CN103682054A - 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法 - Google Patents

一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103682054A
CN103682054A CN201310716400.8A CN201310716400A CN103682054A CN 103682054 A CN103682054 A CN 103682054A CN 201310716400 A CN201310716400 A CN 201310716400A CN 103682054 A CN103682054 A CN 103682054A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
photoelectric device
pmma
described step
preparing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310716400.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103682054B (zh
Inventor
李福山
郭太良
吴晓晓
吴薇
吴朝兴
陈伟
杨开宇
曾群英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuzhou University
Original Assignee
Fuzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuzhou University filed Critical Fuzhou University
Priority to CN201310716400.8A priority Critical patent/CN103682054B/zh
Publication of CN103682054A publication Critical patent/CN103682054A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103682054B publication Critical patent/CN103682054B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。

Description

一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法
技术领域
本发明涉及光电器件封装领域，尤其是一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法。
背景技术
柔性光电器件是一种用可弯曲的基板材料（比如透明的塑料薄膜或金属薄片，来代替普通的玻璃基板）制作的具有光电特性的器件，比如发光器件，光伏器件等。传统的光电器件封装工艺采用粘结剂粘结基板和封装盖板构成一气密空间形成对光电器件保护的方法，此工艺成熟、简单并且坚固，但是对于大尺寸器件的封装，由于盖板容易受重力等外力因素而变形，使盖板接触到器件而使器件受到损坏；同时针对柔性器件，在采用柔性高分子薄膜作为盖板封装的时候，在器件弯曲、折叠的时候很容易造成封装薄膜于器件发光区域碰触而损害器件。针对盖板封装的缺陷，人们开始把目光转向薄膜封装，薄膜封装是在光电器件阴极表面沉积多层薄膜，其中以Vitex System的Barix封装技术为代表，这是一种基于复合物的途径来密封光电器件的方法，在器件阴极表面制备有机、无机交替的多层薄膜，但是薄膜封装还是会有针孔产生，设备投资高，生产效率低，目前工艺不成熟。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，适用于大面积柔性光电器件的封装，在保证阻隔水氧渗透的同时，基板即使在弯曲后，封装依然有效且不会影响器件的性能和寿命。
本发明采用以下方案实现：一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一衬底；
S2：在所述衬底上制备一光电器件；
S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；
S4：制备一复合薄膜；
S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。
在本发明一实施例中，所述步骤S3中是采用电子束蒸发的方式制备所述电隔离层。
在本发明一实施例中，所述电隔离层所用的材料是SiO2、MgF2、SiN或Al2O3。
在本发明一实施例中，所述复合薄膜为石墨烯/聚合物、氧化石墨烯/聚合物或还原氧化石墨烯/聚合物。
在本发明一实施例中，所述石墨烯、氧化石墨烯或还原氧化石墨烯的厚度为0.34纳米至100纳米，所述聚合物的厚度为100纳米至100微米。
在本发明一实施例中，所述聚合物为聚甲基丙稀酸甲脂、聚苯乙烯或聚酰亚胺。
在本发明一实施例中，所述步骤S4具体步骤为：
S401：提供一铜箔并通过化学抛光、有机溶剂超声清洗和去离子水清洗进行表面处理；
S402：采用CVD法在所述铜箔上生长石墨烯；
S403：采用旋涂或者滚涂的工艺在所述步骤S402中制备的石墨烯/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/石墨烯/Cu；
S404：将所述步骤S403中制备的PMMA/石墨烯/Cu放入刻蚀液中刻蚀掉下层的铜箔，留下石墨烯/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
在本发明一实施例中，所述步骤S404后还包括：重复步骤S401-S402，然后将制备出的石墨烯/Cu倒扣在所述步骤S404中制备的石墨烯/PMMA复合薄膜上，放入刻蚀液中刻蚀掉铜箔，即制备出双层石墨烯/PMMA复合薄膜。
在本发明一实施例中，所述步骤S4具体步骤为：
S411：取一干燥的1000mL三颈瓶，先加入100mL的浓硫酸，冰浴不断搅拌下缓慢加入3g的鳞片石墨粉，再缓慢加入12g的高锰酸钾；
S412：撤走冰浴，改用水浴并控制温度为15℃反应2h；
S413：控制温度为35℃反应40min；
S414：在溶液中缓慢加入220mL的高纯水，控制温度为80℃反应20min；
S415：在溶液中加入600mL的高纯水，控制温度为45℃，缓慢滴加10mL 30%的双氧水；
S416：静置24h，倾出上层清液，抽滤留下沉淀物；
S417：改用低速大容量离心机，以4000r/min离心分离洗涤数次，至溶液pH值为7，得到GO，备用；
S418：将所述步骤S417中制备的GO以1000r/min的速度旋涂在铜箔上，得到GO/Cu，烘干；
S419：采用旋涂或者滚涂的工艺在GO/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/GO/Cu；
S4110：将所述步骤S419中制备的PMMA/GO/Cu放入刻蚀液刻蚀掉下层的铜箔，留下GO/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
在本发明一实施例中，所述步骤S5中是在所述复合薄膜的边缘涂上环氧树脂胶并覆盖于所述电隔离层上部。
本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值，该封装结构工艺简单，同时由于石墨烯本身的隔水氧特性以及良好的机械柔韧性，使得该封装方法适用于大面积柔性光电器件的封装，在保证阻隔水氧渗透的同时，基板即使在弯曲后，封装依然有效且不会影响器件的性能和寿命，使柔性光电器件有望实现实用化和量产化。
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1是本发明一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法的封装流程图。
图2是本发明提供的光电器件结构示意图。
图3是本发明提供的光电器件及设置于所述光电器件上部的电隔离层结构示意图。
图4是本发明完成封装后的结构示意图。
附图标号说明：10-衬底；20-光电器件；201-底电极；202-有机功能层；203-顶电极；30-电隔离层；40-封装层；401-石墨烯；402-聚合物。
具体实施方式
如图1所示，本发明提供一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，包括以下步骤：
S1：提供一衬底；
S2：在所述衬底上制备一光电器件；如图2所示，在衬底10上方制备一光电器件20，该光电器件包括一底电极201、一有机功能层202和一顶电极203；
S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；如图3所示，在光电器件20（的顶电极203）上方制备一电隔离层30；
S4：制备一复合薄膜（作为封装层）；
S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部（石墨烯朝向电隔离层，完成封装）。如图4所示，由于存在静电，复合薄膜（封装层40，在本实施例中，该封装层40包括一石墨烯401和一聚合物402）自动吸附在光电器件20的电隔离层30表面（也可以是在复合薄膜的边缘涂上环氧树脂胶并覆盖于所述电隔离层40上部），其中复合薄膜完全覆盖光电器件20有机功能层202和顶电极203，覆盖过程在手套箱中进行。
优选的，所述步骤S3中是采用电子束蒸发的方式制备所述电隔离层，所述电隔离层所用的材料可以但不限于SiO2、MgF2、SiN或Al2O3等材料，所述复合薄膜为石墨烯/聚合物复合薄膜、氧化石墨烯（GO）/聚合物复合薄膜或还原氧化石墨烯/聚合物复合薄膜，所述石墨烯、氧化石墨烯或还原氧化石墨烯的厚度为0.34纳米至100纳米，所述聚合物的厚度为100纳米至100微米，所述聚合物为聚甲基丙稀酸甲脂（PMMA）、聚苯乙烯（PS）或聚酰亚胺（PI）。
优选的，为了制备石墨烯/PMMA复合薄膜，所述步骤S4具体步骤可以是以下步骤：
S401：提供一铜箔并通过化学抛光、有机溶剂超声清洗和去离子水清洗等进行表面处理；
S402：采用CVD（化学气相沉积）法在所述铜箔上生长石墨烯；
S403：采用旋涂或者滚涂的工艺在所述步骤S402中制备的石墨烯/Cu上制备PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）薄膜，得到PMMA/石墨烯/Cu；
S404：将所述步骤S403中制备的PMMA/石墨烯/Cu放入刻蚀液（例如FeCl3）中刻蚀掉下层的铜箔，留下石墨烯/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
为了实现多层石墨烯的复合薄膜结构，所述步骤S404后还包括：重复步骤S401-S402，然后将制备出的另一石墨烯/Cu倒扣在所述步骤S404中制备的石墨烯/PMMA复合薄膜上，放入刻蚀液（例如FeCl3）中刻蚀掉铜箔，即制备出双层石墨烯/PMMA复合薄膜。
特别的，为了制备GO/PMMA复合薄膜，所述步骤S4具体步骤可以是以下步骤：
S411：取一干燥的1000mL三颈瓶，先加入100mL的浓硫酸，冰浴不断搅拌下缓慢加入3g的鳞片石墨粉，再缓慢加入12g的高锰酸钾；
S412：撤走冰浴，改用水浴并控制反应温度为15℃反应2h（小时）；
S413：控制反应温度为35℃反应40min（分钟）；
S414：在溶液中缓慢加入220mL（左右）的高纯水，控制反应温度为80℃反应20min；
S415：在溶液中加入600mL的高纯水，控制反应温度为45℃，缓慢滴加10mL 30%的双氧水；
S416：静置24h，倾出上层清液，抽滤留下沉淀物（沉淀用5%的盐酸反复洗涤后改用高纯水洗涤，至不能抽滤）；
S417：改用低速大容量离心机，以4000r/min离心分离洗涤数次，至溶液pH值为7（左右），得到GO，备用；
S418：将所述步骤S417中制备的GO以1000r/min的速度旋涂在铜箔上，得到GO/Cu，烘干；
S419：采用旋涂或者滚涂的工艺在GO/Cu上制备PMMA薄膜（1μm），得到PMMA/GO/Cu；
S4110：将所述步骤S419中制备的PMMA/GO/Cu放入刻蚀液（例如FeCl3）刻蚀掉下层的铜箔，留下GO/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
上列较佳实施例，对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一衬底；
S2：在所述衬底上制备一光电器件；
S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；
S4：制备一复合薄膜；
S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S3中是采用电子束蒸发的方式制备所述电隔离层。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述电隔离层所用的材料是SiO2、MgF2、SiN或Al2O3。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述复合薄膜为石墨烯/聚合物、氧化石墨烯/聚合物或还原氧化石墨烯/聚合物。
5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述石墨烯、氧化石墨烯或还原氧化石墨烯的厚度为0.34纳米至100纳米，所述聚合物的厚度为100纳米至100微米。
6.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述聚合物为聚甲基丙稀酸甲脂、聚苯乙烯或聚酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S4具体步骤为：
S401：提供一铜箔并通过化学抛光、有机溶剂超声清洗和去离子水清洗进行表面处理；
S402：采用CVD法在所述铜箔上生长石墨烯；
S403：采用旋涂或者滚涂的工艺在所述步骤S402中制备的石墨烯/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/石墨烯/Cu；
S404：将所述步骤S403中制备的PMMA/石墨烯/Cu放入刻蚀液中刻蚀掉下层的铜箔，留下石墨烯/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
8.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，所述步骤S404后还包括：重复步骤S401-S402，然后将制备出的石墨烯/Cu倒扣在所述步骤S404中制备的石墨烯/PMMA复合薄膜上，放入刻蚀液中刻蚀掉铜箔，即制备出双层石墨烯/PMMA复合薄膜。
9.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S4具体步骤为：
S411：取一干燥的1000mL三颈瓶，先加入100mL的浓硫酸，冰浴不断搅拌下缓慢加入3g的鳞片石墨粉，再缓慢加入12g的高锰酸钾；
S412：撤走冰浴，改用水浴并控制温度为15℃反应2h；
S413：控制温度为35℃反应40min；
S414：在溶液中缓慢加入220mL的高纯水，控制温度为80℃反应20min；
S415：在溶液中加入600mL的高纯水，控制温度为45℃，缓慢滴加10mL 30%的双氧水；
S416：静置24h，倾出上层清液，抽滤留下沉淀物；
S417：改用低速大容量离心机，以4000r/min离心分离洗涤数次，至溶液pH值为7，得到GO，备用；
S418：将所述步骤S417中制备的GO以1000r/min的速度旋涂在铜箔上，得到GO/Cu，烘干；
S419：采用旋涂或者滚涂的工艺在GO/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/GO/Cu；
S4110：将所述步骤S419中制备的PMMA/GO/Cu放入刻蚀液刻蚀掉下层的铜箔，留下GO/PMMA复合薄膜，并烘干备用。
10.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S5中是在所述复合薄膜的边缘涂上环氧树脂胶并覆盖于所述电隔离层上部。
CN201310716400.8A 2013-12-23 2013-12-23 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法 Active CN103682054B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310716400.8A CN103682054B (zh) 2013-12-23 2013-12-23 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310716400.8A CN103682054B (zh) 2013-12-23 2013-12-23 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103682054A true CN103682054A (zh) 2014-03-26
CN103682054B CN103682054B (zh) 2016-05-04

Family

ID=50318940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310716400.8A Active CN103682054B (zh) 2013-12-23 2013-12-23 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103682054B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104347820A (zh) * 2014-10-10 2015-02-11 信利（惠州）智能显示有限公司 Amoled器件及制备方法
CN104485157A (zh) * 2014-12-12 2015-04-01 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 石墨烯复合材料及其制备方法
CN104538562A (zh) * 2015-01-15 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其封装方法和封装装置
CN104966792A (zh) * 2015-07-17 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 一种复合薄膜及制备方法、有机发光二极管及封装方法
CN105679788A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性屏体邦定方法
CN105957978A (zh) * 2016-05-30 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制造方法
WO2019128153A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 云谷（固安）科技有限公司 封装结构及包括封装结构的显示装置
CN111244323A (zh) * 2020-01-17 2020-06-05 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111261599A (zh) * 2020-03-11 2020-06-09 黄山学院 基于石墨烯基封装衬板的大功率ipm的结构及加工工艺
WO2020113829A1 (zh) * 2018-12-07 2020-06-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置及其封装方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102173145A (zh) * 2011-01-06 2011-09-07 西安理工大学 一种氧化石墨烯涂覆膜的制备方法
CN102529297A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 金虎 一种生产石墨烯复合薄膜的装置和方法及其制品
CN102610762A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 彩虹显示器件股份有限公司 一种有机发光器件的薄膜封装方法
CN102629668A (zh) * 2011-10-10 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件封装方法、oled器件及显示装置
US20120282419A1 (en) * 2010-01-15 2012-11-08 Jonghyun Ahn Graphene protective film serving as a gas and moisture barrier, method for forming same, and use thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120282419A1 (en) * 2010-01-15 2012-11-08 Jonghyun Ahn Graphene protective film serving as a gas and moisture barrier, method for forming same, and use thereof
CN102173145A (zh) * 2011-01-06 2011-09-07 西安理工大学 一种氧化石墨烯涂覆膜的制备方法
CN102610762A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 彩虹显示器件股份有限公司 一种有机发光器件的薄膜封装方法
CN102629668A (zh) * 2011-10-10 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件封装方法、oled器件及显示装置
CN102529297A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 金虎 一种生产石墨烯复合薄膜的装置和方法及其制品

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BYUNG MIN YOO,HYE JIN SHIN,HEE WOOK YOON,HO BUM PARK: "Graphene and Graphene Oxide and Their Uses in Barrier Polymers", 《APPLIED POLYMER SCIENCE》 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104347820A (zh) * 2014-10-10 2015-02-11 信利（惠州）智能显示有限公司 Amoled器件及制备方法
CN105679788A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性屏体邦定方法
CN104485157B (zh) * 2014-12-12 2019-01-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 石墨烯复合材料及其制备方法
CN104485157A (zh) * 2014-12-12 2015-04-01 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 石墨烯复合材料及其制备方法
US10319942B2 (en) 2015-01-15 2019-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED device, packaging method thereof, and packaging apparatus
CN104538562B (zh) * 2015-01-15 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其封装方法和封装装置
CN104538562A (zh) * 2015-01-15 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其封装方法和封装装置
US9774002B2 (en) 2015-07-17 2017-09-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Composite film and method for manufacturing the same, and organic light-emitting diode and method for packaging the same
CN104966792A (zh) * 2015-07-17 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 一种复合薄膜及制备方法、有机发光二极管及封装方法
CN105957978A (zh) * 2016-05-30 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制造方法
US10439162B2 (en) 2016-05-30 2019-10-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus having the same, and fabricating method thereof
WO2019128153A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 云谷（固安）科技有限公司 封装结构及包括封装结构的显示装置
US11196022B2 (en) 2017-12-29 2021-12-07 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Package structure and display device including package structure
WO2020113829A1 (zh) * 2018-12-07 2020-06-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置及其封装方法
CN111244323A (zh) * 2020-01-17 2020-06-05 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111261599A (zh) * 2020-03-11 2020-06-09 黄山学院 基于石墨烯基封装衬板的大功率ipm的结构及加工工艺
WO2021179352A1 (zh) * 2020-03-11 2021-09-16 黄山学院 基于石墨烯基封装衬板的大功率ipm的结构及加工工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN103682054B (zh) 2016-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103682054B (zh) 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法
CN102057750B (zh) 用于封装对氧气和/或湿气敏感的电子器件的多层膜
Ha et al. Device architecture for efficient, low-hysteresis flexible perovskite solar cells: Replacing TiO2 with C60 assisted by polyethylenimine ethoxylated interfacial layers
Yang et al. All-solution processed semi-transparent perovskite solar cells with silver nanowires electrode
TWI462369B (zh) 染料敏化的太陽能電池及其製備方法
CN102437288A (zh) 有机电致发光器件的封装结构
WO2015007094A1 (zh) 基于钙钛矿类吸光材料的介观太阳能电池及其制备方法
CN102971882A (zh) 光电设备及制造其的方法
CN102270742B (zh) 一种有机光电器件封装器及器件封装方法
CN105431893A (zh) 用于有机电子器件的基板及其制造方法
CN204088387U (zh) 具有水氧阻隔能力的柔性oled器件
US20150228916A1 (en) Bottom-up ultra-thin functional optoelectronic films and devices
CN107068866A (zh) 一种半透明钙钛矿太阳能电池及其组装技术
CN106450007A (zh) 一种基于碘化亚铜/钙钛矿体异质结的太阳能电池及制备方法
CN105264685A (zh) 有机电子器件的制造方法
CN110838547A (zh) 有机电子器件真空溅射混合光固化树脂封装工艺
CN106549106A (zh) 一种基于层状钙钛矿结构材料的薄膜太阳能电池及其制备方法
CN106856223A (zh) 一种无光磁滞效应的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104425735A (zh) 电子装置
CN105552229A (zh) 一种防水有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池
CN102299120A (zh) 一种光电子器件的封装方法
CN102214804A (zh) 一种光电子器件的封装方法
CN103730594A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
Wang et al. Recent advances in the functionalization of perovskite solar cells/photodetectors
CN109378387A (zh) 一种基于PLD生长无机CuGaO2透明薄膜的半透明电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant