CN103529645A - 一种纳米印章的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本发明提供的纳米印章的制备方法操作步骤简单，具有使用方便、灵活，效率高等优点，有利于推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及微加工领域，具体涉及一种纳米印章的制备方法。
背景技术
传统的电子束加工纳米压印印章，刻蚀时去除速率慢，样品会受到一定程度的损伤，同时产率低，制备出来的产品不理想。
发明内容
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供的纳米印章的制备方法，工艺简单、效率高，适合推广应用。
技术方案：为解决上述技术问题，本发明的采用的技术方案为：一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：
（1）在基片上放置一层金属铬膜；
（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；
（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；
（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；
（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；
（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
作为优选，所述步骤（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
作为优选，所述步骤（6）中的刻蚀在室温进行。
有益效果：本发明提供的纳米印章的制备方法无需逐行扫描刻蚀，只需曝光一次，即可在大面积上形成图案，降低了制造成本；操作步骤简单，使用方便、灵活，提高压印效率，有利于推广应用。
具体实施方式
实施例一：
一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：
（1）在基片上放置一层金属铬膜；
（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；
（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；
（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；
（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；
（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
所述步骤（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
所述步骤（6）中的刻蚀在室温进行。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种纳米印章的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在基片上放置一层金属铬膜；
（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；
（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；
（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；
（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；
（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
2.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
3.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中的刻蚀在室温进行。
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| CN201310514080.8A CN103529645A (zh) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 一种纳米印章的制备方法 |
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