CN103234642A - 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 - Google Patents
一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103234642A CN103234642A CN2013101276527A CN201310127652A CN103234642A CN 103234642 A CN103234642 A CN 103234642A CN 2013101276527 A CN2013101276527 A CN 2013101276527A CN 201310127652 A CN201310127652 A CN 201310127652A CN 103234642 A CN103234642 A CN 103234642A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- operational amplifier
- circuit
- drain
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N [Si].[Pt] Chemical compound [Si].[Pt] XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路，包括第一运算放大器、第二运算放大器、电桥支路和输出偏置支路，输出偏置支路包括数模转换器、第一晶体管、第二晶体管和可调电阻，数模转换器的输出端连接到第一晶体管的栅极，第一晶体管的漏极连接到第二晶体管的源极，第一晶体管的源极连接到系统电源；第二晶体管的漏极通过可调电阻接地，第二晶体管的栅极连接到偏置电压，第一晶体管的漏极还通过第二电阻连接到第一运算放大器的同相输入端。本发明的实施例中，通过调节数模转换电路和可调电阻，可以将输入到第一运算放大器的同相输入端的电压调节到期望值，从而消除积分前置电路整体的失调，使积分前置电路输出理想值。
Description
技术领域
本发明涉及红外焦平面阵列探测器的读出电路，尤其涉及一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路。
背景技术
所有物体均发射与其温度和物质特性相关的热辐射，环境温度附近物体的热辐射大多位于红外波段，波长为1μm（微米）到24μm左右。红外辐射提供了客观世界的丰富信息，将不可见的红外辐射转换成可测量的信号，充分利用这些信息是人们追求的目标。而红外焦平面阵列则是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。
微测辐射热计探测器是应用最广泛的一种红外焦平面阵列，它是一种热敏电阻性探测器。微测辐射热计焦平面阵列是利用微机械加工技术在硅读出电路上制作绝热结构，并在其上面形成作为探测器单元的微测辐射热计，实现单片结构。微测辐射热计焦平面阵列作为第二代非制冷焦平面技术的佼佼者，以它为核心制作的非制冷红外成像系统与制冷红外成像系统相比具有体积小、功耗低的优点，并使系统的性能价格比大幅度提高，极大地促进了红外成像系统在许多领域中的应用。
读出电路是一种专用的数模混合信号集成处理电路，在读出集成电路(ROIC)出现以前，前置放大器的混合电路是由分立的电阻、电容和晶体管组成。诸如光伏型的、非本征硅的、铂硅的和许多光电导型的高阻抗探测器对电磁干扰(EMI) 非常敏感，要求放在非常接近前置放大器的地方减少EMI的影响。使用分立元件要求大量的面积，并且在一个给定的光学视场中对实现的通道数目提出了苛刻的限制。读出集成电路帮助减少了EMI问题。
读出集成电路(ROIC)方法还提供探测器热学/机械接口、信号处理和包括像电荷转换和增益、频带限制以及多路转换和输出驱动的功能。随着集成电路工艺和技术的发展，尤其是MOS集成制造技术和工艺的成熟，使ROIC得到了迅猛的发展。
读出电路的功能是提取探测器热敏材料的电阻变化，转换成电信号并进行前置处理(如积分、放大、滤波和采样/保持等)及信号的并/串行转换。目前主要有CCD型读出电路和CMOS型读出电路。随着CMOS工艺的不断成熟、完善和发展，CMOS读出电路因其众多的优点而成为当今读出电路的主要发展方向。
读出电路中对运算放大器的分析通常是假设电路是完全对称的，即两边呈现出相同的特性和相同的偏置电流。然而，由于制造工艺中每一道工序的不确定性，标称相同的器件都存在有限的不匹配性（即失配）。运算放大器两输入MOS管的不完全匹配导致了失调电压的产生，失调电压造成输出偏移，对输出结果产生了很大地影响。因此，研究失调可控的读出电路积分前置电路变得尤为重要。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种失调可控的红外焦平面阵列探测器的读出电路积分前置电路。
本发明实施例公开的技术方案包括：
提供了一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路，其特征在于：包括第一运算放大器、第二运算放大器、电桥支路和输出偏置支路，其中：所述第一运算放大器的输出端通过第一电阻连接到所述第二运算放大器的反相输入端，并且所述第一运算放大器的输出端还连接到所述第一运算放大器的反向输入端；所述第二运算放大器的反相输入端通过电容连接到所述第二运算放大器的输出端，所述第二运算放大器的同相输入端连接到参考电压；所述电桥支路连接到所述第一运算放大器的同相输入端；所述输出偏置支路包括数模转换器、第一晶体管、第二晶体管和可调电阻，其中：所述数模转换器的输出端连接到所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的漏极连接到所述第二晶体管的源极，所述第一晶体管的源极连接到系统电源；所述第二晶体管的漏极通过所述可调电阻接地，所述第二晶体管的栅极连接到偏置电压；所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极通过第二电阻连接到所述第一运算放大器的同相输入端。
进一步地，所述电桥支路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，其中：所述第三晶体管的栅极连接到所述第四晶体管的栅极；所述第五晶体管的栅极连接到所述第六晶体管的栅极；所述第三晶体管的漏极连接到所述第五晶体管的漏极；所述第四晶体管的漏极连接到所述第六晶体管的漏极；所述第三晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极连接到所述第一运算放大器的同相输入端；所述第六晶体管的栅极还连接到所述第六晶体管的漏极。
进一步地，所述第三晶体管的源极通过第三电阻连接到系统电源；所述第四晶体管的源极通过第四电阻连接到系统电源；所述第五晶体管的源极通过探测器接地；所述第六晶体管的源极通过参比电阻接地。
本发明的实施例的积分前置电路中，通过调节数模转换电路和可调电阻，可以将输入到第一运算放大器的同相输入端的电压调节到期望值，从而消除积分前置电路整体的失调，使积分前置电路输出理想值。
附图说明
图1是本发明一个实施例的红外焦平面阵列探测器的读出电路积分前置电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将参考附图详细说明本发明的实施例。
图1是本发明的一个实施例的红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路的结构示意图。
如图1所示，本发明的一个实施例中，一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、电桥支路20和输出偏置支路10。
第一运算放大器A1的输出端通过第一电阻R1连接到第二运算放大器A2的反相输入端，并且第一运算放大器A1的该输出端还连接到第一运算放大器A1的反向输入端。
第二运算放大器A2的反相输入端通过电容连接到第二运算放大器A2的输出端。第二运算放大器A2的同相输入端连接到参考电压Vref。
第二运算放大器A2的输出端Vout即为该积分前置电路的输出端。
电桥支路20连接到第一运算放大器A1的同相输入端。
本发明的实施例中，输出偏置支路10也连接到第一运算放大器A1的同相输入端。
如图1所示，输出偏置支路10包括数模转换器DAC、第一晶体管PM1、第二晶体管PM2和可调电阻RDAC。
在该输出偏置支路10中，数模转换器DAC的输出端连接到第一晶体管PM1的栅极，第一晶体管PM1的漏极连接到第二晶体管PM2的源极（例如，图2中的点A处），第一晶体管PM1的源极连接到系统电源VDD。
第二晶体管PM2的漏极通过可调电阻RDAC接地，第二晶体管PM2的栅极连接到偏置电压VBIAS。
本发明的实施例中，该偏置电压VBIAS的电压值可以是固定的。
此外，如图1所示，第一晶体管PM1的漏极和第二晶体管PM1的源极相互连接之后还通过第二电阻R2连接到第一运算放大器A1的同相输入端。
另外，如图1所示，电桥支路20包括第三晶体管PM3、第四晶体管PM4、第五晶体管NM3和第六晶体管NM4，而且，第三晶体管PM3的栅极连接到第四晶体管PM4的栅极，第五晶体管NM3的栅极连接到第六晶体管NM4的栅极，第三晶体管PM3的漏极连接到第五晶体管NM3的漏极，第四晶体管PM4的漏极连接到第六晶体管NM4的漏极，并且第六晶体管NM4的栅极还连接到该第六晶体管NM4的漏极。这样，第三晶体管PM3、第四晶体管PM4、第五晶体管NM3和第六晶体管NM4构成电桥电路。
本发明的实施例中，相互连接的第三晶体管PM3的漏极和第五晶体管NM3的漏极还连接到第一运算放大器A1的同相输入端，从而将该电桥支路20连接到第一运算放大器A1的同相输入端。
此外，本发明的实施例中，在该电桥支路20中，第三晶体管PM3的源极通过第三电阻R3连接到系统电源VDD，第四晶体管PM4的源极通过第四电阻R4连接到系统电源VDD，第五晶体管NM3的源极通过探测器Rs（图1中简化地用电阻的符号等效地表示）接地，第六晶体管NM4的源极通过参比电阻Rb接地。
本发明实施例中的积分前置电路的工作原理如下：
本发明的实施例中，通过调节数模转换电路DAC，可以改变第一晶体管PM1的栅极电压VDAC，而第一晶体管PM1的源极接系统电源VDD，第一晶体管PM1的漏极与第二晶体管PM2的源极相连接构成一条通路，可以得到这条通路的电流IDAC：
其中，W/L为第一晶体管PM1的宽长比，VTH为第一晶体管PM1的阈值电压，μp为P管迁移率，Cox为电位面积的栅氧化层电容。
所以，调节数模转换电路DAC即是调节这条通路的电流IDAC。
将第二晶体管PM2看作一个开关，忽略其电压的微小变化。那么图中A电的电压VA = IDAC×RDAC，也就是说，改变该输出偏置支路的输出电压VA，可通过调节数模转换电路DAC和可调电阻RDAC实现。
第一晶体管PM1的漏极与第二晶体管PM2的源极相连接（点A处），并通过第二电阻R2连接到电桥支路的输出端（点B处，也就是连接到第一运算放大器A1的同相输入端）。忽略沟道长度调制，那么流过第四电阻R4的电流与流过第三电阻R3的电流相等。在没有红外辐射时，由于第五晶体管NM3与第六晶体管NM4构成电流镜，流过参比电阻Rb的电流与流过探测器Rs的电流相等；同时，第四电阻R4与参比电阻Rb在同一条支路上，所以通过它们的电流相等，便可以得到流过第三电阻R3的电流与流过探测器Rs的电流相等。由此得到，电桥结构中的电流是平衡的。
在没有红外辐射时，改变B点电压，电桥结构的电流不会随之改变，B点与A点通过电阻R相连接的通路上几乎没有电流，A点电压约等于B点电压。即通过改变输出偏置支路10的输出电压VA，可以改变电桥结构的输出电压VB。VB输入到第一运算放大器A1的同相输入端。综合得出，通过调节数模转换电路DAC和可调电阻RDAC，利用VB≈VA=IDAC×RDAC，便可以将输入到第一运算放大器A1的同相输入端的电压VB调节到期望值。
设第一运算放大器A1和第二运算放大器A2产生的失调电压分别为Voffset1和Voffset2，假设积分前置电路电流方向如图1所示，那么第一运算放大器A1的同相输入端输入电压为VB，第一运算放大器A1的输出电压为VB+ Voffset1。根据
，
其中R1为第一电阻R1的电阻值，t为积分时间，C为电容C的电容值（本文中均用C表示），ΔU为电容C两端的电压差，Vref为连接到第二运算放大器的同相输入端的参考电压。
则第二运算放大器A2的输出电压Vout为：
而不存在失调时，积分前置电路的理想输出
为：
。
对比以上两式，使图1中电桥支路20中B点电压（即A点电压）为VB - ( Voffset2 - Voffset1)，即可使积分前置电路输出理想电压值。由：
VB≈VA=IDAC×RDAC，
即调节数模转换电路DAC和可调电阻RDAC，使
因此，利用本发明的实施例中的读出电路的积分前置电路，可以消除积分前置电路整体的失调，使积分前置电路输出理想值。
以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“一个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。
Claims (3)
1.一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路，其特征在于：包括第一运算放大器、第二运算放大器、电桥支路和输出偏置支路，其中：
所述第一运算放大器的输出端通过第一电阻连接到所述第二运算放大器的反相输入端，并且所述第一运算放大器的输出端还连接到所述第一运算放大器的反向输入端；
所述第二运算放大器的反相输入端通过电容连接到所述第二运算放大器的输出端，所述第二运算放大器的同相输入端连接到参考电压；
所述电桥支路连接到所述第一运算放大器的同相输入端；
所述输出偏置支路包括数模转换器、第一晶体管、第二晶体管和可调电阻，其中：
所述数模转换器的输出端连接到所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的漏极连接到所述第二晶体管的源极，所述第一晶体管的源极连接到系统电源；
所述第二晶体管的漏极通过所述可调电阻接地，所述第二晶体管的栅极连接到偏置电压；
所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极通过第二电阻连接到所述第一运算放大器的同相输入端。
2.如权利要求1所述的积分前置电路，其特征在于：所述电桥支路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，其中：
所述第三晶体管的栅极连接到所述第四晶体管的栅极；
所述第五晶体管的栅极连接到所述第六晶体管的栅极；
所述第三晶体管的漏极连接到所述第五晶体管的漏极；
所述第四晶体管的漏极连接到所述第六晶体管的漏极；
所述第三晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极连接到所述第一运算放大器的同相输入端；
所述第六晶体管的栅极还连接到所述第六晶体管的漏极。
3.如权利要求2所述的积分前置电路，其特征在于：
所述第三晶体管的源极通过第三电阻连接到系统电源；
所述第四晶体管的源极通过第四电阻连接到系统电源；
所述第五晶体管的源极通过传感器接地；
所述第六晶体管的源极通过参比电阻接地。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310127652.7A CN103234642B (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310127652.7A CN103234642B (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103234642A true CN103234642A (zh) | 2013-08-07 |
| CN103234642B CN103234642B (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=48882693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310127652.7A Expired - Fee Related CN103234642B (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103234642B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103441763A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-11 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面阵列及其读出电路的模数转换器 |
| CN103900722A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 非制冷红外焦平面阵列读出电路 |
| CN104568169A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-04-29 | 江苏物联网研究发展中心 | 带有失调消除功能的红外焦平面读出电路 |
| CN105352606A (zh) * | 2015-08-20 | 2016-02-24 | 电子科技大学 | 一种非制冷红外焦平面阵列探测器的读出电路 |
| CN106612576A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-03 | 深圳Tcl数字技术有限公司 | 电流平衡电路、电流平衡装置及显示设备 |
| CN108365897A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-03 | 重庆思柏高科技有限公司 | 光电转换模块跨阻增益放大器参数校准电路及校准方法 |
| CN114894317A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-12 | 国科大杭州高等研究院 | 一种用于光电导型红外探测器阵列的读出电路系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101246047A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-08-20 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面阵列暗场电流的补偿电路及其补偿方法 |
| CN101339073A (zh) * | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Ulis股份公司 | 检测电磁辐射、尤其是红外辐射的设备 |
| CN102346074A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-08 | 电子科技大学 | 一种读出电路偏置结构 |
| CN102494781A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 电子科技大学 | 一种读出电路偏置结构 |
-
2013
- 2013-04-15 CN CN201310127652.7A patent/CN103234642B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101246047A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-08-20 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面阵列暗场电流的补偿电路及其补偿方法 |
| CN101339073A (zh) * | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Ulis股份公司 | 检测电磁辐射、尤其是红外辐射的设备 |
| CN102346074A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-08 | 电子科技大学 | 一种读出电路偏置结构 |
| CN102494781A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 电子科技大学 | 一种读出电路偏置结构 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103441763A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-12-11 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面阵列及其读出电路的模数转换器 |
| CN103441763B (zh) * | 2013-08-19 | 2016-08-31 | 电子科技大学 | 一种红外焦平面阵列及其读出电路的模数转换器 |
| CN103900722A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 非制冷红外焦平面阵列读出电路 |
| CN103900722B (zh) * | 2014-04-18 | 2017-01-18 | 电子科技大学 | 非制冷红外焦平面阵列读出电路 |
| CN104568169A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-04-29 | 江苏物联网研究发展中心 | 带有失调消除功能的红外焦平面读出电路 |
| CN104568169B (zh) * | 2015-01-28 | 2017-12-26 | 江苏物联网研究发展中心 | 带有失调消除功能的红外焦平面读出电路 |
| CN105352606A (zh) * | 2015-08-20 | 2016-02-24 | 电子科技大学 | 一种非制冷红外焦平面阵列探测器的读出电路 |
| CN106612576A (zh) * | 2016-12-22 | 2017-05-03 | 深圳Tcl数字技术有限公司 | 电流平衡电路、电流平衡装置及显示设备 |
| CN106612576B (zh) * | 2016-12-22 | 2019-03-08 | 深圳Tcl数字技术有限公司 | 电流平衡电路、电流平衡装置及显示设备 |
| CN108365897A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-08-03 | 重庆思柏高科技有限公司 | 光电转换模块跨阻增益放大器参数校准电路及校准方法 |
| CN114894317A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-12 | 国科大杭州高等研究院 | 一种用于光电导型红外探测器阵列的读出电路系统 |
| CN114894317B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-05-28 | 国科大杭州高等研究院 | 一种用于光电导型红外探测器阵列的读出电路系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103234642B (zh) | 2015-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103234642B (zh) | 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路的积分前置电路 | |
| CN102494781B (zh) | 一种读出电路偏置结构 | |
| CN103875180B (zh) | 用于动态视觉传感器中的时间微分光感测系统的低失配影响和低耗损互阻抗增益电路 | |
| CN104251739B (zh) | 一种单电容相关双采样非制冷红外读出电路 | |
| CN101949737B (zh) | 一种红外焦平面阵列的行选通电路 | |
| CN104251741B (zh) | 一种自适应红外焦平面阵列读出电路 | |
| JP2009060424A (ja) | 光電変換回路及びこれを用いた固体撮像装置 | |
| JP5685927B2 (ja) | 赤外線検出回路、センサーデバイス及び電子機器 | |
| CN102735344B (zh) | 一种红外焦平面阵列探测器的读出电路 | |
| CN104251740A (zh) | 一种非制冷红外焦平面阵列的读出电路 | |
| CN104819779A (zh) | 一种具有偏置热补偿功能的微测辐射热计型红外读出电路 | |
| CN103913700B (zh) | 一种红外焦平面读出电路的检测电路 | |
| CN102346074B (zh) | 一种读出电路偏置结构 | |
| CN106330105A (zh) | 应用于血氧检测的高线性动态范围光电传感器 | |
| Zhou et al. | A high-precision and high-linearity readout integrated circuit for infrared focal plane array applications | |
| CN104253590A (zh) | 全差分运算放大器模块电路、模数转换器和读出电路 | |
| CN106254799A (zh) | 一种红外图像传感器读出电路 | |
| Adrian et al. | Intelligent power management device for street lighting control incorporating long range static and non-static hybrid infrared detection system | |
| CN204535859U (zh) | 一种具有偏置热补偿功能的微测辐射热计型红外读出电路 | |
| CN202979124U (zh) | 带有相关双采样功能的高增益光电探测器单元读出电路 | |
| CN105352606A (zh) | 一种非制冷红外焦平面阵列探测器的读出电路 | |
| CN207083064U (zh) | 一种非制冷红外焦平面的读出电路 | |
| CN109765778A (zh) | 一种时间-模拟转换电路及单光子飞行时间测量方法 | |
| CN103256987B (zh) | 一种红外焦平面阵列读出电路中数字输出信号的传输电路 | |
| CN107517354A (zh) | 一种红外焦平面读出电路及其反馈控制环路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150722 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |