CN103572195B - 气体回收系统及气体还原装置 - Google Patents
气体回收系统及气体还原装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103572195B CN103572195B CN201210273159.1A CN201210273159A CN103572195B CN 103572195 B CN103572195 B CN 103572195B CN 201210273159 A CN201210273159 A CN 201210273159A CN 103572195 B CN103572195 B CN 103572195B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- unit
- reduction device
- recovery system
- conduit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 239
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 52
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 9
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 9
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical class [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QDVBBRPDXBHZFM-UHFFFAOYSA-N calcium;selenium(2-) Chemical compound [Ca+2].[Se-2] QDVBBRPDXBHZFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01K—STEAM ENGINE PLANTS; STEAM ACCUMULATORS; ENGINE PLANTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ENGINES USING SPECIAL WORKING FLUIDS OR CYCLES
- F01K25/00—Plants or engines characterised by use of special working fluids, not otherwise provided for; Plants operating in closed cycles and not otherwise provided for
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/007—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by irradiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5866—Treatment with sulfur, selenium or tellurium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/806—Microwaves
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
本发明有关一种气体回收系统,包含至少一气体供给系统、气体处理系统、气体分离系统。其中气体供给系统包含:气体供给单元、供给源;气体处理系统包含:气体反应器、气体还原装置;气体分离系统包含:第一排气单元、纯化单元、第二排气单元及加热蒸发单元;使用气体回收系统可避免气体不必要的浪费形成有害废弃物,因此气体能更有效运用,进而降低成本。本发明亦提供一种气体还原装置。
Description
技术领域
本发明有关于一种气体回收系统,特别是有关于一种能将硒化氢因热分解所形成的废气的气体回收系统。
背景技术
铜铟镓硒化物系列的薄膜光电元件是拥有高效率的太阳能电池,铜铟镓硒化物(CopperIndiumGalliumSelenideCIGS),其太阳能的基板制作,除了蒸镀制程外,其制程大部分都需经过硒化(Selenization)处理,现今硒化(Selenization)处理商业上量产采用硒化氢(H2Se)为反应气体。
以现今例子来说明:当一个铜铟镓硒化合物层(CIGS)太阳能电池要进行硒化制程时,经由溅镀法(Sputtering)沉积技术在玻璃基板上所形成的含铜、镓及铟的合金或单体的多层前驱物(Precursors)薄膜堆栈的电池结构送至硒化炉(一种热处理炉)中,并将硒化氢(H2Se)气体通入至硒化炉中,当硒化炉内的温度被加热到达400℃以上时,硒化氢(H2Se)气体即开始与多层前驱物薄膜发生反应;然而,在CIGS太阳能电池的硒化制程中,还需要将多层薄膜堆栈的电池结构加热后,才能够与硒化氢气体起良好反应,进而得到好的CIGS薄膜层。因硒化炉内的硒化反应,需维持充足的硒化氢气体分子数目,故通入硒化氢气体反应并不能完全与多层前驱物薄膜发生反应,多余未反应气体经由除害系统处理后,并无继续再利用。
一般硒化制程中所使用硒来源可分为固态硒,气态二氢化硒(H2Se)方式来获得,但以使用气态二氢化硒为主流。使用气态二氢化硒(H2Se)具侵腐蚀性与毒性,经由反应槽高温裂解产生硒气态原子进行硒化,但为了提供足够并且均匀的硒气体原子数目,常造成额外的耗费及后续废弃处理的成本升高。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的一主要目的在于提供一气体回收系统,通过其高效率气体回收方式,经由气体回收系统使热裂解后的硒化氢气体能更有效处理回收再利用。
依据上述目的,本发明提供一种气体回收系统,其中包括:至少一气体供给系统,其中包含:一供给源,提供至少一气体;一气体供给单元,与气体供给源连接;至少一气体处理系统,与气体供给系统连接,其中包括:一气体反应器,与气体供给单元连接;及一气体还原装置,与气体反应器连接;一气体分离系统,与气体处理系统连接,其中包括:一第一排气单元,与气体还原装置连接;一纯化单元,与第一排气单元连接;一第二排气单元,与纯化单元连接;及一加热蒸发单元,与纯化单元及气体供给单元连接。
本发明再一主要目的在于提供一气体还原装置,能还原已经使用过的废弃气体,不仅能降低成本,更使气体能更有效运用。
依据上述目的,本发明提供一种气体还原装置,包括一气体还原单元及一气体导入管,气体导入管内流通一第一气体,且气体还原单元连接气体导入管,其中气体还原单元的特征在于:气体还原单元包括:一导管,连接气体导入管;一还原气体源,与导管连接,并提供一第二气体流通至气体导入管内;及一微波发射装置,发射一微波,并将微波射入至导管内的第二气体。
通过本发明所提供的气体还原装置与气体回收系统,使其具有高回收效率的优点,并节省废气处理及使用新气体的成本。
附图说明
图1为本发明的气体回收系统简化处理程序的功能方块图;
图2为本发明的回收系统处理程序的功能方块图;
图3为本发明的气体还原装置的示意图;
图4为本发明的气体还原装置另一实施例示意图;
图5为本发明的气体还原装置再另一实施例示意图气体回收系统;
图6为本发明气体回收系统另一实施例示意图。
主要元件符号说明
1气体回收系统
2气体供给系统
21供给源
23气体供应系统
25、25’质量流量控制器
3、3’气体处理系统
31气体反应器
33第一储存槽
35、35’、35n气体还原装置
351气体还原单元
3511导管
3513腔体
3515第一磁场线圈
3517第二磁场线圈
353气体导入管
357微波发射装置
3571发射管
359介电层材料
5气体分离系统
51第一排气单元
52第二排气单元
53除害装置
55纯化单元
57加热蒸发单元
58第二储存槽
60还原气体源
具体实施方式
由于本发明是揭露一种气体回收系统,其中所利用到的一些质量流量控制器、储存槽、排气单元、除害装置、加热蒸发单元、纯化单元,是利用现有技术来达成,故在下述说明中,并不作完整描述。此外,于下述内文中的图式,亦并未依据实际的相关尺寸完整绘制,其作用仅在表达与本发明特征有关的示意图。
首先,请先参阅图1,为本发明的气体回收系统简化处理程序的功能方块图。如图1所示,气体回收系统1主要由三部分所组成,包括:一气体供给系统2、一气体处理系统3及气体分离系统5;气体供给系统2主要为供给气体(例如:硒化氢),并将气体导入至气体处理系统3中的各个装置及反应器来进行硒化制程,而使用过的硒化氢气体再依气体分离系统5的各操作单元纯化气体,再回收至气体处理系统3。
接着,请参阅图2,为本发明的气体回收系统处理程序的功能方块图。如图2所示,气体供给系统2包含:一供给源21及一气体供给单元23;供给源21提供一种气体,例如:硒化氢,而其气体置于钢瓶或是高压气体储存槽中;本发明的实施方式以硒化氢为例,供给源21亦可提供其它的气体,例如:氮气、氩气等用于稀释硒化氢气体浓度的携带气体(carriergas)。储存硒化氢的供给源21连接气体供应单元23;在供给源21的钢瓶内的蒸气压达平衡,于钢瓶内为高压状态时,瓶内的硒化氢为液体,经由阀的开启,并提供稳定的蒸发热源,此时硒化氢液体会持续蒸发成为硒化氢气体。供给源21经由输送管与气体供应单元23连接。气体供应单元23可设定由供给源21输送来的气体的流量多寡,并经由与气体供应单元23连结的质量流量控制器25来控制气体流量;质量流量控制器25具有可自动控制气体流量的功能,并且不受系统温度变化或压力波动的影响,可保持稳定的流量值,为一稳流装置。质量流量控制器25与气体处理系统3连接。
气体处理系统3包括:一气体反应器31及一气体还原装置35;而当硒化氢气体输送至气体反应器31之前,必须和携带气体例如:氮气或氩气,同时混合后再进入气体反应器31,混合两者气体的适当浓度可维持硒化氢在气体反应器31内的质量与分布的均匀性。
当一个太阳能电池内部的铜铟镓硒化合物层(CIGS)需要进行硒化制程时,会将钠钙玻璃(SodaLimeGlass)基板上所形成的含铜、镓及铟的合金或单体的多层前驱物(Precursors)薄膜堆栈的电池结构,送至气体反应器31中,并将硒化氢气体输送至气体反应器31中;此时,气体反应器31内的温度会维持在400℃以上,而含铜、镓及铟的合金或单体的多层前驱物会与硒化氢气体起良好反应,进而得到好的CIGS薄膜层。以下为硒化反应的热裂解反应式:
H2Se→HSe-+H+
H2Se→2H++Se2-
当硒化氢气体热裂解反应完全时,会形成Se2-与2H+;Se2-会与铜、镓及铟的合金或单体的多层前驱物结合成为CIGS薄膜层,2H+则会当废气排出;另外,如硒化氢热裂解反应不完全时,会形成HSe-与H+,两者皆会以废气排出。
硒化氢气体在热裂解所形成的气体HSe-,经由输送管输送至第一储存槽33,此时输送管温度维持在160℃以维持硒化氢离子化的气体;由于与第一储存槽33连接的气体还原装置35需要有一定的处理时间,因此需要配置第一储存槽33来缓冲气体的处理。接着,气体还原装置35会提供充足的H+将第一储存槽33所输送来的废气中HSe-形成H2Se再次回收利用,而详细步骤会于图3详加说明。
再接着,由气体还原装置35处理完的气体H2Se,会输送至气体分离系统5,其中气体分离系统5包括:第一排气单元51、纯化单元55、第二排气单元52及一加热蒸发单元57;而处理完的气体H2Se会先输送至第一排气单元51;第一排气单元51内具可抽气及压缩的压缩机,将待纯化的H2Se气体送入纯化单元55以纯化硒化氢气体浓度;而未符合排放标准的废弃气体则由除害装置53处理,后续会再加以说明。
硒化氢气体由第一排气单元51输送至纯化单元55;纯化单元55内部具有一冷凝装置(未显示),并将冷凝装置温度设置为-40℃~-80℃;当硒化氢气体通过冷凝装置时,利用硒化氢熔点(meltingpoint)为-65.73℃的特性,使液态硒化氢液化,使液态硒化氢与其余未形成液体的气体分离;接着,将液态硒化氢输送至第二储存槽58,而其余气体则经由第二排气单元52处理。第二储存槽58与加热蒸发单元57连接,其作用在于,加热蒸发单元57处理液态硒化氢形成气态硒化氢需要有一定的时间,因此需要配置第二储存槽58来缓冲处理;加热蒸发单元57具有一加热器(未显示),加热器可提供稳定的热源,会对输送进来的液态硒化氢加热,而因硒化氢的沸点(boilingpoint)为-41.25℃,因此加热蒸发单元57温度设定只要高于-41.25℃,即可使液态硒化氢汽化形成硒化氢气体,即加热器可提供液态硒化氢蒸发时所需要的热能。再接着,将汽化形成的硒化氢气体输送至气体供应单元23以供循环再利用,其硒化氢气体有效回收可达50%以上,具有相当良好的循环回收的功效。
此外,本系统使用的硒是具有毒性,需做适当处理后,才可排放置外界,因此需要做一处理有害物质的设备;在上述所提及的第一排气单元51及一第二排气单元52,经由输送管连结至一除害装置53,除害装置53中具有吸附硒元素的物质,例如:氢氧化铜Cu(OH)2或氢氧化钙Ca(OH)2,可与硒元素反应形成硒化铜CuSe或硒化钙CaSe,剩余无害的气体则可安全排放。
另外,当气体回收系统1需进行设备维护或暂停供应回收的硒化氢而需终止整体反应时,其储存于第二储存槽58内部的液态硒化氢,会经由加热蒸发单元57,将第二储存槽58内部的液态硒化氢完全加热为硒化氢气体;而纯化系统55则停止冷凝装置的运作,使硒化氢气体直接经由第二排气单元52输送至除害装置53,以处理未循环完成的硒化氢气体。
本发明各系统单元连接的输送管为不锈钢材质,且外层包覆一保温棉,利用保温棉热传导系数低的特性,降低输送管内的热量传导至管外;但本发明并不对输送管的材质加以限制。再接着,请参阅图3,是为本发明的气体还原装置的示意图。如图3所示,气体还原装置35包括:一气体还原单元351及一气体导入管353,并且气体还原单元351连接气体导入管353,其中气体导入管353位于气体还原单元351下方,而在此叙述的气体导入管353,即是前述所提及的输送管,其中输送的是夹带着携带气体例如:氮气或氩气;与含有HSe-的废弃气体,其废弃气体流动方向如图3所示,由A端输送至B端;气体还原单元351包括:一导管3511,连接气体导入管353;一还原气体源60,与导管3511连接;一微波发射装置357,发射一微波至导管3511内,本发明经由配置一发射管3571来发射微波,其中导管3511贯穿发射管3571,并在内部输送氢气,而微波发射装置357经由发射管3571将微波射入至导管3511内部的氢气而产生等离子体,并利用电子回旋共振(ElectronCyclotronResonance;ECR)加强等离子体密度;离子源是由微波发射装置357发射微波,其微波的频率在800MHz以上,经由一发射管3571射入导管3511内的氢气,使导管3511内的氢气离子化形成H+;在此要强调的是,本实施例的导管3511的材质为金属的材质,但本发明并无特别对导管3511的材料加以限制,而导管3511内部的管壁进一步配置一介电层材料359,例如:三氧化二铝(Al2O3),此介电层材料359能帮助微波易于射入导管3511内。
另外,发射管3571外壁配置多个第一磁场线圈3515,其所产生的磁场可使电子的回旋频率与微波频率同调而产生共振,以产生高能的电子撞击导管3511内部的气体。前述硒化氢在气体反应器31中热裂解所形成的气体HSe-,经由气体导入管353(输送管)输送过气体还原装置35时,还原气体源60会将氢气,注入至导管3511中,并经由微波发射装置357发射微波,由发射管3571对导管3511内的氢气进行离子化反应形成H+;发射管3571外壁的磁场线圈3515引导H+朝下方的气体导入管353移动,其过程中避免与管壁碰撞,而因导管3511中的离子化的H+其压力较气体导入管353大,因此H+会由高压往低压处打入导管3511中,而气体导入管353中流通的HSe-会与H+反应还原形成硒化氢(H2Se),使硒化氢可利用上述气体回收系统1。其还原成硒化氢的反应式如下:
HSe-+H+→H2Se
另外,请接着参阅图4,为本发明气体还原装置另一实施例示意图,如图4所示,在导管3511与气体导入管353之间进一步配置一腔体3513,并在腔体3513周围配置多个第二磁场线圈3517;本实施例的配置,可加强导管3511射出H+的密度并防止其扩散,另外亦可防止H+互相撞击形成氢气,并加速与HSe-还原为硒化氢的速度;而其它元件的实施方式如图3所述,不再加以赘述。
接着,请参阅图5,为本发明的气体还原装置再另一实施例示意图,如图5所示,在气体回收系统1中,配置多个气体还原装置35、35’...35n,通过多个气体还原装置35,使其还原气体能力越快,对于气体回收系统1中处理大量的HSe-使其还原为硒化氢,具有更好的处理效率;而每一气体还原装置35其运作方式与上述图3及图4相同,故不再加以赘述。
再接着,请参阅图6,是为本发明气体回收系统另一实施例示意图,如图6所示,在气体回收系统1中配置多组气体处理系统3、3’...,并配置各自的质量流量控制器25、25’...,介此来同时处理多个铜铟镓硒化合物层(CIGS)太阳能电池进行硒化制程,有效缩短制程的时间;而其余元件配置及作用及每组气体处理系统3皆与上述相同,故不再加以赘述。
虽然本发明以前述的较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟悉相像技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的专利保护范围须视本说明书所附的申请专利范围所界定为准。
Claims (14)
1.一种气体回收系统,其特征在于,包括:
至少一气体供给系统,其中包含:
一供给源,提供至少一气体;及
一气体供给单元,与该供给源连接;
至少一气体处理系统,与该气体供给系统连接,其中包括:
一气体反应器,与该气体供给单元连接;及
一气体还原装置,与该气体反应器连接,该气体还原装置,使一第一气体与离子化的一第二气体反应,形成H2Se,以回收利用,其中该第一气体为含有HSe-的废弃气体,该第二气体为氢气;
一气体分离系统,与该气体处理系统连接,其中包括:
一第一排气单元,与该气体还原装置连接;
一纯化单元,与该第一排气单元连接;
一第二排气单元,与该纯化单元连接;及
一加热蒸发单元,与该纯化单元及该气体供给单元连接。
2.根据权利要求1所述的气体回收系统,其特征在于,该气体供给系统进一步包含至少一质量流量控制器。
3.根据权利要求1所述的气体回收系统,其特征在于,该气体处理系统进一步包含一除害装置,与该第一排气单元及该第二排气单元连接。
4.根据权利要求1所述的气体回收系统,其特征在于,该气体处理系统进一步包含一第一储存槽,该第一储存槽与该气体反应器及该气体还原装置连接。
5.根据权利要求4所述的气体回收系统,其特征在于,该气体分离系统进一步包含一第二储存槽,该第二储存槽是与该纯化单元及该加热蒸发单元连接。
6.根据权利要求4所述的气体回收系统,其特征在于,该第一储存槽内部存放一气体。
7.根据权利要求5所述的气体回收系统,其特征在于,该第二储存槽内部存放一液体。
8.一种气体还原装置,包括一气体还原单元及一气体导入管,该气体导入管内流通一第一气体,该第一气体是含有HSe-的废弃气体,且该气体还原单元连接该气体导入管,其中该气体还原单元的特征在于:
该气体还原单元包括:
一导管,连接该气体导入管;
一还原气体源,与该导管连接,并提供一第二气体流通至该气体导入管内,其中该第二气体为氢气;及
一微波发射装置,发射一微波,并将该微波射入至该导管内的该第二气体,该微波使该第二气体离子化;及
其中,该气体还原装置特征在于,使该第一气体与离子化的该第二气体反应,形成H2Se,以再次回收利用。
9.根据权利要求8所述的气体还原装置,其特征在于,该微波发射装置进一步包含一发射管,且该气体还原单元的导管垂直贯穿该发射管。
10.根据权利要求9所述的气体还原装置,其特征在于,该发射管的外壁面进一步配置一第一磁场线圈。
11.根据权利要求8所述的气体还原装置,其特征在于,该导管的材料为一金属材料。
12.根据权利要求8所述的气体还原装置,其特征在于,该导管内进一步配置一介电层材料。
13.根据权利要求8所述的气体还原装置,其特征在于,该导管与该气体导入管间进一步配置一腔体。
14.根据权利要求13所述的气体还原装置,其特征在于,该腔体的外壁面进一步配置一第二磁场线圈。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101126402 | 2012-07-20 | ||
TW101126402A TWI490029B (zh) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | 氣體回收系統 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103572195A CN103572195A (zh) | 2014-02-12 |
CN103572195B true CN103572195B (zh) | 2015-12-02 |
Family
ID=47900678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210273159.1A Expired - Fee Related CN103572195B (zh) | 2012-07-20 | 2012-08-02 | 气体回收系统及气体还原装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140020386A1 (zh) |
EP (1) | EP2705892A1 (zh) |
CN (1) | CN103572195B (zh) |
TW (1) | TWI490029B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110607513A (zh) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种硒化装置和硒回收利用方法 |
EP3736355A1 (de) | 2019-05-06 | 2020-11-11 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines chalkogenhaltigen verbindungshalbleiters |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200954430Y (zh) * | 2006-05-22 | 2007-10-03 | 欧阳秉利 | 隧道式微波二氧化硫氮氧化物气体还原装置 |
EP1977815A1 (en) * | 2006-01-27 | 2008-10-08 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Apparatus for treating exhaust gas |
CN101541400A (zh) * | 2007-01-30 | 2009-09-23 | 康肯科技股份有限公司 | 气体处理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7682947B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
JP2004313998A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ebara Corp | ハロゲン化物の分解装置 |
US7736940B2 (en) * | 2004-03-15 | 2010-06-15 | Solopower, Inc. | Technique and apparatus for depositing layers of semiconductors for solar cell and module fabrication |
JP4212106B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2009-01-21 | オルガノ株式会社 | ガス分離装置及びガス分離方法 |
CN100411975C (zh) * | 2006-09-29 | 2008-08-20 | 先导(清远)稀有金属化工有限公司 | 高纯硒的生产设备及生产工艺 |
EP2136904B1 (en) * | 2007-04-12 | 2020-06-10 | Cefco, Llc | Process and apparatus for carbon capture and elimination of multi-pollutants in flue gas from hydrocarbon fuel sources and recovery of multiple by-products |
JP2011018636A (ja) * | 2009-06-09 | 2011-01-27 | Fujifilm Corp | 導電性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池 |
US20130032028A1 (en) * | 2010-04-26 | 2013-02-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science | Method for operating gas separation device |
-
2012
- 2012-07-20 TW TW101126402A patent/TWI490029B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-02 CN CN201210273159.1A patent/CN103572195B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-08 US US13/790,837 patent/US20140020386A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-08 EP EP13158275.1A patent/EP2705892A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1977815A1 (en) * | 2006-01-27 | 2008-10-08 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Apparatus for treating exhaust gas |
CN200954430Y (zh) * | 2006-05-22 | 2007-10-03 | 欧阳秉利 | 隧道式微波二氧化硫氮氧化物气体还原装置 |
CN101541400A (zh) * | 2007-01-30 | 2009-09-23 | 康肯科技股份有限公司 | 气体处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103572195A (zh) | 2014-02-12 |
US20140020386A1 (en) | 2014-01-23 |
TW201404451A (zh) | 2014-02-01 |
EP2705892A1 (en) | 2014-03-12 |
TWI490029B (zh) | 2015-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Shimada et al. | Wall conditioning on ITER | |
CN103663384B (zh) | 氧气和臭氧混合气体的分离方法及应用其的臭氧发生系统 | |
CN104445986B (zh) | 一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法 | |
CN103572195B (zh) | 气体回收系统及气体还原装置 | |
CN107961959A (zh) | 一种冷喷涂制备还原炉内壁涂层的方法 | |
CN111977659A (zh) | 一种纳米硅粉生产装置 | |
CN110681690A (zh) | 一种连续真空热脱附修复污染土壤装置及方法 | |
CN104140085B (zh) | 一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法 | |
CN202864913U (zh) | 一种可对产出的混合气体进行分离的臭氧发生系统 | |
CN108675293A (zh) | 一种石墨高温提纯装置 | |
CN105399106B (zh) | 一种高纯硼粉的制备方法及装置 | |
CN105706175A (zh) | 用于连续再处理聚变反应堆废气的方法和装置 | |
CN210936435U (zh) | 一种连续真空热脱附修复污染土壤装置 | |
CN1279545C (zh) | 一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺 | |
CN209974308U (zh) | 一种用于石墨烯连续制备的微波还原膨化设备 | |
CN212864154U (zh) | 一种纳米硅粉生产装置 | |
CN104477896A (zh) | 一种在常压下连续快速制备石墨烯的设备及方法 | |
CN109579517B (zh) | 一种生产三元锂电材料的螺旋推进气氛烧结炉 | |
CN202576560U (zh) | 基于导热油蒸发机制的蒸发器 | |
CN206692728U (zh) | 一种气体分配器、薄膜沉积设备 | |
CN102644064B (zh) | 基于导热油蒸发机制的蒸发器 | |
CN102808162A (zh) | 铟离子产生装置和方法 | |
CN208471548U (zh) | 一种石墨高温提纯装置 | |
CN1556245A (zh) | 热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置 | |
CN102344143B (zh) | 金属硅的物理提纯方法及其设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151202 Termination date: 20160802 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |