CN1815275A - 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法 - Google Patents

背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1815275A
CN1815275A CN 200610024490 CN200610024490A CN1815275A CN 1815275 A CN1815275 A CN 1815275A CN 200610024490 CN200610024490 CN 200610024490 CN 200610024490 A CN200610024490 A CN 200610024490A CN 1815275 A CN1815275 A CN 1815275A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grating
reflective polarizing
splitting
incidence
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 200610024490
Other languages
English (en)
Inventor
周常河
王博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority to CN 200610024490 priority Critical patent/CN1815275A/zh
Publication of CN1815275A publication Critical patent/CN1815275A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法，特点是该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。本发明偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.08％和99.67％，本发明的背入射式石英反射偏振分束器光栅，具有很高的消光比和反射效率，不需要考虑光栅槽形的结构，也不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是一种重要的偏振分束器。

Description

背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法
技术领域
本发明涉及800纳米波段的半导体激光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲的偏振分束光栅器件，特别是一种800纳米波长的背入射式(或浸入式)石英反射式偏振分束光栅及其制备方法。
背景技术
半导体激光器由于体积小、重量轻、能量转换效率高等优点，其应用覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术，其中800纳米波段的半导体激光器是最常用的激光器。飞秒激光器的特点是超高速和超强电场。飞秒激光不仅在高能物理、核物理领域有重大应用，而且在通信、医疗、环境和测量等领域也发挥着重要作用。目前飞秒激光主要由钛宝石激光器产生，中心波长也在800纳米左右。在许多光学信息处理系统中，偏振分束器是一种关键元件，它可以将光分成两束偏振模式相互垂直的偏振光。因此，针对以800纳米为中心的偏振分束光栅具有重要的应用价值。
大多数应用中，人们往往需要高消光比、高透射率或反射率、较宽的可操作波长范围和角度带宽、体积小的偏振分束器。传统的偏振分束器是基于一些晶体的自然双折射效应(例如Thomson棱镜、Nicol棱镜和Wollaston棱镜)或者多层介质膜的偏振选择性。但是，利用双折射晶体所制成的偏振分束器体积大、价格昂贵；而薄膜偏振分束器一般工作带宽较窄，薄膜层数达到几十层，对均匀性和对称性要求较严，加工较难，高消光比元件成本很高。随着微制造技术的快速发展，亚波长光栅所表现出来的特有的光学效应越来越受到人们的广泛关注。近来，一些研究工作报道了表面浮雕型光栅作为偏振分束器。与其它偏振分束器相比，表面浮雕型偏振分束光栅结构紧凑，易于小型化和集成化，并且插入损耗小，是一种无源器件。尤其是深刻蚀熔融石英光栅，损伤阈值很高，热膨胀系数小，能够在高强度激光和对稳定性要求严格的环境中工作。偏振分束光栅的制造可以借助成熟的微电子工艺技术，造价小，能够大量生产，具有重要的实用前景。
J.R.Marciante等人报道了一种新型的高色散的背入射式(或浸入式)光栅(TIR光栅)【在先技术1：J.R.Marciante et al.，Opt.Lett.29，542(2004)】，该类型光栅利用内部全反射效应(Total Internal Reflection，简称为TIR)，即光从光密介质射向光疏介质时，若入射角满足全反射条件，则光疏介质中将没有透射光，入射光的能量全部集中到反射光上。所谓的背入射式(或浸入式)是指光不是从光栅的正面(有光栅槽)入射，而是从光栅基底的背面入射，通过对光栅周期及深度的优化选择，该浸入式光栅的反射衍射效率几乎接近完全反射。TIR光栅具有很多的优点，例如衍射效率与光栅的槽形无关，直接在电介质材料上(往往利用石英)刻蚀出浮雕形的光栅结构，吸收损耗与金属相比非常小，由于衍射效率已经很高，所以不需要在光栅表面镀高反射介质膜。
本发明采用矩形结构光栅的计算模型。高密度光栅的衍射理论，不能由简单的标量光栅衍射方程来解释，而必须采用矢量形式的麦克斯韦方程并结合边界条件，通过编码的计算机程序精确地计算出结果。Moharam等人已给出了严格耦合波理论的算法【在先技术2：M.G.Moharam et al.，J.Opt.Soc.Am.A.12，1077(1995)】，可以解决这类高密度光栅的衍射问题。但据我们所知，没有人针对800纳米波段的半导体激光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲给出浸入式高密度石英反射偏振分束光栅的设计参数。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对800纳米波段的半导体激光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲提供一种背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法，该背入射式石英反射偏振分束光栅应可以将TE、TM两种偏振模式相互垂直的光分为不同的方向，实现0级和1级衍射光消光比均大于100，TE偏振光的0级衍射效率和TM偏振光的1级衍射效率分别高于99.08％和99.67％。以实现高消光比、高衍射效率背入射式深刻蚀熔融石英偏振分束光栅。
本发明的技术解决方案如下：
一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅，其特点是该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。
所述的光栅的周期为359纳米，光栅的刻蚀深度为1.020微米，光栅的占空比为1/2的背入射式石英反射偏振分束光栅为最优。
所述的背入射式石英反射偏振分束光栅的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
①建立全息记录光栅装置：采用He-Cd激光器为记录光源，在He-Cd激光器输出的激光光路依次是快门、分束镜，经过该分束镜将光束分成两条窄光束，第一光束通过第一反射镜后，经第一扩束镜、第一透镜、第三反射镜照射到基片上；第二光束通过第二反射镜、第二扩束镜、第二透镜形成和第四反射镜与第一光束相干地照射到同一基片上；
②根据所需制备背入射式石英反射偏振分束光栅的消光比和效率的要求，选定光栅空间周期Λ；利用Λ＝λ/(2*sinθ)求出θ，其中λ为记录光波长，即He-Cd激光器的波长，为0.441μm；
③调整所述的全息记录光栅装置，最终使第一光束和第二光束以2θ的夹角入射到所述的基片上，形成干涉场，相邻条纹的间距为Λ＝λ/(2*sinθ)；
④在干燥、清洁的熔融石英基片上沉积一层金属铬膜，并在铬膜上均匀涂上一层正光刻胶；
⑤在基片位置放置所述的待记录的熔融石英基片，启动He-Cd激光器，打开快门记录光栅；
⑥显影后，用去铬液将光刻图案从光刻胶转移到铬膜上，利用化学试剂将多余的光刻胶去除形成样品；
⑦将样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中进行一定时间的等离子体刻蚀，把光栅转移到石英基片上，再用去铬液将铬膜去除，就得到表面浮雕结构的背入射式石英反射偏振分束光栅。
所述的正光刻胶为美国制造的Shipley，S1818胶。
所述的等离子体刻蚀的时间，由等离子体刻蚀的速度和光栅的深度决定。
本发明的背入射式(或浸入式)石英反射偏振分束器光栅，具有很高的消光比和反射效率，不需要考虑光栅槽形的结构，也不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是偏振分束器的一种重要的实现技术
附图说明
图1是本发明800纳米波长的背入射式石英反射偏振分束光栅的几何结构。图中：1-光栅，2-区域1(折射率为n1)，3-区域2(折射率为n2)，4-入射光，5-TE模式下的0级衍射光，6-TM模式下的1级衍射光。
图2是本发明反射偏振分束光栅：熔融石英的折射率取1.45332，光栅占空比为1/2在不同光栅周期和刻蚀深度下的消光比。
图3是本发明反射偏振分束光栅：熔融石英的折射率取1.45332，光栅占空比为1/2在优化光栅周期下(Λ＝359nm)，消光比随着刻蚀深度的变化曲线。
图4是本发明反射偏振分束光栅：熔融石英的折射率取1.45332光栅周期为359纳米、光栅深度1.020微米，占空比为1/2，在800纳米波段附近使用，各个波长以相应的Littrow角度入射(TIR(Littrow)光栅)时，TE/TM模式下的反射衍射效率与波长的关系图。
图5是本发明反射偏振分束光栅：熔融石英的折射率取1.45332光栅周期为359纳米、光栅深度1.020微米，占空比为1/2，入射光以50.06°角度(对应于λ＝800纳米)附近入射到TIR光栅时，TE/TM模式下的反射衍射效率与入射角的关系图。
图6是本发明反射偏振分束光栅的记录光路图。
图中：7-氦镉激光器，8-快门，9-分束镜，10、11、12、13-反射镜，14、15-扩束镜，16、17-透镜，18-基片。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
先请参阅图1，图1是本发明800纳米波长的背入射式石英反射偏振分束光栅的几何结构示意图。在图中，1代表光栅，2代表区域1(折射率为n1)，3代表区域2(折射率为n2)，4代表入射光，5代表TE模式下的0级衍射光，6代表TM模式下的1级衍射光。
本发明的用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅，该光栅的光栅周期Λ为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。
本发明的依据如下：
图1显示了背入射式(或浸入式)光栅(TIR光栅)的几何结构。区域2、3都是均匀的，分别为石英2(折射率n1＝1.45332)和空气3(折射率n2＝1)。光栅矢量K位于入射平面内。TE偏振入射光对应于电场矢量的振动方向垂直于入射面，TM偏振入射光对应于磁场矢量的振动方向垂直于入射面。一线性偏振的光波4以一定角度θi＝sin-1(λ/2/Λ/n1)入射，定义为Littrow条件，即衍射光可沿原入射光的方向返回，λ代表入射波长，Λ代表光栅周期。根据光栅衍射方程及全反射条件，Λ应满足条件 n 1 > λ 2 Λ > n 2 . 该偏振分束光栅的消光比定义为0级衍射光中TE、TM偏振模式效率之比和1级衍射光中TM、TE偏振模式效率之比中较小的一值。
在如图1所示的光栅结构下，本发明采用严格耦合波理论【在先技术2】计算了占空比为1/2的深刻蚀熔融石英光栅在800纳米波段的半导体激光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲处的消光比和衍射效率，如图2、图3所示。依据理论计算得到高消光比、高衍射效率矩形光栅的数值优化结果，即当光栅的周期为356-364纳米、刻蚀深度为1.015-1.025微米，光栅的占空比为1/2时，偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.08％和99.67％。特别是光栅周期为359纳米，刻蚀深度为1.020微米时，可以使偏振分束光栅的消光比达到2.20×104，TE偏振光0级反射衍射效率和TM偏振光1级反射衍射效率均接近于1。
如图4所示，光栅的周期为359纳米，深度为1.020微米，若考虑800纳米附近两种偏振模式的入射光各自以对应的Littrow角度入射到TIR光栅时，该偏振分束光栅在793-805纳米波长范围内所有波长的消光比均可以达到100以上，即对应于12纳米的谱宽范围，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.01％和99.80％。
如图5所示，TE/TM偏振模式的入射光以50.06°角度(对应于λ＝800纳米)附近入射到TIR光栅时，该光栅的周期为359纳米，深度为1.020微米，该偏振分束光栅在49.17°-50.96°角度范围内所有入射角的消光比均可以达到100以上，即对应于1.79°角度带宽范围，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.99％和99.01％。
本发明背入射式石英反射偏振分束光栅制备方法，包括下列步骤：
①建立全息记录光栅装置：如图6所示，采用He-Cd激光器7作为记录光源，在.He-Cd激光器7输出的激光光路依次是快门8、分束镜9，经过该分束镜9光束分成两条窄光束，第一光束通过第一反射镜10，经第一扩束镜14、第一透镜16、第三反射镜12照射到基片18上；第二光束通过第二反射镜11、第二扩束镜15、第二透镜17形成和第四反射镜13照射到基片(18)；
②根据所需制备背入射式石英反射偏振分束光栅的消光比和效率的要求，选定光栅空间周期Λ；利用Λ＝λ/(2*sinθ)求出θ，其中λ为记录光波长，即He-Cd激光器7的波长，为0.441μm；
③调整所述的全息记录光栅装置，最终使第一光束和第二光束以2θ的夹角入射到基片18，形成干涉场，相邻条纹的间距为Λ＝λ/(2*sinθ)；
④在干燥、清洁的熔融石英基片上沉积一层金属铬膜，并在铬膜上均匀涂上一层正光刻胶；
⑤在基片18位置放置所述的待记录的熔融石英基片，启动He-Cd激光器7，打开快门8记录光栅；
⑥显影后，用去铬液将光刻图案从光刻胶转移到铬膜上，利用化学试剂将多余的光刻胶去除形成样品；
⑦将样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中进行一定时间的等离子体刻蚀，把光栅转移到石英基片上，再用去铬液将铬膜去除，就得到表面浮雕结构的背入射式石英反射偏振分束光栅。
利用微光学技术制造高密度矩形偏振分束光栅，首先在干燥、清洁的熔融石英基片上沉积一层金属铬膜，并在铬膜上均匀涂上一层正光刻胶(Shipley，S1818，USA)。然后采用方式如图6所示的记录光栅的装置记录全息光栅，记录全息光栅时，快门8打开，从激光器发出的窄光束经过分束镜9分成两窄光束。一束通过第一反射镜10后，经过第一扩束镜14、第一透镜16形成宽平面波；另一束通过第二反射镜11后，经过第二扩束镜15、第二透镜17形成宽平面波。两束平面波分别经过第三反射镜12、第四反射镜13后，以2θ夹角在基片18上形成干涉场。光栅空间周期(即相邻条纹的间距)可以表示为Λ＝λ/(2*sinθ)，其中λ为记录光波长。记录角θ越大，则Λ越小，所以通过改变θ的大小，可以控制光栅的周期(周期值可以由上述消光比和效率图设计)记录高密度光栅。接着，显影后，用去铬液将光刻图案从光刻胶转移到铬膜上，利用化学试剂将多余的光刻胶去除。最后，将样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中进行一定时间的等离子体刻蚀，把光栅转移到石英基片上，再用去铬液将铬膜去除，就得到高密度表面浮雕结构的石英光栅。
表1给出了本发明一系列实施例，在制作光栅的过程中，适当选择光栅刻蚀深度及周期，就可以得高消光比、高衍射效率的矩形石英偏振分束光栅。由表1并结合图2、3可知，该光栅的周期为356-364纳米、刻蚀深度为1.015-1.025微米时，偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.08％和99.67％，实现了将两种偏振模式相互垂直的光分为不同的方向。特别是光栅周期为359纳米，刻蚀深度为1.020微米时，本发明可以使偏振分束光栅的消光比达到2.20×104，TE偏振光0级反射衍射效率和TM偏振光1级反射衍射效率均接近于1。
本发明的背入射式(或浸入式)石英光栅作为偏振分束器，具有很高的消光比和反射效率，不需要考虑光栅槽形的结构，也不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是偏振分束器的一种重要的实现技术。
表1 800纳米波长入射下，0级、+1级布拉格透射衍射效率η和消光比，d为光栅深度，Λ为光栅周期
  d(μm) Λ(nm)                            η(％)            消光比
            TE               TM
  0级   1级   0级   1级   0级   1级
1.015   357   99.49   0.51   0.14   99.86   7.13×102   1.96×102
  358   99.74   0.26   0.10   99.90   1.03×103   3.88×102
  359   99.90   0.10   0.07   99.93   1.34×103   1.01×103
  360   99.98   0.02   0.07   99.93   1.47×103   5.29×103
  361   100.00   5.39×10-4   0.08   99.92   1.29×103   1.85×105
  362   99.97   0.03   0.11   99.89   9.13×102   3.66×103
1.020   357   99.82   0.18   0.03   99.97   3.69×103   5.48×102
  358   99.95   0.05   0.01   99.99   9.21×103   2.07×103
  359   100.00   7.31×10-4   4.55×10-3   100.00   2.20×104   1.37×105
  360   99.98   0.02   3.26×10-3   100.00   3.06×104   4.40×103
  361   99.90   0.10   0.01   99.99   1.69×104   1.03×103
  362   99.79   0.21   0.02   99.98   5.77×103   4.85×102
1.025   357   99.98   0.02   1.84×10-3   100.00   5.43×104   5.05×103
  358   100.00   4.44×10-3   0.01   99.99   9.73×103   2.25×104
  359   99.93   0.07   0.02   99.98   5.38×103   1.48×103
  360   99.81   0.19   0.02   99.98   4.75×103   5.21×102
  361   99.64   0.36   0.02   99.98   6.53×103   2.78×102
  362   99.45   0.55   4.48×10-3   100.00   2.22×104   1.81×102

Claims (5)

1、一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅，其特征在于该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。
2、根据权利要求1所述的背入射式石英反射偏振分束光栅，其特征在于所述的光栅的周期为359纳米，光栅的刻蚀深度为1.020微米。
3、权利要求1或2所述的背入射式石英反射偏振分束光栅的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
①建立全息记录光栅装置：采用He-Cd激光器(7)作为记录光源，在He-Cd激光器(7)输出的激光光路依次是快门(8)、分束镜(9)，经过该分束镜(9)将光束分成两条窄光束，第一光束通过第一反射镜(10)后、第一扩束镜(14)、第一透镜(16)、第三反射镜(12)照射到基片(18)上；第二光束通过第二反射镜(11)、第二扩束镜(15)、第二透镜(17)和第四反射镜(13)照射到基片(18)；
②根据所需制备的背入射式石英反射偏振分束光栅的消光比和效率的要求，选定光栅空间周期Λ；利用Λ＝λ/(2*sinθ)求出θ，其中λ为记录光波长，即He-Cd激光器(7)的波长，为0.441μm；
③调整所述的全息记录光栅装置，最终使第一光束和第二光束以2θ的夹角入射到基片(18)，形成干涉场，相邻条纹的间距为Λ＝λ/(2*sinθ)；
④在干燥、清洁的熔融石英基片上沉积一层金属铬膜，并在铬膜上均匀地涂上一层正光刻胶；
⑤在基片(18)位置放置所述的待记录的熔融石英基片，启动He-Cd激光器(7)，打开快门(8)记录光栅；
⑥显影后，用去铬液将光刻图案从光刻胶转移到铬膜上，利用化学试剂将多余的光刻胶去除形成样品；
⑦将样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中进行一定时间的等离子体刻蚀，把光栅转移到石英基片上，再用去铬液将铬膜去除，就得到表面浮雕结构的背入射式石英反射偏振分束光栅。
4、权利要求3所述的800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅制备方法，其特征在于所述的正光刻胶为美国制造的Shipley，S1818胶。
5、权利要求3所述的800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅制备方法，其特征在于所述的等离子体刻蚀的时间，由等离子体刻蚀的速度和光栅的深度决定。
CN 200610024490 2006-03-08 2006-03-08 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法 Pending CN1815275A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200610024490 CN1815275A (zh) 2006-03-08 2006-03-08 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200610024490 CN1815275A (zh) 2006-03-08 2006-03-08 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1815275A true CN1815275A (zh) 2006-08-09

Family

ID=36907550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200610024490 Pending CN1815275A (zh) 2006-03-08 2006-03-08 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1815275A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103529645A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 无锡英普林纳米科技有限公司 一种纳米印章的制备方法
CN107052584A (zh) * 2017-05-18 2017-08-18 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 激光脉冲诱导熔石英表面形成均匀光栅结构的方法
CN108008478A (zh) * 2017-12-01 2018-05-08 暨南大学 基于金属多层介质膜的偏振选择反射式光栅
CN111595555A (zh) * 2020-06-02 2020-08-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 利用宽光谱比值实现光栅掩膜实时显影监测的装置和监测方法
CN111790980A (zh) * 2020-06-28 2020-10-20 华中科技大学 一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用
WO2022041312A1 (zh) * 2020-08-24 2022-03-03 苏州大学 低偏振高衍射效率金属反射浸没光栅及光学系统

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103529645A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 无锡英普林纳米科技有限公司 一种纳米印章的制备方法
CN107052584A (zh) * 2017-05-18 2017-08-18 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 激光脉冲诱导熔石英表面形成均匀光栅结构的方法
CN107052584B (zh) * 2017-05-18 2018-09-21 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 激光脉冲诱导熔石英表面形成均匀光栅结构的方法
CN108008478A (zh) * 2017-12-01 2018-05-08 暨南大学 基于金属多层介质膜的偏振选择反射式光栅
CN108008478B (zh) * 2017-12-01 2022-09-09 暨南大学 基于金属多层介质膜的偏振选择反射式光栅
CN111595555A (zh) * 2020-06-02 2020-08-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 利用宽光谱比值实现光栅掩膜实时显影监测的装置和监测方法
CN111595555B (zh) * 2020-06-02 2021-02-02 中国科学院上海光学精密机械研究所 利用宽光谱比值实现光栅掩膜实时显影监测的装置和监测方法
CN111790980A (zh) * 2020-06-28 2020-10-20 华中科技大学 一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用
WO2022041312A1 (zh) * 2020-08-24 2022-03-03 苏州大学 低偏振高衍射效率金属反射浸没光栅及光学系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100359344C (zh) 1550纳米波长的石英反射偏振分束光栅
US6870624B2 (en) Optical wavelength resonant device for chemical sensing
CN100464199C (zh) 1550纳米波长硅反射式偏振分束光栅
CN102289014B (zh) 1053纳米波段的金属介质膜反射式偏振分束光栅
CN1815275A (zh) 背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法
CN101546002B (zh) 1064纳米波段的亚波长熔融石英透射偏振分束光栅
CN100359345C (zh) 1550纳米波长的石英透射偏振分束光栅
CN100570756C (zh) 一种金属膜及其制造方法
CN101344604A (zh) 基于金属层反射的反射式石英偏振分束光栅
CN100340875C (zh) 800纳米波段的石英透射偏振分束光栅
CN101609176B (zh) 金属嵌入式熔融石英宽带反射光栅
CN101271169A (zh) 深刻蚀三角槽形石英透射偏振分束光栅
CN100340877C (zh) 632.8纳米波长背入射式石英反射偏振分束光栅
CN101614836A (zh) 石英透射偏振分束光栅
CN101149444A (zh) 熔融石英透射1×2分束光栅
CN100340876C (zh) 532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅
CN101718883A (zh) 高密度深刻蚀正弦槽型光栅偏振分束器
CN101907735A (zh) 夹层式熔融石英透射1×2分束光栅
CN100399066C (zh) 用于441.6纳米波段的石英透射偏振分束光栅
CN201166715Y (zh) 熔融石英透射1×2分束光栅
CN1256600C (zh) 背入射式高密度石英反射光栅
CN101609241A (zh) 熔石英光栅脉冲压缩器
CN101806930A (zh) 减反射光栅的制备方法
CN101907736A (zh) 夹层式石英透射偏振分束光栅
CN201242599Y (zh) 基于金属层反射的反射式石英偏振分束光栅

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication