工作参数，抽真空、加热沉底，达到实验所需各种工作环境；进行N-Zr共掺氧化锌薄膜的多组复合沉积，即Zn(C2H5)2/N2/H2O/N2/plasma N2/N2/(CH3CH2O)4Zr/N2/Zn(C2H5)2/N2/H2O/N2/plasma N2/N2=0.15s/50s/0.07s/50s/10s/50s/0.08s/50s/0.08s/50s/0.07s/50s/10s/50s。其中氮气的流量为1sccm-1000sccm，优选地为15sccm，进气时间为0.04s-5s，优选地为0.15s，清洗时间为5s-150s，优选地为50s，衬底温度为100℃-500℃，优选地为300℃；其中等离子放电功率为1W-100W，优选地为50W，放电时间为1s-50s，优选的为10s。在此期间通过N2等离子体来引入N掺杂，通过(CH3CH2O)4Zr来提供Zr原子，两次plasma N2和一次(CH3CH2O)4Zr的沉积，使得Zr在ZnO中替锌(ZrZn)，N替代O的位置，在薄膜中形成N-Zr-N的复合体，该复合体可以降低离化能，促进p型电导的形成。重复该多组分的复合沉积，可以逐层生长N-Zr-N共掺的氧化锌薄膜。
本发明通过ALD逐层循环的生长方式生长Zr与N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括：
将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；
所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基片为经浓硫酸和双氧水处理，并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃，衬底表面带有羟基。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述复合沉积包括：
在真空环境下依次用第一次锌源、氧源、氮掺杂源、含掺杂元素Zr的掺杂源、第二次锌源、氧源和氮掺杂源进行沉积得到N-Zr共掺的ZnO薄膜，所述第一次锌源、氮掺杂源、氧源、含掺杂元素Zr的掺杂源及第二次锌源在沉积室内暴露时间依次为0.15s、10s、0.07s、0.08s、0.08s。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在每次沉积之后采用高纯氮气清洗沉积室，清洗时间为50s。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述锌源是含锌的烷基化合物或含锌的卤化物，所述氧源是水蒸汽或氧气等离子体；所述氮掺杂源为N2O、N2、NO、NO2或NH3等离子体。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含锌的卤化物是氯化锌ZnCl2，所述含锌的烷基化合物是二乙基锌Zn(C2H5)2或二甲基锌Zn(CH3)2。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含掺杂元素Zr的掺杂源是含Zr的卤化物、含Zr的醇化物、含Zr的烷基化物、含Zr的氢化物、含Zr的环戊二烯基、含Zr的烷酰胺或含Zr的脒基。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述含Zr的卤化物是氯化锆ZrCl4或碘化锆ZrI4，所述含Zr的醇化物是乙醇锆(CH3CH2O)4Zr或叔丁醇锆C16H36O4Zr。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：
通过控制所述的氮掺杂源与水蒸气的通气时间来调节掺杂氧化锌薄膜中氮掺杂源与氧的比例。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：
通过控制含掺杂元素Zr的掺杂源与锌源的通气时间来调节掺杂氧化
锌薄膜中锆掺杂源与锌的比例。
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