CN103713437B - 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。

Description

一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置。

背景技术

液晶显示屏主要由对向基板，阵列基板，以及位于该两基板之间的液晶层组成。其中，在阵列基板面向液晶层的一侧设置有栅线、数据线、像素电极以及取向层等，在对向基板面向液晶层的一侧设置有黑矩阵和彩膜层等。在阵列基板的实际制作工艺中，栅线和数据线一般为金属线，其厚度一般为2μm至3μm；像素电极一般为诸如氧化铟锡（ITO）等的透明导电氧化物膜层，其厚度一般为至

公共电极可以位于对向基板面向液晶层的一侧，即扭转向列（TN）型液晶显示屏，也可以位于阵列基板面向液晶层的一侧，即高级超维场开关（ADS）型液晶显示屏。以TN型液晶显示屏为例，如图1所示，阵列基板包括：衬底基板101以及位于衬底基板101上的像素电极102、栅线103、数据线（图1中未示出）和取向层104。由于像素电极102的厚度与栅线103和数据线的厚度相差较大，会导致在像素电极102、栅线103和数据线上形成的取向层104的表面不平坦，使取向层104在栅线103和数据线的边缘处存在台阶（如图1所示的虚线框所示），这样后续在对取向层104进行摩擦处理时，会使与栅线103和数据线的边缘处相对应的取向层104摩擦不充分，导致与栅线103和数据线边缘处相对应的取向层104对液晶分子的取向作用较弱。并且，在取向层104的摩擦方向与栅线103的延伸方向相同时，液晶分子的初始排列方向与栅线103的延伸方向平行，这样位于栅线103边缘附近的液晶分子由于受到栅线103水平电场的作用而发生旋转，导致在栅线103边缘处产生严重的漏光问题；同理，在取向层104的摩擦方向与数据线的延伸方向相同时，液晶分子的初始排列方向与数据线的延伸方向平行，这样位于数据线边缘附近的液晶分子由于受到数据线水平电场的作用而发生旋转，导致在数据线边缘处产生严重的漏光问题。虽然通过增加黑矩阵的宽度，可以避免在栅线103或数据线边缘处的漏光问题，但是，这样会降低液晶显示屏的开口率。

因此，如何在不影响开口率的前提下，避免在栅线或数据线边缘处的漏光问题，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，用以在不影响开口率的前提下，避免在栅线或数据线边缘处的漏光问题。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的金属线和透明导电氧化物膜层，以及位于所述金属线和所述透明导电氧化物膜层上的取向层；还包括：

位于所述衬底基板与所述取向层之间的透明的厚度补偿层；

所述透明导电氧化物膜层在所述衬底基板上的投影位于所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影内，且所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影与所述金属线在所述衬底基板上的投影互不重合；

所述厚度补偿层的厚度与所述透明导电氧化物膜层的厚度之和等于所述金属线的厚度。

本发明实施例提供的上述阵列基板，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属线为栅线，所述取向层的摩擦方向与所述栅线的延伸方向相同。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属线为数据线，所述取向层的摩擦方向与所述数据线的延伸方向相同。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述透明导电氧化物膜层为像素电极和/或公共电极。

较佳地，为了减少制作工序，提高生产效率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述厚度补偿层的材料为光刻胶，所述光刻胶位于所述透明导电氧化物膜层上，且与所述透明导电氧化物膜层的图形一致。

本发明实施例还提供了一种液晶显示屏，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示屏。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成包括金属线和透明导电氧化物膜层的图形；在形成有所述金属线和所述透明导电氧化物膜层的图形的衬底基板上形成取向层；所述在衬底基板上形成包括透明导电氧化物膜层的图形，具体包括：

在衬底基板上依次形成透明导电氧化物膜层和光刻胶薄膜；

对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影处理，得到所述光刻胶的图形；

对所述透明导电氧化物膜层进行刻蚀处理，得到与所述光刻胶的图形一致的透明导电氧化物膜层的图形，其中，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度和所述透明导电氧化物膜层的厚度之和与所述金属线的厚度相同。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述金属线为栅线，在形成取向层之后，还包括：

沿所述栅线的延伸方向摩擦所述取向层。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述金属线为数据线，在形成取向层之后，还包括：

沿所述数据线的延伸方向摩擦所述取向层。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图之一；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图之二。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种阵列基板，如图2所示，包括衬底基板1，位于衬底基板1上的金属线5和透明导电氧化物膜层6，以及位于金属线5和透明导电氧化物膜层6上的取向层4；还包括：

位于衬底基板1与取向层4之间的透明的厚度补偿层7；

透明导电氧化物膜层6在衬底基板1上的投影位于厚度补偿层7在衬底基板1上的投影内，且厚度补偿层7在衬底基板1上的投影与金属线5在衬底基板1上的投影互不重合；

厚度补偿层7的厚度与透明导电氧化物膜层6的厚度之和等于金属线5的厚度。

图2是以厚度补偿层7位于透明导电氧化物膜层6上为例进行说明的，还可以将透明导电氧化物膜层6设置于厚度补偿层7上，在此不做限定。并且，图2是以厚度补偿层7的图形与透明导电氧化物膜层6的图形一致为例进行说明的，还可以如图3所示，厚度补偿层7的面积大于透明导电氧化物膜层6的面积，只需保证透明导电氧化物膜层6在衬底基板1上的投影位于厚度补偿层7在衬底基板1上的投影内，且厚度补偿层7在衬底基板1上的投影与金属线5在衬底基板1上的投影互不重合即可，在此不做限定。

并且，由于透明导电氧化物膜层6在衬底基板1上的投影位于厚度补偿层7在衬底基板1上的投影内，且厚度补偿层7在衬底基板1上的投影与金属线5在衬底基板1上的投影互不重合，因此，透明导电氧化物膜层6在衬底基板1上的投影与金属线5在衬底基板1上的投影也互不重合。

本发明实施例提供的上述阵列基板，由于在衬底基板1与取向层4之间增加一层与金属线5互不重合的透明的厚度补偿层7，且透明导电氧化物膜层6与厚度补偿层7的重叠面积为透明导电氧化物膜层6的面积，且厚度补偿层7的厚度与透明导电氧化物膜层6的厚度之和与金属线5的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层6与金属线5的厚度差异，避免了与金属线5边缘处相对应的取向层4摩擦不充分，出现对位于金属线5边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线5的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。

在现有技术中，需要对取向层4进行摩擦处理，使得取向层4面向液晶分子的一面具有沟槽结构，该沟槽结构对液晶分子具有取向作用，使液晶分子的初始排列方向与沟槽的延伸方向相同。

本发明实施例提供的上述阵列基板在具体实施时，可以沿栅线的延伸方向摩擦取向层4，也可以沿数据线的延伸方向摩擦取向层4，在此不做限定。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在沿栅线的延伸方向摩擦取向层4时，经摩擦处理后形成的沟槽的延伸方向与栅线的延伸方向相同，由于液晶分子的初始排列方向与沟槽的延伸方向相同，则液晶分子的初始排列方向与栅线的延伸方向相同，并且，由于与栅线的边缘处相对应的取向层4对位于栅线的边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，这样，栅线的水平电场会使位于栅线边缘附近的液晶分子发生较大角度的旋转，从而导致在栅线的边缘处产生严重的漏光问题。

基于此，本发明实施例提供的上述阵列基板在取向层4的摩擦方向与栅线的延伸方向相同时，为了避免上述漏光问题，在衬底基板1与取向层4之间增加厚度补偿层7，该厚度补偿层7的厚度与透明导电氧化物膜层6的厚度之和等于栅线的厚度，该厚度补偿层用于补偿透明导电氧化物膜层6与栅线之间的厚度差异，避免与栅线边缘处相对应的取向层4摩擦不充分，出现对位于栅线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在栅线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题。

较佳地，为了减少制作工序，提高生产效率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，厚度补偿层7的材料可以为光刻胶，该光刻胶位于透明导电氧化物膜层6上，且与透明导电氧化物膜层6的图形一致。该光刻胶具体为在对透明导电氧化物膜层6进行构图工艺时所使用的光刻胶，该光刻胶经过曝光、显影处理后，形成与所需要的透明导电氧化物膜层6的图形一致的图形，对透明导电氧化物膜层6进行刻蚀处理，形成所需要的透明导电氧化物膜层6的图形，这样，不需要另外单独制作一层厚度补偿层7，通过保留透明导电氧化物膜层6上的光刻胶，就可以补偿透明导电氧化物膜层6与栅线的厚度差异，从而避免在栅线边缘处的漏光问题，并且，还可以省去对该光刻胶的剥离处理，减少了制作工序，提高了生产效率。

具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在沿数据线的延伸方向摩擦取向层4时，经摩擦处理后形成的沟槽的延伸方向与数据线的延伸方向相同，由于液晶分子的初始排列方向与沟槽的延伸方向相同，则液晶分子的初始排列方向与数据线的延伸方向相同，并且，由于与数据线的边缘处相对应的取向层4对位于数据线的边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，数据线的水平电场会使位于数据线边缘附近的液晶分子发生较大角度的旋转，从而导致在数据线的边缘处产生严重的漏光问题。

基于此，本发明实施例提供的上述阵列基板在取向层4的摩擦方向与数据线的延伸方向相同时，为了避免上述漏光问题，在衬底基板1与取向层4之间增加厚度补偿层7，厚度补偿层7的厚度与透明导电氧化物膜层6的厚度之和等于数据线的厚度，该厚度补偿层用于补偿透明导电氧化物膜层6与数据线的厚度差异，避免与数据线边缘处相对应的取向层4摩擦不充分，出现对位于数据线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在数据线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题。

较佳地，为了减少制作工序，提高生产效率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，厚度补偿层7的材料可以为光刻胶，该光刻胶位于透明导电氧化物膜层6上，且与透明导电氧化物膜层6的图形一致。该光刻胶具体为在对透明导电氧化物膜层6进行构图工艺时使用的光刻胶，该光刻胶经过曝光、显影处理后，形成与所需要的透明导电氧化物膜层6的图形一致的图形，对透明导电氧化物膜层6进行刻蚀，形成所需要的透明导电氧化物膜层6的图形，这样，不需要另外单独制作一层厚度补偿层7，通过保留透明导电氧化物膜层6上的光刻胶，就可以补偿透明导电氧化物膜层6与数据线的厚度差异，从而避免在数据线边缘处的漏光问题，并且，还可以省去对该光刻胶的剥离处理，减少了制作工序，提高了生产效率。

具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板可以应用于高级超维场开关（ADS）型液晶显示屏，即公共电极和像素电极都位于阵列基板面向液晶层的一侧，这样，透明导电氧化物膜层6可以为像素电极，且在像素电极与厚度补偿层7上还形成有公共电极；或者，透明导电氧化物膜层6也可以为公共电极，且在公共电极与厚度补偿层7上还形成有像素电极。本发明实施例提供的上述阵列基板也可以应用于扭转向列（TN）型液晶显示屏，即公共电极位于对向基板面向液晶层的一侧，像素电极位于阵列基板面向液晶层的一侧，这样，透明导电氧化物膜层6可以为像素电极，在此不做限定。

针对本发明实施例提供的上述阵列基板的实施方式，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，如图4所示，包括：

S101、在衬底基板上形成包括金属线和透明导电氧化物膜层的图形；

S102、在形成有金属线和透明导电氧化物膜层的图形的衬底基板上形成取向层。

其中，在步骤S101在衬底基板上形成包括透明导电氧化物膜层的图形中，如图5所示，可以通过以下方式实现：

S201、在衬底基板上依次形成透明导电氧化物膜层和光刻胶薄膜；

S202、对光刻胶薄膜进行曝光、显影处理，得到光刻胶的图形；

S203、对透明导电氧化物膜层进行刻蚀处理，得到与光刻胶的图形一致的透明导电氧化物膜层的图形，其中，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度和透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，步骤S101在衬底基板上形成包括金属线和透明导电氧化物膜层的图形，在具体实施时，可以先制作金属线的图形，然后制作透明导电氧化物膜层的图形；也可以先制作透明导电氧化物膜层的图形，然后制作金属线的图形，在此不做限定。

在本发明实施例提供的上述制作方法中，金属线可以为栅线，也可以为数据线，在此不做限定。

具体地，在金属线为栅线时，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度等于透明导电氧化物膜层的厚度与栅线的厚度之差，从而补偿了透明导电氧化物膜层与栅线的厚度差异，可以避免由于与栅线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，而出现对位于栅线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱的问题，即使沿栅线的延伸方向摩擦取向层，使液晶分子的初始排列方向与栅线的延伸方向相同，也能避免位于栅线边缘附近的液晶分子在栅线的水平电场作用下发生旋转而导致的漏光问题，因此，在本发明实施例提供的上述制作方法的步骤S102在形成取向层之后，还可以包括：沿栅线的延伸方向摩擦取向层。

具体地，在金属线为数据线时，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度等于透明导电氧化物膜层的厚度与数据线的厚度之差，从而补偿了透明导电氧化物膜层与数据线的厚度差异，从而可以避免由于与数据线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，而出现对位于数据线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱的问题，即使沿数据线的延伸方向摩擦取向层，使液晶分子的初始排列方向与数据线的延伸方向相同，也能避免位于数据线边缘附近的液晶分子在数据线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，因此，在本发明实施例提供的上述制作方法的步骤S102在形成取向层之后，还可以包括：沿数据线的延伸方向摩擦取向层。

具体地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，透明导电氧化物膜层可以为像素电极，也可以为公共电极，在此不做限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示屏，包括本发明实施例提供的上述阵列基板，该液晶显示屏的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示屏，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。在厚度补偿层的材料为光刻胶时，不需要另外单独制作厚度补偿层，并且，还可以省去对该光刻胶的剥离处理，减少了制作工序，提高了生产效率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的金属线和透明导电氧化物膜层，以及位于所述金属线和所述透明导电氧化物膜层上方的取向层；其特征在于，还包括：

位于所述衬底基板与所述取向层之间的透明的厚度补偿层；

所述透明导电氧化物膜层在所述衬底基板上的投影位于所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影内，且所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影与所述金属线在所述衬底基板上的投影互不重合；

所述厚度补偿层的厚度与所述透明导电氧化物膜层的厚度之和等于所述金属线的厚度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属线为栅线，所述取向层的摩擦方向与所述栅线的延伸方向相同。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属线为数据线，所述取向层的摩擦方向与所述数据线的延伸方向相同。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层为像素电极和/或公共电极。

5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述厚度补偿层的材料为光刻胶，所述光刻胶位于所述透明导电氧化物膜层上，且与所述透明导电氧化物膜层的图形一致。

6.一种液晶显示屏，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的液晶显示屏。

8.一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成包括金属线和透明导电氧化物膜层的图形；在形成有所述金属线和所述透明导电氧化物膜层的图形的衬底基板上方形成取向层；其特征在于，所述在衬底基板上形成包括透明导电氧化物膜层的图形，具体包括：

在衬底基板上依次形成透明导电氧化物膜层和光刻胶薄膜；

对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影处理，得到光刻胶的图形；

对所述透明导电氧化物膜层进行刻蚀处理，得到与所述光刻胶的图形一致的透明导电氧化物膜层的图形，其中，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度和所述透明导电氧化物膜层的厚度之和与所述金属线的厚度相同。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属线为栅线，在形成取向层之后，还包括：

沿所述栅线的延伸方向摩擦所述取向层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属线为数据线，在形成取向层之后，还包括：

沿所述数据线的延伸方向摩擦所述取向层。