CN103633209B - 一种led外延结构及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n‑GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n‑GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。本发明的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。
Description
技术领域
本发明涉及一种可应用于高功率的器件上，且能保持器件高光效值的LED外延结构。
背景技术
目前，商业化LED外延片垒晶多采用MOCVD方式制成。由于GaN材料具有宽带隙，高电子迁移率，高热导率，高硬度，高稳定的化学性质，较小的介电常数和耐高温等一系列优点，故其在商业化高亮度发光二极管及半导体激光器中有着广泛的实际应用价值和巨大的市场潜力。现有的被广泛应用于实际生产中的GaN基LED外延结构一般包括：低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型掺杂GaN层，MQW有源层，p型AlGaN电子阻挡层，p型掺杂GaN层，p型GaN接触层构成。其中，MQW有源层为GaN基LED外延层中的发光层，其晶格质量的好坏和结构设计差异直接决定了该外延层的光电特性。
随着LED在背光及照明市场渗透率的逐年上升，中高功率器件的应用需求明显增高。传统的LED外延结构中，通常采用InGaN/GaN(量子阱/量子垒)的MQW有源发光层结构，InGaN/GaN基阱垒结构，当注入的电流密度较大时,LED的量子效率随注入电流密度增大而下降的现象被称为Droop效应。Droop效应的好坏直接决定LED外延器件在中高功率器件端的应用范围及普及程度，外延器件随着注入电流密度增大而量子效率下跌的速率越慢，其在中高功率器件的应用范围越宽，市场潜力就越大；反之，其在中高功率器件的应用范围就会越窄，甚至失去未来的市场价值。
目前LED业界对Droop效应的研究结果表明,引起Droop效应的主因是由于电子在阱中分布的不平衡，造成阱中局部区域因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外，使量子阱内量子效率降低，且器件的工作电流密度越高，电子溢出现象越明显，Droop效应越显著，而电子溢出的本质原因便是载流子在阱中分布不均衡。
为了进一步提高LED器件在中高功率照明芯片上的普及应用，人们提出了很多降低Droop效应的技术方案及方法。例如，通过不断优化P型电子阻挡层，利用不同的Superlattice结构，阻挡电子的溢流，降低量子阱的Droop效应。例如专利号为CN101027792的技术方案中，提出的p型AlInN电子阻挡层，虽然能有效阻挡电子向p型GaN层区溢流，但仍没有有效降低器件在大电流密度下的Droop效应，提升内量子效率。再如专利申请号为201110082284.x的技术方案中，公开了一种采用AlInN量子垒抑制电子溢流，提高GaN基LED内量子效率的LED结构及其制备方法，在通用的InGaN/GaN阱垒基础上进行改进，在每个量子阱两侧或者一侧分别加入比GaN垒带隙宽度更大的AlInN材料，以提高有效势垒高度，从而有效抑制量子阱内载流子的溢出，达到提高载流子的注入效率及器件内量子效率的目的。采用该方法制备的LED外延结构器件，虽能有效降低Droop效应，但由于其在每个量子阱对内都引入高势垒层，会导致其在高电流下，其正向电压也较高，降低光效。
发明内容
本发明的目的在于解决上述的技术问题，提供一种有效降低器件Droop负效应影响的LED外延结构。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。
优选地，所述有源层中自第1对MQW发光层到第对MQW发光层时，所述Al组分值及n型杂质浓度值的变化趋势呈线性递增趋势；自第对MQW发光层到第N对MQW发光层时，所述Al组分值及n型杂质浓度值的变化趋势呈线性递减趋势，其中N代表MQW发光层的总对数，所述发光层总对数为3-40对。
优选地，所述超晶格量子垒层中AlGaN/n-GaN交替堆叠的对数大于1且小于等于100。
优选地，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、锗、氮化镓、氮化铝镓或氮化铝。
优选地，所述超晶格量子垒层中n-GaN层的n型掺杂杂质为Si元素；所述P型GaN层中p型掺杂杂质为Mg元素。
优选地，每对所述MQW发光层中AlGaN层Al组分变化范围为0%-40%，n-GaN层n型杂质浓度变化范围为5×1016cm-3-1×1019cm-3。
优选地，每对所述MQW发光层中的AlGaN层厚度变化范围为0.1nm至40nm，所述n-GaN层厚度变化化范围为0.3nm至120nm。
优选地，每对所述MQW发光层中的AlGaN与相应的n-GaN层的厚度比例为1:5-1:1之间。
优选地，所述LED外延结构可应用于高功率发光器件。
本发明的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1：常规的LED外延结构示意图。
图2：本发明的LED外延结构示意图。
图3：传统的LED结构，具有重复周期的MQW结构势能变化示意图。
图4：本实施例1的LED结构，优化后的具有量子垒超晶格结构势能变化示意图。
图5：本实施例2的LED结构，优化后的具有量子垒超晶格结构势能变化示意图。
具体实施方式
本发明揭示了一种LED外延结构，其外延结构内具有指数性的渐变关系的超晶格量子垒层结构，与上下层InGaN量子阱结构层能实现很好的衔接，不会因过多的结构突变导致螺位错产生，也能很好地降低结构缺陷密度，降低俄歇等非辐射复合几率，大大提高了内量子效率，通过调节各个超晶格量子垒对的Al组分的构成比例，有效控制了MQW垒的势垒高度梯度的变化趋势，有效抑制了量子阱内的载流子溢出及器件在不同电流密度下PN结空泛区的结位移，有效降低了器件Droop效应影响，位错缺陷密度小，光电性能佳，发光功率较高，应用于在高功率器件上优势尤为明显。
实施例1：
常规的LED外延结构如图1所示，本实施例的结构如图2所示，具体是在蓝宝石衬底上采用MOCVD方法生长依次生长GaN成核层、GaN缓冲层，n型GaN层，具有15对重复周期的MQW发光层，以及p型GaN层及p型接触层。其中每对MQW发光层中AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对数为5对，5对超晶格量子垒层拥有相同的Al组分含量及相同n型掺杂浓度值，15对具有超晶格量子垒的MQW发光层总厚度为225nm，其中量子阱层总厚度为45nm，超晶格量子垒层总厚度180nm，每对AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层总厚度为12nm，AlGaN层与n-GaN层厚度比例维持1：3，即每对AlGaN层总厚度为3nm，每对n-GaN层总厚度为9nm。
其次，设置第1对AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层中，Al组分含量为10%，n型GaN层中n型杂质浓度为5×1016cm-3，设置第8对AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层中，Al组分含量为40%，n型GaN层中n型杂质浓度为2×1018cm-3。
按照第1对MQW发光层到第对MQW发光层时，Al组分含量的变化趋势呈线性递增，所述n型杂质浓度变化趋势呈线性递增；自第对MQW发光层到第N对MQW发光层时，所述Al组分含量的变化趋势呈线性递减，所述n型杂质浓度变化趋势呈线性递减，故第1对到第8对AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层中，Al组分自10%至40%线性递增，n-GaN层中n型杂质浓度自5×1016cm-3至2×1018线性递增，而第8对到第15对AlGaN/n-GaN超晶格中，Al组分自40%至10%线性递减，n-GaN层中n型杂质浓度自2×1018cm-3至5×1016线性递减，最终超晶格生长结构中Al组分变化及n型杂质浓度随超晶格对数变化结构势能变化图如图4所示。
本发明的超晶格量子垒层结构，能有效抑制量子阱内的载流子溢出及器件在不同电流密度下的PN结空泛区的结位移，有效降低器件Droop效应影响，提高器件光电性能及良率。
实施例2：
与实施例1中Al组分及n型杂质浓度比例系数采用指数型渐变模式优化方案不同，本实施例是采用Al组分及n型杂质浓度比例系数呈阶梯式线性上升再线性下降。
每组MQW发光层组由若干对具有相同特性AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层的MQW发光层对组成，Al（m）代表第m组MQW发光层中AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值，N（m）代表第m组MQW发光层中AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中n型杂质浓度值，自第1对MQW发光层到第对MQW发光层时，所述Al（m）的变化趋势呈线性递增，所述N（m）的变化趋势呈线性递增；自第对MQW发光层到第N对MQW发光层时，所述Al（m）的变化趋势呈线性递减，所述N（m）的变化趋势呈线性递减。
其中，M代表由若干对具有相同特性AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层组成的MQW发光层组的总组数，m代表第m组由若干对具有相同特性AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层的MQW发光层对组成的MQW发光层组，1＜m≤M。
在蓝宝石衬底上生长的优化结构具体为GaN成核层，GaN缓冲层，n型GaN层，具有15对重复周期MQW发光层组成的有源层，其中每对MQW发光层中AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对数为5对，这5对超晶格结构拥有相同的Al组分及相同n型掺杂浓度值，以及p-GaN层及p型接触层，其中15对具有超晶格量子垒的MQW发光层总厚度为225nm，其中量子阱层总厚度为45nm，超晶格量子垒层总厚度180nm，每对MQW发光层中还包含5对AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对，每对总厚度为12nm，AlGaN层与n-GaN层厚度比例维持1：3，即每对AlGaN层总厚度为3nm，每对n-GaN层总厚度为9nm。
其次，设置第1对AlGaN/n-GaN超晶格为第一组，其Al组分含量为10%，n-GaN层中n型杂质浓度为5×1016cm-3，余下14对MQW发光层，每3对为一小组，若有最后不足三对的剩余对数也可组成一组，每一小组的超晶格量子垒层对中Al组分及n型杂质浓度为一固定值，超晶格对小组和小组之间Al组分及n型杂质浓度变化如下：第1组MQW发光层到第组MQW发光层时，所述Al组分的变化趋势呈线性递增，所述n型杂质浓度的变化趋势呈线性递增；自第组MQW发光层到第P组MQW发光层时，所述Al组分的变化趋势呈线性递减，所述n型杂质浓度的变化趋势呈线性递减。P代表按照上述分组之后的MQW发光层总组数，即第1组由第1对、第2对、第3对MQW发光层组成，第2组由第4对、第5对、第6对MQW发光层组成，第3组由第7对、第8对、第9对MQW发光层组成，第4组由第10对、第11对、第12对MQW发光层组成，第5组由第13对、第14对、第15对MQW发光层组成。
故第1组到第3组AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层中，Al组分自10%至40%线性递增，n-GaN层中n型杂质浓度自5×1016cm-3至2×1018线性递增，而第3组到第5组AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层中，Al组分自40%至10%线性递减，n-GaN层中n型杂质浓度自2×1018cm-3至5×1016线性递减，最终的量子垒超晶格生长结构中Al组分变化及n型杂质浓度随超晶格对数变化结构势能变化图如图5所示，当然，可视具体实施环境，优化选择每组超晶格对中的组分对数及比例系数取值。
本发明可有效提高MQW有源层晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，同时，通过调节超晶格量子垒层中的AlGaN配对层中的Al组分值与n-GaN配对层中的n型杂质浓度值构成，可有效控制有源层中超晶格量子垒的有效势垒高度梯度，从而有效调控MQW的能带结构。在前半段有效势垒高度逐级上升的MQW有源层区域中，其电子电洞的有效质量随势能的逐级增加而逐级增加，可有效抑制量子阱内的电子电洞溢出、过冲及回流现象，抑制器件PN结空泛区的结位移，有效降低器件Droop负效应影响；在后半段有效势垒高度逐级下降的MQW有源层区域中，其电子电洞的有效质量随势能的逐级下降而逐级下降，可起到逐级加速电子电洞的平均扩散速度，增加电子电洞的平均输运自由程，从而达到增加电子电洞的注入效率，提高LED器件的内量子效率的目的，同时不会明显增加其正向工作电压，保持器件较高的光效值。
发明尚有多种具体的实施方式，凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
Claims (2)
1.一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及 p型接触层；其特征在于：所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势；
所述有源层中自第1对MQW发光层到第(N+1)/2对MQW发光层时，所述Al组分值及n型杂质浓度值的变化趋势呈线性递增趋势；自第(N+1)/2对MQW发光层到第N对MQW发光层时，所述Al组分值及n型杂质浓度值的变化趋势呈线性递减趋势，其中N代表MQW 发光层的总对数，所述发光层总对数为3-40对；
所述超晶格量子垒层中AlGaN/n-GaN交替堆叠的对数大于1且小于等于100；
所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、锗、氮化镓、氮化铝镓或氮化铝；
所述超晶格量子垒层中n-GaN层的n型掺杂杂质为Si元素；所述LED结构中P型GaN层中p型掺杂杂质为Mg元素；
每对所述MQW发光层中AlGaN 层Al组分变化范围为0%-40%，n-GaN层n型杂质浓度变化范围为5×1016cm-3-1×1019cm-3；
每对所述MQW发光层中的AlGaN 层厚度变化范围为0.1nm至40nm，所述n-GaN层厚度变化化范围为0.3nm至120nm；
每对所述MQW发光层中的AlGaN与相应的n-GaN层的厚度比例为1:5-1:1之间。
2.如权利要求1所述的一种LED外延结构的应用，其特征在于：所述LED外延结构可应用于高功率发光器件。
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| CN104201262B (zh) * | 2014-09-16 | 2016-08-31 | 太原理工大学 | 一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法 |
| CN104733571B (zh) * | 2015-02-10 | 2018-04-17 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种led外延生长方法 |
| CN104810442B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-09-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN104916745A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-09-16 | 聚灿光电科技股份有限公司 | GaN基LED外延结构及其制备方法 |
| CN105206726A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-30 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led结构及其生长方法 |
| CN105633228B (zh) * | 2016-02-23 | 2018-06-26 | 华灿光电股份有限公司 | 具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN105845796A (zh) * | 2016-04-12 | 2016-08-10 | 中国科学院半导体研究所 | 用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法 |
| CN109103310A (zh) * | 2018-09-03 | 2018-12-28 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种提升氮化镓基led发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法 |
| CN109192824B (zh) * | 2018-09-03 | 2020-09-08 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种提升氮化镓基发光二极管亮度的外延片及生长方法 |
| CN109786521B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-11-10 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及制备方法 |
| CN112614919B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-04-19 | 华南师范大学 | 一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7759694B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device |
| CN102104097A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-06-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 |
| CN102544281A (zh) * | 2012-01-20 | 2012-07-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100670531B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2007-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-12-06 CN CN201310652175.6A patent/CN103633209B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7759694B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device |
| CN102104097A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-06-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 |
| CN102544281A (zh) * | 2012-01-20 | 2012-07-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管 |
Also Published As
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