CN204810133U - 一种高频开关电源mos管的驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种高频开关电源MOS管的驱动电路，包括驱动芯片，开关MOS管和电源变压组；还包括三极管，所述开关MOS管的栅极通过第一电阻连接驱动芯片的信号输出端，源极通过第二电阻接地，漏极连接电源变压组信号输入端；三极管基极通过第三电阻连接驱动芯片的信号输出端，射电极连接开关MOS管的栅极，集电极接地。优点在于，由于加入了三极管对地的放电电流，使得开关MOS管两端的寄生电容放电回路面积比较小，不容易向空间辐射电磁波，同时可以缩短开关MOS管的放电时间，使开关MOS管的关断损耗降低。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种MOS管的驱动电路，尤其涉及一种高频开关电源MOS管的驱动电路。
背景技术
长期以来，AM/FM系统的供电电源一直都是采用线性电源，很少有用到开关电源来进行对AM/FM系统进行供电。当开关电源接上市电时，它负责对收音放大单元供电，在这种情况下，AM/FM收音部分对开关电源的要求很高，开关电源的高频辐射干扰会直接对AM/FM的收音效果造成严重的影响，轻则影响AM/FM的收音效果，重则接收不到无线电台。但是开关电源有着原始线性电源不可比拟的优势，能效更高，成本更低。
开关电源按噪声干扰源种类来分,可分为尖峰干扰和谐波干扰两种；若按耦合通路来分,可分为传导干扰和辐射干扰两种。噪声干扰源主要来源于：开关管工作时产生的谐波干扰及无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振荡产生干扰，功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。这种脉冲矩形电流含有丰富的高次谐波分量。另外,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流突变,也会产生尖峰干扰，开关电源产生的尖峰干扰和谐波干扰能量通过开关电源的输入输出线传播出去称为传导干扰；而谐波和寄生振荡的能量,会在空间产生电场和磁场，从而导致辐射干扰。驱动电路如图1所示。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种解决上述问题的高频开关电源MOS管的驱动电路。
为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下：
一种高频开关电源MOS管的驱动电路，包括驱动芯片、开关MOS管和电源变压组；还包括三极管，所述开关MOS管的栅极通过第一电阻连接驱动芯片的信号输出端，源极通过第二电阻接地，漏极连接电源变压组信号输入端；三极管基极通过第三电阻连接驱动芯片的信号输出端，射电极连接开关MOS管的栅极，集电极接地。
本实用新型优点在于，由于加入了三极管对地的放电电流，使得开关MOS管两端的寄生电容放电回路面积比较小，不容易向空间辐射电磁波，同时可以缩短开关MOS管的放电时间，使开关MOS管的关断损耗降低。
附图说明
图1是现有技术的MOS管驱动电路图。
图2是本实用新型的MOS管驱动电路图。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述：
如图1所示，本实用新型的驱动电路，包括驱动芯片，开关MOS管Q1和电源变压组T2；还包括三极管Q2，所述开关MOS管Q1的栅极通过第一电阻R1连接驱动芯片的信号输出端，源极通过第二电阻R2接地，漏极连接电源变压组信号输入端；三极管Q2基极通过第三电阻R3连接驱动芯片的信号输出端，射电极连接开关MOS管Q1的栅极，集电极接地。
工作原理是当驱动芯片输出高电平时，三级管Q2截止，驱动芯片通过第一电阻R1直接驱动开关MOS管Q1，当驱动芯片变为低电平时，三极管Q2导通，开关MOS管Q1栅极-源极的寄生电容通过三极管Q2对地放电，由于加入了三极管Q2对地的放电电流，使得开关MOS管Q2两端的寄生电容放电回路面积缩小，不容易向空间辐射电磁波，同时可以缩短开关MOS管Q1的放电时间，使开关MOS管Q1的关断损耗降低。
由于AM/FM收音系统的特殊性，为了使其收音效果良好，其一直采用线性电源供电，很少采用工作在高频开关状态下的开关电源进行供电，通过上面所述的改进方法与措施，使得开关电源完全可以用于AM/FM收音系统供电，并且可以与线性电源供电的收音效果相媲美，同时使其满足一些线性电源没办法满足的要求，例如：开关电源可以满足欧洲的Erp2低能耗标准，大功率系统可以缩小其供电电源的体积与重量，同时可以节约成本。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种高频开关电源MOS管的驱动电路，包括驱动芯片、开关MOS管和电源变压组；其特征在于，还包括三极管，所述开关MOS管的栅极通过第一电阻连接驱动芯片的信号输出端，源极通过第二电阻接地，漏极连接电源变压组信号输入端；三极管基极通过第三电阻连接驱动芯片的信号输出端，射电极连接开关MOS管的栅极，集电极接地。
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