CN1035298C - 晶体管串联-并联反馈宽频带放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于用串联-并联反馈电路实现晶体管宽频带放大器的电路技术。本发明的特点在于,首先对晶体管进行“参数理想化”处理,再连接串联-并联反馈电路,同时在串联反馈电路中引入低Q串联谐振电路,以补偿带内增益波动,结果使放大器有更宽的带宽,特别是使放大器的宽带增益明显提高,达到所用晶体管在最高工作频率上工作于点频时的最大可用增量,而且带内增益波动小,输入、输出驻波小。
Description
本发明涉及一种用串联-并联反馈电路实现晶体管宽频带放大器的电路技术。
现有的晶体管串联-并联反馈宽带放大器由电阻器(3)、电感器(4)串联而成的并联反馈电路,电阻器(8)、电容器(10)并联而成的串联反馈电路和晶体管(6)组成。放大器的宽带增益比晶体管在最高工作频率上工作于点频时的最大可用增益下降许多,工作频带内增益波动大,其增益频率特性在频段的中间处有明显的下凹,在频段的高端处有明显的上冲。输入、输出反射损耗特性在增益特性谷点和峰点附近都明显变差。
本发明的目的是为了解决上述放大器存在的问题,以便获得工作频带更宽,增益更高,输入、输出反射特性更好的晶体管宽频带放大器。
附图示出本发明晶体管串联-并联反馈宽频带放大器的高频电原理图。
附图所示本发明晶体管串联-并联反馈宽频带放大器的高频电原理图是由电阻器(3)、电感器(4)串联而成的并联反馈电路,电阻器(8)、电容器(10)并联而成的串联反馈电路和晶体管(6)组成。其特征在于:在晶体管(6)的基极与发射极之间连接一个电容器(2),此电容与基极引线电感,基极与发射极之间的极间电容构成一个截止频率相当高的Г型低通滤波器,此低通滤波器吸收了晶体管输入阻抗的电抗部分;在并联反馈点(A)与晶体管(6)集电极之间连接一个电感器(5),在并联反馈点(A)与晶体管(6)的发射极之间连接一个电容器(7),电感器(5)、电容器(7)和晶体管(6)集电极与发射极之间极间电容(11)三者又构成一个截止频率相当高的π型低通滤波器,此低通滤波器吸收了晶体管输出阻抗的电抗部分。这样,在相当宽的频率内,晶体管成为较"理想化"的晶体管,这是晶体管宽频带放大器必须具备的条件之一。"理想化"的晶体管再连接串联反馈电路电阻器(8)、电容器(10),并联反馈电路电阻器(3)、电感器(4)使得放大器的性能得到明显的改善,特别是使晶体管宽频带放大器的宽带增益明显提高,达到晶体管在最高工作频率上工作于点频时的最大可用增益,这一特性是前所未有的。同时晶体管放大器的输入、输出反射损耗大于10dB。
另外,在串联反馈电阻(8)上并联一个或两个以上的电容器(10),每个电容器的引线上套有有损耗的磁环(9)。其作用在于:电容器与晶体管发射极的引线电感构成一个或两个以上的低Q串联谐振电路,在串联谐振点附近放大器的增益得到提升,放大器的增益特性在带内更平坦。
本发明放大器的实施例子之一是用晶体管BFR91(fT=5GHz),其技术参数如下:
电阻器(3)=330Ω 电阻器(8)=11Ω 电容器(2)=1Pf
电容器(7)=1Pf 电容器(10)=0Pf 电感器(5)=30mμh
电感器(4)=0h 磁环(9)=φ3X2X1X1R1K(铁氧体磁环)
在上述技术参数条件下,达到如下性能:
工作频率:10MHZ-900MHZ
带内增益:11dB
带内增益波动:0.3dB
输入、输出反射损耗:>12dB(系统特性阻抗为75Ω)
本发明放大器的另一实施例子是用晶体管BFR96S(fT=5GHz),其技术参数如下:
电阻器(3)=470Ω 电阻器(8)=7.5Ω 电容器(2)=2.7Pf
电容器(7)=1Pf 电容器(10)=10Pf 电感器(5)=30mμh
电感器(4)=0h 磁环(9)=φ3X2X1X1R1K(铁氧体磁环)
在上述技术参数条件下,达到如下性能:
工作频率:10MHZ-900MHZ
带内增益:14dB
带内增益波动:0.5dB
输入、输出反射损耗:>10dB(系统特性阻抗为75Ω)
Claims (2)
1.一种晶体管串联-并联反馈宽频带放大器,由电阻器(3)、电感器(4)串联而成的并联反馈电路,电阻器(8)、电容器(10)并联而成的串联反馈电路和晶体管(6)组成,其特征在于:在晶体管(6)的集电极与并联反馈点(A)之间连接一个电感器(5),在晶体管(6)的发射极与并联反馈点(A)之间连接一个电容器(7)。
2.根据权利要求1所述的晶体管串联-并联反馈宽频带放器,其特征在于:在串联反馈电阻(8)上并联一个或两个以上的电容器(10),在每个电容器的引线上套上有损耗的磁环(9)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN91112623A CN1035298C (zh) | 1991-12-29 | 1991-12-29 | 晶体管串联-并联反馈宽频带放大器 |
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CN91112623A CN1035298C (zh) | 1991-12-29 | 1991-12-29 | 晶体管串联-并联反馈宽频带放大器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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CN91112623A Expired - Fee Related CN1035298C (zh) | 1991-12-29 | 1991-12-29 | 晶体管串联-并联反馈宽频带放大器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100411301C (zh) * | 2002-07-26 | 2008-08-13 | 国际商业机器公司 | 在并联反馈结构中使用二极管的改进2-级大带宽放大器 |
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---|---|---|---|---|
US4611179A (en) * | 1984-06-05 | 1986-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wide-band type high-frequency amplifier circuit |
US5068624A (en) * | 1989-09-11 | 1991-11-26 | Hitachi Denshi Kabushiki Kaisha | Amplifier |
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1991
- 1991-12-29 CN CN91112623A patent/CN1035298C/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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