CN103794457B - 一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔室的侧壁顶部设置有环盖；所述腔室的顶部由介电窗构成，所述环盖与所述介电窗之间存在温度差；所述温度隔离装置是设置在所述环盖顶部的隔热圈；所述隔热圈的顶面，与所述介电窗的一部分底面相接触，实现对介电窗的支撑，从而隔绝介电窗与所述环盖之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗向环盖传导，实现减少介电窗中心位置到边缘位置的温度梯度的目的。本发明能够有效提升等离子体处理设备的安全性能。

Description

一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置

技术领域

本发明涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置。

背景技术

目前，在半导体制造工艺中广泛实施以进行薄膜沉积或蚀刻等作为目的的等离子体处理。例如在图1、图2所示的电感耦合型等离子体处理设备中，设置有真空的腔室300，在腔室300内的底部设有基座600，基座600上设有静电夹具700，被处理的基板500（例如是半导体晶圆，玻璃基板等）放置于所述静电夹具700上。腔室300的顶部设置为介电窗100，一般由陶瓷材料（Al₂O₃）构成。在所述腔室300的环形侧壁顶部设置有环盖200，由环盖200上由内边缘向外延伸的一部分顶面，与介电窗100上由外边缘向内延伸的一部分底面相接触（标号110示出的即是两者的接触面位置），从而通过环盖200对介电窗100进行支撑。在腔室300外，一般在介电窗100的上方，设置有线圈状的感应天线400。向所述感应天线400施加RF射频电流，从而在感应天线400周围产生磁场，该磁场的磁力线贯穿介电窗100，在腔室300内，位于被处理基板500上方与介电窗100底部之间的反应区域产生感应电场，进而通过所述感应电场对导入腔室300内的反应气体的分子或原子发生电离碰撞，从而在反应区域内形成反应气体的等离子体对基板500进行处理。

腔室300内产生的等离子体会在反应区域中高效地向四周扩散，则在长时间的处理过程中等离子体会轰击介电窗100的底面，从而在介电窗100中蓄积足够多的热量（例如是3KW），以使介电窗100及其周边的温度升高。然而，由于支撑介电窗100的环盖200一般是由金属（例如是铝Al或者其合金等）材料制成，则环盖200与介电窗100在比热容、热膨胀系数及导热能力等方面都有很大差别。并且，除了在环盖200内部开设有向腔室300内输送气体的管道210以外，在环盖200内部还另外开设有管道220供冷却液流通来降低环盖200的温度。因此，介电窗100的温度会高于环盖200的温度，使得热量经由介电窗100与环盖200相接触的边缘位置，从介电窗100向环盖200进行传导。其结果是在介电窗100的中心位置与该介电窗100上接触环盖200的边缘位置之间产生巨大的温度梯度，一方面使得在介电窗100下方反应区域内形成的等离子体在中心及边缘区域不均匀分布的问题发生，影响对基本处理的均匀性；另一方面所具有的温度差还使得介电窗100发生变形，从而导致介电窗100开裂并打碎腔室300内的基板或其他设备，严重影响整个等离子体处理装置的安全性。

发明内容

本发明的目的是设计一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置，用隔热材料制成的隔热圈，替换环盖上原先与介电窗相接触的部分，以阻止介电窗的热量向环盖传导，从而减小介电窗的中心位置与边缘位置之间的温度梯度，避免介电窗因温差所造成的开裂现象，有效提高等离子处理设备的安全性能。

为了达到上述目的，本发明的一个技术方案是提供一种温度隔离装置，用于等离子体处理设备；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔室的侧壁顶部设置有环盖；所述腔室的顶部由介电窗构成，所述环盖与所述介电窗之间存在温度差；

所述温度隔离装置是设置在所述环盖顶部的隔热圈；所述隔热圈的顶面，与所述介电窗的一部分底面相接触，实现对介电窗的支撑，从而隔绝介电窗与所述环盖之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗向环盖传导，减少介电窗中心位置到边缘位置的温度梯度。

所述的隔热圈是由不受等离子体处理设备中进行的处理反应影响的隔热或绝热材料制成。

优选的实施例中，所述隔热圈使用特氟龙或石英材料制成。

所述介电窗由陶瓷材料制成；所述环盖由金属材料制成。

优选的实施例中，在所述环盖顶部切除了由环盖内边缘向外径向延伸一段设定距离后的部分形成有环状槽，所述隔热圈嵌设在该环状槽内。

优选的实施例中，所述环盖顶部嵌入设置有O型密封圈，所述隔热圈的外侧边缘与所述O型密封圈的内边缘相贴合；

所述介电窗底面的最外侧部分悬空设置于所述O型密封圈的上方，所述介电窗与所述O型密封圈之间没有导热接触；

将所述介电窗底面上从最外侧部分向内径向延伸一段设定距离后的表面设为次外侧部分，则所述介电窗底面的次外侧部分与所述隔热圈的顶面相接触。

本发明的另一个技术方案是提供一种等离子体处理设备，设置有如上所述的温度隔离装置；所述等离子体处理设备设置有一个能够密闭的腔室，腔室内的底部设有基座，基座上还设有静电夹具，被处理的基板放置于静电夹具的顶面上；

所述腔室的顶部由介电窗构成；在腔室外、所述介电窗的上方设置有感应天线，向所述感应天线施加RF射频电流后，能够在腔室内位于被处理基板上方与介电窗底部之间的反应区域，产生引入该反应区域的反应气体的等离子体；

所述腔室的侧壁顶部设置有环盖，所述环盖与所述介电窗之间存在温度差；所述环盖顶部设置有隔热圈，并且，通过使所述隔热圈的顶面，与所述介电窗的一部分底面相接触，实现对介电窗的支撑，从而隔绝介电窗与所述环盖之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗向环盖传导，减少介电窗中心位置到边缘位置的温度梯度。

所述的隔热圈是由不受等离子体处理设备中进行的处理反应影响的隔热或绝热材料制成，所述隔热或绝热材料具有小于1W/（m-K）的导热系数。

优选的实施例中，所述隔热圈使用特氟龙或石英材料制成。

所述介电窗由陶瓷材料制成；所述环盖由金属材料制成。

优选的实施例中，在所述环盖顶部切除了由环盖内边缘向外径向延伸一段设定距离后的部分形成了环状槽，所述隔热圈嵌设在该环状槽内。

优选的实施例中，所述环盖顶部嵌入设置有O型密封圈，所述隔热圈的外侧边缘与所述O型密封圈的内边缘相贴合；

所述介电窗底面的最外侧部分悬空设置于所述O型密封圈的上方，所述介电窗与所述O型密封圈之间没有导热接触；

将所述介电窗底面上从最外侧部分向内径向延伸一段设定距离后的表面设为次外侧部分13，则所述介电窗底面的次外侧部分与所述隔热圈的顶面相接触。

优选的实施例中，所述等离子体处理设备中，通过设置在所述介电窗上方的风冷结构，对该介电窗进行散热。

优选的实施例中，所述环盖内部分别开设有能够向所述腔室内输送气体的第一管道，和供冷却液流通以降低环盖温度的第二管道。

优选的实施例中，所述腔室内部为真空或低压环境，所述腔室外部为大气环境。

本发明的还有一个技术方案是提供一种电感耦合型等离子反应器，所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，一个介电窗安装到所述腔室的侧壁顶部，介电窗上方安装有电感线圈；其特征在于：

所述侧壁顶部与介电窗之间通过一个安装环相连接固定，所述安装环在与所述介电窗相接触的上表面包括一个由低导热材料制成接触部，其中所述低导热材料具有小于1w/(m-K)的导热系数。

优选的实施例中，所述接触部上表面具有至少一个沟槽。

优选的实施例中，所述安装环还包括一气密环围绕在所述接触部外围。

本发明提供等离子体处理设备及其中的温度隔离装置，其优点在于：本发明由于在环盖上设置隔热/绝热材料的隔热圈，通过隔热圈的顶面与介电窗的底面相接触，能够有效阻止热量从介电窗的边缘位置向环盖方向传导。相比现有技术中直接使金属的环盖与介电窗接触，或者在环盖上使用陶瓷材料制成的环状与介电窗接触来比，本发明中介电窗的中心位置到边缘位置的温度相对更为平均，温度梯度显著减小，从而能够避免介电窗因温差所造成的开裂现象，提供了一种安全性能更高的等离子处理设备。

附图说明

图1是现有等离子体处理设备的总体结构示意图；

图2是现有等离子体处理设备中介电窗与环盖接触位置的放大结构示意图；

图3是本发明所述带温度隔离装置的等离子体处理设备的总体结构示意图；

图4是本发明所述带温度隔离装置的等离子体处理设备中介电窗与环盖接触位置的放大结构示意图；

图5~图10是比较现有技术与本发明的多个测试实例得到的对介电窗中心位置与边缘位置的温度的图表，其中：

图5是现有技术中没有在环盖上设置隔热圈，介电窗积蓄了2.3KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图；

图6是现有技术中没有在环盖上设置隔热圈，介电窗积蓄了2.5KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图；

图7是在环盖上设置了与介电窗相同陶瓷材料的隔热圈，介电窗积蓄了2.5KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图；

图8是在环盖上设置了与介电窗相同陶瓷材料的隔热圈，使该隔热圈结构有所不同，介电窗积蓄了2.5KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图；

图9是本发明中的一个实施例，在环盖上设置了石英材料的隔热圈，介电窗积蓄了2.5KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图；

图10是本发明中的另一个实施例，在环盖上设置了特氟龙材料的隔热圈，介电窗积蓄了2.5KW热量且通过风冷结构散热时，介电窗的中心位置与边缘位置的温度示意图。

具体实施方式

配合参见图3、图4所示，本实施例提供的等离子体处理设备是一种电感耦合型等离子体处理设备，设置有一个腔室，该腔室侧壁30的内部和外部能够密闭隔离，使得腔室内部的压力可以设置为真空或低压环境，而腔室外部一般为大气环境。下文中将各个零部件上，靠近真空环境的一侧称为“内侧”、“内边缘”等，而将远离真空环境、靠近大气环境的一侧称为“外侧”、“外边缘”等。

腔室内的底部设有基座60，基座60上还设有静电夹具70，被处理的基板50（例如是半导体晶圆，玻璃基板等）放置于静电夹具70的顶面上。腔室的顶部设置有陶瓷材料（Al₂O₃）的介电窗10。向位于腔室外、介电窗10上方的线圈状的感应天线40施加RF射频电流，从而在腔室内位于被处理基板50上方与介电窗10底部之间的反应区域产生反应气体的等离子体。

所述腔室的侧壁30顶部设置有环盖20，腔室的侧壁30及环盖20分别由金属材料（例如是铝Al或其合金）制成。并且，该环盖20顶部由内边缘向外延伸的一定距离内开设为环状的槽，槽内设置有隔热圈80，通过环盖20上的该隔热圈80顶面来接触介电窗10的一部分底面（大致是介电窗10上由外边缘向内延伸的其中一部分底面）进行支撑。环盖20内部还分别开设有向腔室内输送气体的第一管道21，和供冷却液流通的第二管道22。

所述的隔热圈80可以由多种隔热或绝热材料制成，可以根据具体的工艺制程选择隔热圈80的相应材料，使得隔热圈80能够不受反应气体及其等离子体处理反应时的影响。优选的实施例中，所述隔热或绝热材料具有小于1W/（m-K）的导热系数。例如，隔热圈80可以使用特氟龙（Teflon）或石英材料制成。

优选的实施例中，参见图4所示，在环盖20顶部嵌入设置有O型密封圈23。可以将环盖20顶部上，从所述O型密封圈23内边缘下方的位置径向延伸至该环盖20内边缘的部分都去除，来形成上述用于安装隔热圈80的槽。则，可以调整隔热圈80上部的外侧边缘形状，使得隔热圈80的该外侧边缘能够与O型密封圈23的内边缘相贴合。隔热圈80的内侧边缘不超过其下方的环盖20的内边缘，两者可以相互对齐。

此时，介电窗10的整个底面都不会直接与环盖20的顶面接触；且O型密封圈23的顶面是低于隔热圈80的顶面，使得介电窗10底面的最外侧部分12是悬空设置于O型密封圈23的上方，相互也没有接触；则通过介电窗10底面上的次外侧部分13（即从最外侧部分12向内延伸的那一部分表面）与隔热圈80的顶面相接触。因此，隔热圈80的设置能够阻挡热量从介电窗10的边缘位置向环盖20传递，有效减少介电窗10中心位置到边缘位置的温度梯度。

在本发明所述的等离子体处理设备中，通过风冷结构对介电窗10实现散热。例如可以将风扇（图中未示出）布置在介电窗10的上方。

本发明通过其他一些实施例，还提供一种电感耦合型等离子反应器，设置有能够密闭的腔室，一个介电窗10安装到所述腔室的侧壁30顶部，介电窗10上方安装有电感线圈；其中，所述侧壁30顶部与介电窗10之间通过一个安装环相连接固定，所述安装环在与所述介电窗10相接触的上表面包括一个由低导热材料制成接触部，其中所述低导热材料具有小于1w/(m-K)的导热系数。优选的，所述接触部上表面具有至少一个沟槽。所述安装环还包括一气密环围绕在所述接触部外围。

以下提供了6个测试实例，与图5~图10所示的图表相对应，将现有技术与本发明所述的等离子体处理设备相比较，针对是否在环盖20上设置隔热圈80，以及选择不同材料或结构的隔热圈80等，测得介电窗10上中心位置到边缘位置的温度变化，以此来说明本发明减少温度梯度的有益效果。各图中横坐标表示介电窗10的任意位置到圆心之间的半径距离R，纵坐标表示介电窗10上该位置的温度。

而下表中例举了这些测试实例中，与介电窗10边缘位置进行接触的隔热圈80或环盖20的制作材料（第一列）及其在最后一行所示的温度（单位：开尔文）下的相应系数，例如是比热、热传导、密度、热膨胀、杨氏模量、泊松比、抗拉强度。最后一列中对某一项材料具体应用在哪个测试实例中进行说明。

如图5所示，现有技术所述的第1测试实例中，没有设置隔热圈80，而是使环盖20直接与介电窗10接触，因此，与介电窗10接触的位置相当于使用了铝Al。测试时，腔室的侧壁30及环盖20为25℃，介电窗10积蓄了2.3KW的热量，且使用了风量360CFM（立方英尺每分钟）的风扇作为风冷结构进行散热后，见图5的T-C曲线，介电窗10的中心位置的温度为134℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT约为107℃。则，本测试实例中得到的安全系数（safetymargin）为×2。其中，介电窗10的中心位置是指的是半径为0mm的位置，边缘位置指的是半径约为250mm的位置。而图5中示出的dX及dY曲线，分别是介电窗10在水平方向和垂直方向上的膨胀尺寸，其他如图6~图10中dX及dY曲线的意义相同。

则在下列进行的其他各项测试中，使用了与上述相同的风冷结构（即，风量360CFM的风扇）来散热，相同的腔室侧壁30及环盖20的温度（25℃），对于介电窗10中心位置与边缘位置的半径描述也基本一致（即，都是探查介电窗10上半径为0mm处到半径为250mm处的温度变化），因此，对这些测试条件的参数不再重复描述。

如图6所示，现有技术所述的第2测试实例中，也没有设置隔热圈80，环盖20直接与介电窗10接触。与上述测试例不同的是，介电窗10积蓄的热量不同，本例中积蓄了2.5KW的热量；以下的其他测试例中也都各自积蓄了2.5KW的热量；见图6的T-C曲线，本例中测得介电窗10的中心位置的温度为143℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT约为116℃，安全系数×1.9。因此，上述的第1测试实例与本测试实例类似，由于使环盖20与介电窗10直接接触，所以温度梯度巨大，安全系数低。

如图7所示的第3测试实例中，在环盖20上设置了8mm高的隔热圈80与介电窗10接触，且使用了与介电窗10使用的陶瓷材料相同的材料制成；以下的其他测试例中也都各自使用了同样高度（8mm）的隔热圈80。见图7的T-C曲线，本例中测得介电窗10的中心位置的温度为148℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT大于100℃（约107℃），安全系数×2。因此，本测试实例与上述实例1、2相比，温度梯度没有实际减小，安全系数也没有实际提升。

如图8所示的第4测试实例中，类似测试例3也在环盖20上设置了陶瓷材料的隔热圈80，并且，还改变了该隔热圈80的结构，例如在隔热圈80的顶面做出缺口等，以使隔热圈80与介电窗10接触的表面形状不同，减少了隔热圈80与介电窗10接触表面的面积近一半，以期能够减小导热能力。见图8的T-C曲线，本例中测得介电窗10的中心位置的温度为150℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT大于100℃（约105℃），安全系数×2。因此，本测试实例与上述实例1、2、3相比，温度梯度和安全系数都没有实质区别。

如图9所示的第5测试实例中，根据本发明的一个优选实施例使用了石英材料制成的隔热圈80与介电窗10接触，该隔热圈80的布置位置及形状等可以参见上文的描述。则，见图9的T-C曲线，本例中测得介电窗10的中心位置的温度为175℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT约75℃，安全系数×3.3。因此，本测试实例与上述测试实例1~4中任意一项相比，减少了温度梯度，安全系数也有所提升。

如图10所示的第6测试实例中，根据本发明的另一个优选实施例使用了特氟龙材料制成的隔热圈80与介电窗10接触，该隔热圈80的布置位置及形状等也可以同样参见上文的描述。则，见图10的T-C曲线，本例中测得介电窗10的中心位置的温度为185℃，介电窗10的中心位置到边缘位置之间的温度差ΔT约57℃，安全系数×4。因此，本测试实例与上述测试实例1~4中任意一项相比，大幅减少了温度梯度，安全系数也显著提升。

综上所述，本发明由于在环盖20上设置隔热/绝热材料的隔热圈80与介电窗10相接触，能够有效阻止热量从介电窗10的边缘位置向环盖20方向传导，因此，介电窗10的中心位置到边缘位置的温度相对更为平均，温度梯度减小，从而避免介电窗10因温差所造成的开裂现象，提供了一种安全性能更高的等离子处理设备。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (18)

1.一种温度隔离装置，用于等离子体处理设备；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔室的侧壁（30）顶部设置有环盖（20）；所述腔室的顶部由介电窗（10）构成，所述环盖（20）与所述介电窗（10）之间存在温度差；其特征在于：

所述温度隔离装置是设置在所述环盖（20）顶部的隔热圈（80）；所述隔热圈（80）的顶面，与所述介电窗（10）的一部分底面相接触，实现对介电窗（10）的支撑，从而隔绝介电窗（10）与所述环盖（20）之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗（10）向环盖（20）传导，减少介电窗（10）中心位置到边缘位置的温度梯度。

2.如权利要求1所述温度隔离装置，其特征在于，

所述的隔热圈（80）是由不受等离子体处理设备中进行的处理反应影响的隔热或绝热材料制成，所述隔热或绝热材料具有小于1W/（m-K）的导热系数。

3.如权利要求2所述温度隔离装置，其特征在于，

所述隔热圈（80）使用特氟龙或石英材料制成。

4.如权利要求1所述温度隔离装置，其特征在于，

所述介电窗（10）由陶瓷材料制成；所述环盖（20）由金属材料制成。

5.如权利要求1所述温度隔离装置，其特征在于，

在所述环盖（20）顶部切除了由环盖（20）内边缘向外径向延伸一段设定距离后的部分形成有环状槽，所述隔热圈（80）嵌设在该环状槽内。

6.如权利要求1所述温度隔离装置，其特征在于，

所述环盖（20）顶部嵌入设置有O型密封圈（23），所述隔热圈（80）的外侧边缘与所述O型密封圈（23）的内边缘相贴合；

所述介电窗（10）底面的最外侧部分（12）悬空设置于所述O型密封圈（23）的上方，所述介电窗（10）与所述O型密封圈（23）之间没有导热接触；

将所述介电窗（10）底面上从最外侧部分（12）向内径向延伸一段设定距离后的表面设为次外侧部分（13），则所述介电窗（10）底面的次外侧部分（13）与所述隔热圈（80）的顶面相接触。

7.一种等离子体处理设备，设置有如权利要求1中所述的温度隔离装置，其特征在于，所述等离子体处理设备设置有一个能够密闭的腔室，腔室内的底部设有基座（60），基座（60）上还设有静电夹具（70），被处理的基板（50）放置于静电夹具（70）的顶面上；

所述腔室的顶部由介电窗（10）构成；在腔室外、所述介电窗（10）的上方设置有感应天线（40），向所述感应天线（40）施加RF射频电流后，能够在腔室内位于被处理基板（50）上方与介电窗（10）底部之间的反应区域，产生引入该反应区域的反应气体的等离子体；

所述腔室的侧壁（30）顶部设置有环盖（20），所述环盖（20）与所述介电窗（10）之间存在温度差；所述环盖（20）顶部设置有隔热圈（80），并且，通过使所述隔热圈（80）的顶面，与所述介电窗（10）的一部分底面相接触，实现对介电窗（10）的支撑，从而隔绝介电窗（10）与所述环盖（20）之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗（10）向环盖（20）传导，减少介电窗（10）中心位置到边缘位置的温度梯度。

8.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述的隔热圈（80）是由不受等离子体处理设备中进行的处理反应影响的隔热或绝热材料制成，所述隔热或绝热材料具有小于1W/（m-K）的导热系数。

9.如权利要求8所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述隔热圈（80）使用特氟龙或石英材料制成。

10.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述介电窗（10）由陶瓷材料制成；所述环盖（20）由金属材料制成。

11.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

在所述环盖（20）顶部切除了由环盖（20）内边缘向外径向延伸一段设定距离后的部分形成了环状槽，所述隔热圈（80）嵌设在该环状槽内。

12.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述环盖（20）顶部嵌入设置有O型密封圈（23），所述隔热圈（80）的外侧边缘与所述O型密封圈（23）的内边缘相贴合；

所述介电窗（10）底面的最外侧部分（12）悬空设置于所述O型密封圈（23）的上方，所述介电窗（10）与所述O型密封圈（23）之间没有导热接触；

将所述介电窗（10）底面上从最外侧部分（12）向内径向延伸一段设定距离后的表面设为次外侧部分（13），则所述介电窗（10）底面的次外侧部分（13）与所述隔热圈（80）的顶面相接触。

13.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述等离子体处理设备中，通过设置在所述介电窗（10）上方的风冷结构，对该介电窗（10）进行散热。

14.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述环盖（20）内部分别开设有能够向所述腔室内输送气体的第一管道（21），和供冷却液流通以降低环盖（20）温度的第二管道（22）。

15.如权利要求7所述等离子体处理设备，其特征在于，

所述腔室内部为真空或低压环境，所述腔室外部为大气环境。

16.一种电感耦合型等离子反应器，所述等离子反应器设置有能够密闭的腔室，一个介电窗（10）安装到所述腔室的侧壁（30）顶部，介电窗（10）上方安装有电感线圈；其特征在于：

所述侧壁（30）顶部与介电窗（10）之间通过一个安装环相连接固定，所述安装环在与所述介电窗（10）相接触的上表面包括一个由低导热材料制成接触部，其中所述低导热材料具有小于1w/(m-K)的导热系数。

17.如权利要求16所述等离子反应器，其特征在于，所述接触部上表面具有至少一个沟槽。

18.如权利要求16所述等离子反应器，其特征在于，所述安装环还包括一气密环围绕在所述接触部外围。