CN103833732B - 发光化合物和使用该发光化合物的有机发光二极管器件 - Google Patents

发光化合物和使用该发光化合物的有机发光二极管器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种下式的发光化合物和使用该发光化合物的有机发光二极管器件：其中，“A”表示并且“B”表示

Description

发光化合物和使用该发光化合物的有机发光二极管器件
本申请要求于2012年11月22日在韩国提交的韩国专利申请10-2012-00132888号的权益，在此以援引的方式将其内容并入本文中。
技术领域
本发明涉及发光化合物和有机发光二极管(OLED)器件，更具体来说，涉及具有优异的功率效率和空穴注入及输送特性的发光化合物以及使用该发光化合物的OLED器件。
背景技术
近来，对于例如液晶显示器和等离子显示面板等平板显示器件的需求在增加。但是，与阴极射线管(CRT)相比，这些平板显示器件具有较慢的响应时间和较窄的视角。
有机发光二极管(OLED)器件是一种新一代的平板显示器件，其能够解决上述问题并占据较小空间。
相关技术的无机型OLED器件要求高于220V的驱动电压，并且该无机型OLED器件应当在真空条件下制造，因而其难以制成大尺寸。特别是很难提供高效率的蓝色图像。
为了克服这些问题，开发了使用有机材料的有机型OLED器件。该OLED器件为自发光型显示器件。该OLED器件通过以下方式来发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入发光化合物层，使电子与空穴复合，产生激子，并使激子从激发态跃迁至基态。该OLED器件的元件可以形成于例如塑料基板等柔性基板上。另外，该OLED器件在视角、驱动电压、功耗和色纯度方面具有优势。此外，该OLED器件足以产生全彩色图像。
发光原理可以分为荧光发光和磷光发光。在荧光发光中，处于单线态激发态的有机分子跃迁至基态，由此发出光。另一方面，在磷光发光中，处于三线态激发态的有机分子跃迁至基态，由此发出光。
OLED器件中的有机材料中的原子共享电子来形成共价键。在此过程中，原子轨道跃迁至分子轨道。在分子轨道中，以成对轨道的方式形成了成键分子轨道和反键分子轨道。在这种情况下，由成键分子轨道形成的能带被称为价带，而由反键分子轨道形成的能带被称为导带。具有最高能级的价带称为最高已占分子轨道(HOMO)，而具有最低能级的导带称为最低未占分子轨道(LUMO)。另外，HOMO和LUMO之差被称为带隙。
当发光材料层发出对应于带隙能的光时，自旋为0的单线态激子和自旋为1的三重态激子以1:3的比例产生。该有机材料的基态为单线态，因而单线态激子可以跃迁至基态并发出光。然而，由于三线态激子不能发生伴随发光的跃迁，所以使用荧光材料的OLED器件的内量子效率被限制在25%以内。
另一方面，若自旋轨道耦合动量较高，则单线态和三线态会发生混合，以使得在单线态和三线态之间产生系间跨越，从而使三线态激子也可以跃迁至基态并发光。磷光材料可以使用三线态激子和单线态激子，以使得使用磷光材料的OLED器件可以具有100%的内量子效率。
由此，开发工作已专注于比荧光材料效率高的磷光材料。近来，已采用了铱络合物，例如，作为红色磷光材料的双(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)铱(Ir(btp)2(acac))、作为绿色发光材料的二(2-苯基吡啶)乙酰丙酮铱(III)((ppy)2Ir(acac))、作为蓝色磷光材料的双[2-2',4'-二氟苯基吡啶-N,C2']邻吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)等。另外，还采用了例如4,4,N,N-二咔唑-联苯(CBP)和N,N-二咔唑基-3,5-苯(mCP)等蓝色磷光材料作为主体材料。
然而，蓝色发光材料因热稳定性差而在色纯度、发光效率和寿命方面存在问题。因此，这不足以使OLED产生高品质的蓝色图像，从而需要新的蓝色发光材料。
发明内容
由此，本发明涉及一种发光化合物和使用该发光化合物的OLED器件，它们基本解决了相关技术的局限和缺陷所导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种发光化合物，其具有优异的功率效率和空穴注入及输送特性。
本发明的另一个目的在于提供一种OLED，其具有高的亮度和提高的发光效率。
本发明的其他特征和优点将在下面的描述中进行阐述，部分特征和优点将从描述中变得明显易懂，或者可以通过实施本发明而得以了解。本发明的目的和其他优点将通过在说明书、权利要求书和附图中特别指出的结构来实现和达到。
为了实现这些优点和其他优点，并达到本发明的目的，如本文所具体描述和广泛描述的那样，本发明提供了一种下式的发光化合物：
其中，R1和R2各自独立地选自C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、C5～C60芳基、C5～C60杂芳基、C5～C40芳氧基、C1～C40烷氧基、C1～C40烷氧基羰基、具有取代基或无取代基的氨基、卤素、氰基、硝基、羟基和羧基，并且“m”和“n”各自为0(零)～4的整数；
其中，“A”表示并且R3和R4各自独立地选自C1～C20烷基、C2～C20烯基、C2～C20炔基、C1～C20烷氧基和苄基，其中，“x”和“y”各自为0(零)～4的整数；
其中，“B”表示并且R5选自卤素、C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、苄基和具有取代基或无取代基的蒽基，其中，“z”为0(零)～4的整数。
在本发明的另一个方面，本发明提供一种有机发光二极管器件，其包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的有机发光层，并且该有机发光层含有下式的发光化合物：
其中，R1和R2各自独立地选自C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、C5～C60芳基、C5～C60杂芳基、C5～C40芳氧基、C1～C40烷氧基、C1～C40烷氧基羰基、具有取代基或无取代基的氨基、卤素、氰基、硝基、羟基和羧基，并且“m”和“n”各自为0(零)～4的整数；
其中，“A”表示并且R3和R4各自独立地选自C1～C20烷基、C2～C20烯基、C2～C20炔基、C1～C20烷氧基和苄基，其中，“x”和“y”各自为0(零)～4的整数；
其中，“B”表示并且R5选自卤素、C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、苄基和具有取代基或无取代基的蒽基，其中，“z”为0(零)～4的整数。
应当理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，而且旨在提供对于要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
本发明包括附图以提供对本发明的进一步理解，并将附图引入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明的OLED器件的示意性截面图。
图2至图4为示出本发明的实施方式的发光化合物的NMR谱的图。
图5为本发明的发光二极管的I-V-L图。
图6为示出本发明的发光二极管的PL谱的图。
具体实施方式
现将对优选实施方式进行详细描述，优选实施方式的实例在附图中阐明。
本发明提供一种具有提高的发光效率和优异的空穴输送特性的发光化合物，并提供一种使用该发光化合物的OLED器件。
如上所述，相关技术中的蓝色发光化合物在发光特性和寿命方面较差。本发明提供了一种发光化合物，其具有提高的发光特性和效率。本发明的发光化合物可用于发射蓝光的发光材料层的主体。另外，由于该发光化合物具有优异的空穴注入及输送特性，因此该化合物可用作空穴注入层和/或空穴输送层。
本发明的发光化合物包含三个环状取代基，即2个咔唑和1个吡啶，以便使取代基之间的立体位阻效应最大化。因此，本发明的发光化合物在发光特性和空穴注入及输送特性方面具有优势。
本发明的发光化合物由下述式1表示。
[式1]
在上述式1中，R1和R2各自独立地选自C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、C5～C60芳基、C5～C60杂芳基、C5～C40芳氧基、C1～C40烷氧基、C1～C40烷氧基羰基、具有取代基或无取代基的氨基、卤素、氰基、硝基、羟基和羧基。R1与R2相同或者不同。在上述式1中，“m”和“n”分别表示苯环的取代基的数目，即R1和R2的数目，并且“m”和“n”各自为0(零)～4的整数。
在上述式1中，“A”是由表示的咔唑衍生物。R3和R4各自独立地选自C1～C20烷基、C2～C20烯基、C2～C20炔基、C1～C20烷氧基和苄基。在这种情况下，苄基可以取代有C1～C20烷基。另外，“x”和“y”分别表示咔唑的苯环上的取代基的数目，即R3和R4的数目，并且“x”和“y”各自为0(零)～4的整数。
在上述式1中，“B”是由表示的吡啶衍生物。R5选自卤素、C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、苄基和具有取代基或无取代基的蒽基。在这种情况下，苄基可以取代有C1～C60烷基。另外，“z”表示吡啶环的取代基的数目，即R5的数目，并且“z”为0(零)到4的整数。
例如，R1和R2各自独立地选自：例如C1～C10烷基、C2～C20烯基和C2～C20炔基等脂肪族基团，芳基，或杂芳基。在这种情况下，芳基和杂芳基各自可以具有5～10个成环原子。另外，“m”和“n”各自为整数0(零)或1。
R5选自C1～C10烷基和取代有C1～C10烷基的苄基。R5优选选自C1～C5烷基和取代有C1～C5烷基的苄基。另外，“z”为整数1。
本发明的发光化合物可以为下述式2。
[式2]
即，本发明的发光化合物包含2个苯环、1个吡啶环和2个咔唑环。2个咔唑环通过醚键(-O-)与2个苯环连接。由于咔唑环与苯环间接地连接，咔唑环和苯环之间的立体位阻效应得到了最大化。因此，使用该发光化合物的OLED器件降低了驱动电压并增加了寿命。
该发光化合物的发光特性可以通过氮原子的密度来控制。由于本发明的发光化合物包含1个吡啶环和2个咔唑环，其均具有氮原子，因此增加了该发光化合物中的氮原子密度，由此使该发光化合物能够发射优异的蓝光。
另外，由于咔唑环通过醚键连接苯环，因此本发明的发光化合物具有高的热稳定性和优异的空穴注入及输送特性。例如，本发明的发光化合物具有较高的玻璃化温度(例如超过175℃)和较宽的带隙能。由此，本发明的发光化合物可以用作发光材料层中的主体材料，来代替被广泛用作蓝色发光主体材料的CBP或mCP。该发光化合物可以与掺杂剂或另一种主体材料一起形成发光材料层。在这种情况下，本发明的使用该发光化合物的OLED器件的发光特性和寿命得到了改进。
此外，本发明的发光化合物包含具有优异的空穴注入及输送特性的咔唑环。咔唑环通过具有优异的电子亲和性的氧原子与苯环连接。因此，该发光化合物在电子迁移性和电子稳定性方面具有优势。另外，该发光化合物具有宽的带隙能，该发光化合物可以用作OLED器件的有机发光层中的另一层，用于将空穴和电子输送到发光材料层中。例如，除了发光材料层之外，本发明的发光化合物可以用于空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层。
另一方面，由于本发明的发光化合物包含例如烷基、烷氧基和卤素等取代基，因此该发光化合物具有化学相容性，并且能够溶解于一般的有机溶剂中。例如，由于苯环、咔唑环和吡啶环上具有烷基取代基，对有机溶剂的溶解性和化学相容性因此得到了提升。因此，本发明的发光化合物的层的与OLED器件的电极之间的界面特性得到了改进。
此外，由于咔唑环的取代基，更加容易形成聚合物型发光化合物，由此可以制造聚合物OLED器件。换言之，该发光化合物被表示为包括单分子型的咔唑和吡啶。然而，也可以将该发光化合物合成为使用咔唑的聚合物型。当该发光化合物用于聚合物OLED器件时，提高了发光效率。另外，由于用例如旋涂法、喷墨法、丝网印刷法和凹版印刷法等印刷方法涂布了该发光化合物，而不是使用针对低分子材料的真空热沉积法，因此简化了制造过程并降低了生产成本。另外，由于聚合物OLED器件借助于空穴输送层和发光材料层而具有足够的效率，因此聚合物OLED具有简单的结构和薄的外形。
参照图1(本发明的OLED器件的示意性截面图)，OLED器件100包含透明基板(未显示)、在透明基板上的第一电极120、在第一电极120上的第二电极122和位于第一电极120和第二电极122之间的有机发光层130。
第一电极120和第二电极122分别用作阳极和阴极。构成第一电极120(阳极)的材料的功函数高于构成第二电极122(阴极)的材料的功函数。第一电极120具有高效地注入空穴(带正电荷的载流子)的特性。另外，第一电极120可以是透明的，并且具有良好的导电性。第一电极120由金属、混合金属、金属合金、混合金属氧化物或导电性聚合物构成。第一电极120可以由金属、金属氧化物、导电性聚合物或陶瓷构成。例如，第一电极120可以由钒、铜、金、它们的合金、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氟掺杂的锡氧化物(FTO)、ZnO-Ga2O3、ZnO-Al2O3、SnO2-Sb2O3、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、炭黑和石墨烯中的一种构成。第一电极120可以优选由ITO构成。
另一方面，在有机发光层130上的第二电极122具有高效地注入电子(带负电荷的载流子)的特性。例如，第二电极122可以由金、铝(Al)、铜、银、它们的合金、铝-钙合金、镁-银合金、铝-锂合金、铝-锂氧化物合金、稀土金属、镧系金属和锕系金属中的一种构成。第二电极122可以优选由Al或铝-钙合金构成。在第二电极122上可以形成钝化层(未显示)。
第一电极120和第二电极122各自可以用真空沉积法来形成。例如，第一电极120可以用真空沉积法来形成以达到约5μm～400μm。
为了提高发光效率，有机发光层130可以具有多层结构。例如，有机发光层130可以包括：空穴注入层(HIL)132、空穴输送层(HTL)134、发光材料层(EML)135、电子输送层(ETL)136和电子注入层(EIL)138。在这种情况下，本发明的化合物可以用于EML135(作为主体材料)、HIL132、HTL134、ETL136和EIL138中的至少一层。
例如，EML135可以用真空沉积法或溶液型涂布法由本发明的发光化合物形成。例如，溶液型涂布法可以为旋涂法、浸涂法或喷墨印刷法。
介于第一电极120和HTL134之间的HIL132改善了由ITO构成的第一电极120和由有机材料构成的HTL134之间的界面特性。另外，HIL132使不均匀的ITO层的表面变得平坦。本发明的发光化合物可以用作HIL132。作为另一选择，HIL132也可以由一种芳香族胺构成，例如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二萘基-N,N'-苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(NPD)、4,4',4''-三[甲基苯基(苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4''-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(1-TNATA)、4,4',4''-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(2-TNATA)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯(p-DPA-TDAB)、4,4'-双[N-[4-{N,N-双(3-甲基苯基)氨基}苯基]-N-苯基氨基]联苯(DNTPD)、六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)和聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT)。HIL132的厚度可以为约
为了将空穴从第一电极120通过HIL132稳妥地供应至EML135，构成HTL134的材料的最高已占分子轨道(HOMO)值高于EML135的HOMO值。本发明的发光化合物可以用作HTL134。作为另一选择，HTL134也可以由低分子空穴输送材料（例如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-二苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-联苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPB)、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯基-4,4'-二胺(NPB)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4-二胺(TTB)和N,N'-双(4-甲基苯基)-N,N'-双(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)联苯基]-4,4'-二胺(ETPD)）和高分子空穴输送材料(例如聚乙烯基咔唑、聚苯胺、(聚甲基)聚硅烷)中的一种构成。例如，HTL134可以由NPB构成，并且具有约10nm～100nm的厚度。
HTL上的EML135包含本发明的发光化合物。例如，本发明的发光化合物可以用作EML135中的主体材料。在这种情况下，掺杂剂(例如FIrpic)可以按照EML135的大约10重量%～30重量%的量掺杂。EML135的厚度为约5nm～200nm，优选为50nm～100nm。
另一方面，当本发明的发光化合物用于例如HTL134等其它层时，EML135含有另一种发光性材料作为主体材料。例如，可以使用CBP或mCP作为主体材料。
EIL138和ETL136形成于EML135和第二电极122之间。本发明的发光化合物可以用作EIL138。作为另一选择，EIL138也可以由LiF、BaF2和CsF中的一种构成。
另外，ETL136由具有较高的电子迁移性的材料构成。本发明的发光化合物用于EIL136。作为另一选择，ETL136也可以由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)和苯基喹噁啉中的一种构成。ETL136的厚度可以为约5nm～150nm。
尽管图中没有示出，但是可以在EML135和ETL136之间形成由具有较低HOMO能级的材料构成的空穴阻挡层(HBL)，用来防止因空穴流向第二电极122而导致的寿命和发光效率的降低。例如，HBL可以由2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)构成，并且厚度为约5nm～150nm。
下文将说明本发明的发光化合物的合成。然而，本发明的发光化合物的合成不限于此。
1.(化合物7)的合成
1)化合物1
[反应式1]
将4-溴苯酚(1当量)溶解于THF(20L)中。在-78℃下，加入正丁基锂(1.5当量)并搅拌。在低温条件下，逐渐加入9-甲氧基-9H-咔唑(1.5当量)并回流12小时。在逐渐提高温度的同时进一步搅拌溶液，并且使用二氯甲烷溶剂(20ml)进行萃取。利用层析法得到化合物1。
2)化合物3
[反应式2]
将邻吡啶甲酸(R=H，化合物2，25g)溶解于苯(200ml)中。在0℃下加入SOCl2(10ml)，并使溶液回流12小时。使用二氯甲烷对所得到的溶液进行萃取，从而得到邻吡啶甲酰氯(化合物3)。(6.7g，收率：60%)
3)化合物4
[反应式3]
在Ar气气氛下将化合物3溶解于二氯甲烷(20ml)中，并且在0℃下注入苯乙酮(18ml)。然后，在室温下对溶液进行3小时的搅拌。使用水和二氯甲烷对所得到的溶液进行萃取，并使用Na2SO4除去水(或水分)。使用二氯甲烷/己烷溶剂得到了化合物4。(收率：50%)
4)化合物5a
[反应式4]
在160℃的温度下对化合物4(10g)和AlCl3(21g)进行4小时的搅拌。使用3N的HCl和二氯甲烷(200ml)对所得物进行萃取，并且使用Na2SO4除去水分。使用己烷和乙酸乙酯(7:3)通过层析法得到异构体化合物5a和5b。
5)化合物6
[反应式5]
将化合物5a溶解于甲醇(30ml)中。在0℃下添加NaBH4(2.5g)，并且在室温下搅拌3小时。使用乙酸(50ml)中和该溶液，并且除去MeOH。使用H2O(30ml)和二氯甲烷(150ml)得到化合物6。
6)化合物7
[反应式6]
以1:2的比例混合化合物6((4-羟基苯基)(吡啶-2-基)甲酮)和化合物1。在0℃下逐渐注入H3PO4溶液(80%，20ml)。注入溶剂并搅拌2小时，同时提高温度至室温。在200℃下加热该溶液2小时，并且冷却至15℃。使用NaOH溶液(30%，20ml)中和该溶液，并且使用乙酸乙酯进行重结晶来得到化合物7。化合物7的NMR谱示于图2中。
2.(化合物8)的合成
在R＝乙基的条件下，通过上述合成方法得到化合物8。化合物8的NMR谱示于图3中。
3.(化合物9)的合成
在R＝苯乙基的条件下，通过上述合成方法得到化合物9。化合物9的NMR谱示于图4中。
实施例1：含有化合物7的发光二极管
制备ITO片(2cm×2cm，薄层电阻=30Ω，厚度=1.08mm，透光率=80%)，并且使用蚀刻剂除去该ITO片的一部分。在超声波清洗器中依次使用甲醇、丙酮和异丙醇(IPA)各清洗液对ITO片进行15分钟的清洗，随后使用去离子水进行进一步清洗。然后，在230℃下进行30分钟的退火处理，以使ITO片干燥。将化合物1溶于四氯乙烷溶剂中，然后将所得到的溶液涂布在ITO片上。在真空沉积装置中用热沉积法在化合物7的层上形成铝(Al)电极，由此制得发光二极管(ITO/化合物7/Al)。通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物7的发光二极管的特性。
实施例2：含有化合物8的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物8的发光二极管的特性，所述发光二极管是用以化合物8代替化合物7后的实施例1中的方法制成的。
实施例3：含有化合物9的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物9的发光二极管的特性，所述发光二极管是用以化合物9代替化合物7后的实施例1中的方法制成的。
比较例1：含有CBP的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用CBP的发光二极管的特性，所述发光二极管是用以CBP代替化合物7后的实施例1中的方法制成的。
实施例1～3和比较例1的所测试的特性列于表1中，并且实施例1～3和比较例1的发光二极管中的I-V-L图示于图5中。
表1
实施例4：含有化合物7和FIrpic的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物7的发光二极管的特性，所述发光二极管是通过实施例1中的方法并使用FIrpic(化合物7:FIrpic=90:10)而制成的。(ITO/(化合物7:FIrpic)/Al)
实施例5：含有化合物8和FIrpic的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物8的发光二极管的特性，所述发光二极管是通过实施例1中的方法并使用FIrpic(化合物8:FIrpic=90:10)而制成的。(ITO/(化合物8:FIrpic)/Al)
实施例6：含有化合物9和FIrpic的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用化合物9的发光二极管的特性，所述发光二极管是通过实施例1中的方法并使用FIrpic(化合物9:FIrpic=90:10)而制成的。(ITO/(化合物9:FIrpic)/Al)
比较例2：含有CBP和FIrpic的发光二极管
通过对ITO片和Al电极施加电压，测试了使用CBP的发光二极管的特性，所述发光二极管是通过实施例1中的方法并使用FIrpic(CBP:FIrpic=90:10)而制成的。(ITO/(CBP:FIrpic)/Al)
实施例4～6和比较例2的所测试的特性列于表2中。
表2
参照表1、表2和图5，相比于使用CBP的发光二极管，使用本发明的发光化合物的发光二极管在发光效率和驱动电压方面具有优势。因此，使用本发明的发光化合物的OLED器件(或发光二极管)可以提供高品质的图像，并且没有热劣化，而且寿命提高。
实施例4～6和比较例2的发光二极管中的PL(光致发光)谱示于图6中。如图6所示，本发明的发光化合物在蓝色波长区域具有一个主峰，并且相比于相关技术的化合物CBP，在亮度方面具有优势。
对本领域技术人员显而易见的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的前提下对本发明作出各种修改和变化。因此，本发明意在涵盖对本发明的修改和变化，只要这些修改和变化是在所附的权利要求及其等价物的范围内即可。

Claims (7)

1.一种下式的发光化合物，
其中，R1和R2各自独立地选自C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、C5～C60芳基、C5～C60杂芳基、C5～C40芳氧基、C1～C40烷氧基、C1～C40烷氧基羰基、氨基、卤素、氰基、硝基、羟基和羧基，并且“m”和“n”各自为0(零)～4的整数；
其中，“A”表示并且R3和R4各自独立地选自C1～C20烷基、C2～C20烯基、C2～C20炔基、C1～C20烷氧基和苄基，其中，“x”和“y”各自为0(零)～4的整数；
其中，“B”表示并且R5选自卤素、C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、苄基和蒽基，或R5为取代有C1～C10烷基的苄基，其中，“z”为0(零)～4的整数。
2.如权利要求1所述的化合物，其中，R5为C1～C10烷基，并且“z”为1。
3.如权利要求1所述的化合物，其中，所述化合物为以下化合物中的一种：
4.一种有机发光二极管器件，所述器件包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，且所述有机发光层包含下式的化合物：
其中，R1和R2各自独立地选自C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、C5～C60芳基、C5～C60杂芳基、C5～C40芳氧基、C1～C40烷氧基、C1～C40烷氧基羰基、氨基、卤素、氰基、硝基、羟基和羧基，并且“m”和“n”各自为0(零)～4的整数；
其中，“A”表示并且R3和R4各自独立地选自C1～C20烷基、C2～C20烯基、C2～C20炔基、C1～C20烷氧基和苄基，其中，“x”和“y”各自为0(零)～4的整数；
其中，“B”表示并且R5选自卤素、C1～C60烷基、C2～C60烯基、C2～C60炔基、苄基和蒽基，或R5为取代有C1～C10烷基的苄基，其中，“z”为0(零)～4的整数。
5.如权利要求4所述的器件，其中，R5为C1～C10烷基，并且“z”为1。
6.如权利要求4所述的器件，其中，所述化合物为以下化合物中的一种：
7.如权利要求4所述的器件，其中，所述有机发光层包含空穴注入层、空穴输送层、发光材料层、电子输送层和电子注入层，并且所述化合物用作所述空穴注入层、所述空穴输送层、所述发光材料层、所述电子输送层和所述电子注入层中至少一层的材料。
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