CN103843539B - 一种千叶兰茎段扦插繁殖方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种千叶兰茎段扦插繁殖方法，本发明属于植物栽培技术、园林植物与观赏园艺领域。采用一定比例的草炭土，珍珠岩和蛭石混合，组成千叶兰茎段扦插繁殖的培养基质，通过调节合适的基质酸碱度，把培养基质放入育秧盘中，并将待扦插的千叶兰茎段进行消毒处理后插入其中，提供合适的培养温度和湿度，当被扦插的千叶兰茎段上长出新根芽后移栽，按照常规种植办法种植即可。本发明通过扦插繁殖，使千叶兰茎段处于优良的生长环境，能有效提高千叶兰茎段的分化生长与繁殖率。
Description
技术领域
本发明涉及一种千叶兰茎段扦插繁殖方法。本发明属于植物栽培技术、园林植物与观赏园艺领域。
背景技术
千叶兰(Muehlewbeckia complera)蓼科千叶兰属，又名千叶吊兰，铁线兰，多年生常绿藤本植物。原产新西兰，适应性强，喜温暖湿润的环境，在阳光充足和半阴处都能正常生长，具有较强的耐寒性，可耐0℃左右的低温，茎细长，呈现红色或褐色，叶小且互生，叶片通常情况下呈心形或圆形，花小，自然生长状态下茎叶自然下垂，适合作为庭院和室内的盆栽观赏植物，养护方法简单易行，观赏性极强，经济价值极大，市场前景广阔。
扦插繁殖方法具有操作简单，成活率高，生产成本低的优点，容易被市场所接受并产生较好的技术效果，该方法非常适合推广应用。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种千叶兰茎段扦插繁殖方法，简便实用，成本低廉、便于大规模人工栽培，能快速有效地大量生产千叶兰幼苗。
为实现这样的目的，本发明的技术方案中，采用一定比例的草炭土，珍珠岩和蛭石混合，组成千叶兰茎段扦插繁殖的培养基质，通过调节合适的基质酸碱度、提供合适的培养温度和湿度等技术条件手段，提高千叶兰茎段扦插分化生长与繁殖率。
本发明的目的通过以下技术方案予以实现。
1、培养基质的配制：取干燥的草炭土，珍珠岩和蛭石按照3∶1∶1混合成培养基质，然后放在高压灭菌锅中在121℃条件下灭菌30-40分钟，待已灭菌的培养基质干燥后，在培养基质中加入0.2％-0.5％的生根粉溶液使之湿润，调节培养基质pH在6.5-7.0之间，然后将培养基质倒入育秧盘中备用。调节培养基质pH值时可用1摩尔每升的稀磷酸、氢氧化钾溶液。
2、母株茎段的切割和消毒：取生长茂盛的千叶兰母株，清洗干净并分株，从顶芽到根部使母株的茎完全伸展，使用手术剪，将母株的茎剪为5-6厘米长的茎段，并确保每部分茎段均带有2-3片千叶兰母株叶片。然后将这些剪好的茎段在稀释500-800倍的多菌灵中浸泡20-40分钟消毒，然后取出茎段待插。
3、茎段的扦插定植：将消毒的茎段插入育秧盘中的培养基质内，株行间距3×3厘米，将千叶兰茎段插入培养基质1-2厘米深，置于22-25℃的阴暗条件下培养50-60天，期间保持环境湿度在70％左右，并待每次培养基质干燥后浇透水。
4、小苗的移植：当被扦插的千叶兰茎段上长出新根和新芽后移栽，按常规管理方法进行练苗处理后即可进行花房温室定植。
本发明的一种千叶兰茎段扦插繁殖方法操作简便，通过优化扦插繁殖的培养基质，使千叶兰茎段处于优良的生长环境，能有效提高扦插的千叶兰茎段的分化生长与繁殖率。
本发明方法成活率高，能快速有效地大量生产优质千叶兰种苗，为广大花卉生产企业提供一种简便实用的生产千叶兰种苗的技术。
具体实施方式
以下通过的实施例对本发明的技术方案作进一步描述。以下实施例不构成对本发明的限定。
实施例1
1、培养基质的配制：取干燥的草炭土，珍珠岩和蛭石按照3∶1∶1混合成培养基质，然后放在高压灭菌锅中在121℃条件下灭菌30分钟，待已灭菌的培养基质干燥后，在培养基质中加入0.2％的生根粉溶液使之湿润，调节培养基质pH在6.5，然后将培养基质倒入育秧盘中备用。调节培养基质pH值时可用1摩尔每升的稀磷酸、氢氧化钾溶液。
2、母株茎段的切割和消毒：取生长茂盛的千叶兰母株，清洗干净并分株，从顶芽到根部使母株的茎完全伸展，使用手术剪，将母株的茎剪为5-6厘米长的茎段，并确保每部分茎段均带有2-3片千叶兰母株叶片。然后将这些剪好的茎段在稀释800倍的多菌灵中浸泡40分钟消毒，然后取出茎段待插。
3、茎段的扦插定植：将消毒的茎段插入育秧盘中的培养基质内，株行间距3×3厘米，将千叶兰茎段插入培养基质1-2厘米深，置于22-25℃的阴暗条件下培养50-60天，期间保持环境湿度在70％左右，并待每次培养基质干燥后浇透水。
4、小苗的移植：当被扦插的千叶兰茎段上长出新根和新芽后移栽，按常规管理方法进行练苗处理后即可进行花房温室定植。
实施例2
重复实施例1，有以下不同点：培养基质的配制，取干燥的草炭土，珍珠岩和蛭石按照3∶1∶1混合成培养基质，然后放在高压灭菌锅中在121℃条件下灭菌40分钟，待已灭菌的培养基质干燥后，在培养基质中加入0.5％的生根粉溶液使之湿润，调节培养基质pH在6.7，然后将培养基质倒入育秧盘中备用。
实施例3
重复实施例1，有以下不同点：将剪好的茎段在稀释500倍的多菌灵中浸泡20分钟消毒，然后取出茎段待插。
Claims (1)
1.一种千叶兰茎段扦插繁殖方法，其特征在于包括下列步骤：
1)培养基质的配制：取干燥的草炭土，珍珠岩和蛭石按照3∶1∶1混合成培养基质，然后放在高压灭菌锅中在121℃条件下灭菌30-40分钟，待已灭菌的培养基质干燥后，在培养基质中加入0.2％-0.5％的生根粉溶液使之湿润，调节培养基质pH在6.5-7.0之间，然后将培养基质倒入育秧盘中备用，调节培养基质pH值时用1摩尔每升的稀磷酸、氢氧化钾溶液；
2)母株茎段的切割和消毒：取生长茂盛的千叶兰母株，清洗干净并分株，从顶芽到根部使母株的茎完全伸展，使用手术剪，将母株的茎剪为5-6厘米长的茎段，并确保每部分茎段均带有2-3片千叶兰母株叶片，然后将这些剪好的茎段在稀释500-800倍的多菌灵中浸泡20-40分钟消毒，然后取出茎段待插；
3)茎段的扦插定植：将消毒的茎段插入育秧盘中的培养基质内，株行间距3×3厘米，将千叶兰茎段插入培养基质1-2厘米深，置于22-25℃的阴暗条件下培养50-60天，期间保持环境湿度在70％左右，并待每次培养基质干燥后浇透水；
4)小苗的移植：当被扦插的千叶兰茎段上长出新根和新芽后移栽，按常规管理方法进行炼苗处理后即可进行花房温室定植。
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