CN103714774A - 斜坡信号发生电路及信号发生器、阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种斜坡信号发生电路及信号发生器、阵列基板及显示装置,涉及电子技术领域,斜坡信号发生电路包括:第一移位寄存器、具有双向扫描功能的第二移位寄存器、压降单元以及采集单元;压降单元分别连接电源输入端和接地端;第一移位寄存器与压降单元相连接,用于控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;采集单元具有输出端,且采集单元连接压降单元;第二移位寄存器与采集单元相连接,用于通过双向扫描控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种斜坡信号发生电路可以降低斜坡信号发生电路的面积,提高斜坡信号的线性度。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种斜坡信号发生电路及信号发生器、阵列基板及显示装置。
背景技术
随着电子技术的不断发展,人们不仅对电子产品的外观和质量有苛刻的需求,而且对产品的价格和实用性也有着更高的关注。
为满足大众的需求,现有的电子产品已广泛采用SOG(System onGlass)技术,SOG是指在基板上集成驱动以及系统电路,这种技术的出现为产品的生产和设计提供了巨大的便利,开发人员只需对基于TFT的系统电路进行模拟仿真,便可通过一定的工艺进行实施,从而大大地降低了电子产品的生产成本,此外,通过高度集成化的电路设计还可以使得产品更加更小型化。
尤其是对于显示面板,SOG可以有效集成包括行驱动器(GateDriver)、源驱动器(Data Driver)、多路选择器(Mux)、直流电源转换器(DC-DC)、数模转换器(DAC)及时序控制器(TCON)等模块的驱动系统在玻璃基板上,可极大降低成本,同时可最小化屏幕边框,并解决由于不同驱动芯片互连而带来的电阻压降(IR Drop)、噪声、可靠性等问题。为了完成更多的系统功能,SOG技术正朝着更加高度集成化和小型化发展,发展低成本、节能、重量轻、轻薄的显示器的趋势已经势不可挡。SOG技术是系统电路发展的必然趋势。
在现有的显示面板中,阵列基板上通常还包括数模-模数转换器等在内的多种需要采用斜坡信号进行驱动的模块,现阶段的SOG技术尚难以有效集成斜坡信号发生器,而额外设置的斜坡信号发生器将大大增加驱动电路的面积,限制了显示装置进一步的小型化。另一方面,现有的斜坡信号发生器难以有效地产生线性度良好的斜坡信号输出,这将大大限制显示装置产品的质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种斜坡信号发生电路及信号发生器、阵列基板及显示装置,可以降低斜坡信号发生电路的面积,提高斜坡信号的线性度。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种斜坡信号发生电路,包括:
第一移位寄存器、具有双向扫描功能的第二移位寄存器、压降单元以及采集单元;
所述压降单元分别连接电源输入端和接地端;
所述第一移位寄存器与所述压降单元相连接,用于控制所述压降单元对所述电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;
所述采集单元具有输出端,且连接所述压降单元;
所述第二移位寄存器与所述采集单元相连接,用于通过双向扫描控制所述采集单元对所述压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。
另一方面,本发明实施例还提供一种斜坡信号发生器,包括如上所述的斜坡信号发生电路。
此外,本发明实施例还提供一种阵列基板,包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器,所述阵列基板还包括如上所述的斜坡信号发生电路,所述第二移位寄存器具有双向扫描功能,所述斜坡信号发生电路包括:
压降单元以及采集单元;
所述压降单元分别连接电源输入端和接地端;
所述第一移位寄存器与所述压降单元相连接,用于控制所述压降单元对所述电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;
所述采集单元具有输出端,且连接所述压降单元;
所述第二移位寄存器与所述采集单元相连接,用于通过双向扫描控制所述采集单元对所述压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例提供的斜坡信号发生电路及信号发生器、阵列基板及显示装置,采用两个移位寄存器单元、压降单元以及采集单元的设计,通过不同的时序信号设计使得两个移位寄存器单元分别对压降单元以及采集单元的驱动,实现第一移位寄存器控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低,同时第二移位寄存器控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种斜坡信号发生电路的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种斜坡信号发生电路的电路连接结构示意图;
图3为斜坡信号发生电路中为N型晶体管时的信号时序示意图;
图4为图2所示的斜坡信号发生电路输出信号的仿真波形图;
图5为本发明实施例提供的另一斜坡信号发生电路的电路连接结构示意图;
图6为图5所示的斜坡信号发生电路输出信号的仿真波形图;
图7为本发明实施例提供的另一斜坡信号发生电路的电路连接结构示意图;
图8为本发明实施例提供的又一斜坡信号发生电路的电路连接结构示意图;
图9为斜坡信号发生电路中为P型晶体管时的信号时序示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的像素电路,如图1所示,包括:
第一移位寄存器11、具有双向扫描功能的第二移位寄存器12、压降单元13以及采集单元14。
其中,压降单元13分别连接电源输入端Vref和接地端。
第一移位寄存器11与压降单元13相连接,用于控制压降单元13对电源输入端Vref输入的电压进行逐级连续地电压降低。
采集单元14具有输出端Vo,且采集单元14连接压降单元13。
第二移位寄存器12与采集单元14相连接,用于通过双向扫描控制采集单元14对压降单元13输出的连续变化的电压进行采集并输出。
本发明实施例提供的斜坡信号发生电路,采用两个移位寄存器单元、压降单元以及采集单元的设计,通过不同的时序信号设计使得两个移位寄存器单元分别对压降单元以及采集单元的驱动,实现第一移位寄存器控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低,同时第二移位寄存器控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
其中,压降单元13可以采用各种已知的能够实现输入电压逐渐降低的电路结构或电子器件,本发明对此并不做限定。
具体的,如图2所示,压降单元13包括:呈矩阵形式排列的多个第一晶体管M。
位于同一行的第一晶体管M的栅极均与第一移位寄存器11的一个输出端相连接。
位于同一列的第一晶体管M的第一极均与采集单元14的一个输入端相连接。
位于同一行的第一晶体管M的第二极串联,且如图2所示,除过第一行和最后一行外,位于任意一行第一列的第一晶体管M1的第二极均与其上一行最后一列的第一晶体管Mn的第二极相串联,位于任意一行最后一列的第一晶体管Mn的第二极均与其下一行第一列的第一晶体管M1的第二极相串联。
在串联的第一晶体管M中,任意两个相邻的第一晶体管M的第二极之间均串联有降压电阻R。
进一步地,在如图2所示的斜坡信号发生电路中,第一移位寄存器11的输入端可以分别连接第一时钟信号CLK1、第二时钟信号CLKB1和第一帧起始信号STV1,用于逐行开启第一晶体管M。
第二移位寄存器12的输入端可以分别连接第三时钟信号CLK2、第四时钟信号CLKB2和第二帧起始信号STV2,用于在一行第一晶体管M开启周期内,控制采集单元14沿第一方向逐列采集每一个第一晶体管M的第一极的电压;在下一行第一晶体管M开启周期内,控制采集单元14沿第二方向逐列采集每一个第一晶体管M的第一极的电压;其中,第一方向与第二方向相反。
在本发明实施例中,移位寄存器单元具体可以是GOA(GateDriver on Array,阵列基板行驱动)电路,GOA电路是一种级联移位寄存器,它接收始发输入的帧起始信号STV,并通常由两个时钟信号(CLK、CLKB)控制GOA内部电路TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)的开启或关闭,将输入信号一级级传递,其中CLKB信号控制每级的信号输出。
进一步地,如图2所示,采集单元14具体包括:多个第二晶体管T。
第二晶体管T的栅极分别连接第二移位寄存器12的不同输出端,第二晶体管T的第一极均连接采集单元14的输出端Vo。
每一个第二晶体管T的第二极与位于同一列的第一晶体管M的第一极相连接。
需要说明的是,在本发明实施例中,第一晶体管M和第二晶体管T均可以为N型晶体管,当第一晶体管M和第二晶体管T均为N型晶体管时,晶体管的第一极可以为源极、第二极可以为漏极。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是没有区别的。在本发明实施例中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。此外,按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型,以下实施例均以N性晶体管为里进行说明,可以想到的是在采用P型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的,因此也是在本发明的实施例保护范围内的。
从如图2所示的斜坡信号发生电路中可以看出,压降单元13可以由n行电路组成,每行电路又包括n个电阻和n个TFT管M串联,TFT管M的栅极连接外部GOA1电路的输出信号,每两个电阻之间连接一个TFT管M的漏极,同列TFT管M的源极短接在一起连接到TFT管T的漏极,TFT管T的栅极连接GOA2电路的输出信号,TFT管T的源极连接输出端Vo。
采用这样一种结构的斜坡信号发生电路产生斜坡信号,其中,驱动信号的时序可以如图3所示,产生斜坡信号的过程具体可以包括传递信号以及采集信号两个步骤。具体描述如下:
传递信号:输入信号由直流信号Vref从第一行的电阻R1一端输入。如附图3所示,由时钟信号CLK1、CLKB1控制GOA1电路,其中CLK1与CLKB1的相位相反,GOA1电路的第一行首先给出输出信号VoR1,给第一行的TFT管M1~Mn,将这行的TFT打开。GOA1的时钟周期是GOA2时钟周期的n倍,这样在第一行TFT管M被GOA1打开的同时,由CLK2、CLKB2控制的GOA2电路依次将T1~Tn(图2中从左至右)管子打开,其中CLK2与CLKB2的相位相反。由于各个电阻和TFT管均相同,电压信号将依次降低。当第一行扫描结束时,GOA1电路为第二行TFT管M输出VoR2信号,将第二行TFT管M打开,第一行的电阻Rn将电压信号传递给第二行的电阻Rn,第二行TFT管M被打开的同时,GOA2电路反向(图2中从右至左)依次将Tn~T1管子打开。就这样,信号一行一行地被传递到第n行,直到第n行的电阻Rn的末端接地。
需要说明的是,在本发明实施例中,GOA电路的时钟周期具体是指持续输出一个高电平或一个低电平的时间长度。GOA1的时钟周期是GOA2时钟周期的n倍可以理解为,GOA1持续输出一个高电平的时间长度是GOA2持续输出一个高电平的时间长度的n倍。即在GOA1向一行或一列持续输出一个高电平的时间长度内,GOA2能够完成对n行或n列依次输出一个高电平。
采集信号:当第1行的电阻R1~Rn和TFT管M1~Mn工作时,GOA2依次将TFT管T1~Tn打开,T管的漏极连接各列的M管的源极,T管的源极连接输出信号Vo,这样Vo按照时间顺序采集了第一行呈线性下降的斜坡电压信号;当第2行的电阻R1~Rn和TFT管M1~Mn工作时,GOA2又反向依次将TFT管Tn~Tn打开,Vo从反向继续采集第二行呈线性下降的斜坡电压信号;直至采集第n行的斜坡下降信号到0,采集一个下降斜坡信号的工作完成,这样可以循环采集斜坡信号。
这样一种斜坡信号发生电路的输出信号Vo的信号仿真情况可以如图4所示,从图4可以看到,GOA1的第一行的输出VoR1在两个高电平之间,即完整的一帧扫描周期之间完成了一个完整的斜坡信号的采集,GOA2的输出信号VoC1~VoCn在VoR1第一个高电平内依次完成一次扫描,并在VoR2来临时,VoC1~VoCn进行一次反向扫描,以此类推,直至一帧扫描周期结束。信号仿真图中显示,本发明实施例提供的斜坡信号发生电路能够产生一个具有良好线性的下降斜坡波形。
需要说明的是,本发明实施例中的晶体管M阵列可以根据实际情况选择阵列的行列数,应当容易想到的是,当晶体管M的行列数增加时,通过增加GOA电路的扫描输出端,可以进一步提高对于电压信号的采样频率,从而能够进一步提高斜坡信号的线性度。
在上述实施例中,是以电源输入端Vref连接位于第一行第一列的第一晶体管M1的漏极,位于最后一行最后一列的第一晶体管Mn的漏极连接接地端为例进行的说明。
或者,电源输入端Vref还可以连接位于最后一行最后一列的第一晶体管M的漏极,位于第一行第一列的第一晶体管的漏极还可以连接接地端。
具体的,如图5所示,第一行的R1的输入端接地,第n行的Rn的输出端接直流输入信号Vref,这样一种结构的斜坡信号发生电路可以形成上升斜坡波形信号。其驱动信号同样可以采用如图3所示的信号,工作过程同样可以分为传递信号和采集信号两个过程,工作原理和如图2所示的下降斜坡信号发生电路类似,只不过是电压处在上升的过程。
这样一种斜坡信号发生电路的输出信号Vo的信号仿真情况可以如图6所示,从仿真结果来看,在GOA1的第一行的输出VoR1在两个高电平之间完成了一个完整的上升斜坡信号的采集,信号仿真图中显示,本发明实施例提供的斜坡信号发生电路能够产生一个具有良好线性的上升斜坡波形。
在上述实施例中,均是以第一晶体管M和第二晶体管T为N型晶体管为例进行的说明。除此之外,本发明实施例提供的斜坡信号发生电路还可以用于P型TFT中。当第一晶体管M和第二晶体管T均为P型晶体管时,相应的下降斜坡信号发生电路和上升斜坡信号发生电路图分别如附图7、8所示,图9为用于驱动如图7或图8所示的斜坡信号发生电路的相应的电路时序图,相应的原理可以参照上述关于N型TFT结构的斜坡信号发生电路的说明,此处不再赘述。
本发明实施例提供的这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
进一步地,在上述斜坡信号发生电路中,考虑到采集单元14的输出端Vo所输出信号的驱动能力有限,因此可以在斜坡信号发生电路的内部或外部额外设置放大单元15,该放大单元15的输入端可以连接采集单元14的输出端Vo,用于对采集单元14输出的电压进行功率放大。
例如,在如图2所示的斜坡信号发生电路中,放大单元15具体可以采用功率放大器或其他具有相同功能的电路,本发明对此并不做限制。
本发明实施例提供的斜坡信号发生电路的优点还在于改进了矩阵电阻的连接方式,没有了行之间的走线,矩阵电阻结构更为简单,节省面积,此外,这种结构输出的斜坡信号的干扰噪声较小,斜坡信号的线性度也得到了很大的提高。
本发明实施例还提供一种斜坡信号发生器,包括如上所述的斜坡信号发生电路。
这样一种斜坡信号发生器可以单独或与其他器件组合作为信号源,广泛地应用于各种需要进行斜坡信号驱动的器件或电路结构中。其中,斜坡信号发生电路的结构已在前述实施例中做了详细的描述,此处不做赘述。
本发明实施例提供的斜坡信号发生器,包括斜坡信号发生电路,该电路采用两个移位寄存器单元、压降单元以及采集单元的设计,通过不同的时序信号设计使得两个移位寄存器单元分别对压降单元以及采集单元的驱动,实现第一移位寄存器控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低,同时第二移位寄存器控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
本发明实施例提供的斜坡信号发生电路还可以应用于显示面板中的阵列基板结构。其中,现有技术中阵列基板中多采用包括第一移位寄存器和第二移位寄存器在内的电路结构。
其中,第一移位寄存器和第二移位寄存器分别用于向显示区域像素单元输入栅极行扫描信号或数据线扫描信号。采用这样一种像素阵列结构可以有效减少显示装置的外围走线,实现显示装置的窄边框设计。
进一步地,该阵列基板还可以包括如上所述的斜坡信号发生电路,第二移位寄存器具有双向扫描功能,其中,该斜坡信号发生电路具体包括:
压降单元以及采集单元;
压降单元分别连接电源输入端和接地端;
第一移位寄存器与压降单元相连接,用于控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;
采集单元具有输出端,且连接压降单元;
第二移位寄存器与采集单元相连接,用于通过双向扫描控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。
采用这样一种结构的阵列基板,通过将压降单元以及采集单元集成于阵列基板上,并利用阵列基板上已有的两个移位寄存器,从而形成斜坡信号发生电路。这样一来,在阵列基板的表面无需额外增设大量的元件即可以实现斜坡信号发生功能,从而能够有效控制显示面板驱动电路的面积,保证了显示装置能够实现窄边框的设计。
其中,斜坡信号发生电路的结构已在前述实施例中做了详细的描述,此处不做赘述。
本发明实施例提供的阵列基板,包括斜坡信号发生电路,该斜坡信号发生电路采用两个移位寄存器单元、压降单元以及采集单元的设计,通过不同的时序信号设计使得两个移位寄存器单元分别对压降单元以及采集单元的驱动,实现第一移位寄存器控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低,同时第二移位寄存器控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
本发明实施例提供的显示装置,包括如上所述的阵列基板。
需要说明的是,本发明所提供的显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
其中,阵列基板的结构已在前述实施例中做了详细的描述,此处不再赘述。
这样一种结构的显示装置,包括阵列基板,该阵列基板包括斜坡信号发生电路,该斜坡信号发生电路采用两个移位寄存器单元、压降单元以及采集单元的设计,通过不同的时序信号设计使得两个移位寄存器单元分别对压降单元以及采集单元的驱动,实现第一移位寄存器控制压降单元对电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低,同时第二移位寄存器控制采集单元对压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。这样一种结构的斜坡信号发生电路的组成单元较少,电路集成度高,可以有效降低斜坡信号发生电路的面积。此外,与现有技术相比,这样一种结构的斜坡信号发生电路具有更高的采样频率,从而能够有效提高斜坡信号的线性度。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分流程可以通过计算机程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种斜坡信号发生电路,其特征在于,包括:
第一移位寄存器、具有双向扫描功能的第二移位寄存器、压降单元以及采集单元;
所述压降单元分别连接电源输入端和接地端;
所述第一移位寄存器与所述压降单元相连接,用于控制所述压降单元对所述电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;
所述采集单元具有输出端,且所述采集单元连接所述压降单元;
所述第二移位寄存器与所述采集单元相连接,用于通过双向扫描控制所述采集单元对所述压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。
2.根据权利要求1所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,所述压降单元包括:呈矩阵形式排列的多个第一晶体管;
位于同一行的所述第一晶体管的栅极均与所述第一移位寄存器的一个输出端相连接;
位于同一列的所述第一晶体管的第一极均与所述采集单元的一个输入端相连接;
位于同一行的所述第一晶体管的第二极串联,且位于任意一行第一列的所述第一晶体管的第二极均与其上一行最后一列的所述第一晶体管的第二极相串联,位于任意一行最后一列的所述第一晶体管的第二极均与其下一行第一列的所述第一晶体管的第二极相串联;
在串联的所述第一晶体管中,任意两个相邻的所述第一晶体管的第二极之间均串联有降压电阻。
3.根据权利要求2所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,
所述第一移位寄存器的输入端分别连接第一时钟信号、第二时钟信号和第一帧起始信号,用于逐行开启所述第一晶体管;
所述第二移位寄存器的输入端分别连接第三时钟信号、第四时钟信号和第二帧起始信号,用于在一行第一晶体管开启周期内,控制所述采集单元沿第一方向逐列采集每一个所述第一晶体管的第一极的电压;在下一行第一晶体管开启周期内,控制所述采集单元沿第二方向逐列采集每一个所述第一晶体管的第一极的电压;所述第一方向与所述第二方向相反。
4.根据权利要求2所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,所述采集单元包括:多个第二晶体管;
所述第二晶体管的栅极分别连接所述第二移位寄存器的不同输出端,所述第二晶体管的第一极均连接所述采集单元的输出端;
每一个所述第二晶体管的第二极与位于同一列的所述第一晶体管的第一极相连接。
5.根据权利要求4所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,
所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型晶体管,或所述第一晶体管和所述第二晶体管均为P型晶体管;
当所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型晶体管时,晶体管的第一极为源极、第二极为漏极。
6.根据权利要求2所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,
所述电源输入端连接位于第一行第一列的所述第一晶体管的第二极,位于最后一行最后一列的所述第一晶体管的第二极连接所述接地端;或,
所述电源输入端连接位于最后一行最后一列的所述第一晶体管的第二极,位于第一行第一列的所述第一晶体管的第二极连接所述接地端。
7.根据权利要求1-6任一所述的斜坡信号发生电路,其特征在于,所述斜坡信号发生电路还包括:
放大单元,所述放大单元的输入端连接所述采集单元的输出端,用于对所述采集单元输出的电压进行功率放大。
8.一种斜坡信号发生器,其特征在于,包括如权利要求1-7任一所述的斜坡信号发生电路。
9.一种阵列基板,包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器,其特征在于,所述阵列基板还包括如权利要求1-7任一所述的斜坡信号发生电路,所述第二移位寄存器具有双向扫描功能,所述斜坡信号发生电路包括:
压降单元以及采集单元;
所述压降单元分别连接电源输入端和接地端;
所述第一移位寄存器与所述压降单元相连接,用于控制所述压降单元对所述电源输入端输入的电压进行逐级连续地电压降低;
所述采集单元具有输出端,且连接所述压降单元;
所述第二移位寄存器与所述采集单元相连接,用于通过双向扫描控制所述采集单元对所述压降单元输出的连续变化的电压进行采集并输出。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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