CN103522149A - 晶棒的抛光处理方法 - Google Patents

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刘耀峰
潘振东
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract

本发明公开了晶棒的抛光处理方法，包括：第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟；第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；第四步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；第五步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；第六步，风干。通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。

Description

晶棒的抛光处理方法
技术领域
本发明涉及一种晶棒的抛光处理方法，属于半导体材料技术领域。
背景技术
在进行半导体加工的过程中，所使用的晶棒毛坯料经常需要进行抛光处理，在抛光处理的过程中，容易造成晶棒磨损过多，浪费严重的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶棒的抛光处理方法，减少抛光磨损，节省材料。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现：
晶棒的抛光处理方法，包括：
第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟；
第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；
第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；
第四步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；
第五步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；
第六步，风干。
通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。
具体实施方式
本发明实施例一所述的晶棒的抛光处理方法，包括：
第一步，将晶棒浸泡在水中，保持5分钟；
第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；
第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；
第四步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；
第五步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；
第六步，风干。
通过上述技术方案晶棒的抛光处理方法，可以大大降低晶棒的磨损程度，节省晶棒的材料。

Claims (1)

1.晶棒的抛光处理方法，包括：
第一步，将晶棒浸泡在水中，保持至少5分钟；
第二步，将晶棒取出，并将晶棒的两端固定在旋转加工工作台上；
第三步，旋转晶棒，并且利用宽度5cm左右的粗砂布，沿着晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往复移动，进行第一次打磨；
第四步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往复移动，进行第二次打磨；
第五步，旋转晶棒，并且利用宽度10cm左右的沾水细砂布，沿着晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往复移动，进行第三次打磨；
第六步，风干。
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