CN103546126A - 一种低噪声延迟电路 - Google Patents

一种低噪声延迟电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103546126A
CN103546126A CN201310517915.5A CN201310517915A CN103546126A CN 103546126 A CN103546126 A CN 103546126A CN 201310517915 A CN201310517915 A CN 201310517915A CN 103546126 A CN103546126 A CN 103546126A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pmos
nmos pass
transistor
pass transistor
charging capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310517915.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103546126B (zh
Inventor
尹航
王钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Vimicro Corp
Original Assignee
Wuxi Vimicro Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Vimicro Corp filed Critical Wuxi Vimicro Corp
Priority to CN201310517915.5A priority Critical patent/CN103546126B/zh
Publication of CN103546126A publication Critical patent/CN103546126A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103546126B publication Critical patent/CN103546126B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种低噪声延迟电路，其包括延迟电路和反馈控制电路，所述延迟电路包括MP1、MN1、电阻R1、充电电容C1以及MP2和MN2管组成的反相器，所述MP1、MP2的源极连接电源、MN1和MP1的栅极连接输入端、MN2的源极和MP2的漏极的公共节点连接输出端，R1一端连接在MP1的漏极、另一端连接在MN1的源极、C1第一端接地，第二端连接在所述反相器和R1和MN1的公共节点；所述反馈控制电路包括MP3和MP4，MP4的栅极连接所述输出端，MP4的源极连接在MP3的漏极，MP4的漏极连接在C1的第二端，所述MP3的栅极连接所述输入端，源极连接所述电源。采用本发明实施例提供的低噪声延迟电路，可以提高延迟电路的抗干扰能力。

Description

一种低噪声延迟电路
技术领域
本发明涉及电子领域，具体涉及一种低噪声延迟电路。
背景技术
在芯片设计中经常会用到延迟单元，有些延迟单元，使用电容电阻形成信号的延迟，该种延迟电路容易受到噪声干扰导致延迟单元输出异常。
图1是为现有技术的延迟单元的电路原理图，其中，IN为数字信号输入端，OUT为延迟数字信号输出端，当输入端IN的信号电平从高变低时，NMOS管MN1截止，PMOS晶体管MP1开启，电源VDD通过限流电阻R1向充电电容C1充电，其波形可参见图2，当节点node1电压上升到超过由MN2,MP2组成的反相器翻转电平时，输出端OUT电平翻转从高变低，从而获得IN信号下降沿到OUT信号下降沿之间的延迟。该种延迟电路的缺点在于如果node1在反相器翻转电平附近受到干扰，例如，接地端出现较大噪声，则会导致OUT信号出现多次翻转，很有可能造成后续电路工作异常，状态可参见图3.
发明内容
本发明的目的是提供一种低噪声延迟电路，以避免接地端噪声对输出端输出信号的噪声影响。
为实现上述目的，本发明实施例提供了一种低噪声延迟电路，其包括延迟电路和反馈控制电路，
所述延迟电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、电阻、充电电容以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管组成的反相器，所述第一、第二PMOS管的源极连接电源、所述第一NMOS晶体管和第一PMOS管的栅极连接输入端、所述第二NMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的漏极的公共节点连接输出端，所述电阻一端连接在所述第一PMOS晶体管的漏极、另一端连接在所述第一NMOS晶体管的源极、所述充电电容第一端接地，第二端连接在所述反相器和所述电阻和所述第一NMOS晶体管的公共节点；
所述反馈控制电路包括第三MPOS晶体管和第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的栅极连接所述输出端，所述第四PMOS晶体管的源极连接在所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第四PMOS晶体管的漏极连接在所述充电电容的第二端，所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述输入端，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述电源。
依照本发明实施例提供的低噪声延迟电路，所述输入端的输入信号从高变低时，所述第一NMOS晶体管截止，所述第一PMOS晶体管导通，所述充电电容储存电能，当所述充电电容两端的电压达到所述反相器的翻转电平时，所述第二NMOS晶体管导通，以使得所述输出端电压降低，所述第四PMOS晶体管导通，所述第三PMOS晶体管导通，以提高所述充电电容的第二端的电压。
采用本发明实施例提供的低噪声延迟电路，将输出端引出的信号接入反馈控制电路中，当输出端的电压从高变低时，使反馈控制电路中的晶体管导通，从而迅速拉高充电电容的电压，以避免外部因素对电容电压的影响，从而提高延迟电路的抗干扰能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术延迟电路的原理图；
图2是图1所示的延迟电路的理想状态信号状态图；
图3是图1所示的延迟电路受干扰状态的参考图；
图4是本发明实施例提供的延迟电路的原理图；
图5是图4所示的延迟电路的信号状态图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
如图4所示，本发明实施例提供的一种低噪声延迟电路，包括延迟电路和反馈控制电路，所述延迟电路包括第一PMOS晶体管MP3、第一NMOS晶体管MN1、电阻R1、充电电容C1以及第二PMOS晶体管MP2和第二NMOS晶体管MN2组成的反相器，所述MP1、MP2的源极连接电源VDD、所述第一NMOS晶体管MN1和第一PMOS管MP1的栅极连接输入端IN、所述第二NMOS晶体管MN2的源极和第二PMOS晶体管MP2的漏极的公共节点连接输出端OUT，所述电阻R1一端连接在所述第一PMOS晶体管MP1的漏极、另一端连接在所述第一NMOS晶体管MN1的源极、所述充电电容C1第一端接地，第二端连接在所述反相器和所述电阻R1和所述第一NMOS晶体管MN1的公共节点node1；
所述反馈控制电路包括第三MPOS晶体管MP3和第四PMOS晶体管MP4，所述第四PMOS晶体管MP4的栅极连接所述输出端OUT，所述第四PMOS晶体管MP4的源极连接在所述第三PMOS晶体管MP3的漏极，所述第四PMOS晶体管MP4的漏极连接在所述充电电容C1的第二端，所述第三PMOS晶体管MP3的栅极连接所述输入端IN，所述第三PMOS晶体管mp3的源极连接所述电源VDD。
所述输入端IN的输入信号从高变低时，所述第一NMOS晶体管MN1截止，所述第一PMOS晶体管MP1导通，所述充电电容C1储存电能，当所述充电电容C1两端的电压达到所述反相器的翻转电平时，所述第二NMOS晶体管MP2导通，以使得所述输出端OUT电压降低，所述第四PMOS晶体管导通MP4，所述第三PMOS晶体管MP3导通，从而使得C1第二端的电压迅速提高，降低外部信号对延迟电路的干扰，其信号状态图，可参考图5。
采用本发明实施例提供的延迟电路，，从延迟信号输出通路上取反馈信号，使其在延迟完成后立即开启额外通路，加速延迟电容的充放电进程，使电容电压尽快远离后级信号放大电路的翻转电平，从而提高延迟单元抗干扰能力。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种低噪声延迟电路，其特征在于，包括延迟电路和反馈控制电路，
所述延迟电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、电阻、充电电容以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管组成的反相器，所述第一、第二PMOS管的源极连接电源、所述第一NMOS晶体管和第一PMOS管的栅极连接输入端、所述第二NMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的漏极的公共节点连接输出端，所述电阻一端连接在所述第一PMOS晶体管的漏极、另一端连接在所述第一NMOS晶体管的源极、所述充电电容第一端接地，第二端连接在所述反相器和所述电阻和所述第一NMOS晶体管的公共节点；
所述反馈控制电路包括第三MPOS晶体管和第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的栅极连接所述输出端，所述第四PMOS晶体管的源极连接在所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第四PMOS晶体管的漏极连接在所述充电电容的第二端，所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述输入端，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述电源。
2.如权利要求1所述的低噪声延迟电路，其特征在于，所述输入端的输入信号从高变低时，所述第一NMOS晶体管截止，所述第一PMOS晶体管导通，所述充电电容储存电能，当所述充电电容两端的电压达到所述反相器的翻转电平时，所述第二NMOS晶体管导通，以使得所述输出端电压降低，所述第四PMOS晶体管导通，所述第三PMOS晶体管导通，以提高所述充电电容的第二端的电压。
CN201310517915.5A 2013-10-28 2013-10-28 一种低噪声延迟电路 Active CN103546126B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310517915.5A CN103546126B (zh) 2013-10-28 2013-10-28 一种低噪声延迟电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310517915.5A CN103546126B (zh) 2013-10-28 2013-10-28 一种低噪声延迟电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103546126A true CN103546126A (zh) 2014-01-29
CN103546126B CN103546126B (zh) 2016-02-03

Family

ID=49969251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310517915.5A Active CN103546126B (zh) 2013-10-28 2013-10-28 一种低噪声延迟电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103546126B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110417403A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 上海华力微电子有限公司 一种高速电位平移电路
CN111124032A (zh) * 2019-12-20 2020-05-08 睿兴科技(南京)有限公司 抑制噪声干扰的滤波电路及微控制系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1514491A (zh) * 2002-12-31 2004-07-21 �Ҵ���˾ 超大规模集成电路的分层电源噪声监视器件和系统
US7202715B1 (en) * 2005-09-21 2007-04-10 Intel Corporation Matched current delay cell and delay locked loop
CN101330257A (zh) * 2007-06-19 2008-12-24 财团法人工业技术研究院 直流电压转换器
CN203537350U (zh) * 2013-10-28 2014-04-09 无锡中星微电子有限公司 一种延迟电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1514491A (zh) * 2002-12-31 2004-07-21 �Ҵ���˾ 超大规模集成电路的分层电源噪声监视器件和系统
US7202715B1 (en) * 2005-09-21 2007-04-10 Intel Corporation Matched current delay cell and delay locked loop
CN101330257A (zh) * 2007-06-19 2008-12-24 财团法人工业技术研究院 直流电压转换器
CN203537350U (zh) * 2013-10-28 2014-04-09 无锡中星微电子有限公司 一种延迟电路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110417403A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 上海华力微电子有限公司 一种高速电位平移电路
CN111124032A (zh) * 2019-12-20 2020-05-08 睿兴科技(南京)有限公司 抑制噪声干扰的滤波电路及微控制系统
CN111124032B (zh) * 2019-12-20 2021-11-05 睿兴科技(南京)有限公司 抑制噪声干扰的滤波电路及微控制系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN103546126B (zh) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102130666B (zh) 占空比调节电路及方法
CN105445529A (zh) 具有时序控制功能的掉电检测电路
CN104022634B (zh) 一种储能电容式高、低压浪涌抑制电路及其抑制方法
CN104348148A (zh) 静电放电箝制电路
CN103631303B (zh) 用于稳压电源芯片的软启动电路
CN102594299A (zh) 一种方波发生器电路
CN203933373U (zh) 一种储能电容式高、低压浪涌抑制电路
CN203537350U (zh) 一种延迟电路
CN105743076A (zh) 一种防电源反接电路
CN103546126B (zh) 一种低噪声延迟电路
CN204651318U (zh) 一种新型esd保护电路
CN103941144A (zh) 一种基准电压源漏电检测电路
CN103337955A (zh) 低损耗串联电容均压装置
CN105182833A (zh) 一种双电源供电及断电时序控制装置和方法
CN202455057U (zh) 一种电源保护电路
CN109450432B (zh) 一种射频输入端口保护电路
CN104122971A (zh) 电源电路
CN205015670U (zh) 一种双电源供电及断电时序控制装置
CN104122968A (zh) 快速放电设备
CN204119195U (zh) 一种抗干扰复位电路
CN114336559A (zh) 静电放电电路
CN104882869A (zh) 移动设备数据接口保护电路
CN207148219U (zh) 一种防反接、防温漂的电阻检测电路
CN203278212U (zh) 卡片式终端静电防护电路
CN205304359U (zh) Usb无线上网卡电源续流电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Wuxi District of Jiangsu city of Wuxi province Qingyuan Road 214135 No. 18 Taihu International Science Park sensor network university science and Technology Park 530 building A1001

Applicant after: WUXI ZHONGGAN MICROELECTRONIC CO., LTD.

Address before: A 530 building 214135 Jiangsu Province, Wuxi city Wuxi District Taihu international science and Technology Park Qingyuan Road 10

Applicant before: Wuxi Vimicro Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant