CN103855295B - 高导热led照明组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高导热LED照明组件，属于半导体照明的技术领域，所述照明组件包括LED光源、金属基板、电源驱动模块和整流模块；所述金属基板上形成有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层，并且所述树脂绝缘层上形成有金属图案电路，所述高导热绝缘层形成有LED光源、整流模块或电源驱动模块；并且所述金属基板底部通过钎焊固定有带散热鳍片的金属散热器。本发明的照明组件通过设置不同导热系数以及不同材质的绝缘层，可以依据LED光源和整流模块等的位置、大小和功率而配置和分布，能够实现优化的散热；另外将LED光源和整流模块集成设置在同一基板上不仅实现了光电一体化，而且也有利于整体光源的效率，并且提高可靠性。

Description

高导热LED照明组件
技术领域
本发明属于半导体照明的技术领域，更具体的说，本发明涉及一种便于高效散热并应用于高导热LED照明组件。
背景技术
由于发光二极管具有耗电少、能量转换效率高、寿命长以及不会造成汞污染等优越特性，使发光二极管成为取代传统照明的首选,其也因为具有节能、环保、等传统光源无可比拟的优势而得到了空前的发展。大功率LED固态照明是继白炽灯发明以来，最重要的照明革命，具有与传统照明光源最大的不同，发光效率高，能耗仅为普通白炽灯八分之一；目前已经广泛应用于路灯照明、工矿以及公共场所等。
伴随着LED电流强度和发光量的增加，LED芯片的发热量也随之上升，对于高功率LED，输入能源的80%都以热的形态消耗掉。如果不及时将芯片发出的热量导出并消散，大量的热量将积聚在LED内部，将造成芯片的温升效应，LED的发光效率将急剧下降，而且寿命和可靠性也将大打折扣；另外高温高热将使LED封装结构内部产生机械应力，还可能引发质量问题。因此随着单颗大功率LED的功率密度的不断提高，对大功率LED封装材料及结构的设计，也日益成为半导体照明领域的一个巨大挑战。
目前单颗3W以上的LED普遍都会采用金属基印刷电路板作为电路及散热基板。现有的金属基印刷电路由于采用金属基板(铜基板或铝基板)，导热率相比以前1W以下LED采用的普通FR4印刷电路板有了较大的提升。然而，尽管铝基板甚至铜基板有很好的热导率，分别可达205W/mK和380W/mK，但由于电绝缘的需要以及制备工艺的限制，目前的金属基印刷电路板电路层和金属基板之间都有一层绝缘层。随着目前LED封装水平的不断提高，大尺寸芯片和多芯片封装越来越多，功耗越来越高，对载体基板提出了更高的散热要求，现有的金属基印刷电路板在应用中已经出现了诸多的问题，其中最主要的一个原因就是因为散热不充分导致LED失效。LED在使用中由于70～90%的能耗会被转化为热能，如不能及时将热量散发出去，将会导致LED节温过高，造成发光效率下降，降低LED寿命，严重时更可能直接烧毁芯片。
为了达到提高金属基板的功率负荷，减少体积，延长寿命并且提高输出功率以及增加可靠性，LED灯具发展的一个趋势就是将LED芯片和驱动电源模块集合在一个基板，但是在一个基板上集成元件，虽然在理论上有利于提高集成密度，发光效率以及提高总亮度，但同时也更加加剧了散热问题，成为制约LED灯具技术发展的瓶颈。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种高导热LED照明组件。采用本发明所述的高导热LED照明组件不仅成本相对较低而还具有高导热率、抗击穿并且性能可靠的特点。
本发明所述的高导热LED照明组件，包括LED光源、金属基板、电源驱动模块和整流模块；其特征在于：所述金属基板上形成有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层，并且所述树脂绝缘层上形成有金属图案电路，所述高导热绝缘层形成有LED光源、整流模块或电源驱动模块；并且所述金属基板底部通过钎焊固定有带散热鳍片的金属散热器。
其中，所述LED光源的形式可以为封装好的灯珠、cob模块或者芯片；其可以通过普通焊接、波峰焊接、回流焊接或共晶焊接结合在高导热绝缘层上。在本发明中，单颗LED的功率为5W以上，优选为10W以上。
其中，沿着所述LED光源的出光方向，在所述金属基板上还设置有二次光学模块，例如透镜或半透镜。并且所述二次光学模块可以通过机械安装、粘结或压合的方式安装在所述金属基板上。
其中，所述树脂绝缘层之间相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间相邻设置或者间隔设置。
其中，所述整流模块或电源驱动模块可以通过普通焊接、波峰焊接、回流焊接或共晶焊接结合在高导热绝缘层上。
其中，所述金属散热器可通过机械安装、粘结或焊接的方式设置在所述金属基板的底部。
其中，所述金属基板由铝、铜、铝合金或铜合金制成。更优选地，所述金属基板由铝合金制成。
其中，所述铝合金表面经过表面处理在其表面上形成阳极氧化铝膜。
其中，所述高导热绝缘层的热导率为50～500W/mK，厚度为20～500μm。
其中，所述树脂绝缘层的热导率为1.0～30W/mK。
其中，所述树脂绝缘层的厚度为20～500μm。
其中，所述树脂绝缘层为含有热固性树脂、固化剂和无机填料的树脂固化物。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明的照明组件通过设置不同导热系数以及不同材质的绝缘层，可以依据LED光源和整流模块等的位置、大小和功率而配置和分布，能够实现优化的散热；另外将LED光源和整流模块集成设置在同一基板上不仅实现了光电一体化，而且也有利于整体光源的效率，并且提高可靠性。此外本发明还通过对金属基板的处理，能够在金属基板的表面形成耐高压击穿的绝缘层，例如特殊处理的阳极氧化铝薄层或有机绝缘薄层，进一步提高了封装结构的耐高压击穿性能，从而实现了LED的更高亮度化。
附图说明
图1为本发明所述的高导热LED照明组件的结构示意图。
图2为本发明所述的高导热LED照明组件上表面分布示意图。
具体实施方式
如附图1-2所示，为本发明所述的高导热LED照明组件的一个典型的例子（但本发明的保护范围以核准的权利要求限定的范围为准），所述的高导热LED照明组件，包括金属基板10、LED光源41、电源驱动模块42和整流模块43；所述金属基板10上形成有多个树脂绝缘层20和多个高导热绝缘层30，并且所述树脂绝缘层20上形成有金属图案电路，所述高导热绝缘层30形成有LED光源41、整流模块43或电源驱动模块42；所述金属图案电路、LED光源、整流模块以及电源模块之间通过金属导线电性连接。所述电源驱动模块用于将交流电源的输入，所述整流模块用于将输入的交流电源转化为稳定的直流电源。而在所述金属基板底部还通过钎焊设置有带散热鳍片的金属散热器60，所述的钎焊的方法，例如软钎焊、硬钎焊或活性钎焊等，优选使用活性钎焊，所述活性钎焊的成分例如可以选择2.25wt%的Ti、2.00wt%的Al、3.00wt%的Si和余量的Cu；例如可以选择1.25wt%的Ti、32.250wt%的Cu和余量的Ag；例如可以选择1.25wt%的Ti、12.50wt%的In、27.25wt%的Cu和余量的Ag。
所述LED光源的形式可以为封装好的灯珠、cob模块或者芯片；其可以通过普通焊接、波峰焊接、回流焊接或共晶焊接结合在高导热绝缘层上。在本发明中单颗LED电源的功率为5W以上，优选为10W以上。而且，沿着所述LED光源的出光方向，在所述金属基板上还设置有二次光学模块50，例如透镜或半透镜，所述二次光学模块可以通过机械安装、粘结或压合的方式安装在所述金属基板上。在本发明中，根据涉及需要，例如根据LED光源的布置形态，整流模块的设置情况，所述树脂绝缘层之间可以相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间可以相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间可以相邻设置或者间隔设置。所述整流模块或电源驱动模块可以通过普通焊接、波峰焊接、回流焊接或共晶焊接结合在高导热绝缘层上。
在本发明中，除了从导热性考虑以外，从结构的强度以及经济性考虑，所述金属基板为铝合金板。
作为优选地，所述金属基体经过表面处理工序，所述的表面处理工序可包含所述的表面处理工序包含粗化处理、酸洗、酸蚀刻、碱洗或碱蚀刻工序中的任意一种或几种。作为用于形成粗化表面的代表性方法，可以举出对金属基板依次实施机械性粗面化处理、碱蚀刻处理、采用酸的清洗处理和使用了电解液的电化学粗面化处理等方法；对金属基板实施多次机械性粗面化处理、碱蚀刻处理、采用酸的除垢处理和使用了不同的电解液的电化学粗面化处理的方法；但本发明并不限于这些。作为酸可以为无机酸和/或有机酸，所述的无机酸例如可以为硫酸、盐酸、硝酸、磷酸等；所述的有机酸例如可以为羧酸或磺酸，例如甲酸、乙酸、酒石酸、草酸、苹果酸、抗坏血酸以及苯甲酸等。作为常用的碱例如可以为碱金属的氢氧化物，例如氢氧化钠或氢氧化钾。为了减少酸洗或碱蚀刻处理过程中金属基体材料的蚀刻量，在所述的碱溶液或酸溶液中可以含有耐蚀剂，此外还可以含有表面活性剂以及螯合剂等其它组分。此外，所述的表面处理，还可以是在所述的金属基体表面形成电绝缘的阳极氧化铝膜或电绝缘的有机膜层，从而提高所述金属基体的耐高压击穿强度。
在本发明中所述的LED可以为各种类型，例如可以由一种或多种III族元素和一种或者多种V族元素的PN结(III-V半导体)形成。可用于LED的III-V半导体材料的例子包括：氮化物，如氮化镓或者氮化铟镓；以及磷化物如磷化铟镓。也可以使用其它类型的III-V材料，还可以使用其它族的无机材料。此外，在本发明中所述LED光源还包括用荧光粉封装或者与荧光粉相关的LED，其中，荧光粉将由LED发出的光转变为不同波长的光。而且所述LED可以是顶部发光的，或者LED可以是侧面发光的，例如US2004/233665A1中公开的LED。在本发明中，根据需要，在现有技术范围内所述LED可以选择为以任何所需波长发射，如在红色、绿色、蓝色、紫外或者远红外光谱区中发射。在LED阵列中，各LED可以都在同一光谱区中发射，或者可以在不同的光谱区中发射。不同的LED可以用来产生不同的颜色，其中，由发光元件发射的光的颜色是可选择的。对不同LED的单独控制导致能够控制发射的光的颜色。另外，如果需要白色光，则可以提供大量发射不同颜色光的LED，其组合的效果是发射观看者感觉成是白色的光。产生白色光的另一方法是使用一个或者多个发射相对较短波长的光的LED，并且使用荧光粉波长转换器将发射的光转换为白色光。白色光是刺激人眼的光感受器以产生普通观看者认为是“白色”的外观的光。这种白色光可以为暖白色光)或者为冷白色光。
在本发明中，作为本发明中的所述高导热绝缘层的热导率为50～500W/mK。所述高导热绝缘层的厚度为20～500μm。所述高导热绝缘层可以由陶瓷材料或非金属单晶材料制成，作为陶瓷材料可以选择但不限于氧化锌、氧化铍、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅、蓝宝石、氮化铝、碳化硅、氮氧化硅或氮氧化铝。在本发明中所述的陶瓷材料可以通过切割烧制的陶瓷板并焊接在本发明所述的金属基板上，所述的焊接方法例如可以是钎焊的方法，例如软钎焊、硬钎焊或活性钎焊等。在本发明中所述的陶瓷材料还可以通过原位形成方法制备得到，例如通过真空镀膜方法，例如常用的物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备得到。作为物理气相沉积的例子例如蒸镀、溅射或离子镀沉积方法。其中，真空蒸发沉积具有简单便利、操作容易、成膜速度快以及效率高等优点，是薄膜制备中最为广泛使用的技术。其原理是在真空环境下，给待蒸发材料，例如本发明中的陶瓷材料提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在金属基体上凝结，这样既可实现真空蒸发薄膜沉积。作为蒸镀的例子例如可以选择电阻加热蒸镀、闪烁蒸镀、电子束蒸发、激光蒸发、电弧蒸发或者射频加热蒸发等。溅射是指具有足够高能量的离子轰击靶材表面使其中的原子发射出来，溅射过程实际上入射粒子(通常为离子)通过与靶材碰撞，进行一系列能量交换的过程，而入射粒子能量的95%用于激励靶中的晶格热振动，只有5%左右的能量是传递给溅射原子。作为溅射沉积的例子例如通过，通过中高频磁控溅射陶瓷靶材并沉积在所述金属基板表面上，溅射所获得的薄膜与基体结合良好，而且薄膜纯度较高、致密性较好，而且膜厚可控，能够获得厚度均匀的薄膜。作为溅射沉积的例子例如可以选择辉光直流溅射、磁控溅射、射频溅射、离子束溅射、反应溅射等。另外，所述陶瓷材料还可以通过离子镀方法沉积得到。离子镀是指在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物部分离子化，产生离子轰击效应，最终将蒸发物或反应物沉积在基片上。作为化学气相沉积方法例如可以采用一般化学气相沉积方法或者等离子体增强化学气相沉积方法。
在本发明中，所述的树脂绝缘层的热导率例如可以为0.5～30W/mK的范围。如此可以将金属导电图案层以及焊点以及金属连接所产生的热量充分地扩散。所述树脂绝缘层的厚度优选为20～500μm。因为厚度如果小于20μm，则电绝缘性变得不充分，如果大于500μm，则散热性可能会受损。而所述树脂绝缘层为含有热固性树脂和固化剂的树脂固化物。作为优选地，所述树脂绝缘层为含有热固性树脂、固化剂和无机填料的树脂固化物。此外，在用于形成绝缘层的固化性树脂组合物中，还可以根据需要还可以使用催化剂、硅烷类偶联剂、钛酸脂类偶联剂、稳定剂以及固化促进剂等。作为无机填料，优选具有电绝缘性且热传导性良好的无机填料，例如可以使用二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼等。为保持适当的流动性，绝缘层中的无机填料的含量较好为5～15wt%。无机填料的粒度较好是包含平均粒径为0.6μm～2.4μm以及5μm～20μm的两种粒度。通过将平均粒径较大的粗粒子和平均粒径较小的微粒子混合，与单独使用各微粒时相比，可实现更多的填充，能够获得良好的热传导性。此外，粒子形状可以是粉碎的、球形的、或鳞片状的。
金属基板以及阳极氧化铝膜
在本实施例中所述金属基板选择为铝或铝合金板基底，例如99.99wt%的纯铝，作为铝合金例如含有Mg：2.8～3.0wt%、Mn：0.90～1.20wt%、Ti：0.1～0.2wt%、Ni：0.6～0.8wt%，余量的Al和不可避免的杂质；所述的铝合金不仅不具有较高的强度（大于100MPa的抗拉强度），而且阳极氧化处理时，更有利于形成致密的氧化膜。所述铝或铝合金板基底的厚度为2～20mm，阳极氧化铝膜的厚度为10～20μm；所述阳极氧化铝膜的绝缘耐久时间大于1000小时，所述的绝缘耐久时间是指在50℃、85%RH的条件下在阳极氧化铝膜上施加100V的直流电压，而将电阻值下降至106Ω以下的时间。
所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝或铝合金板基底进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20～35g/L的柠檬酸，3～5g/L的DL-半胱氨酸，0.5～1.0g/L的过氧化氢，3～5g/L的柠檬酸铝；在液温为10～20℃、电流密度为0.5～1A/dm2、电解处理20～30min。采用上述阳极氧化方法，由于采用柠檬酸作为处理溶液，并在其中添加了适量的过氧化氢和DL-半光氨酸，在阳极氧化处理时能够使得铝离子的供应充足，从而能够得到致密的阳极氧化铝膜，在膜厚为10μm及以上的条件下，即使不经过封孔处理即可满足绝缘耐久时间大于1000小时的要求。
实施例1
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20g/L的柠檬酸，3g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，3g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1000小时。
实施例2
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：30g/L的柠檬酸，4g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1000小时。
实施例3
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：35g/L的柠檬酸，5g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1500小时。
实施例4
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对上述铝合金板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20g/L的柠檬酸，3g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，3g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1200小时。
实施例5
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对上述铝合金板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：30g/L的柠檬酸，4g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1200小时。
实施例6
本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对上述铝合金板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：35g/L的柠檬酸，5g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1500小时。
对比例1
对铝板进行酸洗除垢，然后在草酸溶液中进行阳极氧化处理，所述草酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的草酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm2、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为300～500小时。
对比例2
对铝板进行酸洗除垢，然后在硫酸溶液中进行阳极氧化处理，所述硫酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的硫酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm2、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为250～400小时。
对比例3
对上述铝合金板进行酸洗除垢，然后在草酸溶液中进行阳极氧化处理，所述草酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的草酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm2、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为300～600小时。
对比例4
对上述铝合金板进行酸洗除垢，然后在硫酸溶液中进行阳极氧化处理，所述硫酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的硫酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm2、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为300～500小时。
高导热绝缘层
在本发明中，所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK。所述高导热绝缘层厚度范围为20～500μm，例如为50μm。所述高导热绝缘层可以由陶瓷材料或非金属单晶材料制成。作为陶瓷材料可以选择但不限于氧化锌、氧化铍、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅、蓝宝石、氮化铝、碳化硅、氮氧化硅或氮氧化铝。在本发明中所述的陶瓷材料可以通过切割烧制的陶瓷板并焊接在本发明所述的金属基板上，所述的焊接方法例如可以是钎焊的方法，例如软钎焊、硬钎焊或活性钎焊等，优选使用活性钎焊，所述活性钎焊的成分例如可以选择2.25wt%的Ti、2.00wt%的Al、3.00wt%的Si和余量的Cu；例如可以选择1.25wt%的Ti、32.250wt%的Cu和余量的Ag；例如可以选择1.25wt%的Ti、12.50wt%的In、27.25wt%的Cu和余量的Ag。此外，所述的高导热绝缘层还可以采用蒸镀、溅射镀或反应离子镀以及化学气相沉积的方法制备得到，例如采用申请人为苏州晶品光电科技有限公司，公开号为CN103354221A、CN103353065A、CN103354219A、CN103354222A、CN103354698A、CN103354220A、CN103354269A、CN103354697A、CN103354699A、CN103354254A、CN103327736A、CN103327735A、CN103325921A、CN103338588A，或者公告号为CN203340413U、CN203339213U、CN203339139U、CN203340409U、CN203340407U、CN203340408U、CN203339224U、CN203336288U、CN203339140U和CN203339145U中记载的制备方法，并且上述文献记载在此，作为参考。
树脂绝缘层
在本发明中，所述树脂绝缘层的导热率可选择为0.5～30W/mK，并且所述树脂绝缘层的厚度范围优选为20～500μm。
所述树脂绝缘层由含有热固性树脂、固化剂和无机填料的固化性树脂组合物形成，此外，在用于形成绝缘层的固化性树脂组合物中，还可以根据需要还可以使用其它组分等。形成条件例如可以在160～180℃的条件下固化30～180秒。作为优选地，所述的固化性树脂组合物含有55～60wt%的双酚F二缩水甘油醚、12.5～15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8.0～10.0wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、3.2～5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5～3.0wt%的邻苯二甲酸酐、0.5～1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和3～8wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及3～8wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。
实施例7
本实施例所述的固化性树脂组合物含有55wt%的双酚F二缩水甘油醚、15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10.0wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和5.5wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.0wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为20～25W/mK。
实施例8
本实施例所述的固化性树脂组合物含有60wt%的双酚F二缩水甘油醚、12.5wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、3.2wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和6.3wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.0wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为22～26W/mK。
实施例9
本实施例所述的固化性树脂组合物含有58wt%的双酚F二缩水甘油醚、15wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、5wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和4wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及4wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为18～22W/mK。
实施例10
本实施例所述的固化性树脂组合物含有78wt%的双酚F二缩水甘油醚、5wt%的2-甲基咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和6.5wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.5wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为15～20W/mK。
在本发明中所述的树脂绝缘层除了需要满足所需的导热率外，还应具有优异的耐热变色性。为了检测上述固化性树脂组合物的耐热变色性能，将所述的固化性树脂组合物，在170℃、8N/mm2以及固化时间为120秒的条件下加工成直径为50mm×厚度为3mm的圆盘作为样品，然后在150℃的条件下放置24小时，利用肉眼观察其耐热变色性，发现实施例7-9所述的样品没有发现变色现象，而实施例10所述的样品稍有变色或发生了变色。
金属图案电路
根据实际需要，在所述的树脂绝缘层,或者在所述的树脂绝缘层以及所述高导热绝缘层上均形成有金属图案电路。在所述缘层上可以通过粘结或按压铜箔形成导电铜膜，或者可以通过溅射、化学镀（需要事先进行活化）形成铜膜。所述铜膜的厚度例如为2～5μm厚，然后在带所述铜膜上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成金属图案电路，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后即可得到所述的金属图案电路。
工业实用性
本发明所述的高导热LED照明组件，具有改进的散热性能和可靠性，在工业领域能够广泛应用于路灯照明、工矿以及公共场所等。
对于本领域的普通技术人员而言，具体实施例只是结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高导热LED照明组件，包括LED光源、金属基板、电源驱动模块和整流模块；其特征在于：所述金属基板上形成有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层，并且所述树脂绝缘层上形成有金属图案电路，所述高导热绝缘层形成有LED光源、整流模块或电源驱动模块；并且所述金属基板底部通过钎焊固定有带散热鳍片的金属散热器；所述树脂绝缘层由固化性树脂组合物制成，并且所述的固化性树脂组合物含有55～60wt％的双酚F二缩水甘油醚、12.5～15.0wt％的乙烯基三乙氧基硅烷、8.0～10.0wt％的苯烯酸-2-羟基乙酯、3.2～5.0wt％的三甲基硅咪唑、2.5～3.0wt％的邻苯二甲酸酐、0.5～1.0wt％的2，6-二叔丁基对甲酚，和3～8wt％的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及3～8wt％的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。
2.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述LED光源为封装好的灯珠、cob模块或者芯片；并且单颗LED光源的功率为5W以上。
3.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：沿着所述LED光源的出光方向，在所述金属基板上还设置有二次光学模块；并且所述二次光学模块通过机械安装、粘结或压合的方式安装在所述金属基板上。
4.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述树脂绝缘层之间相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间相邻设置或者间隔设置。
5.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述金属基板由选自铝、铜、镍、铁、金、银、钛、钼、硅、镁、铅、锡、铟、镓或者它们的合金材料制成。
6.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述高导热绝缘层的热导率为50～500W/mK，厚度为20～500μm。
7.根据权利要求1所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述高导热绝缘层的材料为铝，硅，镐，钛，等元素的氧化物或者氮化物。
8.根据权利要求7所述的高导热LED照明组件，其特征在于：所述树脂绝缘层的热导率为1.0～30W/mK，厚度为20～500μm。
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