CN103824916A - 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 - Google Patents
一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103824916A CN103824916A CN201410091144.2A CN201410091144A CN103824916A CN 103824916 A CN103824916 A CN 103824916A CN 201410091144 A CN201410091144 A CN 201410091144A CN 103824916 A CN103824916 A CN 103824916A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- growth
- layer
- temperature
- finishes
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title abstract 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明提供一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其生长方法包括以下步骤：衬底在高温的氢气环境下处理完成后，AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，生长一层掺杂In的GaN层，InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火；本发明通过在蓝宝石衬底上生复合成核层以及插入适当的高温退火步骤，可以减少氮化镓与蓝宝石衬底之间形成的高密度的位错，进而降低了穿透位错对量子阱有源区的破坏，从而提高了氮化镓基LED的内量子效率和发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及Ⅲ族氮化物材料制备技术领域，具体为一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法。
背景技术
LED是英文Light Emitting Diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好，可以直接将电转换为光。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。
GaN是极稳定的化合物和坚硬的高熔点材料，也是直接跃迁的宽带隙半导体材料，不仅具有良好的物理和化学性质，而且具有电子饱和速率高、热导率好、禁带宽度大、介电常数小和强的抗辐照能力等特点，可用来制备稳定性好、寿命长、耐腐蚀和耐高温的大功率器件，目前广泛应用于光电子、蓝绿光LED、高温大功率器件和高频微波器件等光电器件。
GaN外延层和蓝宝石衬底之间存在大的晶格失配，在量子阱下面GaN层和蓝宝石衬底之间形成高密度的穿透位错(螺旋、刃型和混合位错)，穿透位错能够沿着c轴生长方向到达量子阱有源区，并在有源区即穿透位错末端形成V型缺陷，破坏InGaN/GaN量子阱界面，进而影响量子阱发光特性。因此，为了减少穿透位错到达量子阱有源区的数量，降低有源区V型缺陷密度,有必要提供一种新的成核层结构，来克服上述缺点，提高晶体质量。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法，以解决上述背景技术中的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其复合成核层外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底、低温复合成核层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其生长方法具体包括以下步骤：
（1）将衬底在1100-1200℃氢气气氛里进行高温清洁处理5-20min，然后进行氮化处理；
（2）衬底在高温的氢气环境下处理完成后，降温生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层，所述的复合成核层生长分为六步：[1]将温度下降到500-650℃，生长厚度为3-8nm，Al组分逐渐升高的AlGaN层，Al组分增加至30%，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-2500；[2]Al组分逐渐升高的AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，厚度为3-8nm；[3]非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，退火温度为800-1000℃，退火时间为3-6min；[4]PN2环境下退火结束后，生长一层掺杂In的GaN层，生长温度为600-800℃，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-3000；[5]InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长温度降至500-650℃，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分由30%逐渐降至0，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-2500；[6]Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火，退火温度为900-1100℃，退火时间为3-8min；
（3）低温复合成核层最后一步退火结束后，将温度调节至1000-1200℃，生长一层外延生长厚度为1-2μm的GaN非掺杂层，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300-3500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长一层Si掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度为2-4μm，生长温度为950-1150℃，生长压力为300-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300-2500；
（5）N型GaN层生长结束后，生长浅阱层，浅阱包括5-20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<0.1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为750-850℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，厚度为1-3nm；所述GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，厚度为10-30nm；
（6）浅阱层生长结束后，生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括6-15个阱垒依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InyGa1-yN(0.2<x<0.5)势阱层和n型掺杂GaN势垒层依次生长而成。所述InyGa1-yN势阱层的生长温度为700-800℃，生长压力为100-500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为2000-20000，厚度为2-5nm；所述GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2000-20000，厚度为5-15nm；
（7）所述多量子阱有源层生长结束后，生长厚度为50-150nm的低温P型GaN层，生长温度在650-800℃之间，生长时间为3-20min，压力在100-500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为500-3500；
（8）所述低温P型GaN层生长结束后，生长厚度为50-150nm的P型AlGaN层，生长温度为900-1000℃之间，生长时间为2-10min，生长压力为50-300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，P型AlGaN层中Al的摩尔组分含量为5%-20%；
（9）所述P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50-300nm的高温P型GaN层，生长温度为900-1000℃，生长时间为10-25min，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-3500；
（10）所述高温P型GaN层生长结束后，生长厚度在5-10nm之间的P型接触层，生长温度为650-850℃之间，生长时间为0.5-5min，压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000-20000；
（11）外延生长结束后，将反应室的温度降至600-900℃之间，在PN2气氛进行退火处理10-30min，而后逐渐降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
所述外延结构的生长过程中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源。
所述外延结构的生长过程中以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂。
所述外延结构的生长过程中以氮气（N2）或氢气（H2）作为载气。
与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明通过在蓝宝石衬底上生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层以及插入适当的高温退火步骤，一方面，可以减少氮化镓与蓝宝石衬底之间形成的高密度的位错，进而降低了穿透位错对量子阱有源区的破坏，从而提高了氮化镓基LED的内量子效率和发光效率；另一方面，此种复合成核层晶体与蓝宝石衬底匹配度相对较高，晶体质量较好，提高了氮化镓基LED的抗静电能力。
附图说明
图1为本发明的低温复合成核层生长示意图。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其复合成核层外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底、低温复合成核层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其生长方法具体包括以下步骤：
（1）将衬底在1100℃氢气气氛里进行高温清洁处理5min，然后进行氮化处理；
（2）衬底在高温的氢气环境下处理完成后，降温生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层，所述的复合成核层生长分为六步：[1]将温度下降到500℃，生长厚度为3nm，Al组分逐渐升高的AlGaN层，Al组分增加至30%，生长压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200；[2]Al组分逐渐升高的AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，厚度为3nm；[3]非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，退火温度为800℃，退火时间为3min；[4]PN2环境下退火结束后，生长一层掺杂In的GaN层，生长温度为600℃，生长压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200；[5]InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长温度降至500℃，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分由30%逐渐降至0，生长压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200；[6]Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火，退火温度为900℃，退火时间为3min；
（3）低温复合成核层最后一步退火结束后，将温度调节至1000℃，生长一层外延生长厚度为1μm的GaN非掺杂层，生长压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长一层Si掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度为2μm，生长温度为950℃，生长压力为300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300；
（5）N型GaN层生长结束后，生长浅阱层，浅阱包括5个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<0.1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成。所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为750℃，生长压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500，厚度为1nm；所述GaN势垒层的生长温度为850℃，生长压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，厚度为10nm；
（6）浅阱层生长结束后，生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括6个阱垒依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InyGa1-yN(0.2<x<0.5)势阱层和n型掺杂GaN势垒层依次生长而成。所述InyGa1-yN势阱层的生长温度为700℃，生长压力为100Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为2000，厚度为2nm；所述GaN势垒层的生长温度为850℃，生长压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2000，厚度为5nm；
（7）所述多量子阱有源层生长结束后，生长厚度为50nm的低温P型GaN层，生长温度在650℃之间，生长时间为3min，压力在100Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（8）所述低温P型GaN层生长结束后，生长厚度为50nm的P型AlGaN层，生长温度为900℃之间，生长时间为2min，生长压力为50Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500，P型AlGaN层中Al的摩尔组分含量为5%；
（9）所述P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50nm的高温P型GaN层，生长温度为900℃，生长时间为10min，生长压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（10）所述高温P型GaN层生长结束后，生长厚度在5nm之间的P型接触层，生长温度为650℃之间，生长时间为0.5min，压力为100Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000；
（11）外延生长结束后，将反应室的温度降至600℃之间，在PN2气氛进行退火处理10min，而后逐渐降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
本实施例以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源；以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂；以氮气（N2）作为载气。
实施例2
一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其复合成核层外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底、低温复合成核层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其生长方法具体包括以下步骤：
（1）将衬底在1200℃氢气气氛里进行高温清洁处理20min，然后进行氮化处理；
（2）衬底在高温的氢气环境下处理完成后，降温生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层，所述的复合成核层生长分为六步：[1]将温度下降到650℃，生长厚度为8nm，Al组分逐渐升高的AlGaN层，Al组分增加至30%，生长压力为600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2500；[2]Al组分逐渐升高的AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，厚度为8nm；[3]非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，退火温度为1000℃，退火时间为6min；[4]PN2环境下退火结束后，生长一层掺杂In的GaN层，生长温度为800℃，生长压力为600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为3000；[5]InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长温度降至650℃，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分由30%逐渐降至0，生长压力为600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2500；[6]Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火，退火温度为1100℃，退火时间为8min；
（3）低温复合成核层最后一步退火结束后，将温度调节至1000-1200℃，生长一层外延生长厚度为1-2μm的GaN非掺杂层，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300-3500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长一层Si掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度为4μm，生长温度为1150℃，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2500；
（5）N型GaN层生长结束后，生长浅阱层，浅阱包括20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<0.1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为850℃，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000，厚度为3nm；所述GaN势垒层的生长温度为950℃，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000，厚度为30nm；
（6）浅阱层生长结束后，生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括15个阱垒依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InyGa1-yN(0.2<x<0.5)势阱层和n型掺杂GaN势垒层依次生长而成。所述InyGa1-yN势阱层的生长温度为800℃之间，生长压力为500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为20000，厚度为5nm；所述GaN势垒层的生长温度为950℃，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为20000，厚度为15nm；
（7）所述多量子阱有源层生长结束后，生长厚度为150nm的低温P型GaN层，生长温度在800℃之间，生长时间为20min，压力在500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为3500；
（8）所述低温P型GaN层生长结束后，生长厚度为150nm的P型AlGaN层，生长温度为1000℃之间，生长时间为10min，生长压力为300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000，P型AlGaN层中Al的摩尔组分含量为20%；
（9）所述P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为300nm的高温P型GaN层，生长温度为1000℃，生长时间为25min，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为3500；
（10）所述高温P型GaN层生长结束后，生长厚度在10nm之间的P型接触层，生长温度为850℃之间，生长时间为5min，压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为20000；
（11）外延生长结束后，将反应室的温度降至900℃之间，在PN2气氛进行退火处理30min，而后逐渐降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
本实施例以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源；以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂；以氮气（N2）作为载气。
实施例3
一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其复合成核层外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底、低温复合成核层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其生长方法具体包括以下步骤：
（1）将衬底在1150℃氢气气氛里进行高温清洁处理15min，然后进行氮化处理；
（2）衬底在高温的氢气环境下处理完成后，降温生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层，所述的复合成核层生长分为六步：[1]将温度下降到550℃，生长厚度为5nm，Al组分逐渐升高的AlGaN层，Al组分增加至30%，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500；[2]Al组分逐渐升高的AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，厚度为5nm；[3]非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，退火温度为900℃，退火时间为5min；[4]PN2环境下退火结束后，生长一层掺杂In的GaN层，生长温度为700℃，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为800；[5]InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长温度降至550℃，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分由30%逐渐降至0，生长压力为500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500；[6]Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火，退火温度为950℃，退火时间为5min；
（3）低温复合成核层最后一步退火结束后，将温度调节至1050℃，生长一层外延生长厚度为1.5μm的GaN非掺杂层，生长压力为200Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长一层Si掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度为3μm，生长温度为1000℃，生长压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为400；
（5）N型GaN层生长结束后，生长浅阱层，浅阱包括15个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<0.1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为750-850℃，生长压力为,300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为6000，厚度为2nm；所述GaN势垒层的生长温度为900℃，生长压力为300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2000，厚度为20nm；
（6）浅阱层生长结束后，生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括6-15个阱垒依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InyGa1-yN(0.2<x<0.5)势阱层和n型掺杂GaN势垒层依次生长而成。所述InyGa1-yN势阱层的生长温度为750℃之间，生长压力为150Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为2050，厚度为3nm；所述GaN势垒层的生长温度为900℃，生长压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000，厚度为10nm；
（7）所述多量子阱有源层生长结束后，生长厚度为90nm的低温P型GaN层，生长温度在700℃之间，生长时间为16min，压力在400Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为800；
（8）所述低温P型GaN层生长结束后，生长厚度为90nm的P型AlGaN层，生长温度为950℃之间，生长时间为8min，生长压力为80Torr，Ⅴ/Ⅲ比为800，P型AlGaN层中Al的摩尔组分含量为15%；
（9）所述P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为200nm的高温P型GaN层，生长温度为950℃，生长时间为15min，生长压力为300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为1500；
（10）所述高温P型GaN层生长结束后，生长厚度在6nm之间的P型接触层，生长温度为750℃之间，生长时间为3min，压力为400Torr，Ⅴ/Ⅲ比为15000；
（11）外延生长结束后，将反应室的温度降至700℃之间，在PN2气氛进行退火处理20min，而后逐渐降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
本实施例以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源；以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂；以氮气（N2）作为载气。
本发明通过在蓝宝石衬底上生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层以及插入适当的高温退火步骤，一方面，可以减少氮化镓与蓝宝石衬底之间形成的高密度的位错，进而降低了穿透位错对量子阱有源区的破坏，从而提高了氮化镓基LED的内量子效率和发光效率；另一方面，此种复合成核层晶体与蓝宝石衬底匹配度相对较高，晶体质量较好，提高了氮化镓基LED的抗静电能力。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法,其复合成核层外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底、低温复合成核层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于：其生长方法具体包括以下步骤：
（1）将衬底在1100-1200℃氢气气氛里进行高温清洁处理5-20min，然后进行氮化处理；
（2）衬底在高温的氢气环境下处理完成后，降温生长AlGaN/GaN/InGaN/AlGaN复合成核层，所述的复合成核层生长分为六步：[1]将温度下降到500-650℃，生长厚度为3-8nm，Al组分逐渐升高的AlGaN层，Al组分增加至30%，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-2500；[2]Al组分逐渐升高的AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），在其他生长条件不变的情况下生长一层非掺杂GaN层，厚度为3-8nm；[3]非掺杂GaN层生长结束后，停止通入TMGa，PN2环境下退火，退火温度为800-1000℃，退火时间为3-6min；[4]PN2环境下退火结束后，生长一层掺杂In的GaN层，生长温度为600-800℃，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-3000；[5]InGaN层结束后，停止通入TMIn，生长温度降至500-650℃，生长一层Al组分逐渐降低的AlGaN层，Al组分由30%逐渐降至0，生长压力为400-600Torr，Ⅴ/Ⅲ比为200-2500；[6]Al组分逐渐降低的AlGaN层结束后，停止通入所有MO源，再在PN2环境下退火，退火温度为900-1100℃，退火时间为3-8min；
（3）低温复合成核层最后一步退火结束后，将温度调节至1000-1200℃，生长一层外延生长厚度为1-2μm的GaN非掺杂层，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300-3500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长一层Si掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度为2-4μm，生长温度为950-1150℃，生长压力为300-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为300-2500；
（5）N型GaN层生长结束后，生长浅阱层，浅阱包括5-20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<0.1)势阱层和GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为750-850℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，厚度为1-3nm；所述GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，厚度为10-30nm；
（6）浅阱层生长结束后，生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括6-15个阱垒依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InyGa1-yN(0.2<x<0.5)势阱层和n型掺杂GaN势垒层依次生长而成。所述InyGa1-yN势阱层的生长温度为700-800℃，生长压力为100-500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为2000-20000，厚度为2-5nm；所述GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为2000-20000，厚度为5-15nm；
（7）所述多量子阱有源层生长结束后，生长厚度为50-150nm的低温P型GaN层，生长温度在650-800℃之间，生长时间为3-20min，压力在100-500Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为500-3500；
（8）所述低温P型GaN层生长结束后，生长厚度为50-150nm的P型AlGaN层，生长温度为900-1000℃之间，生长时间为2-10min，生长压力为50-300Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-10000，P型AlGaN层中Al的摩尔组分含量为5%-20%；
（9）所述P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50-300nm的高温P型GaN层，生长温度为900-1000℃，生长时间为10-25min，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为500-3500；
（10）所述高温P型GaN层生长结束后，生长厚度在5-10nm之间的P型接触层，生长温度为650-850℃之间，生长时间为0.5-5min，压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ比为10000-20000；
（11）外延生长结束后，将反应室的温度降至600-900℃之间，在PN2气氛进行退火处理10-30min，而后逐渐降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
2.根据权利要求1所述的一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法，其特征在于：所述外延结构的生长过程中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源。
3.根据权利要求1所述的一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法，其特征在于：所述外延结构的生长过程中以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法，其特征在于：所述外延结构的生长过程中以氮气（N2）或氢气（H2）作为载气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410091144.2A CN103824916B (zh) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410091144.2A CN103824916B (zh) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103824916A true CN103824916A (zh) | 2014-05-28 |
| CN103824916B CN103824916B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=50759873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410091144.2A Active CN103824916B (zh) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103824916B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104485399A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-01 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 |
| CN106848025A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的生长方法 |
| CN106848017A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 |
| CN108428621A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-21 | 太原理工大学 | 一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法 |
| CN114122201A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-03-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 微型发光二极管外延片的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100258814A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabrication thereof |
| CN103066174A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-24 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法 |
| CN103165777A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-06-19 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 |
| CN103236477A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-08-07 | 安徽三安光电有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法 |
-
2014
- 2014-03-12 CN CN201410091144.2A patent/CN103824916B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100258814A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabrication thereof |
| CN103066174A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-24 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法 |
| CN103165777A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-06-19 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法 |
| CN103236477A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-08-07 | 安徽三安光电有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104485399A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-01 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 |
| CN104485399B (zh) * | 2014-12-01 | 2017-02-22 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 |
| CN106848025A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的生长方法 |
| CN106848025B (zh) * | 2016-12-13 | 2019-04-12 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的生长方法 |
| CN106848017A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 |
| CN106848017B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-08-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 |
| CN108428621A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-21 | 太原理工大学 | 一种在非晶态SiO2衬底上生长GaN薄膜的方法 |
| CN108428621B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-05-05 | 太原理工大学 | 一种在非晶态SiO2 衬底上生长GaN薄膜的方法 |
| CN114122201A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-03-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 微型发光二极管外延片的制造方法 |
| CN114122201B (zh) * | 2021-10-15 | 2023-06-09 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 微型发光二极管外延片的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103824916B (zh) | 2016-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106410005B (zh) | 一种氮化镓基led外延片及其生长方法 | |
| CN108091740B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN110718612B (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN106098882B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN106229390B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN103811605B (zh) | 一种改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法 | |
| CN102820395A (zh) | 一种采用势垒高度渐变量子垒的led结构及其制备方法 | |
| CN103730552A (zh) | 一种提高led发光效率的外延生长方法 | |
| CN106876529B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 | |
| CN108461592A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103346217A (zh) | 一种提高led发光二极管亮度的量子垒设计方法 | |
| CN109346576A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109802020A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN103824916A (zh) | 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 | |
| CN103904177A (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN115986018B (zh) | 一种外延片、外延片制备方法及发光二极管 | |
| CN109065679A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108447952B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN108831974A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103824910A (zh) | 一种提高ⅲ－ⅴ族化合物半导体led芯片抗静电能力的外延生长方法 | |
| CN109473514A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103441197B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN109346568B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109065682B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN104465914A (zh) | 具有势垒高度渐变超晶格层的led结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210308 Address after: Room 110-7, building 3, 290 Xingci 1st Road, Hangzhou Bay New District, Ningbo City, Zhejiang Province, 315336 Patentee after: Ningbo anxinmei Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 230012 Hefei City, Anhui, New Station Industrial Park Patentee before: HEFEI IRICO EPILIGHT TECHNOLOGY Co.,Ltd. |