CN103731078B - 提升mos电晶体散热能力的电路结构 - Google Patents

Abstract

一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，应用于一马达，该电路结构包括一马达驱动单元及一信号处理单元，该信号处理单元连接该马达驱动单元，通过该信号处理单元分别维持该马达驱动单元的第一、三开关件的导通电压恒定，并再分别提高增大该马达驱动单元的第二、四开关件的导通电压，借以有效达到提升该第一、二、三、四开关件的散热能力的效果。

Description

提升MOS电晶体散热能力的电路结构

技术领域

本发明是有关于一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，尤指一种具有散热能力佳的提升MOS电晶体散热能力的电路结构。

背景技术

随着科技的进步与电脑产业的发展，轻巧的电子产品，如笔记型电脑，已日渐成为市场主流。在此轻薄短小的电子产品中，散热能力的优劣往往影响到系统的稳定性，产品的效能，甚至是产品的使用年限。以电脑系统而言，为了能够使电脑系统所产生的热能能够快速地散逸，通常电脑系统配装风扇以作为散热装置，以使得电脑系统得以在适当的温度环境之下正常运作。

一般来说，使用于电脑系统中用以散热的风扇多由无刷直流马达来驱动。请参照第1图所示，目前现有的直流马达驱动电路主要是由一控制晶片10传送一脉宽调变讯号(PulseWidthModulation，PWM)给马达驱动单元12，以驱动马达运转，但是该马达驱动单元12内的P型金氧半场效(PMOS)电晶体于输入电源为低(Low)电压时，此时PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(即所称的Vgs)会较小，使得PMOS电晶体在非完全导通的情况下，导致PMOS电晶体的内阻(即所称导通电阻，Rds)变大，相对的导通功率也随之变大，进而由于PMOS电晶体的导通电阻(Rds)与其的结温有关系，所使得Tc与Tj亦随着导通电阻(Rds)而变大，以致于造成Tj降额不足的问题；

若当输入电压为高(High)电压时，该PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(即所称的Vgs)较大，容易造成超出PMOS的Vgs规格值的风险，或是出现Vgs降额不足的问题。

此外，因控制晶片10的操作电压与输出信号(即PWM讯号)的高电平电压均为5伏特(V)，主要是用以作为该马达驱动单元12内的N型金氧半场效(NMOS)电晶体的闸极与源极间的导通电压(即NMOS电晶体的Vgs的导通电压)，但此高电平电压5伏特相对较小，让NMOS电晶体并非完全导通，以导致NMOS电晶体的导通电阻(Rds)变大，相对的导通功率也随之变大，进而由于NMOS电晶体导通电阻(Rds)与其的结温(Tj)有关系，所使得NMOS的表面温度(Tc)与Tj亦随着导通电阻(Rds)而变大，进而造成易出现Tj降额不足的问题，因此俾使马达驱动单元12内的NMOS电晶体与PMOS电晶体的散热能力一直无法有效提升改善。

以上所述，公知技术具有下列的缺点：

1.散热能力不佳；

2.PMOS电晶体的Vgs无法稳压，以导致容易发生超出PMOS电晶体的导通电压规格的风险及Tj降额不足。

3.NMOS电晶体的Vgs导通电压无法有效增大，以导致Tj降额不足。

因此，要如何解决上述现有的问题与缺失，即为本案的创作人与从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。

发明内容

本发明的另一目的，是在提供一种维持稳压该马达驱动单元内的PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决PMOS电晶体的结温(Tj)降额不足，以及降低PMOS电晶体的Vgs导通电压超出元件规格的风险。

本发明的另一目的，是在提供一种增大该马达驱动单元内的NMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决NMOS电晶体的结温(Tj)降额不足。

为达上述目的，本发明是提供一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，应用于一马达，该电路结构包括一马达驱动单元及一信号处理单元，该马达驱动单元包含一第一开关件、一第二开关件、一第三开关件及一第四开关件，该第一、二、三、四开关件各具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一、三开关件的第三端分别连接对应该第二、四开关件的第三端，该第一、二开关件的第二端分别连接对应该第三、四开关件的第二端；

而前述信号处理单元包含一第一稳压器、一第二稳压器、一第一增压器及一第二增压器，该第一稳压器一端连接该第一开关件的第一端，其另一端分别连接该第一开关件的第二端及一输入电压，并用以稳压该第一开关件的第一、二端间的电压，该第二稳压器的一端连接该第三开关件的第一端，其另一端分别连接该第三开关件的第二端及该输入电压，并用以稳压该第三开关件的第一、二端间的电压；所述第一增压器连接相对该第二开关件的第一端，其将接收一第一讯号的电压提高以输出至该第二开关件的第一端，该第二增压器连接相对该第四开关件的第一端，其将接收一第二讯号的电压提高以输出至该第四开关件的第一端；通过本发明此电路结构的设计，得有效达到提升该马达驱动单元其内的第一、二、三、四开关件的散热能力的效果，进而更有效解决第一、二、三、四开关件的结温(Tj)降额不足的效果。

附图说明

图1是公知的方块示意图；

图2是本发明的较佳实施例的方块示意图；

图3是本发明的较佳实施例的另一方块示意图；

图4是本发明的较佳实施例的电路示意图。

主要元件符号说明

马达驱动单元2第六电阻...R6

第一开关件...21第七电阻...R7

第二开关件...22第八电阻...R8

第三开关件...23第九电阻...R9

第四开关件...24第十电阻...R10

第一端...211、

221、

231、

241第十一电阻...R11

第二端...212、

222、

232、

242第十二电阻...R12

第三端...213、

223、

233、

243第一运算放大器...OP1

信号处理单元...3第十三电阻...R13

第一稳压器...31第十四电阻...R14

第二稳压器...32第十五电阻...R15

第一增压器...34第十六电阻...R16

第二增压器...35第二运算放大器...OP2

控制晶片...4第十七电阻...R17

第一节点...A1第十八电阻...R18

第二节点...A2第十九电阻...R19

第一稳压二极体...Z1第二十电阻...R20

第一电容...C1第一二极体...D1

第一电阻...R1第二二极体...D2

第二电阻...R2第三稳压二极体...Z3

第三电阻...R3第三电容...C3

第四电阻...R4第四电容...C4

第一电晶体...Q1第五电容...C5

第二电晶体Q2第二十一电阻...R21

第二稳压二极体...Z2输入电压...Vin

第二电容...C2工作电压...V1

第五电阻...R5霍尔元件...5

具体实施方式

本发明的上述目的及其结构与功能上的特性，将依据所附图式的较佳实施例予以说明。

本发明提供一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，请参阅第2、3图示，显示本发明的较佳实施例的方块及电路示意图，该电路结构应用于一马达，且于该较佳实施例将该电路结构使用在直流风扇的马达做说明；并所述电路结构包括一马达驱动单元2及一信号处理单元3，该信号处理单元3分别连接一控制晶片4(IC)及马达驱动单元2，该马达驱动单元2包含一第一开关件21、一第二开关件22、一第三开关件23及一第四开关件24，该第一、二、三、四开关件21、22、23、24各具有一第一端211、221、231、241、一第二端212、222、232、242及一第三端213、223、233、243。

另者前述该第一、三开关件21、23的第三端213、233分别连接对应该第二、四开关件22、24的第三端223、243，亦即该第一开关件21的第三端213电性连接该第二开关件22的第三端223，且其彼此连接间形成有一第一节点A1，该第一节点A1电性连接相对该马达(图中未示)的一端，而该第三开关件23的第三端233电性连接该第四开关件24的第三端243，且其彼此连接间形成有一第二节点A2，该第二节点A2电性连接该马达的另一端。

再者前述第一、二开关件21、22的第二端212、222分别连接对应该第三、四开关件23、24的第二端232、242，亦即该第一开关件21的第二端212电性连接该第三开关件23的第二端232，该第二开关件22的第二端222则电性连接该第四开关件24的第二端242。

续参阅第3图示，前述信号处理单元3包含一第一稳压器31、一第二稳压器32、一第一增压器34及一第二增压器35，该第一稳压器31的一端连接该第一开关件21的第一端211，其另一端分别连接该第一开关件21的第二端212及一输入电压Vin；并该第一稳压器31用以稳压该第一开关件21的第一、二端211、212间的电压(即所称之Vgs，导通电压)，且于该较佳实施例的第一稳压器31的两端电压稳定维持在12伏特(V)做说明，但并不局限于此，于本发明实际实施时，使用者可以根据想稳定电压维持在某一电压值需求，设计选用第一稳压器31的规格而有不同稳定电压值，如选用第一稳压器31的规格为13伏特(或13伏特以上)，使该第一稳压器31两端的电压稳定维持在13伏特。

所以借由该第一稳压器31对接收的输入电压Vin稳压，使该第一开关件21的第一、二端211、212间施加的导通电压(Vgs)维持恒定，进而让该第一开关件21导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第一开关件21的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第一开关件21的Tj降额不足的问题，且还有效达到第一开关件21的第一、二端211、212间的电压(Vgs)不超出容许电压规格。

另者，所述第二稳压器32的一端连接该第三开关件23的第一端231，其另一端分别连接该第三开关件23的第二端232及该输入电压Vin，且前述第二稳压器32用以稳压该第三开关件23的第一、二端231、232间的电压(即所称之Vgs，导通电压)，换言之，就是借由第二稳压器32维持该第三开关件23的第一、二端231、232间的导通电压(Vgs)恒定；并于该较佳实施例的第二稳压器32与第一稳压器31一样都是两端电压稳定维持在12伏特(V)做说明，但并不局限于此，合先陈明。

所以借由该第二稳压器32对接收的输入电压Vin稳压，使对该第三开关件23的第一、二端231、232间施加的导通电压(Vgs)维持恒定，进而让该第三开关件23导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第三开关件23的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第三开关件23的Tj降额不足的问题，且还有效达到第三开关件23的第一、二端231、232间的电压(Vgs)不超出容许电压规格。

又者，前述第一增压器34连接相对该第二开关件22的第一端221，其将接收该控制晶片4传送的第一讯号的电压提高(或增大)以输出至该第二开关件22的第一端221，使对该第二开关件22的第二端222与第一端221间施加的导通电压(Vgs)增大，进而让该第二开关件22导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第二开关件22的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第二开关件22的Tj降额不足的问题。

再者，前述第二增压器35连接相对该第四开关件24的第一端241，其将接收一第二讯号的电压提高(或增大)以输出至该第四开关件24的第一端241，使对该第四开关件24的第二端242与第一端241间施加的导通电压(Vgs)增大，进而让该第四开关件24导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第四开关件24的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第四开关件24的Tj降额不足的问题。其中前述第一、二讯号为一PWM(PulseWidthModulation)讯号。

续参照第3、4图所示，将就各结构详细说明：

前述第一开关件21于该较佳实施例以一P型金氧半场效(PMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中该第一开关件21的第一端211是闸极，其第二端212是源极，其第三端213是汲极；该第二开关件22包含一第一MOS电晶体Q3、一第九电阻R9及一第十电阻R10，该第一MOS电晶体Q3的源极为该第二开关件22的第二端222，其汲极为该第二开关件22的第三端223，该第九电阻R9的一端分别连接至该第一MOS电晶体Q3的闸极及第十电阻R10的一端，其另一端为该第二开关件22的第一端221，而该第十电阻R10的另一端连接该接地端。其中前述第一MOS电晶体Q3于该较佳实施为一N型金氧半场效(NMOS)电晶体做说明。

另者所述第三开关件23于该较佳实施例以一P型金氧半场效(PMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中第三开关件23的第一端231是闸极，其第二端232是源极，其第三端233是汲极；该第四开关件24包含一第二MOS电晶体Q4、一第十一电阻R11及一第十二电阻R12，该第二MOS电晶体Q4的源极为该第四开关件24的第二端242，其汲极为该第四开关件24的第三端243，该第十一电阻R11的一端分别连接至该第二MOS电晶体Q4的闸极及第十二电阻R12的一端，其另一端为该第四开关件24的第一端241，并该第十二电阻R12的另一端连接该接地端。其中前述第二MOS电晶体Q4于该较佳实施为一N型金氧半场效(NMOS)电晶体做说明。

又者所述第一稳压器31包含一第一稳压二极体Z1、一第一电容C1、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第三电阻R3、一第四电阻R4及一第一电晶体Q1，其中该第一电容C1的一端与该第一开关件21的第二端212(源极)、第一稳压二极体Z1的阴极、第一电阻R1一端及该输入电压Vin共同连接，该第一电容C1的另一端则与该第一开关件21的第一端211(闸极)、第一稳压二极体Z1的阳极及第一电阻R1的另一端共同连接一起。

于该较佳实施例的第一稳压二极体Z1以稽纳二极体(Zenerdiode)做说明，但并不局限于此，于具体实施时，凡是可用来稳压的元件即为本发明所称的第一稳压二极体Z1。所以通过该第一稳压二极体Z1对接收的输入电压Vin进行稳压，使该第一开关件21的闸极与源极间施加的电压(Vgs)维持恒定，进而让该第一开关件21导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第一开关件21的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第一开关件21的Tj降额不足的问题，且还有效达到第一开关件21的闸极与源极(即第一、二端211、212)间的电压(Vgs)不超出容许电压规格。

再者前述第二电阻R2的一端分别连接该第一电阻R1的另一端与第三电阻R3一端，其另一端分别连接该第三电阻R3的另一端与第一电晶体Q1的集极，并该第一电晶体Q1的基极及射极分别连接该第四电阻R4一端及一接地端，该第四电阻R4的另一端接收所述控制晶片4输出的一驱动电压，以驱动(或触发)该第一电晶体Q1而导通。

请参阅第3、4图示，前述第二稳压器32包含一第二稳压二极体Z2、一第二电容C2、一第五电阻R5、一第六电阻R6、一第七电阻R7、一第八电阻R8及一第二电晶体Q2，该第二电容C2的一端则与该第三开关件23的第二端232(源极)、第二稳压二极体Z2的阴极、第五电阻R5的一端及该输入电压Vin共同连接，该第二电容C2的另一端则与该第三开关件23的第一端231(闸极)、第二稳压二极体Z2的阳极及第五电阻R5的另一端共同连接；所以通过该第二稳压二极体Z2对接收的输入电压Vin稳压，使该第三开关件23的闸极与源极间施加的电压(Vgs)维持恒定，进而让该第三开关件23导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第三开关件23的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，因此使得有效解决该第三开关件23的Tj降额不足的问题，且还有效达到第三开关件23的第一、二端231、232间的电压(Vgs)不超出容许电压规格。

另者所述第六电阻R6一端分别连接该第五电阻R5的另一端与第七电阻R7一端，其另一端分别连接该第七电阻R7的另一端与第二电晶体Q2的集极，并该第二电晶体Q2的基极连接该第八电阻R8一端，其射极接收该驱动电压，该第八电阻R8的另一端接收前述控制晶片4输出的一操作电压；其中该控制晶片4的操作电压于该较佳实施例以5伏特(V)做说明，但并不局限于此。

续参阅第3、4图示，前述电路结构还包含一第一二极体D1、一第二二极体D2、一第三稳压二极体Z3、一第三电容C3、一第四电容C4、一第五电容C5及一第二十一电阻R21，其中该第三稳压二极体Z3的阴极与该第五电阻R5一端及第三电容C3一端共同连接，并该第三电容C3的一端与该第一、二二极体D1、D2的阴极及第四、五电容C4、C5的一端共同连接，其另一端则与该第四、五电容C4、C5的另一端及该第三稳压二极体Z3的阳极共同连接至该接地端。

另者前述第一、二二极体D1、D2的阳极分别连接该输入电压Vin，且该第二十一电阻R21的一端与该第二开关件22的第二端222及该第四开关件24的第二端242共同连接，其另一端连接该接地端，亦即第二十一电阻R21的一端与该第一MOS电晶体Q3的源极及该第二MOS电晶体Q4的源极共同连接，其另一端连接至接地端。

又者前述第一增压器34包含一第一运算放大器OP1(OperationalAmplifier，OPA)、一第十三电阻R13、一第十四电阻R14、一第十五电阻R15及一第十六电阻R16，所述第一运算放大器OP1具有一正端、一负端、一输出端、一负电源供应端及一正电源供应端，该负电源供应端连接该接地端，该正电源供应端接收一工作电压V1，该输出端连接该第九电阻R9的另一端(即该第二开关件22的第一端221)。其中该工作电压V1由连接的一稳压电路(图中未示)所提供的电压，于该较佳实施例的工作电压V1以12伏特(V)做说明。

再者前述第一运算放大器OP1的正端分别连接该第十三电阻R13一端及该第十六电阻R16一端，且该第十三电阻R13的另一端则接收前述控制晶片4传送的第一讯号，该第十六电阻R16的另一端则连接至接地端；并该第一运算放大器OP1的负端分别连接该第十四电阻R14一端及第十五电阻R15一端，且该第十四电阻R14的另一端连接至接地端，该第十五电阻R15的另一端则与该第一运算放大器OP1的输出端及第九电阻R9的另一端共同连接。

所以通过第一运算放大器OP1将接收的第一讯号的电压提高(或增大)，并经由该第一运算放大器OP1的输出端输出至该第二开关件22的第一端221，使对该第二开关件22的第一MOS电晶体Q3的源极与闸极间施加的导通电压(Vgs)增大，进而让该第一MOS电晶体Q3导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第一MOS电晶体Q3的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，故有效解决该第二开关件22的第一MOS电晶体Q3的Tj降额不足的问题。

参阅第4图示，前述第二增压器35包含一第二运算放大器OP2、一第十七电阻R17、一第十八电阻R18、一第十九电阻R19及一第二十电阻R20，该第二运算放大具有一正端、一负端、一输出端、一负电源供应端及一正电源供应端，该第二运算放大器OP2的负电源供应端连接该接地端，其该正电源供应端连接该工作电压V1，其该输出端连接该第十一电阻R11的另一端(即该第四开关件24的第一端241)。

另者前述第二运算放大器OP2的正端分别连接该第十七电阻R17一端及第二十电阻R20一端，且该第十七电阻R17的另一端则接收该控制晶片4传送的第二讯号，该第二十电阻R20的另一端则连接该接地端；并该第二运算放大器OP2的负端分别连接该第十八电阻R18一端及第十九电阻R19一端，且该第十八电阻R18的另一端连接至接地端，该第十九电阻R19的另一端与该第二运算放大器OP2的输出端及第十一电阻R11的另一端共同连接。

所以通过第二运算放大器OP2将接收的第二讯号的电压提高(或增大)，并经由该第二运算放大器OP2的输出端输出至该第四开关件24的第一端241，使对该第四开关件24的第二MOS电晶体Q4的源极与闸极间施加的导通电压(Vgs)增大，进而让该第二MOS电晶体Q4导通时的导通电阻(Rds)变小，相对地该第二MOS电晶体Q4的结温温度(Tj)与其表面温度(Tc)亦会随着导通电阻(Rds)而变小，故有效解决该第四开关件24的第二MOS电晶体Q4的Tj降额不足的问题。

请参阅第3、4图示，前述控制晶片4具有一第一接脚、一第二接脚、一第三接脚、一第四接脚、一第五接脚、一第六接脚、一第七接脚及一第八接脚，其中该第一接脚为HALL接脚连接一霍尔元件5，其用以接收该霍尔元件5传送的一霍尔讯号，该第二接脚为HIGH-SIDE接脚分别连接该第四电阻R4的另一端及第二电晶体Q2的射极，其用以输出该驱动电压，该第三接脚为VDD接脚连接该第八电阻R8的另一端，用以输出该操作电压，该第七接脚为PWMB接脚连接该第十三电阻R13的另一端，用以输出该第一讯号，该第八接脚为PWMA接脚连接该第十七电阻R17的另一端，用以输出该第二讯号。

并于该较佳实施例的控制晶片4以8只接脚的控制晶片做说明，但并不局限于此，于具体实施时，使用者可以根据功能需求，改设计用更多接脚的控制晶片，如使用10只接脚的控制晶片或12只接脚的控制晶片或12只接脚以上的控制晶片，合先陈明。

故通过本发明此电路结构的设计，得有效达到解决第一、二、三、四开关件21、22、23、24的结温(Tj)降额不足的效果，相对的也提升该马达驱动单元2其内的第一、二、三、四开关件21、22、23、24的散热能力的效果，并还有效降低该第一、三开关件21、23各第一端211、231与第二端212、232间的电压(Vgs)超出元件规格的风险。

以上所述，本发明相较于公知具有下列的优点：

1.散热能力佳；

2.通过该信号处理单元维持稳压该马达驱动单元内的PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决PMOS电晶体的结温(Tj)降额不足，以及降低PMOS电晶体的Vgs导通电压超出元件规格的风险；

3.通过该信号处理单元增大该马达驱动单元内的NMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决NMOS电晶体的结温(Tj)降额不足。

惟以上所述，仅是本发明的较佳可行的实施例而已，凡利用本发明上述的方法、形状、构造、装置所为的变化，皆应包含于本案的权利要求范围内。

Claims (15)

1.一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，应用于一马达，其特征在于，该电路结构包括：

一马达驱动单元，包含一第一开关件、一第二开关件、一第三开关件及一第四开关件，该第一、二、三、四开关件各具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一、三开关件的第三端分别连接对应该第二、四开关件的第三端，该第一、二开关件的第二端分别连接对应该第三、四开关件的第二端；以及

一信号处理单元，包含：

一第一稳压器，其一端连接该第一开关件的第一端，其另一端分别连接该第一开关件的第二端及一输入电压，并用以稳压该第一开关件的第一、二端间的电压；

一第二稳压器，其一端连接该第三开关件的第一端，其另一端分别连接该第三开关件的第二端及该输入电压，并用以稳压该第三开关件的第一、二端间的电压；

一第一增压器，连接相对该第二开关件的第一端，其将接收一第一讯号的电压提高以输出至该第二开关件的第一端；及

一第二增压器，连接相对该第四开关件的第一端，其将接收一第二讯号的电压提高以输出至该第四开关件的第一端。

2.如权利要求1所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一开关件的第一端是一闸极，其第二端是一源极，其第三端是一汲极。

3.如权利要求2所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第三开关件的第一端是一闸极，其第二端是一源极，其第三端是一汲极。

4.如权利要求3所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一稳压器包含一第一稳压二极体、一第一电容、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻及一第一电晶体，该第一电容的一端与该第一开关件的第二端、第一稳压二极体的阴极、第一电阻一端及该输入电压共同连接，该第一电容的另一端则与该第一开关件的第一端、第一稳压二极体的阳极及第一电阻的另一端共同连接，该第二电阻一端分别连接该第一电阻的另一端与第三电阻一端，其另一端分别连接该第三电阻的另一端与第一电晶体的集极，并该第一电晶体的基极及射极分别连接该第四电阻一端及一接地端，该第四电阻的另一端接收一驱动电压。

5.如权利要求4所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第二稳压器包含一第二稳压二极体、一第二电容、一第五电阻、一第六电阻、一第七电阻、一第八电阻及一第二电晶体，该第二电容的一端则与该第三开关件的第二端、第二稳压二极体的阴极、第五电阻的一端及该输入电压共同连接，该第二电容的另一端则与该第三开关件的第一端、第二稳压二极体的阳极及第五电阻的另一端共同连接，该第六电阻一端分别连接该第五电阻的另一端与第七电阻一端，其另一端分别连接该第七电阻的另一端与第二电晶体的集极，并该第二电晶体的基极连接该第八电阻一端，其射极接收该驱动电压，该第八电阻的另一端接收一操作电压。

6.如权利要求5所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第二开关件包含一第一MOS电晶体、一第九电阻及一第十电阻，该第一M0S电晶体的源极为该第二开关件的第二端，其汲极为该第二开关件的第三端，该第九电阻的一端分别连接至该第一M0S电晶体的闸极及第十电阻的一端，其另一端为该第二开关件的第一端，该第十电阻的另一端连接一接地端。

7.如权利要求6所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第四开关件包含一第二MOS电晶体、一第十一电阻及一第十二电阻，该第二MOS电晶体的源极为该第四开关件的第二端，其汲极为该第四开关件的第三端，该第十一电阻的一端分别连接至该第二MOS电晶体的闸极及第十二电阻的一端，其另一端为该第四开关件的第一端，该第十二电阻的另一端连接该接地端。

8.如权利要求7所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一增压器包含：

一第一运算放大器，具有一正端、一负端、一输出端、一负电源供应端及一正电源供应端，该负电源供应端连接该接地端，该正电源供应端接收一工作电压，该输出端连接该第九电阻的另一端；

一第十三电阻，其一端连接该第一运算放大器的正端，其另一端接收该第一讯号；

一第十四电阻，其一端连接该第一运算放大器的负端，其另一端连接该接地端；

一第十五电阻，其一端与该第十四电阻一端及第一运算放大器的负端共同连接，其另一端连接该输出端；及

一第十六电阻，其一端与该第一运算放大器的正端及第十三电阻一端共同连接，其另一端连接该接地端。

9.如权利要求8所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第二增压器包含：

一第二运算放大器，具有一正端、一负端、一输出端、一负电源供应端及一正电源供应端，该第二运算放大器的负电源供应端连接该接地端，其该正电源供应端连接该工作电压，其该输出端连接该第十一电阻的另一端；

一第十七电阻，其一端连接该第二运算放大器的正端，其另一端接收该第二讯号；

一第十八电阻，其一端连接该第二运算放大器的负端，其另一端连接该接地端；

一第十九电阻，其一端与该第十八电阻一端及第二运算放大器的负端共同连接，其另一端连接该第二运算放大器的输出端；及

一第二十电阻，其一端与该第二运算放大器的正端及第十七电阻一端共同连接，其另一端连接该接地端。

10.如权利要求5所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，还包含一第一二极体、一第二二极体、一第三稳压二极体、一第三电容、一第四电容、一第五电容及一第二十一电阻，该第三稳压二极体的阴极与该第五电阻一端及第三电容一端共同连接，该第三电容的一端与该第一、二二极体的阴极及第四、五电容的一端共同连接，其另一端则与该第四、五电容的另一端及该第三稳压二极体的阳极共同连接至该接地端，并该第一、二二极体的阳极分别连接该输入电压，且该第二十一电阻一端与该第二、四开关件的第二端共同连接，其另一端连接该接地端。

11.如权利要求9所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述信号处理单元连接一控制晶片，该控制晶片具有一第一接脚、一第二接脚、一第三接脚、一第四接脚、一第五接脚、一第六接脚、一第七接脚及一第八接脚，该第一接脚连接一霍尔元件，用以接收该霍尔元件传送的一霍尔讯号，该第二接脚分别连接该第四电阻的另一端及第二电晶体的射极，其用以输出该驱动电压，该第三接脚连接该第八电阻的另一端，用以输出该操作电压，该第七接脚连接该第十三电阻的另一端，用以输出该第一讯号，该第八接脚连接该第十七电阻的另一端，用以输出该第二讯号。

12.如权利要求11所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一、二讯号为一PWM讯号。

13.如权利要求11所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一、三开关件为一PMOS电晶体。

14.如权利要求7所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一、二MOS电晶体为一NMOS电晶体。

15.如权利要求11所述的提升MOS电晶体散热能力的电路结构，其特征在于，所述第一开关件的第三端连接该第二开关件的第三端之间形成有一第一节点，该第一节点连接相对该马达的一端，该第三开关件的第三端连接该第四开关件的第三端间形成有一第二节点，该第二节点电性连接该马达的另一端。