CN103818868B

CN103818868B - 双压力mems芯片圆片级封装方法及其双压力mems芯片

Info

Publication number: CN103818868B
Application number: CN201410064374.XA
Authority: CN
Inventors: 华亚平
Original assignee: ANHUI NORTHERN XINDONG LIANKE MICROSYSTEMS TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: Anhui Xindong Lianke microsystem Co.,Ltd.
Priority date: 2014-02-22
Filing date: 2014-02-22
Publication date: 2015-10-28
Anticipated expiration: 2034-02-22
Also published as: CN103818868A

Abstract

本发明公开了双压力MEMS芯片圆片级封装方法及其双压力MEMS芯片，首先在盖板圆片衬底上蚀刻两个上腔体，生长盖板绝缘层，形成盖板圆片；将盖板圆片与MEMS圆片键合，蚀刻MEMS结构层，形成待键合MEMS圆片；在设定压力的键合室中将底板圆片与待键合MEMS圆片键合；蚀刻盖板圆片，露出通气口；在设定压力的密封室中将通气口密封，形成双压力密封腔；最后将压焊块上的MEMS结构层切割掉，露出压焊块，再将封装好的MEMS圆片切割成MEMS芯片。本方法利用键合室与密封室中压力不同，形成不同压力的密封腔，不需要增加图形化工序，也不需要放入吸气剂，就可满足不同MEMS结构对不同压力的要求，工艺简单，成本低，本方法制得的MEMS芯片可以满足不同压力的需要，厚度薄，市场竞争力强。

Description

双压力MEMS芯片圆片级封装方法及其双压力MEMS芯片

技术领域

本发明属于芯片封装领域，具体是一种双压力MEMS芯片圆片级封装方法，本发明还涉及由这种封装方法制得的双压力MEMS芯片。

背景技术

电子封装是将一个或多个电子元器件芯片相互电连接，然后封装在一个保护结构中，其目的是为电子芯片提供电连接、机械保护、化学腐蚀保护等。对于某些电子产品，芯片表面不能与封装材料接触，特别是对那些有可动结构的MEMS器件，需要用陶瓷管壳，金属管壳，预成型塑料管壳等进行气密性封装，但这些封装方法成本高，体积大，不适用于消费类电子产品中。随着MEMS器件在消费领域中使用越来越广泛，成本低、体积小的塑料封装方法，如LGA（栅格阵列封装）、QFN（方形扁平无引脚封装）、DFN（双边无铅封装）等被广泛采用。但这些封装方法中，塑封料是直接与芯片接触的。所以对那些表面有可动部件的MEMS芯片，表面必须先通过圆片级封装的方法为MEMS结构加个盖板，将可动部分保护起来，然后再进行一般的塑料封装。圆片级封装技术是对整个制作有电子器件的圆片进行封装测试后再切割成单个成品电子器件的加工技术。圆片级封装后的成品具有重量轻、体积小、厚度薄、价格低的优点，是电子元器件封装技术的发展趋势。另外，圆片级封装后的芯片后续加工方便，不需要超净环境，圆片切割时也不需要特殊保护，节约了加工成本。

在消费电子市场的的应用中，特别是便携式电子产品，如手机、平板电脑等，一个MEMS器件需要感应X、Y、Z三个轴向的信号，如三轴加速度计、三轴陀螺仪等。随着便携式电子产品，特别是可穿戴式电子产品，对运动传感器的要求越来越严，既要体积小、性能高，又要价格低，组合式运动传感器的市场份额越来越大，即将三轴加速度计和三轴陀螺仪芯片做在同一个MEMS芯片中。但由于他们的工作原理不一样，陀螺仪需要一定的真空度，也就是较低压力，一般在0.001大气压以下；加速度计需要非真空，也就是较高压力，一般在0.1大气压以上。在圆片加工过程中同时满足两者要求，即将MEMS陀螺仪结构通过圆片级封装方法密封在较低压力中，同时，将MEMS加速度计结构封装在较高压力中，做成双压力MEMS芯片。

现有的双压力MEMS芯片是由德国Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie的K. Reimer, Ch. Schröder, M. Weiß等人在《Dual pressure chip capping technology》一文中提出的，即在一个密封腔中制作有吸气剂，在另一个密封腔中没有吸气剂，当他们在圆片键合时密封腔中封入活性气体和惰性气体的混合物，然后加热后处理，有吸气剂的密封腔内的活性气体被吸收，只剩下惰性气体，内部压力较低，根据混合气体的比例不同，压力可接近真空；而没有吸气剂的密封腔内活性气体不会被吸收，气体压力不会变化，压力较高，这样达成双压力圆片级封装目的。此方法需要用到吸气剂，而且吸气剂还需要图形化，成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术中存在的不足，提供一种工艺简单、成本低的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，以满足组合式运动传感器芯片中MEMS陀螺仪和MEMS加速度计对不同压力的要求。

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种双压力MEMS芯片，该芯片不需要在密封腔内放入吸气剂，也不需要增加图形化工序，就可以满足组合式运动传感器芯片中MEMS陀螺仪和MEMS加速度计对不同压力的要求，而且本芯片厚度薄，制作成本低，市场竞争力强。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种双压力MEMS芯片的圆片级封装方法，包括以下步骤：

（1）盖板圆片形成：通过半导体加工工艺在盖板圆片衬底上表面蚀刻出第一上腔体和第二上腔体，并生长盖板绝缘层；

（2）待键合MEMS圆片形成：将步骤（1）形成的盖板圆片与MEMS圆片键合，在盖板圆片下表面加工盖板凹腔，磨削MEMS圆片至厚度在10 µm到100 µm之间，形成MEMS结构层，在MEMS结构层上通过半导体加工工艺分别蚀刻出第一密封区、第一MEMS结构、第二密封区、第二MEMS结构和第三密封区，在第三密封区上蚀刻出通气槽，形成待键合MEMS圆片；

（3）底板圆片形成：在底板圆片衬底上表面蚀刻出第一下腔体、第二下腔体和底板凹腔，生长底板绝缘层，在位于底板凹腔的底板绝缘层上形成压焊块，在除第一下腔体、第二下腔体和底板凹腔的底板绝缘层上形成焊料层，将压焊块与焊料层电连接；

（4）键合MEMS圆片形成：将底板圆片的焊料层分别对准待键合MEMS圆片的第一密封区、第二密封区和第三密封区，在设定压力的键合室中进行键合，形成键合MEMS圆片；

（5）通气口形成：无掩模异方性蚀刻键合MEMS圆片的盖板，形成盖板表面和盖板斜侧面，露出盖板绝缘层，然后清洗，再蚀刻除去盖板绝缘层，露出通气槽外端，形成通气口；

（6）双压力MEMS圆片形成：在设定压力的密封室中在键合MEMS圆片的盖板表面覆盖密封层，密封住通气口，切割压焊块上方的MEMS结构层，露出压焊块，形成双压力MEMS圆片，所述密封室内压力大于步骤（4）所述键合室内压力；

（7）双压力MEMS芯片形成：普通的圆片切割方法切割双压力MEMS圆片，形成圆片级封装好的双压力MEMS芯片。

本发明提供的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，首先在盖板圆片衬底上蚀刻出至少两个上腔体，然后氧化盖板圆片，形成盖板绝缘层；将盖板圆片与MEMS圆片进行Si-SiO₂键合，此时MEMS圆片较厚，在盖板圆片的下表面蚀刻出盖板凹腔后，对MEMS圆片研磨到所需厚度，形成MEMS结构层；然后蚀刻MEMS结构层，形成密封区、MEMS结构和通气槽；将制作有底板凹腔、底板绝缘层、压焊块、焊料层的底板圆片与待键合MEMS圆片上的MEMS结构层对准，在设定压力的键合室中完成键合，形成保护MEMS结构的密封腔，MEMS结构与压焊块的电连接；此时所有密封腔内的压力均与键合室内压力相同，因此需要通过无掩模异方性蚀刻盖板圆片，盖板凹腔的斜侧面随着盖板厚度的减少同步后退，露出部分MEMS结构层上的通气口，这样，带通气口的密封腔的气密性被破坏，同时，不带通气口的密封腔仍保持原来的压力；在设定压力的密封室中生长密封层将通气口密封，这样，带通气槽的密封腔内压力与密封室中压力相同，而另外的密封腔仍保持原来的压力，由于密封室压力大于键合室压力，所以两个密封腔内压力不同，带通气槽的密封腔的压力大于不带通气槽的密封腔的压力，双压力密封腔形成；由于在生长密封层时压焊块上方有MEMS结构层保护，所以密封层不会生长到压焊块上；最后控制切割刀高度，将压焊块上方的MEMS结构层用圆片切割技术切割掉，再通过普通圆片切割工艺将封装好的双压力MEMS圆片切割成MEMS芯片。

本发明提供的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，先是在较低压力的键合室中完成键合，使两密封腔中压力均较低，再通过加工通气槽破坏其中一个密封腔的气密性，最后在较高压力的密封室中密封该密封腔，使该密封腔内压力与密封室压力相同，高于另一密封腔内压力，从而使该密封腔内压力大于另一密封腔内压力，在不需要增加额外的图形化工序和不需要再密封腔中放入吸气剂的情况下，形成不同压力的密封腔，满足不同MEMS结构对不同压力的要求，避免了复杂的吸气剂及图形化工序，工艺简单，制造成本底，特别适用于消费类组合式MEMS运动传感器的制造。

本发明还可以根据需要不同，分别设定键合室和密封室的压力，从而使两个密封腔内压力满足不同需求。

为解决本发明的另一个技术问题，本发明提供一种双压力MEMS芯片，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板包括盖板表面和盖板斜侧面，盖板表面和盖板斜侧面上有密封层密封，盖板上至少有一个第一上腔体和一个第二上腔体，底板上至少有一个第一下腔体和一个第二下腔体，第一上腔体和第一下腔体形成第一密封腔，第二上腔体和第二下腔体形成第二密封腔， MEMS结构层至少分为第一密封区、第一MEMS结构、第二密封区、第二MEMS结构和第三密封区，第一密封腔与第二密封腔由第二密封区隔离，第一MEMS结构位于第一密封腔内，第二MEMS结构位于第二密封腔内，第三密封区内有通气槽，通气槽的内端位于第二密封腔内，可与第二密封腔通气，用于由外界向第二密封腔内充气，从而使第二密封腔内压力大于第一密封腔内压力，形成双压力密封腔；通气槽的外端位于MEMS结构层外露区，由密封层覆盖密封，盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层隔离，MEMS结构层与底板之间有底板绝缘层，底板绝缘层通过焊料层与MEMS结构层连接，焊料层密封住通气槽的外端，底板上至少有一个底板凹腔，底板凹腔的底板绝缘层上至少有一个压焊块，用于后续二次封装时打金属线引出MEMS信号到引线框上，压焊块与MEMS结构电连接。

本发明的双压力MEMS芯片具有两个独立的密封腔，第二密封腔由通气槽与外界连通，可以向第二密封腔内充气，改变第二密封腔内压力，不需要在密封腔内放入吸气剂，也不需要增加图形化工序，就使第二密封腔内压力大于第一密封腔内压力，将第一MEMS结构和第二MEMS结构分别密封于不同压力的第一密封腔和第二密封腔中，就可以满足组合式运动传感器芯片中MEMS陀螺仪和MEMS加速度计对不同压力的要求，而且本芯片厚度薄，制作成本低，市场竞争力强。

作为本发明的改进，所述压焊块与MEMS结构层通过导线电连接，所述导线位于底板绝缘层上。不仅可以缩小MEMS芯片的体积，导线还不易脱落，避免因导线脱落导致的质量问题。

附图说明

图1是本发明盖板圆片的示意图。

图2是键合MEMS圆片后的盖板圆片的示意图。

图3是待键合MEMS圆片的示意图。

图4是通气槽的放大俯视图。

图5是底板圆片的示意图。

图6 是键合MEMS圆片的示意图。

图7是盖板蚀刻后的键合MEMS圆片的示意图。

图8是双压力MEMS圆片的示意图。

图9是双压力MEMS芯片的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

实施例一

双压力MEMS芯片圆片级封装方法，包括以下步骤：

（1）盖板圆片101形成：通过半导体加工工艺在盖板圆片衬底1A的上表面蚀刻出倒梯形的第一上腔体3a和第二上腔体3b，再通过热氧化工艺在盖板圆片衬底1A上生长盖板绝缘层4，盖板圆片衬底1A材料为重掺杂的<100>晶向的单晶Si，盖板绝缘层的材料是SiO₂，盖板圆片衬底1A的所有表面都生长SiO₂盖板绝缘层4，如图1所示，盖板绝缘层4用于在圆片键合时和单晶Si生成Si-O-Si键。

（2）待键合MEMS圆片201形成：通过Si与SiO₂键合工艺将MEMS圆片5A键合到盖板圆片101的上表面，MEMS圆片5A与盖板圆片101形成第一盖板键合区、第二盖板键合区和第三盖板键合区。通过湿法蚀刻工艺在盖板下表面蚀刻出倒梯形的盖板凹腔1a，并除去下表面的盖板绝缘层4，露出盖板下表面，MEMS圆片5A与盖板圆片101之间的盖板绝缘层4由于有MEMS圆片5A的保护，不会被除去。此时的MEMS圆片5A厚度较厚，约在350 µm到750 µm间，如果太薄，在键合时MEMS圆片5A容易碎裂，磨削MEMS圆片5A达到MEMS结构设计厚度，一般在10 µm到100 µm之间，形成MEMS结构层5，如图2所示。在MEMS 结构层5上进行深Si蚀刻，将MEMS结构层5分割成第一密封区5a、第一MEMS结构5b、第二密封区5c、第二MEMS结构5d和第三密封区5e，在第三密封区5e上蚀刻出通气槽6，形成待键合MEMS圆片201，如图3所示。其中第一MEMS结构5b位于第一上腔体3a内，第二MEMS结构5d位于第二上腔体3b内；第一密封区5a与第一盖板键合区键合在一起，第二密封区5c与第二盖板键合区键合在一起，第三密封区5e与第三盖板键合区键合在一起；深Si蚀刻工艺条件下，SiO₂蚀刻速率非常小，所以当MEMS结构层5被蚀刻穿后，里面的盖板绝缘层4起到保护作用，盖板衬底1A不会被蚀刻。通气槽6位于第三密封区5e内，其图形是一条窄长槽，其深度与MEMS结构层5的厚度相同，如图4所示，通气槽外端6a朝向盖板凹腔1a方向，第三盖板键合区完全覆盖住通气槽外端6a；通气槽内端6b延伸到第二上腔体3b内，第三盖板键合区没有完全覆盖住通气槽内端6b，在后续的圆片加工中，通气槽内端6b用于由外界向第二密封腔32内充气。

（3）底板圆片301形成：在底板圆片衬底上表面蚀刻出第一下腔体3c、第二下腔体3d和底板凹腔3e，底板圆片衬底的所有表面都生长有底板绝缘层10，底板绝缘层10中制作有导线8，在位于底板凹腔3e的底板绝缘层10上制作压焊块9，压焊块9位于底板凹腔3e内，用于后续二次封装时打金属线引出MEMS信号到引线框上；在第一下腔体3c、第二下腔体3d和底板凹腔3e以外的底板绝缘层10上制作焊料层7，用于与待键合MEMS圆片201键合；将压焊块9与MEMS结构层5通过底板绝缘层10内的导线8电连接，将MEMS信号导出到压焊块9上，这样，就形成底板圆片301，如图5所示。

（4）键合MEMS圆片401形成：将底板圆片301的焊料层7分别对准待键合MEMS圆片201的第一密封区5a、第二密封区5c和第三密封区5e，在设定的较低压力的键合室中与待键合MEMS圆片201键合，形成键合MEMS圆片401，如图6所示，第一上腔体3a、第一密封区5a、焊料层7、第一下腔体3c和第二密封区5c共同围成了第一密封腔31；第二上腔体3b、第三密封区5e、焊料层7、第二下腔体3d和第二密封区5c共同围成了第二密封腔32；此时，第一密封腔31与第二密封腔32内的压力相同，均与键合室的压力相同；压焊块9位于由第三密封区5e、焊料层7、底板凹腔3e构成的空腔中；通气槽内端6b与第二密封腔32相通，通气槽外端6a下侧被焊料层7密封，通气槽外端6a上侧被盖板绝缘层4密封。

（5）通气口形成：不需任何掩模，将键合MEMS圆片401置于干法蚀刻设备中进行异方性干法蚀刻，蚀刻沿垂直于盖板圆片表面的方向发生，盖板圆片衬底1A被减薄，盖板圆片衬底1A表面被蚀刻后形成盖板表面1b，盖板凹腔斜侧面和盖板凹腔底面也同时被蚀刻，盖板凹腔底面被全部蚀刻掉，露出盖板绝缘层4，蚀刻时盖板凹腔斜侧面的水平方向的位置逐渐后退到通气槽外端6a垂直上方，形成盖板斜侧面1c；清洗蚀刻后的键合MEMS圆片401，然后将MEMS结构层外露区上的盖板绝缘层4用干法蚀刻方法除去，露出通气槽外端37，形成通气口6c，如图7所示，此时第二密封腔32的气密性被破坏，外界的空气可以通过通气口6c和通气槽6进入第二密封腔32内；但第一密封腔31内的压力没有变化。

（6）双压力MEMS圆片501形成：将经过步骤（5）处理的键合MEMS圆片401置于CVD（化学气相淀积）设备中，根据不同的压力要求，可选用常压CVD、亚压CVD、或低压CVD设备。在设定的较高压力的密封室中下淀积密封层2，密封层2覆盖在键合MEMS圆片401的盖板表面1b、盖板斜侧面1c、通气口6c和MEMS结构层5的外露区上，其中通气口6c上的密封层2将通气口6c密封住，形成通气口密封区，如图8所示，此时，第二密封腔32内的压力与密封室的压力相同，高于第一密封腔31内的压力。为增加通气口密封区的强度，密封层2是绝缘层和金属层的复合层，也就是在用CVD方法淀积一层绝缘层后，再用其他方法，如溅射、蒸发等方法再淀积一层金属层，形成复合密封层。此时第二密封腔32内的压力较第一密封腔31内的压力低，达到双压力密封的目的，以满足第一MEMS结构5b和第二MEMS结构5d对不同压力的要求；在淀积密封层2的过程中，压焊块9上方有MEMS结构层5隔挡，不会有密封层2淀积到压焊块9上；密封层2淀积后，位于压焊块9上方的MEMS结构层5外露区需除去，用圆片切割方法，控制划片刀的深度，切割掉MEMS结构层5外露区，形成切割面，露出压焊块9，形成双压力MEMS圆片501。

（7）双压力MEMS芯片601形成：通过普通的圆片切割方法，切割双压力MEMS圆片501，这样，双压力MEMS圆片501就切割成了双压力MEMS芯片601，如图9所示。所述双压力MEMS芯片601具有密封于两个不同压力中的两种不同MEMS结构5b、5d，以及可以将MEMS信号引出的压焊块9上，可以直接用于后续的二次封装了。

实施例二

实施例一制得的双压力MEMS芯片601，如图9所示，由盖板1、MEMS结构层5和底板11组成，盖板1包括盖板表面1b和盖板斜侧面1c，盖板表面1b和盖板斜侧面1c上有密封层2密封，盖板1下部有一个开口向下的第一上腔体3a和一个开口向下第二上腔体3b，底板11上部有一个开口向上的第一下腔体3c和一个开口向上的第二下腔体3d，第一上腔体3a和第一下腔体3c形成第一密封腔31，第二上腔体3b和第二下腔体3d形成第二密封腔32，MEMS结构层5分为第一密封区5a、第一MEMS结构5b、第二密封区5c、第二MEMS结构5d和第三密封区5e，第一密封腔31和第二密封腔32由第二密封区5c隔离，第一MEMS结构5b位于第一密封腔31内，第二MEMS结构5d位于第二密封腔32内，第三密封区5e内有通气槽6，通气槽6的内端位于第二密封腔32内，可与第二密封腔32通气，用于由外界向第二密封腔32内充气，改变第二密封腔32内压力，在不放入吸气剂的情况下，使第二密封腔32内压力大于第一密封腔31内压力，从而满足组合式运动传感器芯片中MEMS陀螺仪和MEMS加速度计对不同压力的要求。通气槽6的外端位于MEMS结构层5的外露区，由密封层2覆盖密封，盖板1与MEMS结构层5间有盖板绝缘层4隔离，MEMS结构层5与底板11之间有底板绝缘层10，底板绝缘层10通过焊料层7与MEMS结构层5连接，焊料层7密封住通气槽6的外端，维持第二密封腔32内压力恒定。底板11上有一个底板凹腔，底板凹腔的底板绝缘层10上有一个压焊块9，用于后续二次封装时打金属线引出MEMS信号到引线框上，压焊块9与MEMS结构层5通过底板绝缘层10上的导线8电连接，不仅可以缩小MEMS芯片的体积，还使导线8还不易脱落。

Claims

1.双压力MEMS芯片圆片级封装方法，步骤为：

（1）盖板圆片形成：在盖板圆片衬底上表面蚀刻出第一上腔体和第二上腔体，并生长盖板绝缘层；

（2）待键合MEMS圆片形成：将步骤（1）形成的盖板圆片与MEMS圆片键合，在盖板圆片下表面加工盖板凹腔，磨削MEMS圆片，形成MEMS结构层，在MEMS结构层上分别蚀刻出第一密封区、第一MEMS结构、第二密封区、第二MEMS结构和第三密封区，在第三密封区上蚀刻出通气槽，形成待键合MEMS圆片；

（5）通气口形成：蚀刻键合MEMS圆片的盖板，形成盖板表面和盖板斜侧面，露出盖板绝缘层，然后清洗，再蚀刻除去盖板绝缘层，露出通气槽外端，形成通气口；

（6）双压力MEMS圆片形成：在设定压力的密封室中，在键合MEMS圆片的盖板表面覆盖密封层，密封住通气口，切割压焊块上方的MEMS结构层，露出压焊块，形成双压力MEMS圆片；

（7）双压力MEMS芯片形成：切割双压力MEMS圆片，形成双压力MEMS芯片。

2.根据权利要求1所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，其特征在于：步骤（4）所述的键合室的压力小于步骤（6）所述密封室的压力。

3.根据权利要求1或2所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，其特征在于：步骤（1）中所述的盖板绝缘层是由盖板氧化生成的。

4.根据权利要求1或2所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，其特征在于：步骤（2）中盖板圆片与MEMS圆片键合方式是Si-SiO₂键合。

5.根据权利要求1或2所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，其特征在于：步骤（3）中压焊块与焊料层电连接方式为：在底板绝缘层内穿有导线，压焊块与焊料层通过导线电连接。

6.根据权利要求1或2所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法，其特征在于：步骤（5）中键合MEMS圆片的盖板蚀刻方式为无掩模异方性蚀刻。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的双压力MEMS芯片圆片级封装方法制得的双压力MEMS芯片，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板包括盖板表面和盖板斜侧面，盖板表面和盖板斜侧面上有密封层密封，盖板上至少有一个第一上腔体和一个第二上腔体，底板上至少有一个第一下腔体和一个第二下腔体，第一上腔体和第一下腔体形成第一密封腔，第二上腔体和第二下腔体形成第二密封腔，MEMS结构层至少分为第一密封区、第一MEMS结构、第二密封区、第二MEMS结构和第三密封区，第一密封腔与第二密封腔由第二密封区隔离，第一MEMS结构位于第一密封腔内，第二MEMS结构位于第二密封腔内，第三密封区内有通气槽，通气槽的内端位于第二密封腔内，可与第二密封腔通气，从而使第二密封腔内压力大于第一密封腔内压力，通气槽的外端位于MEMS结构层外露区，由密封层覆盖密封；盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层隔离，MEMS结构层与底板之间有底板绝缘层，底板绝缘层通过焊料层与MEMS结构层连接，焊料层密封住通气槽的外端，底板上至少有一个底板凹腔，底板凹腔的底板绝缘层上至少有一个压焊块，压焊块与MEMS结构电连接。

8.根据权利要求7所述的双压力MEMS芯片，其特征在于：压焊块与MEMS结构层通过导线电连接，所述导线位于底板绝缘层内。