CN103809329A

CN103809329A - 一种垂直配向液晶显示面板及其tft阵列基板

Info

Publication number: CN103809329A
Application number: CN201310712989.4A
Authority: CN
Inventors: 洪孟逸
Original assignee: Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Current assignee: Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Priority date: 2013-12-20
Filing date: 2013-12-20
Publication date: 2014-05-21

Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板，包括由多条扫描线和多条数据线纵横交错形成的多个像素区、在所述像素区内设有像素电极和TFT，所述TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在所述的TFT和所述的数据线之上设有透明平坦层，所述透明平坦层覆盖TFT和数据线；所述像素电极铺设在所述透明平坦层上，在所述像素电极覆盖区域的透明平坦层上设有多个凹槽。还公开了一种采用上述TFT阵列基板的垂直配向液晶显示面板。本发明利用在透明平坦层上与像素中心位置相对应处设置凹槽，在不增加制程的情况下，让垂直配向液晶形成预倾角，有效保证了高开口率，而且降低了液晶显示面板的生产成本，简化了生产工艺。

Description

一种垂直配向液晶显示面板及其TFT阵列基板

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板及其TFT阵列基板,特别涉及一种垂直配向液晶显示面板及其TFT阵列基板。

背景技术

垂直配向液晶显示面板以其面板结构简单、制程简易以及具有较高的开口率的优点广受生产商的青睐。

如图1所示，在现有技术中，提升垂直配向液晶显示面板液晶显示开口率的方法主要是在彩膜基板1内侧设有突起2，在专利号为：US7247411的美国专利中就提到利用彩膜基板（后简称为CF）侧与像素中心部相对应出配置Protrusion（突起）,让垂直液晶具有朝外的预倾角，因为突起仅占开口部的一部份，因此有开口率高并且能维持够快的响应速度等优点。但是，现有技术中公开的利用彩膜侧的突起来形成预倾角的方法，需要利用掩膜板（后简称为Mask）的曝光刻蚀才能完成，除了Mask与制程花费外，突起的大小也有最小尺寸的限制，在突起尺寸无法太小的情况下，开口率也会受到影响。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种制程花费小，不会影响开口率的一种垂直配向液晶显示面板。

技术方案：为了达到上述发明目的，本发明提供一种 TFT（TFT为薄膜场效应晶体管）阵列基板，包括由多条扫描线和多条数据线纵横交错形成的多个像素区、在所述像素区内设有像素电极和TFT，所述TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在所述的TFT和所述的数据线之上设有透明平坦层，所述透明平坦层覆盖TFT和数据线；所述像素电极铺设在所述透明平坦层上，在所述像素电极覆盖区域的透明平坦层上设有多个凹槽。

进一步，所述凹槽设置在与所述像素电极的中心部位覆盖的透明平坦层上，这样能够引导垂直配向液晶往像素中心倾倒，从而保证较高的开口率。

进一步，所述每个像素区域的像素电极平均分成多个子像素电极，所述每个子像素电极相互电连接，所述凹槽设置在每个子像素电极的中心部位覆盖的透明平坦层上，这样能够提高垂直配向液晶整体的响应速度。

进一步，所述子像素电极为正方形子像素电极，凹槽位于正方形的子像素电极的中心位置对垂直配向液晶倾倒的引导效果最好。

进一步，所述子像素电极优选为2~3个，将像素电极平均分成2~3个子像素电极并在每个子像素电极的中心所覆盖的区域设置凹槽能有效提高垂直配向液晶整体的响应速度并且不会影响开口率。

进一步，所述凹槽为曲面凹槽，这样更有助于垂直配向液晶倾倒。

进一步，所述凹槽宽度小于5um，深度小于2um，这样在凹槽中心产生的黑纹不会影响正常的显示，而且这个深度的凹槽不会使透明平坦层下层的材料暴露。

更进一步，所述凹槽外延与水平面形成小于3度的夹角，这样可以更好的引导垂直配向液晶的倾倒，有效的提升垂直配向液晶整体的响应速度。

本发明还提供了一种垂直配向液晶显示面板，包括：彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶，其中，TFT阵列基板包括：多条扫描线和多条数据线纵横交错形成的多个像素区、在所述像素区内设有像素电极和TFT，所述TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在所述的TFT和所述的数据线之上设有透明平坦层，所述透明平坦层覆盖TFT和数据线；所述像素电极铺设在所述透明平坦层上：在所述像素电极覆盖区域的透明平坦层上设有多个凹槽。

有益效果：与现有技术相比，本发明利用在透明平坦层上与像素中心位置相对应处设置凹槽，在不增加制程的情况下，让垂直配向液晶形成预倾角，有效保证了高开口率，而且降低了液晶显示面板的生产成本，简化了生产工艺。

附图说明

图1为现有技术中垂直配向液晶显示面板的结构示意图；

图2为本发明中一个像素区的平面图；

图3为图2中AA’处的横截面图；

图4~图6为本发明的TFT阵列基板的制造流程示意图；

图7为没有对本发明的垂直配向液晶显示面板施加电压时垂直配向液晶的示意图；

图8为对本发明的垂直配向液晶显示面板施加电压时垂直配向液晶的示意图；

图9为本发明的TFT阵列基板的像素电极分成两个子像素电极的结构示意图；

图10为本发明的TFT阵列基板的像素电极分成三个子像素电极的结构示意图。

具体实施方式

下面对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。

实施例1：

如图2~3所示，本发明提供的一种TFT阵列基板，以其中一个像素区域为例，由两条扫描线3和两条数据线4纵横交错形成的一个像素区5、在像素区5内设有像素电极6和TFT7， TFT7分别与对应的像素电极6、扫描线3和数据线4电连接；在的TFT7和的数据线4之上设有透明平坦层8，透明平坦层8覆盖TFT7和数据线4；像素电极6铺设在透明平坦层上8，在像素电极6的中心部位覆盖区域的透明平坦层8上设有一个凹槽9，在像素电极6上铺设配向膜10，其中凹槽9为曲面凹槽。如图3所示，凹槽9的外延与水平面形成小于3度的夹角，这样可以更好的引导垂直配向液晶的倾倒，有效的提升垂直配向液晶整体的响应速度。凹槽9的宽度小于5um，深度小于2um，这样在凹槽9中心产生的黑纹不会影响正常的显示，而且这个深度的凹槽不会使透明平坦层下层的材料暴露。

如图4~6所示，本发明提供的TFT阵列基板的制备方法为：

步骤1：在TFT阵列的玻璃基板11上形成多条扫描线（图中未示）、多条数据线4、多个TFT（图中未示）；扫描线和数据线交叉限定多个像素区域，TFT与对应的扫描线以及数据线电连接；

步骤2：在步骤1完成的阵列基板上形成具有多个凹槽9的透明平坦层8；

步骤3：步骤2中完成的阵列基板进行曝后烤制程，使得凹槽9的面曲面化；

步骤4：在每个像素区域形成像素电极6,并使像素电极6的中心位置与凹槽9相对应；同时使像素电极6与的TFT相电连接。

步骤5：在形成上述图案的阵列基板上形成配向膜10。

采用本发明提供的TFT阵列基板有效的缩短了制程，间接的降低了生产的成本。

如图7~8所示，采用本发明提供的TFT阵列基板制造的一种垂直配向液晶显示面板，包括：彩膜基板12、与该彩膜基板12相对设置的TFT阵列基板13以及位于该彩膜基板12和TFT阵列基板13之间的垂直配向的液晶14，其中，TFT阵列基板包括：由多条扫描线和多条条数据线纵横交错形成的一多个像素区、在像素区内设有像素电极和TFT， TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在的TFT和的数据线之上设有透明平坦层，透明平坦层覆盖TFT和数据线；像素电极铺设在透明平坦层上，在像素电极的中心部位覆盖区域的透明平坦层上设有一个凹槽，在像素电极上铺设配向膜，其中凹槽为曲面凹槽，凹槽外延与水平面形成小于3度的夹角，凹槽的宽度最好小于5um，深度小于2um。

当没有给垂直配向液晶显示面板施加电压时，在凹槽周围的液晶会向凹槽9预倾倒，当给给垂直配向液晶显示面板施加电压时，所有的垂直配向的液晶14会向凹槽9的方向倾倒。从而有效的增加了开口率，而且不会影响正常的显示，同时降低了生产的成本。

实施例2：

如图9所示，本发明提供的一种TFT阵列基板，以其中一个像素区域为例，由两条扫描线3和两条数据线4纵横交错形成的一个像素区5、在像素区5内设有像素电极6和TFT7， TFT7分别与对应的像素电极6、扫描线3和数据线4电连接；在的TFT7和的数据线4之上设有透明平坦层（图中未示），透明平坦层覆盖TFT7和数据线4；像素电极6铺设在透明平坦层上，其中像素电极6平均分成两个子像素电极61，两个子像素电极61之间电连接，每个子像素电极61优选为正方形的子像素电极，在每个子像素电极61的中心部位覆盖区域的透明平坦层上设有一个凹槽9，凹槽9位于正方形的子像素电极61的中心位置对垂直配向液晶倾倒的引导效果最好，能够有效提高垂直配向液晶整体的响应速度并且不会影响开口率。在像素电极6上铺设配向膜（图中未示），其中凹槽9为曲面凹槽，凹槽9的宽度小于5um，深度小于2um，这样在凹槽9中心产生的黑纹不会影响正常的显示，而且这个深度的凹槽不会使透明平坦层下层的材料暴露。采用这种TFT阵列基板制成的垂直配向液晶显示面板视角广，而且制程简单。

实施例3：

如图10所示，本发明提供的一种TFT阵列基板，以其中一个像素区域为例，由两条扫描线3和两条数据线4纵横交错形成的一个像素区5、在像素区5内设有像素电极6和TFT7， TFT7分别与对应的像素电极6、扫描线3和数据线4电连接；在的TFT7和的数据线4之上设有透明平坦层（图中未示），透明平坦层覆盖TFT7和数据线4；像素电极6铺设在透明平坦层上，其中像素电极6由三个子像素电极61组成，三个子像素电极61之间电连接，每个子像素电极61优选为正方形的子像素电极，在每个子像素电极61的中心部位覆盖区域的透明平坦层上设有一个凹槽9，凹槽9位于正方形的子像素电极61的中心位置对垂直配向液晶倾倒的引导效果最好，能够有效提高垂直配向液晶整体的响应速度并且不会影响开口率。在像素电极6上铺设配向膜（图中未示），其中凹槽9为曲面凹槽，凹槽9的宽度小于5um，深度小于2um，这样在凹槽9中心产生的黑纹不会影响正常的显示，而且这个深度的凹槽不会使透明平坦层下层的材料暴露。采用这种TFT阵列基板制成的垂直配向液晶显示面板的视角广，而且制程简单。

Claims

1.一种TFT阵列基板，包括由多条扫描线和多条数据线纵横交错形成的多个像素区、在所述像素区内设有像素电极和TFT，所述TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在所述的TFT和所述的数据线之上设有透明平坦层，所述透明平坦层覆盖TFT和数据线；所述像素电极铺设在所述透明平坦层上，其特征在于：在所述像素电极覆盖区域的透明平坦层上设有多个凹槽。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述凹槽设置在与所述像素电极的中心部位覆盖的透明平坦层上。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述每个像素区域的像素电极平均分成多个子像素电极，所述每个子像素电极相互电连接，所述凹槽设置在每个子像素电极的中心部位覆盖的透明平坦层上。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述子像素电极为正方形子像素电极。

5.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述子像素电极为2~3个。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述凹槽为曲面凹槽。

7.根据权利要求1~5中任意一项所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述凹槽宽度小于5um，深度小于2um。

8.根据权利要求1~5中任意一项所述的TFT阵列基板，其特征在于：所述凹槽外延与水平面形成小于3度的夹角。

9.一种垂直配向液晶显示面板，包括：彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶，其中，TFT阵列基板包括：多条扫描线和多条数据线纵横交错形成的多个像素区、在所述像素区内设有像素电极和TFT，所述TFT分别与对应的像素电极、扫描线和数据线电连接；在所述的TFT和所述的数据线之上设有透明平坦层，所述透明平坦层覆盖TFT和数据线；所述像素电极铺设在所述透明平坦层上，其特征在于：在所述像素电极覆盖区域的透明平坦层上设有多个凹槽。

10.根据权利要求9所述的垂直配向液晶显示面板，其特征在于：所述凹槽设置在与所述像素电极的中心部位覆盖的透明平坦层上。