CN103810317B

CN103810317B - 基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配

Info

Publication number: CN103810317B
Application number: CN201310080246.XA
Authority: CN
Inventors: 喻秉鸿; 林欣芸; 黄正仪; 王中兴
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2012-11-15
Filing date: 2013-03-13
Publication date: 2017-03-01
Anticipated expiration: 2033-03-13
Also published as: US20140137062A1; TW201419021A; TWI489303B; US8732641B1; CN103810317A

Abstract

本发明涉及基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配以及用于精确RC提取的方法和装置。图案数据库被配置为存储布局图案和它们相关联的3D提取参数。图案匹配工具被配置为将设计划分为多个图案，并且为各个图案和相关联的3D提取参数搜索图案数据库。如果各个图案已经存储在图案数据库中，则存储在数据库中的相关联的3D提取参数被分配给各个图案而不需要提取各个图案。如果各个图案没有存储在图案数据库中，则提取工具提取图案并在图案数据库中存储其相关联的3D提取参数来用于将来的使用。以这种方式，针对给定设计或多个设计仅提取一次各个图案。此外，提取结果可以针对给定设计同时应用多次，加速了计算时间。提取结果还可以被同时应用于多个设计。

Description

基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配。

背景技术

在诸如节点20或节点14的先进半导体技术中，RC寄生已经成为主要的影响因素。在不太先进的技术节点中，可以利用诸如器件的预表征(pre-characterization)和2.5D提取的近似方法来解决RC寄生的影响而不太损失精度。精确的RC寄生建模对于器件建模、提取和时序分析来说是必要的。可利用诸如纯3D提取的更精确的方法，但是对大规模设计的提取工具产生固有的性能限制。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种利用图案匹配的RC提取的方法，包括：通过布局对原理图(LVS)工具验证原理图与布局的一致性；通过图案匹配工具分析布局以将布局划分为多个图案，各个图案都包括包含部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境；以及确定多个图案中的第一相应图案不具有存储在被图案匹配工具参考的图案数据库中的对应第一参考图案；以及对第一相应图案执行提取以获得相关联的第一提取参数。

优选地，该方法还包括：在图案数据库中分别将第一相应图案和相关联的第一提取参数存储为第一参考图案和第一参考提取参数来用于重复使用。

优选地，该方法还包括确定多个图案中的第二相应图案具有存储在图案数据库中的对应第二参考图案和相关联的第二参考提取参数；以及对第二相应图案应用第二参考提取参数。

优选地，没有预表征多个图案中的图案，使得所有图案都被分配提取参数。

优选地，确定多个图案中的相应图案是否具有存储在图案数据库中的对应参考图案还包括旋转和翻转相应图案。

优选地，第一提取参数和第二提取参数包括相应图案的边界框内的三维电容。

优选地，该方法还包括：识别第一相应图案的一个或多个第一缝合节点；识别第二相应图案的一个或多个第二缝合节点，将第一缝合脚插入到每个对应的第一缝合节点；以及将第二缝合脚插入到每个对应的第二缝合节点。

优选地，该方法还包括：在缝合脚插入之后，确定布局的子集内剩余的提取参数不包括第一相应图案或第二相应图案。

优选地，剩余的提取参数包括：第一相应图案的第一边界框与包括布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；第二相应图案的第二边界框与包括布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；以及用于布局的电阻参数。

优选地，该方法还包括：为来自包括第一缝合节点和第二缝合节点的缝合节点集合的每个对应的缝合节点限定对应的缝合脚。

优选地，第一提取参数、第二提取参数以及剩余的提取参数还分别包括第一相应图案的第一提取网表、第二相应图案的第二提取网表以及布局的子集的第三提取网表。

优选地，该方法还包括：通过在第一缝合节点、第二缝合节点以及布局的子集的所有交互组合之间形成连接，将第一提取网表、第二提取网表以及第三提取网表结合为布局的组合网表和相关联的原理图。

根据本发明的另一方面，提供了一种限定布局的图案的方法，包括：限定包括具有器件、器件子集和多边形的多边形集合的一个或多个主要形状的集合；为所述一个或多个主要形状的集合限定包括限定主要形状与其交互的布局的设计等级的子集的背景；限定包括关于一个或多个主要形状的厚度和背景的信息的形状参考文件；以及限定关于一个或多个主要形状的集合在限定图案的边界的背景内的位置。

优选地，限定背景还包括结合在预定阈值之上影响图案的电容参数的主要形状。

优选地，结合在预定阈值之上影响图案的电容参数的主要形状还包括：通过结合设计规则限定具有背景的主要形状的耦合电容的范围；以及包括用于两个主要形状之间的背景形状的三维电容屏蔽效果。

优选地，该方法还包括：减少行程长度小于预定阈值的耦合电容范围内的形状。

根据本发明的又一方面，提供了一种图案和提取存储系统，包括：寄生提取工具，包括被配置为将设计划分为多个图案的图案匹配工具，其中各个图案都包括具有部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境；以及图案数据库，被图案匹配工具参考，并且被配置为存储作为参考图案的相应图案和相关联的提取参数。

优选地，图案数据库被配置为如果在第二设计中观察到相同图案则检索参考图案，并且应用相同图案的提取参数而不对相同图案进行任何寄生提取。

优选地，图案和提取存储系统还包括连接图案数据库的第一应用编程接口(API)，第一API利用来自寄生提取工具的给定查询为多个设计检索节点和电容参数。

优选地，图案和提取存储系统还包括连接图案数据库的第二API，提取工具利用第二API以同时从多个设计查询包括布局信息、形状参考数据和工具类型查询的提取结果。

附图说明

图1示出了平面FET与finFET的比较的截面图。

图2示出了利用图案匹配的RC提取的方法的一些实施例的流程图。

图3A-3D示出了在布局中利用图案匹配的RC提取的一些实施例方法。

图4A-4B示出了图案确定的一些实施例。

图5A-5C示出了背景(context)确定的一些实施例。

图6示出了缝合节点识别(stitch-node identification)的一些实施例。

图7示出了图案和提取存储系统的一些实施例。

具体实施方式

参照附图描述本发明，通常利用相似的参考数字来表示相似的元件，并且各种结构没有必要按比例绘制。在下面的描述中，为了说明的目的，为了便于理解而描述了许多具体细节。然而，对于本领域的技术人员来说，可以通过比这些具体细节更少的细节来实践本文描述的一个或多个方面。在其它情况下，已知的结构和器件以框图形式示出以便于理解。

图1示出了平面FET 102与finFET 104的比较的截面图100。平面FET102包括源极106、漏极108和栅极110，其中源极106和漏极108还包括定义氧化(oxide definition)(OD)材料，栅极110还包括聚氧化(poly oxide)(PO)材料。finFET 104包括源极112、漏极114和栅极116，其中源极112和漏极114还包括OD材料，栅极116还包括PO材料。平面FET 102代表不太先进的半导体技术节点(例如，节点28和之前的节点)的主要器件，而finFET 104代表先进的半导体技术节点(例如，节点20和之后的节点)的主要器件。

对于集成电路(IC)设计来说，结合建模和时序分析使用寄生提取来描述IC的性能。如同半导体技术节点缩放大约使每个连续节点的IC上的形状(即，器件)的数量加倍，寄生提取会是计算密集的。为了对此进行补偿，可以执行诸如完整芯片组装之前IC部件的预表征的缓解方案。在不太先进的半导体技术节点中，这种近似会使精度损失最小。然而，由于RC寄生对IC性能的贡献增加，所以这种精度损失不再是可忽略的。IC部件的预表征还具有不是各个IC部件周围的所有环境都能被精确表征的缺点。预表征还限制了IC部件使用的范围。增强利用平面FET的半导体技术节点中的提取性能的另一种缓解方法是2.5维(2.5D)提取。在2D提取中，沿着器件的一个或多个轴进行近似。例如，平面FET 102表明源极106/漏极108与栅极110之间没有共同垂直(co-vertical)部件，使得可以通过简化的建模方法来建模这些形状之间的电容耦合，从而获得合理的电容精度，加速了用于提取的计算时间。诸如finFET 104的下一代器件使没有共同垂直的假设无效，而纯3D提取对于大规模设计(例如，SRAM、PLL)是不切实际的。

因此，本公开涉及用于精确RC提取的方法和装置。图案数据库被配置为存储布局图案和它们相关联的3D提取参数。图案匹配工具被配置为将设计划分为多个图案，并且针对各个图案和相关联的3D提取参数搜索图案数据库。如果各个图案已经存储在图案数据库中，则存储在数据库中的相关联的3D提取参数被分配给各个图案而不需要提取各个图案。如果各个图案没有存储在图案数据库中，则提取工具提取图案并将其相关联的3D提取参数存储在图案数据库中来用于将来的使用。以这种方式，对于给定设计或多个设计，仅提取一次各个图案。此外，提取结果可以针对给定设计同时应用多次，加速了计算时间。提取结果还可以同时应用于多个设计。

图2示出了利用图案匹配的RC提取的方法200的一些实施例的流程图。虽然下文将方法200描述为一系列动作或事件，但应该理解，不应该以限制的意义解释所示出的这些行为或事件的排序。例如，一些行为可以以不同的顺序和/或与除本文示出和/或描述之外的其它行为或事件同时发生。此外，不是所有示出的行为都需要实施本文描述的一个或多个方面或实施例。此外，可以以一个或多个分离的行为和/或状态执行本文描述的一个或多个行为。

在202中，产生设计的原理图和相关联的布局。

在204中，通过布局对原理图(LVS)工具验证原理图与布局的一致性。

在206中，通过图案匹配工具分析布局，图案匹配工具将布局划分为多个图案，各个图案都包括具有部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境。布局的划分使得三种类型的布局区域一起完全覆盖布局：存储在图案数据库中的图案、没有存储在图案数据库中的图案、不包括任何图案的布局的子集(例如，布局减去识别的图案)。在布局划分之后，分别处理三种类型的布局区域中的每一种，在一些实施例中，可以包括同时、连续或它们的组合方式来处理三种类型的布局。

在208中，图案匹配工具确定多个图案中的第一相应图案确实具有存储在图案数据库中的对应第一参考图案和相关联的参考提取参数。

在210中，提取工具将第一参考提取参数应用于第一相应图案而不执行提取。在一些实施例中，第一参考提取参数包括用于包括第一相应图案的各种形状的电容值。

在212中，通过提取工具识别第一相应图案的一个或多个第一缝合节点，各个缝合节点都包括包含分配一个或多个提取参数(例如，电容值)的第一相应图案的形状上的位置。

在214中，图案匹配工具确定多个图案中的第二相应图案不具有存储在图案数据库中的对应第二参考图案。

在216中，提取工具对第二相应图案执行提取以获得对应的第二提取参数。在一些实施例中，提取工具执行第二相应图案的3D提取以获得包括第二相应图案的各种形状的电容值。

在218中，第二图案和相关联的第二提取参数存储在图案数据库中，用于分别重复用作第二参考图案和第二参考提取参数。

在220中，通过提取工具识别第二相应图案中的一个或多个第二缝合节点。

在222中，第一缝合脚(stitch-pin)被插入每个对应的第一缝合节点，并且第二缝合脚被插入每个对应的第二缝合节点，缝合脚包括标记以通知提取工具创建缝合节点来在重新组装图案之后分配适当的提取参数。

在224中，确定不包括第一相应图案或第二相应图案的布局子集内剩余的提取参数。在一些实施例中，确定剩余的提取参数包括利用执行2.5D提取以确定第一相应图案的第一边界框与包括布局子集的周围形状之间的提取参数以及执行2.5D提取以确定第二相应图案的第二边界框与包括布局子集的周围形状之间的提取参数的提取工具。在一些实施例中，提取工具仅确定需要建模布局的所有提取参数的第一子集。例如，可以在上述边界框与周围形状之间确定2.5D电容参数，以及在不考虑图案的情况下用于平面布局的电阻参数。

在226中，执行参数的缝合以形成布局的网表。第一提取参数、第二提取参数以及剩余的提取参数分别包括第一相应图案的第一提取网表、第二相应图案的第二提取网表以及布局子集的第三提取网表。参数的缝合包括通过在第一缝合节点、第二缝合节点和布局子集的的所有交互组合之间形成连接而将第一提取网表、第二提取网表和第三提取网表组合成布局的复合网表和对应的原理图。

图3A-3D示出了在布局中利用图案匹配的RC提取的一些实施例方法。图3A-3D旨在以示例方式示出图2所述方法200的一些方面。

图3A示出了包括设置在无源OD形状308A周围的三个器件302A-306A的布局300A。为了确定用于三个器件302A-306A的提取参数，使用图案匹配方法。对于图3A-3D的实施例，提取参数包括电容值和电阻值。图3B示出了各个器件302A-306A周围的边界框302B-306B的创建，其中在布局划分之后在各个边界框302B-306B内确定3D电容值。在图3C中，布局300C通过图案匹配工具划分为两个图案302C和304C，其中各个图案包括三个器件302A-306A中的一个和OD形状308A的一部分。注意，302C是对应于器件304A和器件306A的重复图案。对于图3A-3D的实施例，假设可以忽略不具有公共行程长度(common run length)(即，不具有平行边缘)的形状或部分形状之间的耦合电容。因此，仅在图案302C和304C中考虑与各个器件302A-306A具有公共行程长度的OD形状308A的部分。

提取工具确定图案302C不具有存储在由图案匹配工具参考的图案数据库中的对应第一参考图案，因此对图案302C执行提取以获得图案302C的相关联的第一3D电容值。提取工具还确定图案304C确实具有存储在图案数据库中的对应参考图案以及相关联的第二3D电容值，并且对图案304C应用第二3D电容值。对于图3A-3D的实施例，在图案识别中不使用对称性。例如，图案304C与关于垂直轴(y轴)翻转的图案302C相同。其它实施例包括通过图案的旋转和/或翻转来定位图案数据库中的参考图案。

图3D示出了对布局300A应用在图3C中获得的电容参数。针对图案302C获得的第一3D电容值分别应用于边界框304B和306B内的器件304A和306A。图案304C的第二3D电容值被应用于边界框302B内的器件302A。然后，提取工具为布局300A的剩余部分确定2.5D电容值以及用于布局300A的电阻值。计算边界框302B-306B内的3D电容值和用于布局300A的剩余部分的2.5D电阻值的组合提供了精度和性能的折衷。在完成所有提取参数的计算之后，执行参数的缝合以通过在缝合节点304D的所有交互组合之间形成连接302D来形成布局的组合网表。

图4A示出了图案确定400A的一些实施例，其中图案包括一个或多个主要形状的集合，包括具有器件、器件子集(例如，源极和栅极，或栅极和漏极)的多边形以及诸如PO和OD的多边形的集合。在一些实施例中，主要形状还可以包括中端制程(MEOL)等级，其形成前端制程(FEOL)器件和后端制程(BEOL)金属化层(M1)之间的诸如器件接触(CO)和通孔连接(V0)的连接。主要形状被置于包括限定主要形状与其交互的布局的设计等级的子集的背景中，并且还包括FEOL、MEOL和BEOL等级的组合。背景可以是空的，或者来自第一图案的器件可以包括第二图案的背景等。

图4B示出了用于图案确定的边界框400B的一些实施例。边界框400B的尺寸可以通过包括布局设计规则、形状周期性等的若干因素的组合来确定。边界框的尺寸还可以通过具有图案环境的交互范围来确定。在边界框内，利用形状对称性来最大化图案识别。图案可以关于x轴、y轴或它们的组合翻转或旋转以限制重复图案。主要形状、背景和边界框对于精确定义图案来说是不充分的，因为确定提取参数需要没有包含在布局中的主要形状厚度的知识。这样，包括关于一个或多个主要形状的厚度和背景的信息的形状参考文件包括在图案定义中，并且可以存储在提取工具或图案数据库内。

在一些实施例中，背景确定还可以包括特定的假设和/或近似，以增加提取效率而不太损失精度。一个实例包括但不限于多边形之间的耦合电容，其中耦合足够微弱而对建模效果的微小影响可以被忽略(即，忽略耦合电容劣化了可接受范围内的模型精度)。图5A-5C示出了包括用于提取简化的“经验法则”的背景确定的一些附加实施例，其中背景布局特征的知识允许提取的简化。

图5A示出了基于布局设计规则的固定范围内的电容测量500A的示例性实施例。器件502A被设置为邻近第一无源OD形状504A和第二无源OD形状506A。第一无源OD形状504A与器件502A相距一个OD节距，其中“节距”是用于周期性置于布局中的对象的周期性测量值。第二无源OD形状506A与器件502A相距两个OD节距。布局设计规则中的进程网格(coursegridding)的结合使得耦合电容影响大于被忽略的OD节距的整数，导致提取考虑的形状数量减少。固定范围简化的其它实例可以包括但是不限于PO节距、金属节距或它们的组合。

图5B示出了包括电容屏蔽效果的电容测量500B的示例性实施例，其中电容耦合的两个对象可以看出第三个对象置于它们之间使耦合减弱。例如，第一OD形状502B与第二OD形状504B经受它们之间的耦合电容。然而，在第一OD形状502B与第二OD形状504B之间插入不活跃PO形状506B减小了它们的耦合电容。如果PO形状506B的宽度增加超过预定阈值，则耦合电容将减小至足够小而可被忽略的值；即，OD形状502B和504B可能不需要以相同的图案用于提取。

图5C示出了具有公共行程长度近似的电容测量500C的示例性实施例。通过包含多个OD形状506C-514C的边界框504C环绕器件502C。调节边界框504C的尺寸以合并多个OD形状506C-514C周围的包括通过器件502C和多个OD形状506C-514C形成的图案背景的交互的延伸范围。限定延伸范围以更精确地获取边界框504C内的所有形状之间的全部电容耦合。在一些实施例中，利用“平行板”模型为公共行程长度(即，没有平行边缘)仅假设两种形状之间的电容耦合。假设不具有公共行程长度的形状具有零电容耦合，或者通常更一般的电容耦合可以假设行程长度大于预定阈值(例如，形状或器件尺寸的一些部分)。

图6示出了用于场效应晶体管(FET)之间电容耦合的图案600内的缝合节点识别的一些实施例。图案600包括环绕第一FET 604A和第二FET604B的边界框602。第一FET 604A和第二FET 604B还分别包括第一源极606A和第二源极606B、第一栅极608A和第二栅极608B、第一漏极610A和第二漏极610B、第一源极CO 612A和第二源极CO 612B、第一漏极CO614A和第二漏极CO 614B。图案600的示例性实施例包括第一FET 604A与第二FET 604B之间的电容耦合。在这个非限制实施例中，为可能交互的子集表示形状之间成对的电容耦合以增进理解。这个实例绝不是排他的，并且不应该视为该实施例范围的限制。

第一漏极CO 614A经受与图案600内的其它形状的电容耦合。它们是第一漏极CO614A与第二源极CO 612B之间的第一耦合电容C₁ 616A、第一漏极CO 614A与第二源极606B之间的第二耦合电容C₂ 616B以及第一漏极CO 614A与第二栅极608B之间的第三耦合电容C₃616C。如本领域技术人员所知，这些耦合电容616A-616C通过缝合节点识别和缝合脚插入结合成图案的网表。

通过结合经受各个耦合电容的每个形状上的缝合脚来在图案600的网表中建模每个耦合电容616A-616C。因此，第一耦合电容C₁ 616A导致第一漏极CO 614A上的第一缝合节点618A和第二源极CO 612B上的第二缝合节点618B的识别。同样地，第二耦合电容C₂ 616B导致第一漏极CO 614A上的第三缝合节点618C和第二源极606B上的第四缝合节点618D的识别。此外，第三耦合电容C₃ 616C导致第一漏极CO 614A上的第五缝合节点618E和第二栅极608B上的第六缝合节点618F的识别。每个缝合节点618A-618F都具有唯一的名字(例如，第三缝合节点618C可称为FET1_漏极_PO等)，使得提取工具可以为每个对应的缝合节点限定对应的缝合脚，其中缝合脚包括添加至布局的标记以通知提取工具创建缝合节点来向图案分配适当的提取参数。

图7示出了图案和提取存储系统700的一些实施例。包括图案匹配工具704的寄生提取工具702被配置为将设计(例如，布局)划分为多个图案，其中各个图案都包括含有部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们的周围环境。图案数据库706被图案匹配工具704参考，并且被配置为存储作为参考图案的各个图案和相关联的提取参数。图案数据库706还被配置为如果在第二设计中观察到相同图案则检索参考图案，并且应用相同图案的提取参数而不对相同图案重新进行寄生提取。

图案和提取存储系统700还包括连接图案数据库706的第一应用编程接口(API)708，其中第一API 708通过给定查询为多个设计710A和710B检索节点和电容参数。第二API712也连接至图案数据库706，其中提取工具702利用第二API 712同时从包括第一设计714A和第二设计714B的多个设计中查询包括布局信息、形状参考数据和工具类型查询的提取结果。

本领域的技术人员在阅读和/或理解说明书和/或附图的基本上可以进行等效变化和/或修改。本公开包括所有这种修改和变化，并且通常不限于此。此外，虽然参照多种实施例中的一种公开了特定特征或方面，但这种特征和方面可以根据需要与其他实施的一个或多个其他特征和/或方面进行结合。此外，本文使用术语“包括”、“具有”、“有”和/或它们的变型；这些术语用于表示类似“包括”的含义。同样，“示例性”仅表示实例而非最好。还应该理解，为了简单和易于理解的目的，通过特定尺寸和/或相对于另一个的定向示出所描述的特征、层和/或元件，并且实际尺寸和/或定向可能基本不同于所示。

因此，本发明涉及用于精确RC提取的方法和装置。图案数据库被配置为存储布局图案和它们相关联的3D提取参数。图案匹配工具被配置为将设计划分为多个图案，并且为各个图案和相关联的3D提取参数搜索图案数据库。如果各个图案已经存储在图案数据库中，则存储在数据库中的相关联的3D提取参数被分配给各个图案而不需要提取各个图案。如果各个图案没有存储在图案数据库中，则提取工具提取图案并图案数据库中存储其相关联的3D提取参数来用于将来使用。以这种方式，对于给定设计或多个设计仅提取一次各个图案。此外，提取结果可以针对给定设计同时应用多次，加速计算时间。提取结果还可以同时应用于多个设计。

在一些实施例中，本公开涉及利用图案匹配的RC提取的方法，包括：通过图案匹配工具分析布局以将布局划分为多个图案；确定第一相应图案不具有存储在图案数据库中的对应第一参考图案；以及由此对第一相应图案执行提取以获得相关联的第一提取参数。然后，第一相应图案和相关联的第一提取参数分别在图案数据库中存储为第一参考图案和第一参考提取参数来用于重复使用。随后，多个图案中的第二相应图案被发现具有存储在图案数据库中的对应的第二参考图案和相关联的第二参考提取参数。因此，第二参考提取参数可以被应用于第二相应图案而不需要对第二相应图案进行提取。

在一些实施例中，本公开涉及定义布局的图案的方法，包括：在布局中限定一个或多个主要形状的集合；以及限定包括限定主要形状交互的布局的设计等级的子集的一个或多个主要形状的集合的背景。主要形状和背景仅包括关于布局的2D信息。因此，限定包括关于主要形状厚度的信息的形状参考文件。然后，图案被放置在关于限定图案边界的背景内的主要形状的位置。

在一些实施例中，本公开涉及图案和提取系统，包括：寄生提取工具，具有被配置为将设计划分为多个图案的图案匹配工具；以及图案数据库，被图案匹配工具参考并且被配置为存储作为参考图案的各个图案和相关联的提取参数。

Claims

1.一种利用图案匹配的RC提取的方法，包括：

通过布局对原理图(LVS)工具验证原理图与布局的一致性；

通过图案匹配工具分析所述布局以将所述布局划分为多个图案，各个图案都包括包含部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境；以及

确定所述多个图案中的第一相应图案不具有存储在被所述图案匹配工具参考的图案数据库中的对应第一参考图案；

确定所述多个图案中的第二相应图案具有存储在所述图案数据库中的对应第二参考图案和相关联的第二提取参数；

对所述第一相应图案执行提取以获得相关联的第一提取参数；

对所述第二相应图案应用来自所述图案数据库的所述第二提取参数；

识别所述第一相应图案的一个或多个第一缝合节点，其中，所述第一缝合节点包括分配一个或多个第一提取参数的第一相应图案的第一形状上的位置；以及

识别所述第二相应图案的一个或多个第二缝合节点，其中，所述第二缝合节点包括分配一个或多个第二提取参数的第二相应图案的第二形状上的位置。

2.根据权利要求1所述的利用图案匹配的RC提取的方法，还包括：在所述图案数据库中分别将所述第一相应图案和所述相关联的第一提取参数存储为所述第一参考图案和第一参考提取参数来用于重复使用。

3.根据权利要求1所述的利用图案匹配的RC提取的方法，其中，没有预表征所述多个图案中的图案，使得所有图案都被分配提取参数。

4.根据权利要求1所述的利用图案匹配的RC提取的方法，其中，确定所述多个图案中的相应图案是否具有存储在所述图案数据库中的对应参考图案还包括旋转和翻转所述相应图案。

5.根据权利要求4所述的利用图案匹配的RC提取的方法，其中，所述第一提取参数和所述第二提取参数包括所述相应图案的边界框内的三维电容。

6.根据权利要求5所述的利用图案匹配的RC提取的方法，还包括：

将第一缝合脚插入到每个对应的所述第一缝合节点；以及

将第二缝合脚插入到每个对应的所述第二缝合节点。

7.根据权利要求6所述的利用图案匹配的RC提取的方法，还包括：在缝合脚插入之后，确定所述布局的子集内剩余的提取参数不包括所述第一相应图案或所述第二相应图案。

8.根据权利要求7所述的利用图案匹配的RC提取的方法，其中，所述剩余的提取参数包括：

所述第一相应图案的第一边界框与包括所述布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；

所述第二相应图案的第二边界框与包括所述布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；以及

用于所述布局的电阻参数。

9.根据权利要求7所述的利用图案匹配的RC提取的方法，还包括：为来自包括所述第一缝合节点和所述第二缝合节点的缝合节点集合的每个对应的缝合节点限定对应的缝合脚。

10.根据权利要求7所述的利用图案匹配的RC提取的方法，其中，所述第一提取参数、所述第二提取参数以及所述剩余的提取参数还分别包括所述第一相应图案的第一提取网表、所述第二相应图案的第二提取网表以及所述布局的子集的第三提取网表。

11.根据权利要求10所述的利用图案匹配的RC提取的方法，还包括：通过在所述第一缝合节点、所述第二缝合节点以及所述布局的子集的所有交互组合之间形成连接，将所述第一提取网表、所述第二提取网表以及所述第三提取网表结合为所述布局的组合网表和相关联的原理图。

12.一种用于图案存储和提取的装置，包括：

寄生提取工具，包括被配置为将设计划分为多个图案的图案匹配工具，其中相应图案都包括具有部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境，确定所述多个图案中的第一相应图案不具有存储在图案数据库中的对应第一参考图案，并且确定所述多个图案中的第二相应图案具有存储在所述图案数据库中的对应第二参考图案和相关联的第二提取参数；

图案数据库，被所述图案匹配工具参考，并且被配置为存储作为参考图案的相应图案和相关联的提取参数，对所述第二相应图案应用所述第二提取参数；

其中，所述寄生提取工具对所述第一相应图案执行提取以获得相关联的第一提取参数，识别所述第一相应图案的一个或多个第一缝合节点作为分配一个或多个第一提取参数的位置，并且识别所述第二相应图案的一个或多个第二缝合节点作为分配一个或多个第二提取参数的位置。

13.根据权利要求12所述的用于图案存储和提取的装置，其中，所述图案数据库被配置为如果在第二设计中观察到相同图案则检索所述参考图案，并且应用所述相同图案的提取参数而不对所述相同图案进行任何寄生提取。

14.根据权利要求13所述的用于图案存储和提取的装置，还包括连接所述图案数据库的第一应用编程接口(API)，所述第一应用编程接口利用来自所述寄生提取工具的给定查询为多个设计检索节点和电容参数。

15.根据权利要求13所述的用于图案存储和提取的装置，还包括连接所述图案数据库的第二应用编程接口，所述提取工具利用所述第二应用编程接口以同时从多个设计查询包括布局信息、形状参考数据和工具类型查询的提取结果。