CN103681539A - 一种集成共模电感的封装结构及其封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明一种集成共模电感的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括上下分布、绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120），在上层电感线圈（110）的内端口和外端口处分别设置与上层电感线圈（110）垂直向上连接的上层金属柱（210）；在下层电感线圈（120）的内端口和外端口处分别设置与下层电感线圈（120）垂直连接的下层金属柱（220），下层金属柱（220）与上层金属柱（210）的垂直方向相同或相反；下层电感线圈（120）由金属载具通过湿法腐蚀工艺制成。本发明的封装结构体积小、呈扁平状、性能参数一致性，可以降低高频下共模电感损耗，提高EMI滤波器的性能，适应规模化生产。

Description

一种集成共模电感的封装结构及其封装方法

技术领域

本发明涉及一种集成共模电感的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

EMI滤波器主要使用共模电感器，复杂的EMI（电磁干扰）环境、高集成化、高功率密度，决定了EMI滤波器低损耗、模块化、扁平化是发展前景。而传统绕线共模电感包括导磁体和漆包线线圈，导磁体呈圆柱形、工字形、环形等，漆包线线圈绕制于导磁体的外面形成线圈，常用工业标准0805和0603尺寸，因此传统绕线共模电感存在体积大、形状难于实现扁平等缺点，影响了EMI滤波器的进一步发展。

传统绕线共模电感为分立器件，其线圈通常是以人工方式绕制在导磁体上，该制造工艺无法保证产品性能参数的一致性；同时共模电感需要的两组线圈存在的差异，可能导致高频下共模电感损耗较大，降低了EMI滤波器的性能；传统共模电感的制造工艺效率低下，生产成本高，不适应规模化生产。

发明内容

承上所述，本发明的目的在于克服上述传统共模电感的不足，提供一种体积小、呈扁平状、性能参数一致性的集成共模电感的封装结构及其封装方法，以降低高频下共模电感损耗，提高EMI滤波器的性能，提高生产效率，适应规模化生产。

本发明的目的是这样实现的：

本发明一种集成共模电感的封装方法，包括以下工艺过程：

提供一金属载具；

在金属载具的上表面形成连贯的上层电感线圈，所述上层电感线圈的线宽小于线距；

上层电感线圈内端口和外端口处分别形成垂直连接上层电感线圈的上层金属柱，所述上层金属柱垂直金属载具所在平面；

采用塑封工艺塑封上述金属载具上的上层电感线圈和上层金属柱； 

通过湿法腐蚀工艺将金属载具制成与上层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的连贯的下层电感线圈； 

下层电感线圈内端口和外端口处分别形成垂直连接下层电感线圈的下层金属柱；

再次采用塑封工艺塑封下层电感线圈和下层金属柱；

将上述封装结构进行电镀，分别同时形成上层金属柱的金属柱保护层和下层金属柱的金属柱保护层；

在金属柱保护层和金属柱保护层上分别设置焊球和焊球，实现共模电感与载板之间的连接。

进一步地，所述金属载具上的上层电感线圈通过如下工艺步骤形成：

1）在金属载具上涂布或粘附光刻胶层Ⅰ，所述光刻胶层Ⅰ的厚度不小于上层电感线圈的厚度，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅰ的连贯的光刻胶层Ⅰ开口图形；

2）采用电镀工艺，以金属载具作为电镀的种子层，在光刻胶层Ⅰ开口图形内形成连贯的上层电感线圈；

3）用去胶工艺去除剩余的光刻胶。

进一步地，与所述上层电感线圈垂直连接的所述上层金属柱通过如下步骤形成：

1）在上层电感线圈上涂布或粘附光刻胶层Ⅱ，所述光刻胶层Ⅱ的厚度不小于上层金属柱的厚度；

2）在上层电感线圈的内端口和外端口处，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅱ的光刻胶层Ⅱ开口；

3）以上层电感线圈作为电镀的种子层，通过电镀工艺在光刻胶层Ⅱ开口内形成所述上层金属柱。

进一步地，采用塑封工艺塑封金属载具上的上层电感线圈和上层金属柱还包括步骤：

用机械抛磨的方法去掉上层金属柱上端无效区域的塑封料，使上层金属柱与塑封料齐平，形成上层塑封层。 

进一步地，将所述金属载具制成与上层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的连贯的下层电感线圈，包括如下工艺步骤：

1）在金属载具下表面涂布或者粘附光刻胶层Ⅲ；

2）通过曝光、显影等光刻工艺去掉光刻胶层Ⅲ的无效部分，形成连贯的光刻胶层Ⅲ图形，光刻胶层Ⅲ图形与上层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分，光刻胶层Ⅲ图形将金属载具分为覆盖金属载具的有效部分和未覆盖金属载具的无效部分；

3）通过湿法腐蚀工艺去除光刻胶层Ⅲ图形未覆盖金属载具的无效部分，覆盖金属载具的有效部分形成下层电感线圈；

4）采用去胶工艺去掉下层电感线圈上剩余的光刻胶。

进一步地，与所述下层电感线圈垂直连接的所述下层金属柱通过如下步骤形成：

1）在下层电感线圈上涂布或粘附光刻胶层Ⅳ，所述光刻胶层Ⅳ的厚度不小于下层金属柱的厚度；

2）在下层电感线圈的内端口和外端口处，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅳ的光刻胶层Ⅳ开口；

3）以下层电感线圈作为电镀的种子层，通过电镀工艺在光刻胶层Ⅳ开口内形成所述下层金属柱。

进一步地，采用塑封工艺塑封下层电感线圈和下层金属柱还包括步骤：

机械抛磨的方法去掉下层金属柱下端无效区域的塑封料，使下层金属柱与塑封料齐平，形成下层塑封层。

本发明一种集成共模电感的封装方法形成的集成共模电感的封装结构，包括上下分布的线宽小于线距的平面状的上层电感线圈和下层电感线圈，所述上层电感线圈和下层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分，在所述上层电感线圈和下层电感线圈的内端口和外端口处分别设置与所述上层电感线圈和下层电感线圈垂直连接的上层金属柱和下层金属柱，所述上层电感线圈和上层金属柱通过上层塑封层塑封，露出的上层金属柱的端面设置金属柱保护层，所述金属柱保护层的表面设置焊球；所述下层电感线圈和下层金属柱通过下层塑封层塑封，露出的下层金属柱的端面设置金属柱保护层，所述金属柱保护层的表面设置焊球。

可选地，所述下层电感线圈的厚度与上层电感线圈的厚度相等。

可选地，所述上层电感线圈与下层电感线圈呈平面的螺旋状。

本发明一种集成共模电感的封装结构采用半导体工艺和塑封工艺完成，能够大幅度减小共模电感的尺寸，并使集成共模电感的性能参数保证一致性，提高了生产效率，能够适应规模化生产发展。

本发明的有益效果是：

由于采取半导体工艺，大幅度减小了共模电感的尺寸，其塑封工艺形成的扁平形状，有助于提高EMI滤波器的集成度；在制作过程中避免了人为因素的影响，能够使集成共模电感的性能参数保证一致性，降低了高频下共模电感损耗，提高了EMI滤波器的性能；机械化的半导体工艺取代人工制造工艺，提高了生产效率，降低了生产成本，能够适应规模化生产发展。

附图说明

图1为本发明一种集成共模电感的封装方法的流程示意图。

图2为本发明一种集成共模电感的封装结构的实施例的示意图。

图3为图2的A-A剖面的示意图。

图4～图23为图2实施例的封装方法的示意图。

图中：

电感线圈100

上层电感线圈110

下层电感线圈120

上层金属柱210

下层金属柱220

塑封层300

上层塑封层310

下层塑封层320

金属柱保护层410

金属柱保护层420

焊球510、520

金属载具T100

光刻胶层ⅠT210

光刻胶层Ⅰ开口图形T211

光刻胶层ⅡT220

光刻胶层Ⅱ开口T221

光刻胶层ⅢT230

光刻胶层Ⅲ图形T231

光刻胶层ⅣT240

光刻胶层Ⅳ开口T241。

具体实施方式

参见图1，为本发明一种集成共模电感的封装方法采用半导体封装工艺成形，包括以下工艺流程：

执行步骤S101：提供一金属载具；

执行步骤S102：在金属载具的上表面形成连贯的上层电感线圈，所述上层电感线圈的线宽小于线距；

执行步骤S103：上层电感线圈内端口和外端口处分别形成垂直连接上层电感线圈的上层金属柱，所述上层金属柱垂直金属载具所在平面；

执行步骤S104：采用塑封工艺塑封上述金属载具上的上层电感线圈和上层金属柱；

执行步骤S105：通过湿法腐蚀工艺将金属载具制成与上层电感线圈的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的连贯的下层电感线圈；

执行步骤S106：下层电感线圈内端口和外端口处分别形成垂直连接下层电感线圈的下层金属柱；

执行步骤S107：再次采用塑封工艺塑封下层电感线圈和下层金属柱；

执行步骤S108：将上述封装结构进行电镀，分别同时形成上层金属柱和下层金属柱的金属柱保护层；

执行步骤S109：在金属柱保护层上分别设置焊球，实现共模电感与载板之间的连接。

本发明一种集成共模电感的封装方法在共模电感结构的制作过程中，依赖金属载具T100来承载上述电感结构，并在后续工艺中将金属载具T100加工成下层电感线圈120。金属载具T100为一金属板，其材质与制作电感线圈的材质一致，一般选用热阻小、厚度范围30um～150 um的厚铜。

本发明形成的集成共模电感的封装结构的实施例，如图2和图3所示。

本发明一种集成共模电感的封装结构的铜质上层电感线圈110呈平面的螺旋状，其由厚度范围30um～150 um且有一定间隙的上层电感线圈110连贯而成，上层电感线圈110的线宽a1小于线距b1。上层电感线圈110的螺旋方向不限定，可以顺时针，也可以逆时针。上层电感线圈110的内外端口处分别设置有与上层电感线圈110垂直连接的上层金属柱210，且上层金属柱210垂直上层电感线圈110所在的平面向上，上层金属柱210的横截面呈圆形、矩形或多边形。上层金属柱210的宽度不大于上层电感线圈110的线宽a1。相邻上层电感线圈110的间隙和上层电感线圈110与上层金属柱210外围采用塑封材料塑封，形成上层塑封层310，塑封材料为热固化性树脂。上层金属柱210的端面露出上层塑封层310，其端面设置镍金材质的金属柱保护层410，金属柱保护层410上设置焊球510、焊料块等连接部件实现与载板之间的连接。

铜质下层电感线圈120也呈平面的螺旋状，线宽a2小于线距b2，且绕制方向和匝数与上层电感线圈110相同。优选地，线宽a1与线宽a2相等，线距b1与线距b2相等，下层电感线圈120的厚度与上层电感线圈110的厚度可以相等，也可以不等。上层电感线圈110和下层电感线圈120在垂直方向上无重叠部分，完全错开。上层电感线圈110和下层电感线圈120的匝数根据共模电感的感值大小来确定。下层金属柱220与下层电感线圈120垂直连接并垂直下层电感线圈120所在的平面向下，下层金属柱220的横截面呈圆形、矩形或多边形。下层金属柱220的宽度不大于下层电感线圈120的线宽a2。相邻下层电感线圈120的间隙和下层电感线圈120与下层金属柱220外围采用塑封材料塑封，形成下层塑封层320。下层金属柱220的端面露出下层塑封层320，其端面设置镍金材质的金属柱保护层420，金属柱保护层420上设置焊球520、焊料块等连接部件实现与载板之间的连接。

本发明集成共模电感的封装结构的实施例的封装方法的实现过程如下：

如图4所示，提供一金属载具T100。

如图5和图6所示，在金属载具T100上涂布光刻胶层ⅠT210或者粘附干膜式的光刻胶层ⅠT210，光刻胶层ⅠT210的厚度不小于上层电感线圈110所需的厚度。通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层ⅠT210的光刻胶层Ⅰ开口图形T211，光刻胶层Ⅰ开口图形T211为镂空的连贯的螺旋状。

如图7所示，以金属载具T100为种子层，在光刻胶层Ⅰ开口图形T211内采用电镀工艺形成连贯的螺旋状的上层电感线圈110。

如图8所示，在上述结构上涂布或粘附厚度不小于上层金属柱210厚度的光刻胶层ⅡT220，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层ⅡT220的光刻胶层Ⅱ开口T221，光刻胶层Ⅱ开口T221设置于上层电感线圈110的内端口和外端口处。光刻胶层Ⅱ开口T221的横截面形状可以为圆形、矩形或多边形。

如图9所示，以上层电感线圈110作为种子层，在光刻胶层Ⅱ开口T221内采用电镀工艺形成上层金属柱210，上层金属柱210与上层电感线圈110垂直连接。

如图10所示，采用去胶工艺去掉金属载具T100上剩余的光刻胶层ⅠT210和光刻胶层ⅡT220。

如图11所示，取热固化性树脂等塑封材料采用塑封工艺将上述金属载具T100上的上层电感线圈110和上层金属柱210进行包埋，热固化性树脂未加热之前为液态，加热后，树脂凝固成形，包裹上层电感线圈110和上层金属柱210，热固化性树脂不仅可以使上层电感线圈110和上层金属柱210防氧化，而且有一定的强度，具有可塑性，方便产品成形。

如图12所示，用磨片机采用机械抛磨的方法去掉上层金属柱210上端无效区域的塑封料，露出上层金属柱210的上端面，形成与上层金属柱210齐平的上层塑封层310。

如图13和图14所示，在金属载具T100下表面涂布光刻胶层ⅢT230或者粘附干膜式的光刻胶层ⅢT230，通过曝光、显影等光刻工艺去掉光刻胶层ⅢT230的无效部分，形成光刻胶层Ⅲ图形T231，光刻胶层Ⅲ图形T231为连贯的螺旋状图形，光刻胶层Ⅲ图形T231与上层电感线圈110的绕制方向相同、匝数相等、线宽与线距分别一致且在垂直方向上无重叠部分，光刻胶层Ⅲ图形T231将金属载具T100分为覆盖金属载具T100的有效部分和未覆盖金属载具T100的无效部分，金属载具T100与光刻胶层Ⅲ图形T231的位置关系如图14所示。

如图15所示，通过湿法腐蚀工艺将光刻胶层Ⅲ图形T231未覆盖金属载具T100的无效部分腐蚀干净，覆盖金属载具T100的有效部分形成下层电感线圈120。

如图16所示，采用去胶工艺去掉金属载具T100上剩余的光刻胶层ⅢT230。

如图17和图18所示，在上述结构上涂布或粘附厚度不小于下层金属柱220的光刻胶层ⅣT240，在下层电感线圈120的内端口和外端口处，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层ⅣT240的光刻胶层Ⅳ开口T241，如图18所示。光刻胶层Ⅳ开口T241的横截面形状可以为圆形、矩形或多边形。

如图19所示，以上层下层电感线圈120作为种子层，在光刻胶层Ⅳ开口T241内采用电镀工艺形成下层金属柱220，下层金属柱220与下层电感线圈120垂直连接。

如图20所示，采用去胶工艺去掉金属载具T100上剩余的光刻胶层ⅣT240。

如图21所示，取热固化性树脂等塑封材料采用塑封工艺将上述封装结构的下层电感线圈120和下层金属柱220进行包埋，热固化性树脂未加热之前为液态，加热后，树脂凝固成形，包裹下层电感线圈120和下层金属柱220，热固化性树脂不仅可以使下层电感线圈120和下层金属柱220防氧化，用磨片机采用机械抛磨的方法去掉下层金属柱220上无效区域的塑封料，露出下层金属柱220的上端面，形成与下层金属柱220齐平的下层塑封层320。

如图22所示，在上层金属柱210和下层金属柱220的裸露面分别镀镍金材质的金属柱保护层410和金属柱保护层420，以防止器件被氧化，因此上层金属柱210和下层金属柱220的电镀过程需要同时进行。

如图23所示，通过植球或印刷焊膏、回流的方法在金属柱保护层410和金属柱保护层420上分别设置焊球510和焊球520，以实现电感与载板之间的连接。当然，除了焊球外，焊料块、焊料层等均能起到连接作用。

另外，针对产线的流水线作业，图11和图12 对应的塑封工艺在流水线上给予的固化时间有限，一般为5～10分钟。为了提高上述封装结构的热固化性树脂的硬度，必要的时候，可以将上述封装结构再次放入烘箱进行无氧固化，一般为60～90分钟，烘箱温度设定在160～190℃。

本发明在制作上层电感线圈110、上层金属柱210和下层金属柱220时，采用光刻工艺，借助光刻胶的感光性能成形；本发明也可以采用激光刻蚀工艺来形成制作上层电感线圈110、上层金属柱210和下层金属柱220所需的开口或开口图形，这样，制作开口或开口图形的模板可以采用一般的成形胶，以减少光刻胶的使用量。

本发明一种集成共模电感的封装方法，一改传统铁磁绕线圈的电感制作工艺，采用半导体圆片级工艺和塑封工艺完成了新型结构的集成共模电感，大幅度减小了共模电感的尺寸，经测算，集成共模电感的尺寸可缩小约50%～70%，并形成了扁平的形状，有助于提高EMI滤波器的集成度；在制作过程中避免了人为因素的影响，能够使集成共模电感的性能参数保证一致性，降低了高频下共模电感损耗，减小了寄生效应，提高了EMI滤波器的性能，有利于使用该集成共模电感的便携式设备的市场推广；机械化的半导体工艺取代人工制造工艺，提高了生产效率，降低了生产成本，能够适应规模化生产发展。

本发明的集成共模电感的封装结构及其封装方法不限于上述实施例，任何本领域技术人员在不脱离本本发明的精神和范围内，依据本本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围内。

Claims (10)

1.一种集成共模电感的封装方法，包括以下工艺过程：

提供一金属载具（T100）；

在金属载具（T100）的上表面形成连贯的上层电感线圈（110），所述上层电感线圈（110）的线宽小于线距；

上层电感线圈（110）内端口和外端口处分别形成垂直连接上层电感线圈（110）的上层金属柱（210），所述上层金属柱（210）垂直金属载具所在平面；

采用塑封工艺塑封上述金属载具（T100）上的上层电感线圈（110）和上层金属柱（210）；

通过湿法腐蚀工艺将金属载具（T100）制成与上层电感线圈（110）的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的连贯的下层电感线圈（120）；

下层电感线圈（120）内端口和外端口处分别形成垂直连接下层电感线圈（120）的下层金属柱（220）；

再次采用塑封工艺塑封下层电感线圈（120）和下层金属柱（220）；

将上述封装结构进行电镀，分别同时形成上层金属柱（210）和下层金属柱（220）的金属柱保护层；

在金属柱保护层上分别设置焊球，实现共模电感与载板之间的连接。

2.根据权利要求1所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：所述金属载具（T100）上的上层电感线圈（110）通过如下工艺步骤形成：

1）在金属载具（T100）上涂布或粘附光刻胶层Ⅰ（T210），所述光刻胶层Ⅰ（T210）的厚度不小于上层电感线圈（110）的厚度，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅰ（T210）的连贯的光刻胶层Ⅰ开口图形（T211）；

2）采用电镀工艺，以金属载具（T100）作为电镀的种子层，在光刻胶层Ⅰ开口图形（T211）内形成连贯的上层电感线圈（110）；

3）用去胶工艺去除剩余的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：与所述上层电感线圈（110）垂直连接的所述上层金属柱（210）通过如下步骤形成：

1）在上层电感线圈（110）上涂布或粘附光刻胶层Ⅱ（T220），所述光刻胶层Ⅱ（T220）的厚度不小于上层金属柱（210）的厚度；

2）在上层电感线圈（110）的内端口和外端口处，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅱ（T220）的光刻胶层Ⅱ开口（T221）；

3）以上层电感线圈（110）作为电镀的种子层，通过电镀工艺在光刻胶层Ⅱ开口（T221）内形成所述上层金属柱（210）。

4.根据权利要求3所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：采用塑封工艺塑封金属载具（T100）上的上层电感线圈（110）和上层金属柱（210）还包括步骤：

用机械抛磨的方法去掉上层金属柱（210）上端无效区域的塑封料，使上层金属柱（210）与塑封料齐平，形成上层塑封层（310）。

5.根据权利要求4所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：将所述金属载具（T100）制成与上层电感线圈（110）的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的连贯的下层电感线圈（120），包括如下工艺步骤：

1）在金属载具（T100）下表面涂布或者粘附光刻胶层Ⅲ（T230）；

2）通过曝光、显影等光刻工艺去掉光刻胶层Ⅲ（T230）的无效部分，形成连贯的光刻胶层Ⅲ图形（T231），光刻胶层Ⅲ图形（T231）与上层电感线圈（110）的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分，光刻胶层Ⅲ图形（T231）将金属载具（T100）分为覆盖金属载具（T100）的有效部分和未覆盖金属载具（T100）的无效部分；

3）通过湿法腐蚀工艺去除光刻胶层Ⅲ图形（T231）未覆盖金属载具（T100）的无效部分，覆盖金属载具（T100）的有效部分形成下层电感线圈（120）；

4）采用去胶工艺去掉下层电感线圈（120）上剩余的光刻胶。

6.根据权利要求5所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：与所述下层电感线圈（120）垂直连接的所述下层金属柱（220）通过如下步骤形成：

1）在下层电感线圈（120）上涂布或粘附光刻胶层Ⅳ（T240），所述光刻胶层Ⅳ（T240）的厚度不小于下层金属柱（220）的厚度；

2）在下层电感线圈（120）的内端口和外端口处，通过曝光、显影等光刻工艺形成贯穿光刻胶层Ⅳ（T240）的光刻胶层Ⅳ开口（T241）；

3）以下层电感线圈（120）作为电镀的种子层，通过电镀工艺在光刻胶层Ⅳ开口（T241）内形成所述下层金属柱（220）。

7.根据权利要求6所述的一种集成共模电感的封装方法，其特征在于：采用塑封工艺塑封下层电感线圈（120）和下层金属柱（220）还包括步骤：

机械抛磨的方法去掉下层金属柱（220）下端无效区域的塑封料，使下层金属柱（220）与塑封料齐平，形成下层塑封层（320）。

8.一种如权利要求7所述的集成共模电感的封装方法形成的集成共模电感的封装结构，其特征在于：包括上下分布的线宽小于线距的平面状的上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120），所述上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120）的绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分，在所述上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120）的内端口和外端口处分别设置与所述上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120）垂直连接的上层金属柱（210）和下层金属柱（220），所述上层电感线圈（110）和上层金属柱（210）通过上层塑封层（310）塑封，露出的上层金属柱（210）的端面设置金属柱保护层（410），所述金属柱保护层（410）的表面设置焊球（510）；所述下层电感线圈（120）和下层金属柱（220）通过下层塑封层（320）塑封，露出的下层金属柱（220）的端面设置金属柱保护层（420），所述金属柱保护层（420）的表面设置焊球（520）。

9.根据权利要求8所述的一种集成共模电感的封装结构，其特征在于：所述下层电感线圈（120）的厚度与上层电感线圈（110）的厚度相等。

10.根据权利要求8或9所述的一种集成共模电感的封装结构，其特征在于：所述上层电感线圈（110）与下层电感线圈（120）呈平面的螺旋状。

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