CN103682003A - 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片 - Google Patents

一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN103682003A
CN103682003A CN201210318969.4A CN201210318969A CN103682003A CN 103682003 A CN103682003 A CN 103682003A CN 201210318969 A CN201210318969 A CN 201210318969A CN 103682003 A CN103682003 A CN 103682003A
Authority
CN
China
Prior art keywords
window layer
led chip
algainp
layer
wet method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210318969.4A
Other languages
English (en)
Inventor
左致远
夏伟
陈康
苏建
张秋霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201210318969.4A priority Critical patent/CN103682003A/zh
Publication of CN103682003A publication Critical patent/CN103682003A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述窗口层的侧壁法向倾斜角度范围：36～75°，所述窗口层的厚度范围：1～10μm。所述锥状粗化结构包括多个紧密排列的单元锥体，所述单元锥体的底面直径范围：300nm～4μm，所述单元锥体的高度范围：200nm～4μm。本发明湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片极大的提升了AlGaInP四元LED的光提取效率，相对于传统结构芯片其光提取效率可提升60%以上。

Description

一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片
技术领域
本发明涉及一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，属于发光二极管制造技术领域。
背景技术
上世纪50年代，在IBM Thomas J.Watson Research Center为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术的出现，使得高质量的III–V族半导体的生长突破了技术壁垒，各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有效率高、寿命长、抗强力学冲击等特质，在世界范围内被看作新一代照明器件。但是由于III–V族半导体的折射率普遍较高（GaP：3.2，GaN：2.4），这就导致LED的发光区域发出的光在经芯片表面出射到空气中时受制于界面全反射现象，只有极少部分的光可以出射到器件外部（GaP约为2.4%，GaN约为4%）。界面全反射现象导致LED的外量子效率低下，是制约LED替代现有照明器件的主要原因。
1969年Nuese等人在J.Electrochem Soc.:Solid State Sci.发表了利用环氧树脂封装的LED芯片，将红光GaAs基LED的外量子效率提高了1-2倍。在GaP材料与空气之间加入一层折射率为1.5的环氧树脂可以有效增大全反射临界角度，使得更多的光线可以出射到LED器件外部。但是此方法引入的仍旧是平整出光表面，对于外量子效率的提高有限，并且多引入了一层界面亦会导致界面菲涅尔损耗，同时树脂材料的辐照老化也会导致光提取效率下降。
1993年，Schnitzer等人在Appl.Phys.Lett.首先利用干法刻蚀的方法对半导体材料出光表面进行粗化制得了表面粗化LED，得到了50%的光提取效率。表面粗化提高LED芯片光引出效率的原理是利用LED出光表面的凹凸结构，将全反射角度的光线散射出或者引导出芯片，从而增加可以出射到LED外部的光线比例。此后，Windisch在IEEE Trans.Electron Dev.以及Appl.Phys.Lett.等期刊报道了类似的表面粗化LED。利用干法刻蚀加工的表面粗化LED不足之处在于：（1）干法刻蚀对于半导体材料的载流子输运性质具有很大的破坏性，使得LED的电学性能明显降低；（2）干法刻蚀设备的购置及使用成本异常高昂，使得LED的成本大幅度上升；（3）利用干法刻蚀对LED出光表面进行粗化的形貌及尺寸没有办法进行控制和优化；（4）加工时间较长，生产效率较低。
在半导体材料的外延过程中进行一定的设计和调控，也可以制备出表面粗化LED，如中国专利文件CN 101521258提供一种提高发光二极管外量子效率的方法，该方法是通过发光二极管外延片结构中P型层的生长时提高P型层Mg的掺杂浓度，从而达到外延片表面粗糙化的效果。粗化层可以是P型复合层中任意一层，或多层，或某一层某一个区域。既保证了较高的空穴浓度又提供了粗化表面，LED表面粗化层将那些满足全反射定律的光改变方向，破坏光线在LED内部的全反射，提升出光效率，从而提高外量子效率。但是改变外延生长参数会导致LED芯片电学以及光学性质的下降。利用此方法得到的粗化表面粗糙度有限，难以得到理想的光提取效率提高。
1999年，Krames在Appl.Phys.Lett.提出了干法加工的芯片侧壁均为35°倾斜的LED芯片结构，并且得到了40%的光提取效率增强（US 2007/0284607A1）。其提出的LED结构中，从表面出光窗口层至衬底侧壁均为倾斜状，整个芯片呈现为倒金字塔形。此种芯片在干法过程中需要去除芯片边缘的量子阱有源发光区，导致在光提取效率提升的同时需要放弃部分有效发光区域。复杂的芯片制作工艺并没有使这种设计思路发挥最大的作用。并且采用干法技术设备成本高、加工效率低，并且对于芯片的性质有一定的损伤。干法加工无法同时对出光面进行粗化，需额外引入多步工艺实现。
综上所述，以上LED芯片均不完全具备以下特点：不降低量子阱有源发光区面积、出光面表面粗化、易于与现有LED工艺结合、无毒害、对于LED芯片电学性能无破坏的特点。
发明内容
术语解释：
1、分散布拉格反射镜：依靠折射率周期变化增加反射率的结构的反射镜；
2、ODR反射镜：金属反射镜与四分之一波片复合反射镜。
针对现有技术的不足，本发明公开了一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，旨在提供一种光提取效率高的LED芯片。
本发明的技术方案如下：
一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述的湿法粗化法的详细工艺按照期刊《Applied Physics Letters》2011年99卷第121104页所记载的技术内容实施。
根据本发明优选的，所述窗口层的侧壁法向倾斜角度范围：36°-75°，所述窗口层的厚度范围：1～10μm。
根据本发明优选的，所述窗口层材料为GaP、AlGaInP或AlGaAs。
根据本发明优选的，所述窗口层为圆锥台形或四棱锥台形。
根据本发明优选的，所述锥状粗化结构包括多个紧密排列的单元锥体，所述单元锥体的底面直径范围：300nm～4μm，所述单元锥体的高度范围：200nm～4μm。所述单元椎体呈随机排列或有序排列。
根据本发明优选的，所述的LED芯片为传统结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的n面电极1，GaAs衬底2，分散布拉格反射镜3，n-AlGaInP限制层4，多量子阱有源发光区5，p-AlGaInP限制层6，带有锥状粗化结构的侧壁倾斜GaP窗口层9-1和p面电极8。
根据本发明优选的，所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：8μm；，所述单元锥体的底面直径为：2μm，所述单元锥体的高度为：4μm。
根据本发明优选的，所述的LED芯片为换衬底结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的p面电极8，衬底层11，ODR反射镜12，限制层6-1，多量子阱有源发光区5，n-AlGaInP限制层4，带有锥状粗化结构的AlGaInP倾斜侧壁窗口层9-2和n面电极1。
根据本发明优选的，所述衬底层11为Si衬底、Ge衬底或金属衬底。
根据本发明优选的，限制层6-1为GaP层、AlGaInP层或AlGaAs层。
根据本发明优选的，所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：3μm；，所述单元锥体的底面直径为：1μm，所述单元锥体的高度为：2.5μm。
本发明的优点在于：
1.本发明仅在窗口层进行倾斜侧壁加工，无需去除多量子阱有源发光区。集成倾斜侧壁与窗口层表面粗化两种技术，光提取效果更佳。
2.本发明湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片极大的提升了AlGaInP四元LED的光提取效率，相对于传统结构芯片其光提取效率可提升60%以上。
3.本发明的湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片工艺简单，成本低廉。并且无需牺牲多量子阱有源发光区的面积。
附图说明
图1为传统结构的AlGaInP四元LED结构示意图；
图2为传统结构窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED结构示意图；
图3为换衬底结构窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED结构示意图；
图4为实施例1与对比例1所述的LED芯片角度分布电致发光对比图；
图5为实施例2与对比例2所述的LED芯片角度分布电致发光对比图。
在图1-3中，1、n面电极，2、GaAs衬底，3、分散布拉格反射镜，4、n-AlGaInP限制层，5、多量子阱有源发光区，6、p-AlGaInP限制层，6-1、限制层，7、窗口层，8、p面电极，9、侧壁倾斜的窗口层，9-1、带有锥状粗化结构的倾斜侧壁GaP窗口层，9-2、带有锥状粗化结构的AlGaInP倾斜侧壁窗口层，10、粗化结构,11、衬底层，12、ODR反射镜。
在图4-5中，13、是实施例1所述LED芯片的角度分布电致发光图；14、对比例1所述LED芯片的角度分布电致发光图；15、是实施例2所述LED芯片的角度分布电致发光图；16、对比例2所述LED芯片的角度分布电致发光图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本发明做详细的说明，但不限于此。
实施例1、
一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述窗口层为圆锥台形。
所述的LED芯片为传统结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的n面电极1，GaAs衬底2，分散布拉格反射镜3，n-AlGaInP限制层4，多量子阱有源发光区5，p-AlGaInP限制层6，带有锥状粗化结构的侧壁倾斜GaP窗口层9-1和p面电极8。
所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：8μm；，所述单元锥体的底面直径为：2μm，所述单元锥体的高度为：4μm。
实施例2、
一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED 芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述的窗口层为四棱锥台形。
所述的LED芯片为换衬底结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的p面电极8，衬底层11，ODR反射镜12，限制层6-1，多量子阱有源发光区5，n-AlGaInP限制层4，带有锥状粗化结构的AlGaInP倾斜侧壁窗口层9-2和n面电极1。
所述衬底层11为Si衬底。
限制层6-1为AlGaInP层。
所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：3μm；，所述单元锥体的底面直径为：1μm，所述单元锥体的高度为：2.5μm。
对比例1：
对采用尺寸和功率与实施例1完全相同的传统结构的AlGaInP四元LED芯片做实施例1的对比例1。
将实施例1和对比例1的LED芯片利用Avantes光纤光谱仪分别做出角度分布电致发光图做对比，如图4所示：实施例1的芯片发光强度较对比例1的发光强度提高了73%。
对比例2、
对采用尺寸和功率与实施例2完全相同的换衬底结构的AlGaInP四元LED芯片做实施例2的对比例2。
将实施例2和对比例2的LED芯片利用Avantes光纤光谱仪分别做出分别做出角度分布电致发光图做对比，如图5所示：实施例1的芯片发光强度较对比例1的发光强度提高了62%。
实施例3、
如实施例2所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其区别在于，所述衬底层11为Ge衬底。
限制层6-1为GaP层。
所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：36°，所述窗口层的厚度为：7μm；，所述单元锥体的底面直径为：900nm，所述单元锥体的高度为：1μm。
实施例4、
如实施例2所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其区别在于，所述衬底层11为金属衬底；限制层6-1为AlGaAs层。
所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：50°，所述窗口层的厚度为：10μm；，所述单元锥体的底面直径为：3μm，所述单元锥体的高度为：4μm。

Claims (10)

1.一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，该LED芯片包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。
2.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口层的侧壁法向倾斜角度范围：36°-75°，所述窗口层的厚度范围：1～10μm。
3.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口层材料为GaP、AlGaInP或AlGaAs。
4.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口层为圆锥台形或四棱锥台形。
5.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述锥状粗化结构包括多个紧密排列的单元锥体，所述单元锥体的底面直径范围：300nm～4μm，所述单元锥体的高度范围：200nm～4μm。
6.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片为传统结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的n面电极，GaAs衬底，分散布拉格反射镜，n-AlGaInP限制层，多量子阱有源发光区，p-AlGaInP限制层，带有锥状粗化结构的侧壁倾斜GaP窗口层和p面电极。
7.根据权利要求6所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：8μm；，所述单元锥体的底面直径为：2μm，所述单元锥体的高度为：4μm。
8.根据权利要求1所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述的LED芯片为换衬底结构的AlGaInP四元LED芯片，该芯片包括由下而上依次设置的p面电极，衬底层，ODR反射镜，限制层，多量子阱有源发光区，n-AlGaInP限制层，带有锥状粗化结构的AlGaInP倾斜侧壁窗口层和n面电极。
9.根据权利要求8所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述衬底层为Si衬底、Ge衬底或金属衬底。
10.根据权利要求8所述的一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，其特征在于，所述限制层为GaP层、AlGaInP层或AlGaAs层；所述窗口层的侧壁法向倾斜角度为：75°，所述窗口层的厚度为：3μm；，所述单元锥体的底面直径为：1μm，所述单元锥体的高度为：2.5μm。
CN201210318969.4A 2012-08-31 2012-08-31 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片 Pending CN103682003A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210318969.4A CN103682003A (zh) 2012-08-31 2012-08-31 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210318969.4A CN103682003A (zh) 2012-08-31 2012-08-31 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103682003A true CN103682003A (zh) 2014-03-26

Family

ID=50318908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210318969.4A Pending CN103682003A (zh) 2012-08-31 2012-08-31 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103682003A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105283970A (zh) * 2013-06-26 2016-01-27 信越半导体株式会社 发光元件及发光元件的制造方法
CN105914274A (zh) * 2016-06-13 2016-08-31 南昌凯迅光电有限公司 一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法
CN108417678A (zh) * 2018-03-16 2018-08-17 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN112490303A (zh) * 2020-10-28 2021-03-12 南昌大学 n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257075A (zh) * 2008-03-13 2008-09-03 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管器件及其制造方法
CN101494263A (zh) * 2008-01-23 2009-07-29 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN101859855A (zh) * 2010-05-14 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法
CN102280536A (zh) * 2011-08-02 2011-12-14 山东大学 一种光辅助红光led的磷化镓窗口层湿法粗化的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101494263A (zh) * 2008-01-23 2009-07-29 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN101257075A (zh) * 2008-03-13 2008-09-03 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管器件及其制造方法
CN101859855A (zh) * 2010-05-14 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法
CN102280536A (zh) * 2011-08-02 2011-12-14 山东大学 一种光辅助红光led的磷化镓窗口层湿法粗化的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105283970A (zh) * 2013-06-26 2016-01-27 信越半导体株式会社 发光元件及发光元件的制造方法
CN105283970B (zh) * 2013-06-26 2018-06-19 信越半导体株式会社 发光元件及发光元件的制造方法
CN105914274A (zh) * 2016-06-13 2016-08-31 南昌凯迅光电有限公司 一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法
CN108417678A (zh) * 2018-03-16 2018-08-17 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN112490303A (zh) * 2020-10-28 2021-03-12 南昌大学 n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Oder et al. III-nitride blue and ultraviolet photonic crystal light emitting diodes
KR101280400B1 (ko) 광전 소자 및 그 제조방법
US11670738B2 (en) Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods
KR100867529B1 (ko) 수직형 발광 소자
CN101197417B (zh) 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
US20130221320A1 (en) Led with embedded doped current blocking layer
JP2005129939A (ja) フォトニック結晶発光デバイス
US10411165B2 (en) Invisible-light light emitting diode and fabrication method thereof
US20130299858A1 (en) Light emitting diode (led) contact structures and process for fabricating the same
KR102337405B1 (ko) 나노구조 반도체 발광소자
CN103682003A (zh) 一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片
Yu et al. A 10× 10 deep ultraviolet light-emitting micro-LED array
CN104952993A (zh) 一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管
KR20150142740A (ko) 발광소자 및 조명시스템
US20120080698A1 (en) High efficiency light emitting diodes
Xiao et al. In-depth investigation of deep ultraviolet MicroLED geometry for enhanced performance
US20100193826A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
Ni et al. Light extraction and Auger recombination in AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Zhou et al. High power GaN-based LEDs with low optical loss electrode structure
Hsu et al. Study of GaN-based LEDs with hybrid SiO 2 microsphere/nanosphere antireflection coating as a passivation layer by a rapid convection deposition
Wang et al. Fabrication and efficiency improvement of micropillar InGaN∕ Cu light-emitting diodes with vertical electrodes
Liou et al. Enhanced light extraction of a high-power GaN-based light-emitting diode with a nanohemispherical hybrid backside reflector
Wang et al. Influences of microhole depth and SiO 2 nanoparticle/microsphere passivation layer on the performance of GaN-based light-emitting diodes
Liou et al. Characteristics of GaN-based LEDs with hybrid microhole arrays and SiO 2 microspheres/nanoparticles structures
KR102581856B1 (ko) 자외선 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20151111

Address after: 261061 Weifang high tech Zone, Jin Road, No. 9, No.

Applicant after: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co., Ltd.

Address before: 250101 Shandong city of Ji'nan province high tech Zone (Lixia) Tianchen Street No. 1835

Applicant before: Shandong Huaguang Photoelectronic Co., Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140326

RJ01 Rejection of invention patent application after publication