CN103841481A - 耳机 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种耳机，包括：一壳体，该壳体具有一收容空间；以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内，其中，所述热致发声扬声器进一步包括：一基底，该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面，所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米；一热致发声元件设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置，所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置；以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接。

Description

耳机

技术领域

本发明涉及一种耳机，尤其涉及一种基于热致发声的耳机。

背景技术

发声装置一般由信号输入装置和发声元件组成,通过信号输入装置输入信号到该发声元件，进而发出声音。耳机为发声装置中的一种，其为基于热声效应的一种发声装置，该耳机通过向一导体中通入交流电来实现发声。该导体具有较小的热容(Heat capacity)，较薄的厚度，且可将其内部产生的热量迅速传导给周围气体介质的特点。当交流电通过导体时，随交流电电流强度的变化，导体迅速升降温，而和周围气体介质迅速发生热交换，促使周围气体介质分子运动，气体介质密度随之发生变化，进而发出声波。

2008年10月29日，范守善等人公开了一种热致发声装置，请参见文献“Flexible, Stretchable, Transparent Carbon Nanotube Thin Film Loudspeakers”，ShouShan Fan, et al., Nano Letters, Vol.8 (12), 4539-4545 (2008)。该热致发声装置采用碳纳米管膜作为一热致发声元件，该碳纳米管膜通过热致发声原理进行发声。

然而，如何将碳纳米管膜用于耳机，既确保碳纳米管膜不易损坏，又使碳纳米管膜的发声效果良好是使上述耳机能够实现产业化及实际应用的关键。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种既确保碳纳米管膜不易损坏，又使碳纳米管膜的发声效果良好的耳机。

一种耳机，包括：一壳体，该壳体具有一收容空间；以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内，其中，所述热致发声扬声器进一步包括：一基底，该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面，所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米；一热致发声元件设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置，所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置；以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接。

一种耳机，包括：一壳体，该壳体具有一收容空间；以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内，其中，所述热致发声扬声器进一步包括：一基底，该基底的一表面设置有多个间隔设置的凹部；一热致发声元件，设置于所述基底的该表面并与所述基底绝缘设置，所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构通过所述凹部槽部分悬空设置；以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接，相邻的第一电极和第二电极之间的基底表面具有至少一凹部。

与现有技术相比较，本发明所述耳机具有以下优点：首先，所述基底的设置多个凹部以及相邻凹部形成的凸部，能够有效的保护碳纳米管层状结构，且不影响发声效果；其次，所述基底101的凹部108的深度为100微米～200微米，以确保所述热致发声元件102的第一区域1020与所述凹部108的底面之间形成一定的间距，防止间距过低时工作时产生的热量直接被基底101吸收而无法完全实现与周围介质热交换造成音量降低，以及避免间距过高时发出的声波出现相互干涉而抵消的情形。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的耳机的分解图。

图2是图1所述的耳机沿I-I方向的剖面图。

图3是本发明第一实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的立体图。

图4是本发明第一实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。

图5是本发明耳机中碳纳米管膜的结构示意图。

图6是本发明耳机中非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图7是本发明耳机中扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图8为本发明第二实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。

图9为本发明第二实施例提供的热致发声装置中声压级-频率的曲线图。

图10为本发明第二实施例提供的耳机的发声效果测试图。

图11为本发明第三实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。

图12为本发明第四实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。

主要元件符号说明

耳机	10，20，30，40
		热致发声扬声器	100，200，300，400
基底	101
		热致发声元件	102
绝缘层	103
		第一电极	104
第二电极	105
		第一表面	106
第二表面	107
		凹部	108
凸部	109
		第一区域	1020
第二区域	1021
		壳体	110
前半外壳单元	112
		后半外壳单元	114
通孔	116
		保护罩	118
凸起结构	120
		引线	130
集成电路芯片	201
		散热元件	202
基座	2020
		散热鳍片	2021

如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下将结合附图详细说明本发明实施例的耳机及其制备方法。

请一并参阅图1、图2、图3及图4，本发明第一实施例提供一种耳机10，其包括一壳体110及一热致发声扬声器100。所述壳体110为具有一收容空间的中空结构，该热致发声扬声器100设置于该壳体110的收容空间内。

所述壳体110的具体结构不限，也可一体成型或采用其他方式，只需具有一收容空间即可。本实施例中，所述壳体110包括一前半外壳单元112、一后半外壳单元114以及一形成于前半外壳单元112的至少一通孔116。所述前半外壳单元112和后半外壳单元114通过一卡扣结构(图未示)相互对接并紧密结合而构成所述壳体110。所述热致发声扬声器100的固定位置不限，只需固定设置在壳体110内且与通孔116相对设置即可。所述“与通孔116相对设置”是指所述热致发声扬声器100中的热致发声元件与通孔116正对。本实施例中，所述热致发声扬声器100固定于所述壳体110的后半外壳单元114，并与所述壳体110的前半外壳单元112间隔设置。所述热致发声扬声器100正对所述前半外壳单元112上的通孔116，并与所述通孔116间隔并相对设置，从而所述热致发声扬声器100发出的声音可以通过通孔116传出耳机10外部。

所述壳体110的材料为质量较轻并具有一定强度的材料，如：塑料或树脂等。所述壳体110的大小以及形状根据实际情况而定。所述壳体110可与人耳大小相当或者覆盖人耳。可以理解，所述壳体110也可采用其他符合人体工程学的结构设计。

所述壳体110还可进一步包括一保护罩118设置于所述壳体110的前半外壳单元112与所述热致发声扬声器100之间。所述保护罩118与所述热致发声扬声器100间隔设置。该保护罩118通过一固定元件(图未示)与所述壳体110的前半外壳单元112连接。所述保护罩118包括多个开口(图未标)，所述保护罩118的材料不限，可为塑料或金属等。所述保护罩118主要起到保护热致发声扬声器100及防尘的作用。可以理解，所述保护罩118为一可选择的结构，在实际应用中，也可不设置保护罩118。

进一步地，所述耳机10可包括至少一引线130穿过壳体110内部与所述热致发声扬声器100电连接，并将音频电信号传导至该热致发声扬声器100。

所述热致发声扬声器100包括一基底101、一热致发声元件102、一绝缘层103、一第一电极104以及一第二电极105。该第一电极104及第二电极105间隔设置并与该热致发声元件102电连接。该基底101包括相对的一第一表面106以及一第二表面107。所述第一表面106具有多个凹部108，两个相邻的所述凹部108之间形成一凸部109。所述绝缘层103设置于所述基底101的第一表面106，该热致发声元件102设置于所述第一表面106并通过绝缘层103与所述基底101绝缘设置。所述热致发声元件102具有一第一区域1020及一第二区域1021，所述热致发声元件102的第一区域1020对应于所述凹部108位置悬空设置。所述热致发声元件102的第二区域1021设置于所述凸部109的顶面，并通过绝缘层103与所述凸部109绝缘设置。

该基底101为一片状结构，形状不限，可为圆形、方形或矩形等，也可以为其他形状。该基底101的第一表面106可为平面或曲面。所述基底101的面积为25平方毫米～100平方毫米，如36平方毫米、64平方毫米或80平方毫米等。所述基底101的厚度为0.2毫米～0.8毫米。可以理解，所述基底101并不限于上述平面片状结构，只要确保所述基底101具有一表面承载所述热致发声元件102即可，也可选择为块状结构、弧面结构等。所述基底101的材料可为单晶硅或多晶硅。所述硅基底具有良好的导热性能，从而可将所述热致发声元件102在工作中产生的热量及时的传导到外界，延长热致发声元件102的使用寿命。本实施例中，该基底101为一边长为8毫米的正方形平面片状结构，厚度为0.6毫米，材料为单晶硅。

所述多个凹部108设置于所述基底101将承载所述热致发声元件102的表面，即第一表面106。该多个凹部108均匀分布、以一定规律分布或随机分布于所述第一表面106。优选地，该多个凹部108相互间隔设置。该多个凹部108可以为通槽结构、通孔结构、盲槽结构或盲孔结构中的一种或多种，在所述凹部108从所述基底101的第一表面106向基底101内部延伸的方向上，所述每一凹部108具有一底面以及与该底面相邻的侧面。相邻的凹部108之间为所述凸部109，相邻的凹部108之间的基底101的表面为所述凸部109的顶面。所述热致发声元件102的第一区域1020对应于所述凹部108位置悬空设置，即，所述热致发声元件102的第一区域1020不与所述凹部108的侧面或底面接触。

所述凹部108的深度可根据实际需要及所述基底101的厚度进行选择，优选地，所述凹部108的深度为100微米～200微米，使基底101在起到保护热致发声元件102的同时，又能确保所述热致发声元件102的第一区域1020与所述凹部108的底面之间形成一定的间距，从而保证所述热致发声元件102在各发声频率均有良好的发声效果，具体的，防止该形成的间距过低时热致发声元件102工作产生的热量直接被基底101吸收而无法完全实现与周围介质热交换造成音量降低，以及避免该形成的间距过高时发出的声波出现相互干涉而抵消的情形。当所述凹部108为凹槽时，所述凹部108在所述第一表面106延伸的长度可小于所述基底101的边长。该凹部108在其延伸方向上的横截面的形状可为V形、长方形、工形、多边形、圆形或其他不规则形状。所述凹槽的宽度（即所述凹部108横截面的最大跨度）为0.2毫米～1毫米。当所述凹槽横截面的形状为倒梯形时，所述凹槽跨宽随凹槽的深度增加而减小。所述倒梯形凹槽底角α的大小与所述基底101的材料有关，具体的，所述α的大小与所述基底101中单晶硅的晶面角相等。优选地，所述多个凹部108为多个相互平行且均匀间隔分布的凹槽设置于基底101的第一表面106，每相邻两个凹槽的槽间距d1为20微米～200微米，从而保证后续第一电极104以及第二电极105通过丝网印刷的方法制备，在充分利用所述基底101的第一表面106的同时，保证刻蚀的精确，从而提高发声的质量。本实施例中，该基底101第一表面106具有多个平行等间距分布的倒梯形凹槽，所述倒梯形凹槽在第一表面106的宽度为0.6毫米，所述凹槽的深度为150微米，每两个相邻的凹槽之间的间距d1为100微米，所述倒梯形凹槽底角α的大小为54.7度。

所述绝缘层103可为一单层结构或者一多层结构。当所述绝缘层103为一单层结构时，所述绝缘层103可仅设置于所述凸部109的顶面，也可贴附于所述基底101的整个第一表面106。所述“贴附”是指由于所述基底101的第一表面106具有多个凹部108以及多个凸部109，因此所述绝缘层103直接覆盖所述凹部108及所述凸部109，对应凸部109位置处的绝缘层103贴附在所述凸部109的顶面；对应凹部108位置处的绝缘层103贴附在所述凹部108的底面及侧面，即所述绝缘层103的起伏趋势与所述凹部108及凸部109的起伏趋势相同。无论哪种情况，所述绝缘层103使所述热致发声元件102与所述基底101绝缘。本实施例中，所述绝缘层103为一连续的单层结构，所述绝缘层103覆盖所述整个第一表面106。

所述绝缘层103的材料可为二氧化硅、氮化硅或其组合，也可以为其他绝缘材料，只要能够确保所述绝缘层103能够使热致发声元件102与所述基底101绝缘即可。所述绝缘层103的整体厚度可为10纳米～2微米，具体可选择为50纳米、90纳米或1微米等，本实施例中，所述绝缘层的厚度为1.2微米。

所述热致发声元件102设置于所述基底101的第一表面106，具体的，所述热致发声元件102设置于所述绝缘层103的表面。即所述热致发声元件102的第一区域1020悬空设置于所述凹部108上，所述热致发声元件102的第二区域1021设置于所述凹部108顶面的绝缘层103表面。可以理解，为使该碳纳米管膜更好的固定于该基底101的第一表面106，可在所述凸部109的顶面设置一粘结层或粘结点，从而使热致发声元件102通过该粘结层或粘结点固定于该基底101的第一表面106。

所述热致发声元件102具有较小的单位面积热容，其材料不限，如纯碳纳米管结构、碳纳米管复合结构等，也可以为其他非碳纳米管材料的热致发声材料等等，只要能够实现热致发声即可。本发明实施例中，该热致发声元件102的单位面积热容小于2×10^-4焦耳每平方厘米开尔文。具体地，该热致发声元件102为一具有较大比表面积及较小厚度的导电结构，从而使该热致发声元件102可以将输入的电能转换为热能，即所述热致发声元件102可根据输入的信号迅速升降温，而和周围气体介质迅速发生热交换，加热热致发声元件102外部周围气体介质，促使周围气体介质分子运动，气体介质密度随之发生变化，进而发出声波。优选地，该热致发声元件102应为自支撑，所谓“自支撑”即该热致发声元件102无需通过一支撑体支撑，也能保持自身特定的形状。因此，该自支撑的热致发声元件102可部分悬空设置。该自支撑的热致发声元件102可充分的与周围介质接触并进行热交换。所述热致发声元件102可为一膜状结构、多个线状结构并排形成的层状结构或膜状结构与线状结构的组合。

所述热致发声元件102可为一碳纳米管结构。所述碳纳米管结构整体上为一层状结构，厚度优选为0.5纳米~1毫米。当该碳纳米管结构厚度比较小时，例如小于等于10微米，该碳纳米管结构有很好的透明度。所述碳纳米管结构为自支撑结构。该自支撑的碳纳米管结构中多个碳纳米管间通过范德华力相互吸引，从而使碳纳米管结构具有特定的形状。故该碳纳米管结构部分通过基底101支撑，并使碳纳米管结构其它部分悬空设置。

所述层状碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜、多个并排设置的碳纳米管线或至少一碳纳米管膜与碳纳米管线的组合。所述碳纳米管膜从碳纳米管阵列中直接拉取获得。该碳纳米管膜的厚度为0.5纳米~100微米，单位面积热容小于1×10^-6焦耳每平方厘米开尔文。所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管中的一种或多种。所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米~50纳米，双壁碳纳米管的直径为1纳米~50纳米，多壁碳纳米管的直径为1.5纳米~50纳米。请参阅图5，每一碳纳米管膜是由若干碳纳米管组成的自支撑结构。所述若干碳纳米管为基本沿同一方向择优取向排列。所述择优取向是指在碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多数碳纳米管的整体延伸方向基本平行于碳纳米管膜的表面。进一步地，所述碳纳米管膜中多数碳纳米管是通过范德华力首尾相连。具体地，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。当然，所述碳纳米管膜中存在少数随机排列的碳纳米管，这些碳纳米管不会对碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体取向排列构成明显影响。所述自支撑为碳纳米管膜不需要大面积的载体支撑，而只要相对两边提供支撑力即能整体上悬空而保持自身膜状状态，即将该碳纳米管膜置于（或固定于）间隔一定距离设置的两个支撑体上时，位于两个支撑体之间的碳纳米管膜能够悬空保持自身膜状状态。所述自支撑主要通过碳纳米管膜中存在连续的通过范德华力首尾相连延伸排列的碳纳米管而实现。

具体地，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管，并非绝对的直线状，可以适当的弯曲；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以适当的偏离延伸方向。因此，不能排除碳纳米管膜的基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管中并列的碳纳米管之间可能存在部分接触。所述碳纳米管膜中，该多个碳纳米管大致平行于所述基底101的第一表面106。该碳纳米管结构可包括多个碳纳米管膜共面的铺设于基底101的第一表面106。另外，该碳纳米管结构可包括多层相互重叠的碳纳米管膜，相邻两层碳纳米管膜中的碳纳米管之间具有一交叉角度α，α大于等于0度且小于等于90度。

所述碳纳米管膜具有较强的粘性，故该碳纳米管膜可直接粘附于所述凸部109位置处绝缘层103的表面。所述碳纳米管膜中多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸，该多个碳纳米管的延伸方向与所述凹部108在所述第一表面106的延伸方向形成一定夹角，该夹角大于0度小于等于90度，优选的，所述碳纳米管的延伸方向垂直于所述凹部108在所述第一表面106的延伸方向。进一步地，当将所述碳纳米管膜粘附于凸部109的顶面后，可使用有机溶剂处理粘附在基底101上的碳纳米管膜。具体地，可通过试管将有机溶剂滴落在碳纳米管膜表面浸润整个碳纳米管膜。该有机溶剂为挥发性有机溶剂，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本实施例中采用乙醇。在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，微观上，该碳纳米管膜中的部分相邻的碳纳米管会收缩成束。碳纳米管膜与基底101的接触面积增大，从而可以更紧密地贴附在凸部109的顶面。另外，由于部分相邻的碳纳米管收缩成束，碳纳米管膜的机械强度及韧性得到增强，且整个碳纳米管膜的表面积减小，粘性降低。宏观上，该碳纳米管膜为一均匀的膜结构。

所述碳纳米管结构也可为多个碳纳米管线相互平行且间隔设置形成的一层状结构。所述碳纳米管线的延伸方向与所述凹部108的延伸方向交叉形成一定夹角，该夹角大于0度小于等于90度，从而使所述碳纳米管线部分位置悬空设置。优选的，所述碳纳米管线的延伸方向与所述凹部108的延伸方向垂直。相邻两个碳纳米管线之间的距离为0.1微米~200微米，优选地，为50微米~130微米。本实施例中，所述碳纳米管线之间的距离为120微米，所述碳纳米管线的直径为1微米。所述碳纳米管线可以为非扭转的碳纳米管线或扭转的碳纳米管线。所述非扭转的碳纳米管线与扭转的碳纳米管线均为自支撑结构。具体地，请参阅图6，该非扭转的碳纳米管线包括多个沿平行于该非扭转的碳纳米管线长度方向延伸的碳纳米管。具体地，该非扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行并通过范德华力紧密结合的碳纳米管。该碳纳米管片段具有任意的长度、厚度、均匀性及形状。该非扭转的碳纳米管线长度不限，直径为0.5纳米~100微米。非扭转的碳纳米管线为将上述碳纳米管膜通过有机溶剂处理得到。具体地，将有机溶剂浸润所述碳纳米管膜的整个表面，在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，碳纳米管膜中的相互平行的多个碳纳米管通过范德华力紧密结合，从而使碳纳米管膜收缩为一非扭转的碳纳米管线。该有机溶剂为挥发性有机溶剂，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。通过有机溶剂处理的非扭转的碳纳米管线与未经有机溶剂处理的碳纳米管膜相比，比表面积减小，粘性降低。

所述扭转的碳纳米管线为采用一机械力将上述碳纳米管膜沿碳纳米管延伸方向的两端依照相反方向扭转获得。请参阅图7，该扭转的碳纳米管线包括多个绕该扭转的碳纳米管线轴向螺旋延伸的碳纳米管。具体地，该扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行并通过范德华力紧密结合的碳纳米管。该碳纳米管片段具有任意的长度、厚度、均匀性及形状。该扭转的碳纳米管线长度不限，直径为0.5纳米~100微米。进一步地，可采用一挥发性有机溶剂处理该扭转的碳纳米管线。在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，处理后的扭转的碳纳米管线中相邻的碳纳米管通过范德华力紧密结合，使扭转的碳纳米管线的比表面积减小，密度及强度增大。

所述碳纳米管线及其制备方法请参见申请人于2002年9月16日申请的，于2008年8月20日公告的第CN100411979C号中国公告专利“一种碳纳米管绳及其制造方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，以及于2005年12月16日申请的，于2009年6月17日公告的第CN100500556C号中国公告专利“碳纳米管丝及其制作方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业（深圳）有限公司。

本实施例中，所述热致发声元件102为一非扭转的碳纳米管线，该碳纳米管线为一单层碳纳米管膜通过有机溶剂处理后得到。每个热致发声器单元中，所述热致发声元件102在所述凹槽位置包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线。

所述第一电极104及第二电极105分别与所述热致发声元件102电连接，以使该热致发声元件102接入一音频电信号。具体地，所述第一电极104以及第二电极105可间隔设置于基底101的第一表面106与所述热致发声元件102之间，也可设置于该热致发声元件102远离基底101的表面，即，所述热致发声元件102设置于基底101的第一表面106与所述第一电极104或第二电极105之间。该第一电极104以及第二电极105由导电材料形成，其形状及结构不限。具体地，该第一电极104以及第二电极105可选择为细长的条状、棒状、或其它形状。该第一电极104以及第二电极105的材料可选择为金属、导电聚合物、导电胶、金属性碳纳米管或铟锡氧化物（ITO）等。

本实施例中，所述第一电极104以及第二电极105分别设置于靠近所述热致发声元件102相对两边缘的凸部109上的绝缘层103表面，且与所述凹部108的延伸方向平行设置。所述热致发声元件102的第一区域1020及第二区域1021位于所述第一电极104以及第二电极105之间。该第一电极104及第二电极105由金属丝构成。可以理解，所述第一电极104及第二电极105也可设置于所述热致发声元件102远离基底101的表面，并直接压紧该热致发声元件102将其固定于基底101表面。

由于碳纳米管沿轴向具有优异导电性，当碳纳米管结构中的碳纳米管为沿一定方向择优取向排列时，优选地，所述第一电极104及第二电极105的设置应确保所述碳纳米管结构中碳纳米管沿第一电极104至第二电极105的方向延伸。优选地，所述第一电极104及第二电极105之间应具有一基本相等的间距，从而使第一电极104及第二电极105之间区域的碳纳米管结构能够具有一基本相等的电阻值，优选地，所述第一电极104及第二电极105的长度大于等于碳纳米管结构的宽度，从而可以使整个碳纳米管结构均得到利用。本实施例中，所述碳纳米管结构中碳纳米管沿基本垂直该第一电极104及第二电极105长度方向排列，所述第一电极104及第二电极105相互平行设置。所述音频电信号通过该第一电极104及第二电极105输入该碳纳米管结构。

所述热致发声扬声器100可通过粘结剂、卡槽、钉扎结构等方式固定设置于壳体110的收容空间内。本实施例中，所述热致发声扬声器100通过粘结剂固定于壳体110的后半外壳单元114，所述壳体110进一步包括一形成于所述后半外壳单元114的收容空间内的凸起结构120，该凸起结构120与该壳体110的后半外壳单元114一体成型形成。所述凸起结构120形状不限。此时，该热致发声扬声器100部分与该凸起结构120相接触，其余部分悬空设置于后半外壳单元114的收容空间内。此种设置方式可以使该热致发声扬声器100与空气或周围介质更好地进行热交换。该热致发声扬声器100与空气或周围介质接触面积更大，热交换速度更快，因此具有更好的发声效率。

该凸起结构120的材料为绝缘材料或导电性较差的材料，具体可以为一硬性材料，如金刚石、玻璃、陶瓷或石英。另外，所述凸起结构120还可为具有一定强度的柔性材料，如塑料、树脂或纸质材料。优选地，该凸起结构120的材料应具有较好的绝热性能，从而确保该热致发声元件102产生的热量不会过度的被该凸起结构120吸收而影响发声效率。

可以理解，由于该热致发声元件102的发声原理为“电-热-声”的转换，故该热致发声元件102在发声的同时会发出一定热量。上述耳机10在使用时，所述引线130与所述第一电极104及第二电极105电连接，通过所述引线130向所述热致发声扬声器100接入一音频电信号源以及一驱动信号源。该热致发声元件102具有较小的单位面积热容和较大的散热表面，在输入信号后，热致发声元件102可迅速升降温，产生周期性的温度变化，并和周围介质快速进行热交换，使周围介质的密度周期性地发生改变，进而发出声音。进一步地，所述耳机10可包括一散热装置（图未示）设置于该基底101远离该热致发声元件102的表面。

所述耳机10具有以下有益效果：首先，所述基底的设置多个凹部，能够有效的保护碳纳米管层状结构，且不影响发声效果；其次，所述基底101的凹部108的深度为100微米～200微米，以确保所述热致发声元件102的第一区域1020与所述凹部108的底面之间形成一定的间距，防止间距过低时工作时产生的热量直接被基底101吸收而无法完全实现与周围介质热交换造成音量降低，以及避免间距过高时发出的声波出现相互干涉而抵消的情形。

请参阅图8，本发明第二实施例提供一种耳机20，其包括一壳体110及一热致发声扬声器200。所述壳体110为具有一收容空间的中空结构，该热致发声扬声器200设置于壳体110的收容空间内。

该第二实施例的耳机20与第一实施例的耳机10结构基本相同，其区别在于，该耳机20的热致发声扬声器200包括多个第一电极104及多个第二电极105，所述多个第一电极104及多个第二电极105交替间隔设置于所述相邻凹部108之间的基底表面，多个第一电极104相互电连接，多个第二电极105相互电连接。具体的，所述多个第一电极104通过一第一连接部(图未示)电连接形成一第一梳状电极；所述多个第二电极105通过一第二连接部(图未示)电连接形成一第二梳状电极，所述第一梳状电极和第二梳状电极相互交错的插入设置。所述第一连接部及第二连接部可分别设置于所述基底101第一表面106相对的两边缘。所述第一连接部及第二连接部仅起到电连接的作用，其设置位置不影响所述热致发声元件102的热致发声。

如图9及图10所示，所述耳机20在凹部108选择不同深度时的发声效果图。由图可知，所述凹部108的深度优选为100微米～200微米，从而使得所述耳机20在人耳可听到的发生频率频段内，使所述耳机20具有优良的热波波长，在小尺寸的情况下依然具有良好的发声效果。进一步，使基底101在起到保护热致发声元件102的同时，又能确保所述热致发声元件102与所述基底101之间形成一定的间距，并保证所述热致发声元件102在发声频段均具有良好的响应，具体的，防止间距过低时工作时产生的热量直接被基底101吸收而无法完全实现与周围介质热交换造成音量降低，以及避免间距过高时发出的声波出现相互干涉而抵消的情形。

此种连接方式使相邻的每一组第一电极104与第二电极105之间形成一热致发声单元，所述热致发声元件102形成多个相互并联的热致发声单元，从而使驱动该热致发声元件102发声所需的电压降低。

请参阅图11，本发明第三实施例提供一种耳机30，其包括一壳体110及一热致发声扬声器300。所述壳体110为具有一收容空间的中空结构，该热致发声扬声器300设置于壳体110的收容空间内。

本发明第三实施例提供的耳机30与第一实施例中所述耳机10结构基本相同，其不同在于，所述基底101的第二表面107进一步集成有一集成电路芯片201。

所述基底101的第二表面107具有一凹槽(图未标)，所述集成电路芯片201嵌入所述凹槽中。由于所述基底101的材料为硅，因此所述集成电路芯片201可直接形成于所述基底101中，即所述集成电路芯片201中的电路、微电子元件等直接集成于基底101的第二表面107，所述基底101作为电子线路及微电子元件的载体，所述集成电路芯片201与所述基底101为一体结构。进一步的，所述集成电路芯片201进一步包括一第三电极(图未标)及一第四电极(图未标)分别与所述第一电极104及第二电极105电连接，向所述热致发声元件102提供信号输入。所述第三电极及所述第四电极可位于所述基底101的内部且与基底101电绝缘，并穿过所述基底101的厚度方向，与所述第一电极104及第二电极105电连接。本实施例中，所述第三电极以及第四电极表面包覆有绝缘层以实现与基底101的电绝缘。可以理解，当所述基底101的面积足够大时，所述集成电路芯片201也可设置于所述基底101的第一表面106，从而省略在基底101中设置连接线的步骤。具体的，所述集成电路芯片201可设置于所述第一表面106的一侧，且不影响所述热致发声元件102的正常工作。所述集成电路芯片201主要包括一音频处理模块以及电流处理模块。在工作过程中，所述集成电路芯片201将输入的音频信号及电流信号处理后，驱动所述热致发声元件102。所述音频处理模块对音频电信号具有功率放大作用，用于将输入的音频电信号放大后输入至该热致发声元件102。所述电流处理模块用于对从电源接口输入的直流电流进行偏置，从而解决音频电信号的倍频问题，为所述热致发声元件102提供稳定的输入电流，以驱动所述热致发声元件102正常工作。

由于所述耳机30的基底材料为硅基底，因此，所述集成电路芯片可直接集成于所述基底中，从而能够最大限度的减少单独设置集成电路芯片而占用的空间，减小耳机30的体积，利于小型化。并且，所述采用硅材料的基底101具有良好的散热性，从而能够将集成电路芯片以及热致发声元件102产生的热量及时传导到外界，减少因热量的聚集造成的失真。

请参阅图12，本发明第四实施例提供一种耳机40，其包括一壳体110及一热致发声扬声器400。所述壳体110为具有一收容空间的中空结构，该热致发声扬声器400设置于壳体110的收容空间内。

本发明第四实施例提供的耳机40与第一实施例中所述耳机10结构基本相同，其不同在于，所述耳机40中所述热致发声扬声器400进一步包括一散热元件202，所述散热元件202设置于所述基底101的第二表面107。

所述散热元件202通过黏结剂或者热界面材料粘贴固定于所述基底101的第二表面107。所述散热元件202包括一基座2020和设置于基座2020表面的多个散热鳍片2021。所述散热鳍片2021通过粘结、卡槽等方式固定于基座2020的表面。所述基座2020为一平面结构。所述基座2020的材料不限，只要保证所述基座2020具有良好的导热性能均可，具体的，所述基座2020的材料可为单晶硅、多晶硅或金属等。所述散热鳍片2021为金属片，所述金属片的材料为金、银、铜、铁、铝中的任意一种或其合金。本实施例中，所述散热鳍片2021为厚度为0.5~1毫米的铜片。所述多个散热鳍片2021可以通过粘结剂、螺栓或者焊接的方式固定于所述基座2020的表面。本实施例中，所述散热鳍片2021通过粘结剂固定于所述基座2020的表面。所述散热鳍片2021可以将所述热致发声元件102在工作时产生出来的热量传递到外界环境中，从而降低所述耳机的工作时的温度，提高了该耳机的使用寿命以及工作效率。

另外，本领域技术人员可以理解的是，本实施例提供的耳机还可进一步包括若干散热孔(图未示)，所述散热孔设置于所述壳体的后半外壳单元，所述散热孔的大小及形状不限，可根据具体需要设置。所述散热孔可将所述热致发声元件所产生的热量散发到外界，从而降低所述耳机的工作时的温度，提高了该耳机的使用寿命以及工作效率。在这里需要说明的是，所述耳机的散热孔为一可选择结构，本领域技术人员可根据实际需要设置。

另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (18)

1.一种耳机，包括：

一壳体，该壳体具有一收容空间；以及

一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内，

所述热致发声扬声器进一步包括：

一基底，该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面；

一热致发声元件，设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置；以及

至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接；

其特征在于，所述基底为一硅基底，所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置。

2.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述壳体包括至少一个通孔，所述热致发声扬声器与该通孔相对设置。

3.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述热致发声扬声器通过粘结剂、卡槽或钉扎结构固定于所述壳体内部。

4.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述耳机进一步包括一引线，所述引线通过壳体内部与所述热致发声扬声器电连接。

5.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米。

6.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述热致发声扬声器进一步包括一绝缘层仅设置于相邻两个所述凹槽之间的基底表面。

7.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述热致发声扬声器进一步包括一连续的绝缘层设置于所述热致发声元件与所述基底表面之间，对应凸部位置处的部分贴附于所述相邻两个凹槽之间的基底表面，对应凹部位置处的部分贴附于所述凹部的底面及侧面。

8.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述层状碳纳米管结构由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管沿同一方向延伸，且所述多个碳纳米管的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

9.如权利要求8所述的耳机，其特征在于，所述层状碳纳米管结构包括一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜由多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管组成，该多个碳纳米管平行于所述基底的第一表面。

10.如权利要求8所述的耳机，其特征在于，所述层状碳纳米管结构在所述凹槽位置包括多个相互平行且间隔设置的碳纳米管线，所述碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该碳纳米管线的长度方向平行排列或沿该碳纳米管线的长度方向呈螺旋状排列。

11.如权利要求8所述的耳机，其特征在于，所述层状碳纳米管结构包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线，所述多个碳纳米管线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

12.如权利要求10所述的耳机，其特征在于，相邻的所述碳纳米管线之间的间隔为0.1微米至200微米。

13.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述至少一第一电极与所述至少一第二电极平行于所述凹槽设置，且相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽。

14.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，进一步包括多个第一电极及多个第二电极交替设置于所述相邻凹槽之间的基底表面，所述多个第一电极形成一第一梳状电极，多个第二电极形成一第二梳状电极，所述第一梳状电极和第二梳状电极相互交错的插入设置。

15.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述基底的第二表面进一步包括一集成电路芯片，所述集成电路芯片分别与所述第一电极及第二电极电连接，向所述热致发声元件输入信号。

16.如权利要求14所述的耳机，其特征在于，所述集成电路芯片通过微电子工艺集成设置在该硅基底上。

17.如权利要求1所述的耳机，其特征在于，所述热致发声扬声器进一步包括一散热元件，所述散热元件设置于所述基底的第二表面。

18.一种耳机，包括：

一壳体，该壳体具有一收容空间；以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内，其特征在于，所述热致发声扬声器进一步包括：

一基底，该基底的一表面设置有多个间隔设置的凹部；

一热致发声元件，设置于所述基底的该表面并与所述基底绝缘设置，所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构通过所述凹部槽部分悬空设置；以及

至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接，相邻的第一电极和第二电极之间的基底表面具有至少一凹部。

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