CN103792741B - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少显示装置的色偏现象，改善显示效果。阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元的宽度相等，每个子像素单元对应一个第一电极，第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，每个像素单元中不同子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔不完全相等；任意子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，A为子像素单元的宽度，Q为子像素单元对应的第一电极的条状结构的个数，D为子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔，W为子像素单元对应的第一电极的条状结构的宽度。本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，应用于显示技术领域。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD（ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示装置）中的液晶面板主要由阵列基板、彩膜基板及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层构成，阵列基板和彩膜基板上分别设置有两个偏振方向完全垂直的偏振片。TFT-LCD工作时，背光源发出的光线照射阵列基板，根据输入到TFT-LCD上的图像数据决定光线经过液晶层和彩色基板的透过率，显示面板根据不同透过率可以显示出不同的色彩灰度，并依此来显示图像。
彩膜基板上有规律排列红、绿、蓝三种颜色的彩色树脂，分别对应红、绿、蓝三种颜色的子像素单元，三个不同颜色的子像素单元组成一个像素。TFT-LCD工作时的背光源是白光，通常由红、绿、蓝三原色混合而成，所述白光经过阵列基板侧的偏振片之后成为线偏振白光，所述线偏振光通过液晶层之后的偏振方向受到液晶层厚度和液晶偏转角度的影响，通常的，LCD中红、绿、蓝三种子像素单元对应的像素电极或者公共电极的结构相同且电压相等，使得红、绿、蓝三种子像素单元的液晶偏转角度相同，因此当白色光线经过液晶厚度相等且液晶偏转角度相同的液晶层后，由于构成白色光线的红，绿，蓝三色光的偏振角度不同，然后这三种光线经过彩膜基板侧的偏振片，使得三种光的透过率不等，这种现象会导致经过三个子像素单元的出射光的光强比例不相等，进而使得三种出射光混合后表现出来的颜色与白光的颜色之间有色偏，在显示图像的时候由于所述色偏的影响，使得所显示的图像与原有图像之间有差异，影响显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够减少显示装置的色偏现象，改善显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，
其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；
任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。
可选的，每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；
其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d1；
所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d2；
所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d3；
所述d1，所述d2和所述d3满足d1=d2<d3。
可选的，所述d1为4um，所述d2为4um，所述d3为6um。
可选的，所述d1为4.5um，所述d2为4.5um，所述d3为6.5um。
一方面，本发明实施例提供一阵显示装置，其特征在于，包括：
以上所述的任意一种所述的阵列基板。
一方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，所述方法包括：
针对任意一个子像素单元，在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极；
其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；
任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。
可选的，所述在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极包括：
在形成有薄膜晶体管TFT基板上沉积第二透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成第二电极；
在形成有所述第二电极的基板上上形成钝化层；
在形成有所述钝化层的基板上上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极。
可选的，每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；
其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d1；
所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d2；
所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d3；
所述d1，所述d2和所述d3满足d1=d2<d3。
可选的，所述d1为4um，所述d2为4um，所述d3为6um。
可选的，所述d1为4.5um，所述d2为4.5um，所述d3为6.5um。
本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个像素单元可以包括多个子像素单元，每个所述子像素单元对应一个所述第一电极，所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度，以解决由于阵列基板包括的像素单元中包括的每个子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔相等，使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单元的出射光的透过率差异较大，从而导致所述像素单元产生的色偏问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的像素单元的结构图；
图2为本发明实施例提供的一种像素单元的平面结构图；
图3为本发明实施例提供的沿图2中A-A线的一种像素单元的剖面结构图；
图4为本发明实施例提供的一种像素单元的电压透过率曲线图；
图5为本发明实施例提供的另一种像素单元的电压透过率曲线图；
图6为本发明实施例提供的又一种像素单元的电压透过率曲线图；
图7为本发明实施例提供的再一种像素单元的电压透过率曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术中，阵列基板包括阵列排布的多个的像素单元，所述像素单元的结构如图1所示，图1所示的像素单元10包括三个子像素单元，分别为红子像素单元101，绿子像素单元102，蓝子像素单元103，其中每一个子像素单元对应一个第一电极011，所述第一电极011包括三个等间隔设置的条状结构，所述三个条状结构的两端相互连接，使得条状结构上的电压稳定相等。其中红子像素单元101对应的第一电极011的三个条状结构两两间隔相等，且间隔为e；绿子像素单元102对应的第一电极011的三个条状结构两两间隔相等，且间隔也为e；蓝子像素单元103对应的第一电极011的三个条状结构两两间隔相等，且间隔同样为e。当第一电极011上的电压相同时，使得三个子像素单元对应的液晶偏转同样的角度，这时背光源的光线经过第一个偏光片之后得到线偏振光，该线偏振光经过液晶偏转角度相同的红子像素单元101、绿子像素单元102、蓝子像素单元103和彩膜基板之后，得到的出射光线分别为线偏振红光、线偏振绿光、线偏振蓝光，由于该线偏振红光、线偏振绿光、线偏振蓝光的偏振角度不同，因此，在经过第二个偏光片之后得到的红光、绿光、蓝光的透过率差异较大，此时由所述红光、绿光、蓝光三色光混合成的白光有色偏现象。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元20，每个所述像素单元20包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极011，实际应用中，所述第一电极011可以是像素电极，也可以是公共电极，本发明实施例对此不做限定，每个所述第一电极011包括多个等间隔设置的条状结构，每个所述像素单元20中不同子像素单元对应的所述第一电极011的条状结构的间隔不完全相等，因此每个所述像素单元20中不同子像素单元对应的液晶分子的偏转角度是不完全相等的，根据实际需要调整所述像素单元20中不同子像素单元对应的所述第一电极011的条状结构的间隔，可以使得经过所述像素单元20中不同子像素单元得到的多个偏振光的偏振角度相同，进而使得由所述多个偏振光混合成的白光没有色偏。
其中，该阵列基板中的任意一个子像素单元满足公式Q·W+(Q-1)D<A，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。
这样一来，由于每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等，可以根据实际需要，设置所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，相较于现有技术，使得经过所述像素单元中不同子像素单元得到的多个偏振光的偏振角度相同，从而使得所述多个偏振光的经过偏光片之后透过率基本相等，减小了由于每个子像素单元的出射光的透过率差异较大而导致的显示面板的色偏问题，改善显示效果。
具体的，如图2和图3所示，图2为像素单元20的平面图，图3为像素单元20沿图2中A-A线剖切得到的剖面图，所述阵列基板的每个所述像素单元20中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元201，绿子像素单元202，蓝子像素单元203，三个子像素单元的宽度均为a，且三个子像素单元对应的第一电极011均包括3个条状结构，其中，所述红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的间隔为d1；所述绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔为d2；所述蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔为d3；所述d1，所述d2和所述d3满足d1=d2<d3，根据现有技术可知，若d1=d2=d3，则线偏振白光经过红子像素单元201，绿子像素单元202和蓝子像素单元203和彩膜基板之后，得到的线偏振红光，线偏振绿光，线偏振蓝光的偏振角度不一样，经过彩膜基板侧的偏光片之后，使得线偏振蓝光的透过率明显小于线偏振红光或线偏振绿光的透过率，因此增大蓝子像素单元203对应的第一电极的条状结构的间隔d3，或者减小红子像素单元201和绿子像素单元202对应的第一电极的条状结构的间隔d1和d2，使得d1=d2<d3，可以使得经过红子像素单元201，绿子像素单元202，蓝子像素单元203和彩膜基板之后得到的线偏振红光，线偏振绿光，线偏振蓝光的偏振角度基本相同，进而使得经过彩膜基板侧的偏光片之后，得到的红光、绿光、蓝光的透过率基本一致，减小了由于每个子像素单元的出射光的透过率差异较大而导致的显示面板的色偏问题，改善显示效果。
示例的，可以通过增大蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔使得最终出射的红光、绿光、蓝光的透过率基本一致，以模拟结果为例进行说明，模拟时设置一个像素单元20包含红子像素单元201、绿子像素单元202和蓝子像素单元203，光线透过子像素单元、彩膜基板和彩膜基板侧的偏光片后的出射光分别为波长为630nm的红光，波长为550nm的绿光，波长为430nm的蓝光，当红子像素单元201、绿子像素单元202和蓝子像素单元203所对应的第一电极011的条状结构宽度均为2um，间隔均为4um时，所述三个子像素单元的电压透过率曲线如图4所示，由图4可看出，当第一电极所加的电压c满足2V≤c≤6V时，三个子像素单元的光线透过率差异较大，尤其是蓝子像素单元203出射的波长为430nm的蓝光的透过率明显小于红子像素单元201和绿子像素单元202出射的波长为630nm的红光和波长为550nm的绿光的透过率，其中V为电压单位伏。当三个子像素单元中的蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔增大时，即红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d1为4um，绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d2为4um，蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d3为6um时，所述三个子像素单元的电压透过率曲线如图5所示，由图5可以看出，当第一电极011所加的电压c满足2V≤c≤6V时，这三个子像素单元的光线透过率基本保持相同，显著改善了由于三个子像素单元的光线透过率不相等造成的色偏。
示例的，可以通过减小红子像素单元201和绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔使得最终出射的红光、绿光、蓝光的透过率基本一致，以模拟结果为例进行说明，在进行模拟时光线通过子像素单元、彩膜基板和彩膜基板侧的偏光片后的出射光分别为波长为630nm的红光，波长为550nm的绿光，波长为430nm的蓝光，当红子像素单元201、绿子像素单元202和蓝子像素单元203所对应的第一电极011的条状结构宽度均为2um，间隔均为6.5um时，所述三个子像素单元的电压透过率曲线如图6所示，由图6可看出，当第一电极所加的电压c满足2V≤c≤6V时，三个子像素单元的光线透过率差异较大。当三个子像素单元中的红子像素单元201和绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔减小时，即红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d1为4.5um，绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d2为4.5um，蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的宽度为2um，间隔为d3为6.5um时，所述三个子像素单元的电压透过率曲线如图7所示，由图7可以看出，当第一电极011所加的电压c满足2V≤c≤6V时，这三个子像素单元的光线透过率基本保持相同，显著改善了由于三个子像素单元的光线透过率不相等造成的色偏。
本发明实施例提供的阵列基板，由于阵列基板包括的每个像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等，相较于现有技术，使得经过所述像素单元中不同子像素单元得到的多个偏振光的偏振角度相同，进而使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单元的出射光的透过率基本保持相同，减小了显示色差，改善了显示效果。
本发明实施例提供一种显示装置，包括本发明任意一个实施例所述的阵列基板，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元可以包括多个子像素单元，每个子像素单元对应一个第一电极，所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。所述阵列基板与彩膜基板和位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层构成显示装置，使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单元的出射光的透过率基本保持相同，减小了显示色差，改善了显示效果。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元20，每个所述像素单元20包括多个子像素单元，每个所述子像素单元对应一个第一电极011，每个所述第一电极011包括多个等间隔设置的条状结构，所述方法包括：
针对任意一个子像素单元，在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极011；或者，首先在形成有薄膜晶体管TFT基板上沉积第二透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成第二电极，然后在形成有所述第二电极的基板上形成钝化层，在形成有所述钝化层的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极011。
其中，每个所述像素单元20中不同子像素单元对应的所述第一电极011的条状结构的间隔不完全相等，任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D<A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。
这样一来，由于每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等，可以根据实际需要，设置所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，相较于现有技术，使得经过所述像素单元中不同子像素单元得到的多个偏振光的偏振角度相同，从而使得所述多个偏振光的经过偏光片之后透过率基本相等，减小了由于每个子像素单元的出射光的透过率差异较大而导致的显示面板的色偏问题，改善显示效果。
具体的，每个所述像素单元20中可以包括三个子像素单元，分别为红子像素单元201，绿子像素单元202，蓝子像素单元203，每个子像素单元对应的第一电极011均包括三个条状结构，即所述Q=3；其中，所述红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的间隔为d1；所述绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔为d2；所述蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔为d3；所述d1，所述d2和所述d3满足d1=d2<d3。
特别的，在形成第一电极011时，所述红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的间隔为4um，即所述d1为4um；所述绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔为4um，即所述d2为4um，所述蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔为6um，即所述d3为6um；或者所述红子像素单元201对应的第一电极011的条状结构的间隔为4.5um，即所述d1为4.5um，所述绿子像素单元202对应的第一电极011的条状结构的间隔为4.5um，即所述d2为4.5um，所述蓝子像素单元203对应的第一电极011的条状结构的间隔为6.5um，即所述d3为6.5um。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，包括针对任意一个子像素单元，在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极；或者，首先在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第二透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成第二电极，然后在所述第二电极上形成钝化层，在所述钝化层上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极，使得每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等，相较于现有技术，使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单元的出射光的透过率更加匹配，改善了显示效果。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其特征在于，
每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；
任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D＜A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度；
每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；
其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d1；
所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d2；
所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d3；
所述d1，所述d2和所述d3满足d1＝d2＜d3。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述d1为4um，所述d2为4um，所述d3为6um。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述d1为4.5um，所述d2为4.5um，所述d3为6.5um。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1至权利要求3任意一项权利要求所述的阵列基板。
5.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个子像素单元，每个所述子像素单元的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第一电极，每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，其特征在于，所述方法包括：
针对任意一个子像素单元，在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极；
其中，每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔不完全相等；
任意一个所述子像素单元满足Q·W+(Q-1)D＜A，其中，所述A为所述子像素单元的宽度，所述Q为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数，所述D为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔，所述W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度；
每个所述像素单元中包括三个子像素单元，分别为红子像素单元，绿子像素单元，蓝子像素单元，每个子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个数Q为3；
其中，所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d1；
所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d2；
所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构的间隔为d3；
所述d1，所述d2和所述d3满足d1＝d2＜d3。
6.根据权利要求5所述的一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在形成有薄膜晶体管TFT结构的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板上沉积第二透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成第二电极；
在形成有所述第二电极的基板上形成钝化层；
在形成有所述钝化层的基板上沉积第一透明导电薄膜层，通过一次构图工艺形成所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的一种阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述d1为4um，所述d2为4um，所述d3为6um。
8.根据权利要求6所述的一种阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述d1为4.5um，所述d2为4.5um，所述d3为6.5um。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103792741B (zh) 2014-01-23 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104536190B (zh) * 2014-12-29 2018-02-23 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板
TWI528092B (zh) * 2015-01-28 2016-04-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
KR20170041929A (ko) * 2015-10-07 2017-04-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN106125185B (zh) * 2016-08-29 2019-02-26 武汉华星光电技术有限公司 显示屏及其偏光片
CN106154658B (zh) * 2016-09-26 2023-07-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及显示面板的设计方法
CN109239992A (zh) * 2018-10-11 2019-01-18 惠科股份有限公司 一种像素电极结构及显示装置
CN111487796B (zh) * 2019-01-28 2023-08-11 瀚宇彩晶股份有限公司 显示面板
WO2023123144A1 (zh) * 2021-12-30 2023-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476900B1 (en) * 1997-12-17 2002-11-05 Hyundai Display Technology Inc. Liquid crystal display
CN101206359A (zh) * 2006-12-14 2008-06-25 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
CN202995918U (zh) * 2012-04-23 2013-06-12 深圳市华信智能科技有限公司 一种互联网支付终端
CN103176315A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 群康科技(深圳)有限公司 显示装置和电子装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI225959B (en) * 2002-04-19 2005-01-01 Toshiba Corp Liquid crystal display
JP4476137B2 (ja) * 2005-02-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2009104016A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
WO2009098747A1 (ja) 2008-02-04 2009-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP2009300627A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
KR101528494B1 (ko) * 2008-08-27 2015-06-12 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이를 갖는 액정표시패널 및 이 액정표시패널의 제조 방법
JP5238571B2 (ja) * 2009-03-25 2013-07-17 株式会社東芝 液晶表示装置
JP5589408B2 (ja) * 2010-01-28 2014-09-17 三菱電機株式会社 液晶表示装置
US9046728B2 (en) * 2010-01-29 2015-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
TWI471664B (zh) * 2011-12-20 2015-02-01 Innolux Corp 顯示裝置和電子裝置
CN102819153B (zh) * 2012-08-10 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、液晶面板及液晶显示装置
CN103018991B (zh) * 2012-12-24 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103187423B (zh) * 2013-02-04 2016-03-23 合肥京东方光电科技有限公司 一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板
CN103792741B (zh) 2014-01-23 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476900B1 (en) * 1997-12-17 2002-11-05 Hyundai Display Technology Inc. Liquid crystal display
CN101206359A (zh) * 2006-12-14 2008-06-25 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
CN103176315A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 群康科技(深圳)有限公司 显示装置和电子装置
CN202995918U (zh) * 2012-04-23 2013-06-12 深圳市华信智能科技有限公司 一种互联网支付终端

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