CN103854695A - 电压产生装置 - Google Patents

Abstract

一种电压产生装置，包括第一分压调整单元与控制单元。第一分压调整单元对工作电压进行调整，并输出第一参考电压给随机存取记忆体单元。第一分压调整单元包括第一及第二分压电路与第一参考电压输出端。第一及第二分压电路对工作电压进行分压。第一参考电压输出端耦接于第一分压电路与第二分压电路之间。第二分压电路依据第一控制信号，调整第二分压电路的阻值，以改变第一参考电压输出端的第一参考电压值，第一分压调整单元提供回应于第一参考电压的第一反馈电压。控制单元提供第一控制信号，并依据第一反馈电压，调整第一控制信号。

Description

电压产生装置

技术领域

本发明涉及一种电压产生装置，特别涉及一种适于随机存取记忆体（随机存取存储器）的电压产生装置。

背景技术

在目前计算机系统或伺服器中，需要提供随机存取记忆体（Random AccessMemory,RAM）所需的参考电压，使得随机存取记忆体可正常运作。一般来说，在提供随机存取记忆体所需的参考电压的电路设计上，利用一处理芯片通过内部集成电路（Inter Integrated Circuit,I2C）总线接收一电压信号，并对此电压信号进行处理后，以产生随机存取记忆体所需的参考电压。

然而，利用内部集成电路总线传送电压信号，则内部集成电路总线的信号质量会影像到随机存取记忆体的工作状态，使得随机存取记忆体在工作上较不稳定。并且，在提供参考电压的电路设计上，还需要使用前述的处理芯片，如此将增加电路设计的复杂度。

发明内容

鉴于以上的问题，本发明的目的在于提供一种电压产生装置，藉以提供准确的参考电压，以增加随机存取记忆体（随机存取存储器）的工作稳定度，并降低电路设计的复杂度。

本发明的一种电压产生装置，包括第一分压调整单元与控制单元。第一分压调整单元用以对工作电压进行调整，并输出第一参考电压给随机存取记忆体单元。第一分压调整单元包括第一分压电路、第二分压电路与第一参考电压输出端。第二分压电路与第一分压电路串联从而对工作电压进行分压。第一参考电压输出端耦接于第一分压电路与第二分压电路之间。其中，第二分压电路接收第一控制信号，并依据第一控制信号，调整第二分压电路的阻值，从而改变第一参考电压输出端的第一参考电压值，且第一分压调整单元提供回应于第一参考电压的第一反馈电压。控制单元耦接第一分压调整单元，用以提供第一控制信号，且控制单元接收第一反馈电压，并依据第一反馈电压，调整第一控制信号。

在一实施例中，前述第一分压电路包括第一电阻。第一电阻的第一端接收工作电压，第一电阻的第二端耦接第一参考电压输出端。

在一实施例中，前述第二分压电路包括第一电容、第二电阻、第三电阻与第四电阻。第一电容的第一端接收第一控制信号，并提供反馈电压。第二电阻的第一端耦接第一电容的第二端，第二电阻的第二端耦接接地端。第三电阻的第一端耦接第一电容的第一端，第三电阻的第二端耦接第一参考电压输出端。第四电阻的第一端耦接第三电阻的第二端，第四电阻的第二端耦接接地端。

在一实施例中，前述电压产生装置更包括第二分压调整单元。第二分压调整单元耦接控制单元，用以对工作电压进行分压调整，并输出第二参考电压给随机存取记忆体单元。第二分压调整单元包括第三分压电路、第四分压电路与第二参考电压输出端。第四分压电路与第三分压电路串联从而对工作电压进行分压。第二参考电压输出端耦接于第三分压电路与第四分压电路之间。其中，第四分压电路接收第二控制信号，并依据第二控制信号，调整第四分压电路的阻值，从而改变第二参考电压输出端的第二参考电压值，且第三分压调整单元提供回应于第二参考电压的第二反馈电压，控制单元更接收第二反馈电压，并依据第二反馈电压，调整第二控制信号。

在一实施例中，前述第三分压电路包括第五电阻。第五电阻的第一端接收工作电压，第五电阻的第二端耦接第二参考电压输出端。

在一实施例中，前述第四分压电路包括第二电容、第六电阻、第七电阻与第八电阻。第二电容的第一端接收第二控制信号，并提供第二反馈电压。第六电阻的第一端耦接第二电容的第二端，第六电阻的第二端耦接接地端。第七电阻的第一端耦接第二电容的第一端，第七电阻的第二端产生耦接第二参考电压输出端。第八电阻的第一端耦接第七电阻的第二端，第八电阻的第二端耦接接地端。

在一实施例中，前述电压产生装置还包括第三分压调整单元。第三分压调整单元耦接控制单元，用以对工作电压进行分压调整，并输出第三参考电压给另一随机存取记忆体单元。第三分压调整单元包括第五分压电路、第六分压电路与第三参考电压输出端。第六分压电路与第五分压电路串联从而对工作电压进行分压。第三参考电压输出端耦接于第五分压电路与第六分压电路之间。其中，第六分压电路接收第三控制信号，并依据第三控制信号，调整第六分压电路的阻值，从而改变第三参考电压输出端的第三参考电压值，且第五分压调整单元提供回应于第三参考电压的第三反馈电压，控制单元还接收第三反馈电压，并依据第三反馈电压，调整第三控制信号的电压准位，第二分压调整单元还输出第二参考电压给另一随机存取记忆体单元。

在一实施例中，前述第五分压电路包括第九电阻。第九电阻的第一端接收工作电压，第九电阻的第二端耦接第三参考电压输出端。

在一实施例中，前述第六分压电路包括第三电容、第十电阻、第十一电阻与第十二电阻。第三电容的第一端接收第三控制信号，并提供第三反馈电压。第十电阻的第一端耦接第三电容的第二端，第十电阻的第二端耦接接地端。第十一电阻的第一端耦接第三电容的第一端，第十一电阻的第二端耦接第三参考电压输出端。第十二电阻的第一端耦接第十一电阻的第二端，第十二电阻的第二端耦接接地端。

在一实施例中，前述第一参考电压为随机存取记忆体单元的命令与地址信号服务的参考电压，第二参考电压为随机存取记忆体单元的数据总线服务的参考电压，第三参考电压为随机存取记忆体单元的命令与地址信号服务的参考电压。

本发明的电压产生装置，利用控制单元产生控制信号，且控制信号经由分压调整单元调整后，产生参考电压给随机存取记忆体单元。并且，控制单元还依据分压调整单元所提供的反馈信号，调整控制信号的电压准位。如此一来，提供给随机存取记忆体单元的参考电压较为准确，进而提高随机存取记忆体单元的工作稳定度，并降低电路的设计复杂度。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的电压产生装置的示意图；

图2为本发明的另一电压产生装置的示意图；

图3为本发明的又一电压产生装置的示意图。

其中，附图标记

100、200、300   电压产生装置

110   第一分压调整单元

111   第一分压电路

112   第二分压电路

113   第一参考电压输出端

130   控制单元

150、330   随机存取记忆体单元

210   第二分压调整单元

211   第三分压电路

212   第四分压电路

213   第二参考电压输出端

310   第三分压调整单元

311   第五分压电路

312   第六分压电路

313   第三参考电压输出端

C1    第一电容

C2    第二电容

C3    第三电容

R1    第一电阻

R2    第二电阻

R3    第三电阻

R4    第四电阻

R5    第五电阻

R6    第六电阻

R7    第七电阻

R8    第八电阻

R9    第九电阻

R10    第十电阻

R11   第十一电阻

R12   第十二电阻

CS1   第一控制信号

CS2   第二控制信号

CS3   第三控制信号

VIN   工作电压

VFB1  第一反馈电压

VFB2  第二反馈电压

VFB3  第三反馈电压

VREF1 第一参考电压

VREF2 第二参考电压

VREF3 第三参考电压

GND   接地端

具体实施方式

以下所列举的各实施例中，将以相同的标号代表相同或相似的元件。

请参考图1所示，其为本发明的电压产生装置的示意图。本实施例的电压产生装置100适于随机存取记忆体（Random Access Memory,RAM）单元150。也就是说，电压产生装置100用以提供随机存取记忆体单元150所需的参考电压，以进行相应的运作。其中，随机存取记忆体单元150可包括单一随机存取记忆体或一对随机存取记忆体，而随机存取记忆体例如为第三代双倍数据率（Double Data Rate Three，以下简称DDR3）记忆体。

电压产生装置100包括第一分压调整单元110与控制单元130。第一分压调整单元110用以接收工作电压VIN，并对工作电压VIN进行调整，且输出第一参考电压VREF1给随机存取记忆体单元150。

第一分压调整单元110包括第一分压电路111、第二分压电路112与第一参考电压产生端113。第二分压电路112串联耦接第一分压电路111，以便第一分压电路111与第二分压电路112可对工作电压VIN进行分压。第一参考电压输出端113耦接于第一分压电路111与第二分压电路112之间，用以输出第一参考电压VREF1。

其中，第二分压电路112接收第一控制信号CS1，并依据第一控制信号CS1，调整第二分压电路112的阻值，从而改变第一参考电压输出端113的第一参考电压VREF1。并且，第一分压调整单元110提供回应于第一参考电压VREF1的第一反馈电压VFB1。

控制单元130耦接第一分压调整单元110，用以提供第一控制信号CS1，且控制单元130接收第一反馈电压VFB1，并依据第一反馈电压VFB1，调整第一控制信号CS1的电压准位。在本实施例中，控制单元130例如为中央处理单元（Central Processing Unit,CPU）或微控制器（Micro Controller Unit,MCU）。

当控制单元130开始工作后，提供第一控制信号CS1给第一分压调整单元110的第二分压电路112。接着，第二分压电路112依据第一控制信号CS1，调整第二分压电路112内部的阻值，使得第一分压电路111与第二分压电路112进一步依据改变后的阻值对工作电压VIN（例如1.5V）进行分压，以改变第一参考电压输出端113的第一参考电压VREF1，而此第一参考电压VREF1例如为0.75V。并且，此第一参考电压VREF1输出给随机存取记忆体单元150，使得随机存取记忆体单元150进行工作。

另外，第一分压调整单元110除了产生第一参考电压VREF1之外，还会回应于第一参考电压VREF1而提供一第一反馈电压VFB1给控制单元130，使控制单元130进一步监控第一反馈电压VFB1的电压准位，并进行相应的处理。

举例来说，由于控制单元130、第一分压调整单元110与随机存取记忆体单元150工作后，会产生热，而影响第一参考电压VRFE1的稳定度。因此，控制单元130利用读取第一反馈电压VFB1的电压准位，而判断所提供的第一参考电压VREF1是否受到温度影响。

假设，当控制单元130读取到第一反馈电压VFB1的电压准位例如为0.7V或0.8V时，表示第一参考电压VREF1已受到温度影响，而第一参考电压VREF1的电压准位并非为0.75V，则控制单元130会依据第一反馈电压VFB1，调整第一控制信号CS1的电压准位，使得第二分压电路112据以改变其组值，进而使得第一参考电压VREF1可维持在0.75V的电压准位。如此一来，本实施例的电压产生装置100可提高第一参考电压VREF1的准确性，进而增加随机存取记忆体单元150的工作稳定度。

在本实施例中，第一参考电压VREF1可为随机存取记忆体单元150的命令与地址信号服务的参考电压或随机存取记忆体单元150的数据总线服务的参考电压。

另外，前述第一控制信号CS1可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_DQ_A、VREF_DQ_B与VREF_CA其中之一。

进一步来说，第一分压电路111包括第一电阻R1。第一电阻R1的第一端接收工作电压VIN，第一电阻R1的第二端耦接第一参考电压输出端113。

第二分压电路112包括第一电容C1、第二电阻R2、第三电阻R3与第四电阻R4。第一电容C1的第一端接收第一控制信号CS1，并提供第一反馈电压VFB1。第二电阻R2的第一端耦接第一电容C1的第二端，第二电阻R2的第二端耦接接地端GND。第三电阻R3的第一端耦接第一电容C1的第一端，第三电阻R3的第二端耦接第一参考电压输出端113。第四电阻R4的第一端耦接第三电阻R3的第二端，第四电阻R4的第二端耦接接地端GND。

在本实施例中，第二分压电路112利用第一控制信号CS1对第一电容C1进行充电或放电，以调整第一电容C1上的压降的电压准位，进而改变第二分压电路112的第一电容C1、第二电阻R2、第三电阻R3及第四电阻R4所产生的阻值。接着，利用第三电阻R3与第二分压电路112的内部所产生的阻值以分压的方式，对工作电压VIN进行分压及调整，以由第一参考电压输出端113产生随机存取记忆体单元150所需的第一参考电压VREF1，例如0.75V。

请参考图2所示，其为本发明的另一电压产生装置的示意图。本实施例的电压产生装置200适于随机存取记忆体单元150。也就是说，电压产生装置200用以提供随机存取记忆体单元150所需的参考电压，以进行相应的运作。

电压产生装置200包括第一分压调整单元110、控制单元130与第二分压调整单元210。其中，第一分压调整单元110仍包括第一分压电路111、第二分压电路112与第一参考电压输出端113。并且，第一分压调整单元110、第一分压电路111、第二分压电路112与第一参考电压输出端113与控制单元130的耦接关系、内部电路元件与其相关操作，可参考图1的实施例的说明，故在此不再赘述。

在本实施例中，第二分压调整单元210耦接控制单元130，用以接收第二控制信号CS2与工作电压VIN，并对工作电压VIN进行调整，且输出第二参考电压VREF2给随机存取记忆体单元150。

第二分压调整单元210包括第三分压电路211、第四分压电路212与第二参考电压产生端213。第四分压电路212串联耦接第三分压电路211，以便第三分压电路211与第四分压电路212可对工作电压VIN进行分压。第二参考电压产生端213耦接于第三分压电路211与第四分压电路212之间，用以输出第二参考电压VREF2。

其中，第四分压电路212接收第二控制信号CS2，并依据第二控制信号CS2，调整第四分压电路212的阻值，从而改变第二参考电压产生端213的第二参考电压VREF2。并且，第二分压调整单元210提供回应于第二参考电压VREF2的第二反馈电压VFB2。并且，控制单元130还接收第二反馈电压VFB2，并依据第二反馈电压VFB2，调整第二控制信号CS2。

并且，第二分压调整单元210的实施方式，可参考图1的第一分压调整单元110的实施方式，故在此不再赘述。如此一来，本实施例的电压产生装置200可提高第一参考电压VREF1与第二参考电压VREF2的准确性，进而增加随机存取记忆体单元150的工作稳定度。

进一步来说，第三分压电路211包括第五电阻R5。第五电阻R5的第一端接收工作电压VIN，第五电阻R5的第二端耦接第二参考电压输出端213。

第四分压电路212包括第二电容C2、第六电阻R6、第七电阻R7与第八电阻R8。第二电容C2的第一端接收第二控制信号CS2，并提供第二反馈电压VFB2。第六电阻R6的第一端耦接第二电容C2的第二端，第六电阻R6的第二端耦接接地端GND。第七电阻R7的第一端耦接第二电容C2的第一端，第七电阻R7的第二端耦接第二参考电压输出端213。第八电阻R8的第一端耦接第七电阻R7的第二端，第八电阻R8的第二端耦接地端GND。

在本实施例中，第四分压电路212利用第二控制信号CS2对第二电容C2进行充电或放电，以调整第二电容C2上的压降的电压准位，进而改变第四分压电路212的第二电容C2、第六电阻R6、第七电阻R7及第八电阻R8所产生的阻值。接着，利用第五电阻R5与第四分压电路212的内部所产生的阻值以分压的方式，对工作电压VIN进行分压及调整，以由第二参考电压输出端213产生随机存取记忆体单元150所需的第二参考电压VREF2，例如0.75V。

另外，前述第一参考电压VREF1可为随机存取记忆体单元150的命令与地址信号服务的参考电压，第二参考电压VREF2可为随机存取记忆体单元150的数据总线服务的参考电压。

另外，前述第一控制信号CS1可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_DQ_A、VREF_DQ_B其中之一，第二控制信号CS2可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_CA。

请参考图3所示，其为本发明的又一电压产生装置的示意图。本实施例的电压产生装置300适于随机存取记忆体单元150与330（即另一随机存取记忆体单元）。也就是说，电压产生装置300用以提供随机存取记忆体单元150与330所需的参考电压，以进行相应的运作。其中，随机存取记忆体单元330亦可包括单一随机存取记忆体或一对随机存取记忆体，而记忆体例如为DDR3记忆体。

电压产生装置300包括第一分压调整单元110、控制单元130、第二分压调整单元210与第三分压调整单元310。其中，第一分压调整单元110仍包括第一分压电路111、第二分压电路112与第一参考电压输出端113，第二分压调整单元210仍包括第三分压电路211、第四分压电路212与第二参考电压输出端213。

并且，第一分压调整单元110、第一分压电路111、第二分压电路112、第一参考电压输出端113、控制单元130、第二分压调整单元210、第三分压电路211、第四分压电路212、第二参考电压输出端213的耦接关系、内部电路元件与其相关操作可参考图1及图2的实施例的说明，故在此不再赘述。

在本实施例中，第三分压调整单元310耦接控制单元130，用以接收第三控制信号CS3与工作电压VIN，并对工作电压VIN进行调整，且输出第三参考电压VREF3给随机存取记忆体单元330。

第三分压调整单元310包括第五分压电路311、第六分压电路312与第三参考电压产生端313。第六分压电路312串联耦接第五分压电路311，以便第五分压电路311与第六分压电路312可对工作电压VIN进行分压。第三参考电压产生端313耦接于第五分压电路311与第六分压电路312的间，用以输出第三参考电压VREF3。

其中，第六分压电路312接收第三控制信号CS3，并依据第三控制信号CS3，调整第六分压电路312的阻值，从而改变第三参考电压产生端313的第三参考电压VREF3。并且，第三分压调整单元310提供回应于第三参考电压VREF3的第三反馈电压VFB3。并且，控制单元130还接收第三反馈电压VFB3，并依据第三反馈电压VFB3，调整第三控制信号CS3。

另外，第二分压调整单元210除了提供第二参考电压VREF2给随机存取记忆体单元150外，还提供第二参考电压VREF2给随机存取记忆体单元330。并且，第三分压调整单元310的实施方式，可参考图1的第一分压调整单元110的实施方式，故在此不再赘述。如此一来，本实施例的电压产生装置300可提高第一参考电压VREF1、第二参考电压VREF2与第三参考电压VREF3的准确性，进而增加随机存取记忆体单元150的工作稳定度。

进一步来说，第五分压电路311包括第九电阻R9。第九电阻R9的第一端接收工作电压VIN，第九电阻R9的第二端耦接第三参考电压输出端313。

第六分压电路312包括第三电容C3、第十电阻R10、第十一电阻R11与第十二电阻R12。第三电容C3的第一端接收第三控制信号CS3，并提供第三反馈电压VFB3。第十电阻R10的第一端耦接第三电容C3的第二端，第十电阻R10的第二端耦接接地端GND。第十一电阻R11的第一端耦接第三电容C3的第一端，第十一电阻R11的第二端耦接第三参考电压输出端313。第十二电阻R12的第一端耦接第十一电阻R11的第二端，第十二电阻R12的第二端耦接地端GND。

在本实施例中，第六分压电路312利用第三控制信号CS3对第三电容C3进行充电或放电，以调整第三电容C3上的压降的电压准位，进而改变第六分压电路312的第三电容C3、第十电阻R10、第十一电阻R11与第十二电阻R12所产生的阻值。接着，利用第九电阻R9与第六分压电路312的内部所产生的阻值以分压的方式，对工作电压VIN进行分压及调整，以由第三参考电压输出端313产生随机存取记忆体单元330所需的第三参考电压VREF3，例如0.75V。

另外，前述第一参考电压VREF1为随机存取记忆体单元150的命令与地址信号服务的参考电压，第二参考电压VREF2为随机存取记忆体单元150与330的数据总线服务的参考电压，第三参考电压VREF3为随机存取记忆体单元330的命令与地址信号服务的参考电压。

另外，前述第一控制信号CS1可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_DQ_A，第二控制信号CS2可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_CA，第三控制信号CS3可为控制单元（即中央处理器）130所产生的电压信号，例如VREF_DQ_B。

本发明的实施例的电压产生装置，利用控制单元产生控制信号（即第一控制信号、第二控制信号与第三控制信号），且控制信号经由分压调整单元（即第一分压调整单元、第二分压调整单元与第三分压调整单元）调整后，产生参考电压（即第一参考电压、第二参考电压与第三参考电压）给随机存取记忆体单元及/或另一随机存取记忆体单元。并且，控制单元还依据分压调整单元所提供的反馈信号（即第一反馈电压、第二反馈电压与第三反馈电压），调整控制信号的电压准位。如此一来，提供给随机存取记忆体单元的参考电压较为准确，进而提高随机存取记忆体单元的工作稳定度，并降低电路的设计复杂度。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种电压产生装置，其特征在于，包括：

一第一分压调整单元，用以对一工作电压进行分压调整，并输出一第一参考电压给一随机存取记忆体单元，该第一分压调整单元包括：

一第一分压电路；

一第二分压电路，与该第一分压电路串联从而对该工作电压进行分压；以及

一第一参考电压输出端，耦接于该第一分压电路与该第二分压电路之间；

其中该第二分压电路接收一第一控制信号，并依据该第一控制信号，调整该第二分压电路的阻值，从而改变该第一参考电压输出端的该第一参考电压，且该第一分压调整单元提供回应于该第一参考电压的一第一反馈电压；以及

一控制单元，耦接该第一分压调整单元，用以提供该第一控制信号，且该控制单元接收该第一反馈电压，并依据该第一反馈电压，调整该第一控制信号。

2.根据权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，该第一分压电路包括：

一第一电阻，其第一端接收该工作电压，其第二端耦接该第一参考电压输出端。

3.根据权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，该第二分压电路包括：

一第一电容，其第一端接收该第一控制信号，并提供该第一反馈电压；

一第二电阻，其第一端耦接该第一电容的第二端，其第二端耦接一接地端；

一第三电阻，其第一端耦接该第一电容的第一端，其第二端耦接该第一参考电压输出端；以及

一第四电阻，其第一端耦接该第三电阻的第二端，其第二端耦接该接地端。

4.根据权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，还包括：

一第二分压调整单元，耦接该控制单元，用以对该工作电压进行分压调整，并输出一第二参考电压给该随机存取记忆体单元，该第二分压调整单元包括：

一第三分压电路；

一第四分压电路，与该第三分压电路串联从而对该工作电压进行分压；以及

一第二参考电压输出端，耦接于该第三分压电路与该第四分压电路之间；

其中，该第四分压电路接收一第二控制信号，并依据该第二控制信号，调整该第四分压电路的阻值，从而改变该第二参考电压输出端的该第二参考电压，且该第三分压调整单元提供回应于该第二参考电压的一第二反馈电压，该控制单元还接收该第二反馈电压，并依据该第二反馈电压，调整该第二控制信号。

5.根据权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，该第三分压电路包括：

一第五电阻，其第一端接收该工作电压，其第二端耦接该第二参考电压输出端。

6.根据权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，该第四分压电路包括：

一第二电容，其第一端接收该第二控制信号，并提供该第二反馈电压；

一第六电阻，其第一端耦接该第二电容的第二端，其第二端耦接一接地端；

一第七电阻，其第一端耦接该第二电容的第一端，其第二端耦接该第二参考电压输出端；以及

一第八电阻，其第一端耦接该第七电阻的第二端，其第二端耦接该接地端。

7.根据权利要求4所述的电压产生装置，其特征在于，还包括：

一第三分压调整单元，耦接该控制单元，用以对该工作电压进行分压调整，并输出一第三参考电压给一另一随机存取记忆体单元，该第三分压调整单元包括：

一第五分压电路；

一第六分压电路，与该第五分压电路串联从而对该工作电压进行分压；以及

一第三参考电压输出端，耦接于该第五分压电路与该第六分压电路之间；

其中，该第六分压电路接收一第三控制信号，并依据该第三控制信号，调整该第六分压电路的阻值，从而改变该第三参考电压输出端的该第三参考电压，且该第五分压调整单元提供回应于该第三参考电压的一第三反馈电压，该控制单元还接收该第三反馈电压，并依据该第三反馈电压，调整该第三控制信号的电压准位，该第二分压调整单元还输出该第二参考电压给该另一随机存取记忆体单元。

8.根据权利要求7所述的电压产生装置，其特征在于，该第五分压电路包括：

一第九电阻，其第一端接收该工作电压，其第二端耦接该第三参考电压输出端。

9.根据权利要求7所述的电压产生装置，其特征在于，该第六分压电路包括：

一第三电容，其第一端接收该第三控制信号，并提供该第三反馈电压；

一第十电阻，其第一端耦接该第三电容的第二端，其第二端耦接一接地端；

一第十一电阻，其第一端耦接该第三电容的第一端，其第二端耦接该第三参考电压输出端；以及

一第十二电阻，其第一端耦接该第十一电阻的第二端，其第二端耦接该接地端。

10.根据权利要求7所述的电压产生装置，其特征在于，该第一参考电压为该随机存取记忆体单元的命令与地址信号服务的参考电压，该第二参考电压为该随机存取记忆体单元的数据总线服务的参考电压，该第三参考电压为该随机存取记忆体单元的命令与地址信号服务的参考电压。

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