CN103840799A

CN103840799A - 一种斜坡信号生成电路

Info

Publication number: CN103840799A
Application number: CN201410061415.XA
Authority: CN
Inventors: 吕坚; 阙隆成; 张壤匀; 牛润梅; 周云
Original assignee: University of Electronic Science and Technology of China
Current assignee: University of Electronic Science and Technology of China
Priority date: 2014-02-24
Filing date: 2014-02-24
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2034-02-24
Also published as: CN103840799B

Abstract

本发明实施例公开了一种斜坡信号生成电路，包括：电流控制电路，用于产生用以生成斜坡信号的电流；积分电路，用于基于该电流生成斜坡信号；模式选择电路，连接在电流控制电路和积分电路之间，用于选择生成的斜坡信号的模式。本发明实施例的斜坡信号生成电路可以通过模式选择电路对斜坡信号的模式进行选择。

Description

一种斜坡信号生成电路

技术领域

本发明涉及红外焦平面阵列探测器领域，尤其是涉及一种用于红外焦平面阵列探测器的读出电路的斜坡信号生成电路。

背景技术

根据普朗克辐射定理，任何温度高于绝对零度的物体，其内部都会发生分子热运动，从而产生波长不等的红外辐射。红外辐射具有强度和波长直接与物体表面温度有关的重要特征，提供了物体的丰富的信息。但是红外辐射是一种不可见的电磁波，利用红外辐射来获取物体的信息的时候，需要将这种红外辐射转换为可测量的信号。

红外焦平面阵列探测器就是将红外辐射转换成可测量的信号的装置。红外焦平面阵列探测器通过光电转换、电信号处理等手段将目标物体的温度分布转换成视频图像，其具有抗干扰能力强、隐蔽性能好、跟踪和制导精度高等优点，在军事和民用领域获得了广泛的应用。

但是红外焦平面阵列探测器在工作温度较高时，其本身固有的热激发过程会快速增加，从而使得暗电流和噪声迅速上升，会极大地降低红外焦平面阵列探测器的性能，所以需要制冷设备使其工作在低温环境下。但是由于制冷设备的存在，使得探测系统在体积、重量、功耗和成本方面都大量增加，从而增加了它应用的困难性。

随着技术的不断发展，人们提出了非制冷红外焦平面阵列探测器。非制冷红外焦平面阵列探测器可在常温下工作，无需制冷设备，并具有质量轻、体积小、寿命长、成本低、功耗小、启动快及稳定性好等优点，满足了民用红外系统和部分军事红外系统对长波红外探测器的迫切需要。因而使这项技术得到了快速的发展和广泛的应用。

而在非制冷红外焦平面的读出电路中，模数转换器（ADC）是越来越多地被用来作为首选手段将传感器获得的模拟信号转换成数字信号并读出。在单斜率ADC中，输入的模拟信号与斜坡信号生成电路产生的斜坡信号进行比较，比较的结果存在寄存器中，在有效的时钟沿到来时，寄存器将比较的结果输出，完成从模拟到数字的转换。但是现有技术中的斜坡信号生成电路中，产生的斜坡信号的上下限通常不能灵活变化。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种能够控制输出的斜坡信号的波形模式的斜坡信号生成电路。

本发明的目的之一是提供一种生成的斜坡信号的上、下限可调节的斜坡信号生成电路。

本发明的目的之一是提供一种能够控制步进的时间长度的斜坡信号生成电路。

本发明公开的技术方案包括：

提供了一种斜坡信号生成电路，其特征在于，包括：电流控制电路，所述电流控制电路用于产生用以生成斜坡信号的电流；积分电路，所述积分电路用于基于所述电流生成斜坡信号；模式选择电路，所述模式选择电路连接在所述电流控制电路和所述积分电路之间，用于选择生成的所述斜坡信号的模式。

本发明一个实施例中，还包括第一可调电压源和第二可调电压源，所述电流控制电路的第一输入端连接到所述第一可调电压源，所述电流控制电路的第二输入端连接到所述第二可调电压源。

本发明一个实施例中，所述模式选择电路包括：第一模式选择开关S_F，所述第一模式选择开关S_F一端连接到所述电流控制电路的第一输出端，另一端连接到所述积分电路的第一输入端；第二模式选择开关S_R，所述第二模式选择开关S_R一端连接到所述电流控制电路的第二输出端，另一端连接到所述积分电路的所述第一输入端；第三模式选择开关S_FF，所述第三模式选择开关S_FF一端连接到所述第一可调电压源，另一端连接到所述积分电路的第二输入端；第四模式选择开关S_RR，所述第四模式选择开关S_RR一端连接到所述第二可调电压源，另一端连接到所述积分电路的所述第二输入端。

本发明一个实施例中，所述积分电路包括第三运算放大器，所述第三运算放大器的反相输入端连接到所述积分电路的所述第一输入端，所述第三运算放大器的同相输入端连接到所述积分电路的所述第二输入端。

本发明一个实施例中，所述电流控制电路包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一电流镜电路、第二电流镜电路、第一晶体管NM3和第二晶体管PM3，其中所述第一运算放大器的同相输入端连接到所述第一可调电压源，所述第一运算放大器的反相输入端连接到所述第一晶体管NM3的源极，所述第一运算放大器的输出端连接到所述第一晶体管NM3的栅极；所述第一晶体管NM3的漏极连接到所述第一电流镜电路；所述第二运算放大器的同相输入端连接到所述第二可调电压源，所述第二运算放大器的反相输入端连接到所述第二晶体管PM3的源极，所述第二运算放大器的输出端连接到所述第二晶体管PM3的栅极；所述第二晶体管PM3的漏极连接到所述第二电流镜电路；所述第一晶体管NM3的源极连接到所述第二晶体管PM3的源极。

本发明一个实施例中，所述电流控制电路还包括可调电阻电路，所述可调电阻电路包括第一端A和第二端B，所述第一端A连接到所述第一晶体管NM3的源极，所述第二端B连接到所述第二晶体管PM3的源极。

本发明一个实施例中，所述可调电阻电路包括n个电阻和n个开关，并且n为大于或者等于2的自然数，其中：所述n个电阻中的第一个电阻一端连接到所述第一端A，另一端通过所述n个开关中的第一个开关S1连接到所述第二端B；所述n个电阻中的其余n-1个电阻中的每一个一端连接到前一个电阻的与开关连接的一端，另一端通过所述n个开关中的其余n-1个开关中的一个连接到所述第二端B。

本发明一个实施例中，所述n个电阻的阻值彼此相等。

本发明一个实施例中，所述第一电流镜电路包括第三晶体管PM1和第四晶体管PM2，其中所述第三晶体管PM1的源极连接到系统电源VDD，所述第三晶体管PM1的漏极连接到所述第一晶体管NM3的漏极，所述第三晶体管PM1的栅极连接到所述第四晶体管PM2的栅极并且连接到所述第三晶体管PM1的漏极；所述第四晶体管PM2的源极连接到系统电源VDD，所述第四晶体管PM2的漏极连接到所述第一模式选择开关S_F。

本发明一个实施例中，所述第二电流镜电路包括第五晶体管NM1和第六晶体管NM2，其中所述第五晶体管NM1的源极连接到地，所述第五晶体管NM1的漏极连接到所述第二晶体管PM3的漏极，所述第五晶体管NM1的栅极连接到所述第六晶体管NM2的栅极并且连接到所述第五晶体管NM1的漏极；所述第六晶体管NM2的源极连接到地，所述第六晶体管NM2的漏极连接到所述第二模式选择开关S_R。

本发明实施例的斜坡信号生成电路可以通过调节输入电压Ｖ_H、V_L对斜坡的上、下限进行任意调节，可以通过调节接入回路的R_DAC的阻值大小对产生斜坡的步进时间长度进行调节，因此有很好的适用性。并且通过模式选择电路，可以对斜坡信号的模式进行选择。

附图说明

图1是本发明一个实施例的斜坡信号生成电路的结构示意图。

图2是本发明一个实施例的可调电阻电路的示意图。

图3是本发明一个实施例的斜坡信号生成电路的时序示意图。

具体实施方式

下面将结合附图详细说明本发明的实施例的斜坡信号生成电路的结构。

如图1所示，本发明的一个实施例中，一种斜坡信号生成电路包括电流控制电路、积分电路和模式选择电路。

本发明的实施例中，电流控制电路用于产生用以生成斜坡信号的电流，该电流通过模式选择电路流入积分电路中。积分电路用于基于该电流生成需要的斜坡信号。

模式选择电路连接在电流控制电路和积分电路之间，用于选择生成的斜坡信号的模式，例如，选择生成的斜坡信号是上行的还是下行的。

本发明的实施例中，该斜坡信号生成电路还可以包括第一可调电压源V_H和第二可调电压源V_L。图1中，第一可调电压源V_H和第二可调电压源V_L没有显示出，而只是用符号示意性地表示。

本发明的实施例中，这里的第一可调电压源V_H和第二可调电压源V_L可以是实际的可调的电压源，也可以是能够输出电压并且输出电压可以调节的任何其他类型的元件，例如电压转换装置，例如变压器等等。

如图1所示，本发明的实施例中，模式选择电路可以包括第一模式选择开关S_F、第二模式选择开关S_R、第三模式选择开关S_FF和第四模式选择开关S_RR。

第一模式选择开关S_F一端连接到电流控制电路的第一输出端（例如，第四晶体管PM2的漏极），另一端连接到积分电路的第一输入端（例如，第三运算放大器30的反相输入端）。

第二模式选择开关S_R一端连接到电流控制电路的第二输出端（例如，第六晶体管NM2的漏极），另一端连接到积分电路的该第一输入端（例如，第三运算放大器30的反相输入端）。

第三模式选择开关S_FF一端连接到第一可调电压源V_H，另一端连接到积分电路的第二输入端（例如，第三运算放大器30的同相输入端）。

第四模式选择开关S_RR一端连接到第二可调电压源V_L，另一端连接到积分电路的该第二输入端（例如，第三运算放大器30的同相输入端）。

如图1所示，本发明的实施例中，积分电路包括第三运算放大器30、积分电容C_ramp和复位开关S_RST。第三运算放大器30的反相输入端连接到积分电路的前述的第一输入端（即与前述的第一模式选择开关S_F和第二模式选择开关S_R连接），并且第三运算放大器30的同相输入端连接到积分电路的前述的第二输入端（即与前述的第三模式选择开关S_FF和第四模式选择开关S_RR相连）。

此外，积分电容C_ramp和复位开关S_RST分别连接在第三运算放大器30的反相输入端和第三运算放大器30的输出端之间。第三运算放大器30的输出端即为积分电路的输出端，也即为本发明实施例的斜坡信号生成电路的输出端。

本发明的实施例中，当第一模式选择开关S_F闭合、第二模式选择开关S_R断开时，积分电容C_ramp充电，积分电路的输出电压升高；当第一模式选择开关S_F断开、第二模式选择开关S_R闭合时，积分电容C_ramp放电，积分电路的输出电压降低。这样，控制生成的斜坡信号是上行的还是下行的。

如图1所示，本发明的一个实施例中，电流控制电路包括第一运算放大器10、第二运算放大器20、第一电流镜电路、第二电流镜电路、第一晶体管NM3和第二晶体管PM3。

第一运算放大器10的同相输入端连接到前述的第一可调电压源V_H、V_L，第一运算放大器10的反相输入端连接到第一晶体管NM3的源极，第一运算放大器10的输出端连接到第一晶体管NM3的栅极。

第一晶体管NM3的漏极连接到第一电流镜电路。

第二运算放大器20的同相输入端连接到前述的第二可调电压源V_L，第二运算放大器20的反相输入端连接到第二晶体管PM3的源极，第二运算放大器20的输出端连接到第二晶体管PM3的栅极。

第二晶体管PM3的漏极连接到第二电流镜电路。

第一晶体管NM3的源极连接到第二晶体管PM3的源极。

本发明的实施例中，电流控制电路还包括可调电阻电路R_DAC，该可调电阻电路R_DAC包括第一端A和第二端B，第一端A连接到第一晶体管NM3的源极，第二端B连接到第二晶体管PM3的源极。

本发明的实施例中，电流控制电路中的输入电压（即第一可调电压源V_H和第二可调电压源V_L的电压，这里仍然用V_H和V_L表示）可以任意调节，这两个电压在R_DAC处产生电流I =（V_H - V_L）/ R_DAC，该电流通过两个电流镜电路（即前述的第一电流镜电路和第二电流镜电路）输出到模式选择电路，调节积分电容C_ramp的充、放电速度，从而控制所产生的斜坡信号的斜率。

如图2所示，本发明的一个实施例中，可调电阻电路可以包括n个电阻和n个开关，并且n为大于或者等于2的自然数，其中：

n个电阻中的第一个电阻（即图2中最靠近A点的电阻）一端连接到前述的第一端（即A点），另一端通过n个开关中的第一个开关S₁连接到前述的第二端（即B点）；而该n个电阻中其余n-1个电阻中的每一个一端连接到前一个电阻的与开关连接的一端，另一端通过该n个开关中其余n-1个开关中的一个连接到前述的第二端B。

本发明的实施例中，前述的n个电阻的阻值彼此相等。

本发明的实施例中，同一时刻，n个开关S₁、S₂、……、S_n-1、S_n只能有一个闭合，其余均断开，这样可以通过控制S₁、S₂、……、S_n-1、S_n的开闭状态来控制接入斜坡信号生成电路的电阻R_DAC的阻值大小，从而控制每一个步进的时间长度t_ramp。

本发明的实施例中，前述的第一电流镜电路包括第三晶体管PM1和第四晶体管PM2，其中，第三晶体管PM1的源极连接到系统电源VDD，第三晶体管PM1的漏极连接到第一晶体管NM3的漏极，第三晶体管PM1的栅极连接到第四晶体管PM2的栅极并且连接到第三晶体管PM1的漏极；第四晶体管PM2的源极连接到系统电源VDD，第四晶体管PM2的漏极连接到前述的第一模式选择开关S_F。

本发明的实施例中，前述的第二电流镜电路包括第五晶体管NM1和第六晶体管NM2，其中，所述第五晶体管NM1的源极连接到地，所述第五晶体管NM1的漏极连接到所述第二晶体管PM3的漏极，所述第五晶体管NM1的栅极连接到所述第六晶体管NM2的栅极并且连接到所述第五晶体管NM1的漏极；所述第六晶体管NM2的源极连接到地，所述第六晶体管NM2的漏极连接到所述第二模式选择开关S_R。

本发明实施例的斜坡信号生成电路可以工作在上行斜坡信号模式和下行斜坡信号模式两种模式下。

1、上行斜坡信号模式。

斜坡生成电路复位时，断开S_F、S_R、S_FF，闭合S_RST、S_RR，则复位值为V_L，即所产生斜坡的初值为V_L。产生斜坡时，S_RST、S_FF、S_RR、S_F都处在断开状态， S_R闭合，则电路处在放电状态，回路的总电流I =（V_H - V_L）/ R_DAC，则输出电压为

Figure 201410061415X100002DEST_PATH_IMAGE001

。

当t_ramp= R_DACC_ramp时，斜坡产生结束，此时有V_out（R_DAC C_ramp）= V_H，即在0~ R_DAC C_ramp时间内，产生了初值为V_L，终值为V_H的上行斜坡信号。

2、下行斜坡信号模式。

斜坡生成电路复位时，断开S_F、S_R、S_RR，闭合S_RST、S_FF，则复位值为V_H，即所产生斜坡的初值为V_H。产生斜坡时，S_RST、S_FF、S_RR、S_R都处在断开状态，S_F闭合，则电路处在充电状态，回路的总电流I =（V_H - V_L）/ R_DAC，则输出电压为

。

当t_ramp= R_DAC C_ramp时，斜坡产生结束，此时有V_out（R_DAC C_ramp）= V_L，即在0~ R_DAC C_ramp时间内，产生了初值为V_H，终值为V_L的下行斜坡信号。　

由上面的叙述可知，若调节输入电压V_H、V_L的值，则所产生的斜坡的上下限也随之相应变化。与此同时，为了使斜坡生成电路有更好的应用性，每一个步进的时间长度也是可以调节的。可以通过控制S₁、S₂、……、S_n-1、S_n的开闭状态来控制接入斜坡生成电路的电阻R_DAC的阻值大小，从而控制步进的时间长度t_ramp。并且，通过调节V_H、V_L、R_DAC，即可以调节斜坡的斜率。

图3是本发明一个实施例的斜坡信号生成电路在调节斜坡信号上下限时的过程描述图。

如图3所示，S_F、S_R、S_FF、S_RR、S_RST均是低电平表示断开，高电平表示闭合，V₀为V_H、V_L的初始输入电压，V_n为单位电平，t_n为单位时间，假设t_n=RC_ramp。

在0~t_n，S_RST和S_RR闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋V_n，V_Ｌ＝V₀，R_DAC＝R，此时电路处在复位状态，V_OUT= V_L= V₀;

在t_n ~2 t_n，S_R闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋V_n，V_Ｌ＝V₀，R_DAC＝R，t_ramp＝RC_ramp=t_n，电路处在放电状态，V_OUT由V₀逐渐上升到V₀+V_n；

在2t_n~3t_n， S_RST和S_ＲＲ闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L＝V₀，R_DAC＝R，此时电路处在复位状态，V_OUT= V_L= V₀；

在3t_n ~4t_n，S_Ｒ闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_Ｌ＝V₀，R_DAC＝R，t_ramp＝RC_ramp=t_n，电路处在放电状态，V_OUT由V₀逐渐上升到V₀+２V_n，和t_n ~2 t_n的斜坡对比可知，改变输入电压Ｖ_Ｈ的值即可以改变生成斜坡的上限值；

在4t_n ~5t_n，S_RST和S_FF闭合，其余开关断开，V_H=V₀＋２V_n，V_L=V₀＋V_n，R_DAC＝R，电路处在复位状态， V_OUT= V_H=V_０＋２V_n；

在5 t_n~6 t_n，S_F闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L==V_０＋V_n，R_DAC＝R，t_ramp＝RC_ramp=t_n，电路处在充电状态，V_OUT由V₀＋２V_n逐渐下降到V₀+V_n；

在6 t_n ~7 t_n，S_RST和S_FF闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L= V₀，R_DAC＝R，电路处在复位状态，且V_OUT= V_H= V₀＋２V_n;

在7 t_n~8 t_n，S_Ｆ闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L= V₀，R_DAC＝R，t_ramp＝RC_ramp=t_n，电路处在充电状态，V_OUT由V₀＋２V_n逐渐下降到V₀，和５t_n ~６ t_n的斜坡对比可知，改变输入电压Ｖ_Ｌ的值即可以改变生成斜坡的下限值；

在８t_n ~９t_n，S_RST和S_ＦＦ闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L= V₀，R_DAC＝R，电路处在复位状态，且V_OUT= V_H= V₀＋２V_n;

在９t_n ~11t_n，S_Ｆ闭合，其余开关断开，V_H= V₀＋２V_n，V_L= V_０，R_DAC=2R，t_ramp＝２RC_ramp=2t_n，电路处在充电状态，V_OUT由V₀＋２V_n逐渐下降到V₀，和前面产生的斜坡相比，步进时间长短增加了，通过调节步进时间长度，能够使斜坡发生器满足更多的ＡＤ应用要求；

通过这个实例，可以发现本发明实施例的斜坡信号生成电路可以通过调节输入电压Ｖ_H、V_L对斜坡的上、下限进行任意调节，可以通过调节接入回路的R_DAC的阻值大小对产生斜坡的步进时间长度进行调节，因此有很好的适用性。并且通过模式选择电路，可以对斜坡信号的模式进行选择。

以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“一个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。

Claims

1.一种斜坡信号生成电路，其特征在于，包括：

电流控制电路，所述电流控制电路用于产生用以生成斜坡信号的电流；

积分电路，所述积分电路用于基于所述电流生成斜坡信号；

模式选择电路，所述模式选择电路连接在所述电流控制电路和所述积分电路之间，用于选择生成的所述斜坡信号的模式。

2.如权利要求1所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：还包括第一可调电压源和第二可调电压源，所述电流控制电路的第一输入端连接到所述第一可调电压源，所述电流控制电路的第二输入端连接到所述第二可调电压源。

3.如权利要求2所述的斜坡信号生成电路，其特征在于，所述模式选择电路包括：

第一模式选择开关（S_F），所述第一模式选择开关（S_F）一端连接到所述电流控制电路的第一输出端，另一端连接到所述积分电路的第一输入端；

第二模式选择开关（S_R），所述第二模式选择开关（S_R）一端连接到所述电流控制电路的第二输出端，另一端连接到所述积分电路的所述第一输入端；

第三模式选择开关（S_FF），所述第三模式选择开关（S_FF）一端连接到所述第一可调电压源，另一端连接到所述积分电路的第二输入端；

第四模式选择开关（S_RR），所述第四模式选择开关（S_RR）一端连接到所述第二可调电压源，另一端连接到所述积分电路的所述第二输入端。

4.如权利要求3所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述积分电路包括第三运算放大器，所述第三运算放大器的反相输入端连接到所述积分电路的所述第一输入端，所述第三运算放大器的同相输入端连接到所述积分电路的所述第二输入端。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的斜坡信号生成电路，其特征在于，所述电流控制电路包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一电流镜电路、第二电流镜电路、第一晶体管（NM3）和第二晶体管（PM3），其中

所述第一运算放大器的同相输入端连接到所述第一可调电压源，所述第一运算放大器的反相输入端连接到所述第一晶体管（NM3）的源极，所述第一运算放大器的输出端连接到所述第一晶体管（NM3）的栅极；

所述第一晶体管（NM3）的漏极连接到所述第一电流镜电路；

所述第二运算放大器的同相输入端连接到所述第二可调电压源，所述第二运算放大器的反相输入端连接到所述第二晶体管（PM3）的源极，所述第二运算放大器的输出端连接到所述第二晶体管（PM3）的栅极；

所述第二晶体管（PM3）的漏极连接到所述第二电流镜电路；

所述第一晶体管（NM3）的源极连接到所述第二晶体管（PM3）的源极。

6.如权利要求5所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述电流控制电路还包括可调电阻电路，所述可调电阻电路包括第一端（A）和第二端（B），所述第一端（A）连接到所述第一晶体管（NM3）的源极，所述第二端（B）连接到所述第二晶体管（PM3）的源极。

7.如权利要求6所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述可调电阻电路包括n个电阻和n个开关，并且n为大于或者等于2的自然数，其中：

所述n个电阻中的第一个电阻一端连接到所述第一端（A），另一端通过所述n个开关中的第一个开关（S1）连接到所述第二端（B）；

所述n个电阻中的其余n-1个电阻中的每一个一端连接到前一个电阻的与开关连接的一端，另一端通过所述n个开关中的其余n-1个开关中的一个连接到所述第二端（B）。

8.如权利要求7所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述n个电阻的阻值彼此相等。

9.如权利要求5至8中任意一项所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述第一电流镜电路包括第三晶体管（PM1）和第四晶体管（PM2），其中

所述第三晶体管（PM1）的源极连接到系统电源（VDD），所述第三晶体管（PM1）的漏极连接到所述第一晶体管（NM3）的漏极，所述第三晶体管（PM1）的栅极连接到所述第四晶体管（PM2）的栅极并且连接到所述第三晶体管（PM1）的漏极；

所述第四晶体管（PM2）的源极连接到系统电源（VDD），所述第四晶体管（PM2）的漏极连接到所述第一模式选择开关（S_F）。

10.如权利要求5至8中任意一项所述的斜坡信号生成电路，其特征在于：所述第二电流镜电路包括第五晶体管（NM1）和第六晶体管（NM2），其中

所述第五晶体管（NM1）的源极连接到地，所述第五晶体管（NM1）的漏极连接到所述第二晶体管（PM3）的漏极，所述第五晶体管（NM1）的栅极连接到所述第六晶体管（NM2）的栅极并且连接到所述第五晶体管（NM1）的漏极；

所述第六晶体管（NM2）的源极连接到地，所述第六晶体管（NM2）的漏极连接到所述第二模式选择开关（S_R）。