CN103532101A - 电子标签中高频接口的整流器 - Google Patents

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CN103532101A CN201210225654.5A CN201210225654A CN103532101A CN 103532101 A CN103532101 A CN 103532101A CN 201210225654 A CN201210225654 A CN 201210225654A CN 103532101 A CN103532101 A CN 103532101A
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曾维亮
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Abstract

本发明公开了电子标签中高频接口的整流器,包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流电压输出线,第一PMOS管和第二PMOS管两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上,第一电容一端与整流电压输出线连接,其另一端接地。第一PMOS管的源极连接有第一天线信号输入线,第二PMOS管的源极连接有第二天线信号输入线。本发明采用上述结构,整体结构简单,便于实现,且能提高整流效率。

Description

电子标签中高频接口的整流器
技术领域
本发明涉及射频技术领域,具体是电子标签中高频接口的整流器。
背景技术
随着电子技术的迅猛发展和制造水平的不断提高,采用无线电实现的射频识别技术发展迅猛,射频识别电子标签作为一种非接触式IC卡,其将无线电技术和IC技术结合,通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。射频识别系统中电子标签的高频接口形成从阅读器到电子标签的高频传输通路,高频接口从其天线上吸收电流,并将吸收的电流整流稳压后作为电子标签内芯片的电源。现有高频接口中天线上的电压低于整流输出电压时,电容上积聚的电荷会发生泄漏,从而会使得现有高频接口中整流电路的整流效率低。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种结构简单,且能提高整流效率的电子标签中高频接口的整流器。
本发明的目的主要通过以下技术方案实现:电子标签中高频接口的整流器,包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流电压输出线,所述第一PMOS管和第二PMOS管两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上,所述第一电容一端与整流电压输出线连接,其另一端接地;所述第一PMOS管的源极连接有第一天线信号输入线,所述第二PMOS管的源极连接有第二天线信号输入线。其中,本发明应用时,第一天线信号输入线相对连接第一PMOS管漏极端的另一端和第二天线信号输入线相对连接第二PMOS管漏极端的另一端均连接在高频接口的天线上,整流电压输出线用于高频接口中生成的直流电压的输出。
电子标签中高频接口的整流器,还包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管漏极连接在第一天线信号输入线上,第二NMOS管漏极连接在第二天线信号输入线上,第一NMOS管栅极与第二天线信号输入线和第二NMOS管漏极之间的线路连接,第二NMOS管栅极与第一天线信号输入线和第一NMOS管漏极之间的线路连接,第一NMOS管和第二NMOS管两者的源极均接地。第一NMOS管和第二NMOS管工作时交替导通,使天线上的低压端接地。
所述第一天线信号输入线和第二天线信号输入线之间连接有第二电容。本发明可通过改变或替换第二电容来实现其参数的改变,从而改变天线的谐振频率。
本发明工作时,当天线上的电压高于整流电压输出线输出的电压时,同时会有两条支路电流流向整流电压输出线,一条支路是第一PMOS管和第二PMOS管处于正常导通时的沟道电流,另一条支路是由于第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与衬底之间的PN结正偏产生的衬底电流;当天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时,第一PMOS管和第二PMOS管处于截止状态,同时第一PMOS管和第二PMOS管的漏极和衬底处于反偏状态,不会产生衬底电流,因此能够很好地关闭第一PMOS管和第二PMOS管。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流电压输出线,整体结构简单,便于实现,在天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时,本发明可通过关断第一PMOS管和第二PMOS管,从而避免第一电容上积聚的电荷发生泄漏,有助于提高整流效率;本发明中天线上的电压与整流电压输出线的输出电压之间的差值不再由PMOS管的阈值决定,而是由漏极与衬底构成的二极管两端的压降决定,这更进一步提高了本发明的整流效率。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
附图中附图标记所对应的名称为:C1—第一电容,C2—第二电容,P1—第一PMOS管,P2—第二PMOS管,N1—第一NMOS管,N2—第二NMOS管, ANT1—第一天线信号输入线,ANT2—第二天线信号输入线,1—整流电压输出线。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例:
如图1所示,电子标签中高频接口的整流器,包括第一电容C1、整流电压输出线1及四个MOS管,其中,四个MOS管分别为第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1及第二NMOS管N2。整流电压输出线1用于输出整流后的直流电压,第一PMOS管P1和第二PMOS管P2两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线1上,第一电容C1一端与整流电压输出线1连接且连接位置靠近整流电压输出线1的输出端头位置,其另一端接地。第一PMOS管P1的源极连接有第一天线信号输入线ANT1,第二PMOS管P2的源极连接有第二天线信号输入线ANT2,第一天线信号输入线ANT1和第二天线信号输入线ANT2之间连接有第二电容C2。
第一NMOS管N1漏极连接在第一天线信号输入线ANT1上,第二NMOS管N2漏极连接在第二天线信号输入线ANT2上,第一NMOS管N1栅极与第二天线信号输入线ANT2和第二NMOS管N2漏极之间的线路连接,第二NMOS管N2栅极与第一天线信号输入线ANT1和第一NMOS管N1漏极之间的线路连接,第一NMOS管N1和第二NMOS管N2者的源极均接地。
如上所述,则能很好的实现本发明。

Claims (3)

1.电子标签中高频接口的整流器,其特征在于:包括第一电容(C1)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)及整流电压输出线(1),所述第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线(1)上,所述第一电容(C1)一端与整流电压输出线(1)连接,其另一端接地;所述第一PMOS管(P1)的源极连接有第一天线信号输入线(ANT1),所述第二PMOS管(P2)的源极连接有第二天线信号输入线(ANT2)。
2.根据权利要求1所述的电子标签中高频接口的整流器,其特征在于:还包括第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2),所述第一NMOS管(N1)漏极连接在第一天线信号输入线(ANT1)上,第二NMOS管(N2)漏极连接在第二天线信号输入线(ANT2)上,第一NMOS管(N1)栅极与第二天线信号输入线(ANT2)和第二NMOS管(N2)漏极之间的线路连接,第二NMOS管(N2)栅极与第一天线信号输入线(ANT1)和第一NMOS管(N1)漏极之间的线路连接,第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2)两者的源极均接地。
3.根据权利要求1或2所述的电子标签中高频接口的整流器,其特征在于:所述第一天线信号输入线(ANT1)和第二天线信号输入线(ANT2)之间连接有第二电容(C2)。
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