CN103572337A - Led支架电镀中的镍上银工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用以取代LED支架电镀中铜上银的镍上银工艺，其流程为：活化→预镀银→镀银，其中：活化采用氰化钾和碳酸钾的混合溶液，氰化钾和碳酸钾的浓度都是3～20g/L；预镀银采用的氰化钾和氰化银的混合溶液，氰化钾的浓度为120～160g/L，氰化银的浓度为：2.2～4g/L；镀银采用的是氰化钾、氰化银和氢氧化钾的混合溶液，氰化银的浓度为12～15g/L，氰化钾的浓度为100～150g/L，氢氧化钾的浓度为0.2～0.5g/L。本发明工艺流程简单，通过本发明工艺流程处理后再进行镀银，只需要镀较低厚度的银就能使LED支架在烘烤的过程中不变色。
Description
技术领域
本发明涉及电镀领域，具体涉及LED支架电镀中的镍上银工艺。
背景技术
LED芯片的使用寿命高达60000～100000小时，在将LED芯片焊接在LED支架上之前，往往要对LED支架进行电镀处理，在LED支架的表面镀上一层活泼性较弱的金属，防止LED支架在使用的过程中老化或者被氧化影响LED芯片的使用寿命。
目前，LED支架的电镀工艺中，在镀银之前，对LED支架大多采用铜上银处理，铜上银的工艺流程如下：碱性镀铜→水洗→酸性镀铜→预镀银，采用这种工艺电镀的LED支架，需要电镀的银层达到80μ以上的厚度，才能保证LED支架表面的银层功效，否则LED支架在烘烤的过程中会严重变色，影响LED支架的功能和效果。另外，这种电镀工艺在工艺流程管理监控上的难度极大，稍有疏忽，会产生批量的次品，造成极大的浪费。
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种用以取代LED支架电镀中铜上银的镍上银工艺，其流程简单，通过其流程处理后再进行镀银，只需要镀较低厚度的银就能使LED支架在烘烤的过程中不变色。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案：LED支架电镀中的镍上银工艺，其流程为：活化→预镀银→镀银，其中：
活化采用的是氰化钾和碳酸钾的混合溶液，氰化钾和碳酸钾的浓度均为3～20g/L；
预镀银采用的是氰化钾和氰化银的混合溶液，氰化钾的浓度为120～160g/L，氰化银的浓度为：2.2～4g/L；
镀银采用的是氰化钾、氰化银和氢氧化钾的混合溶液，氰化银的浓度为12～15g/L，氰化钾的浓度为100～150g/L，氢氧化钾的浓度为0.2～0.5g/L。
所述的活化的主要作用是清洗镀镍层表面的有机膜、去除镍层表面的氧化层、确保镍层与预镀银层的结合力和维护预镀银镀液的稳定性，在该过程中，LED支架应通的电流的密度为0.3～1A/d㎡。
所述的预镀银的主要作用是防止银在镍层置换，确保银层与镍层之间的结合力，提高预镀银镀液的稳定性，在该过程中，预镀银的镀液应保持在20～30℃，LED支架应通的电流密度为1.5～2.5A/d㎡。
所述的镀银的作用是在LED支架的表面镀一层银，使其具有较高的反光性和可焊接性，在该过程中，电镀液的温度应保持在20～30℃，且PH>12，LED支架应通电流的密度为0.5～1.5A/d㎡。
本发明与现有的铜上银相比具有以下优点：
经过本发明处理的LED支架，在其表面镀很薄的一层银就能使LED支架在烘烤的过程中不变色，极大地减少了白银资源的浪费。
附图说明
图1是本发明镍上银工艺的流程图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的提供的LED支架电镀的镍上银工艺的流程为：活化→预镀银→镀银。
活化是先给LED支架通0.5A/d㎡的电流，然后将其移到浓度为10g/L的氰化钾和浓度为15g/L的碳酸钾的混合溶液中，清洗掉镀镍层表面的有机膜，并去除镍层表面的氧化层。
预镀银是先给LED支架通2A/d㎡的电流，然后将其移动到温度为20℃，浓度为3g/L的氰化银和浓度为140g/L的氰化钾的混合溶液中进行电镀，防止银在镍层置换，增大银层与镍层之间的结合力。
镀银是先给LED支架通1A/d㎡的电流，然后将其移动到温度为30℃，PH=13，浓度为13g/L的氰化银、浓度为130g/L与浓度为0.4g/L的混合溶液中进行电镀，使LED表面被镀上一层银膜，增大LED支架的反光性能和可焊接性能。
Claims (4)
1.LED支架电镀中的镍上银工艺，其特征在于：镍上银工艺的流程为：活化→预镀银→镀银，其中：
活化采用的是氰化钾和碳酸钾的混合溶液，氰化钾和碳酸钾的浓度都是3～20g/L；
预镀银采用的是氰化钾和氰化银的混合溶液，氰化钾的浓度为120～160g/L，氰化银的浓度为2.2～4g/L；
镀银采用的是氰化钾、氰化银和氢氧化钾的混合溶液，氰化银的浓度为12～15g/L，氰化钾的浓度为100～150g/L，氢氧化钾的浓度为0.2～0.5g/L。
2.根据权利要求1所述的镍上银，其特征在于：在所述活化的过程中，LED支架应通的电流的密度为0.3～1A/d㎡。
3.根据权利要求1所述的镍上银工艺，其特征在于：在所述预镀银的过程中，预镀银的镀液应保持在20～30℃，LED支架应通的电流密度为1.5～2.5A/d㎡。
4.根据权利要求1所述的镍上银工艺，其特征在于：在所述镀银的过程中，电镀液的温度应保持在20～30℃，且PH>12，LED支架应通电流的密度为0.5～1.5A/d㎡。
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