CN103489557A - 一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 - Google Patents
一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103489557A CN103489557A CN201310432802.5A CN201310432802A CN103489557A CN 103489557 A CN103489557 A CN 103489557A CN 201310432802 A CN201310432802 A CN 201310432802A CN 103489557 A CN103489557 A CN 103489557A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- room
- target
- semiconductor material
- temperature
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title abstract description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 4
- GPAAEXYTRXIWHR-UHFFFAOYSA-N (1-methylpiperidin-1-ium-1-yl)methanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C[N+]1(C)CCCCC1 GPAAEXYTRXIWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000369 bright-field scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了属于半导体技术领域的一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法。该室温透明铁磁半导体通过在具有内秉室温磁性的非晶材料基础上添加半导体功能元素制备新型铁磁半导体材料的技术思路制备。具体实施例采用磁控溅射法制备,得到半导体材料成分为Cox(BaFebTac)yO100-x-y,其中x,y为原子百分数,取值范围为:10≤x≤40,19≤y≤55,a>b>c,cy≥3。该材料为直接带隙半导体,光学带隙为~3.6eV,居里温度高于室温(约163摄氏度),兼具独特光学、电学、磁学特性于一体。制备工艺简单,是一种优异的磁光、光电、室温可操控电子自旋器件如自旋场效应管和自旋发光二极管等的备选材料。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,涉及一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法。
背景技术
磁性半导体兼具磁性和半导体特性,可以通过操控电子自旋,实现接近完全的自旋极化,提供了一种全新的导电方式和器件概念。这种特性可以用于开发新一代电子器件,如自旋场效应管和自旋发光二极管等,将会大幅度降低能耗、增加集成密度、提高数据运算速度,在未来的电子行业具有非常广泛的应用前景。目前磁性半导体的研究主要以稀磁半导体为主,通过在半导体材料中添加过渡族磁性元素获得内秉磁性。但是迄今报道的典型稀磁半导体的最高居里温度仅有190K,仍远低于室温,无法满足电子自旋器件在室温下工作的要求。研究表明稀磁半导体材料的居里温度随外加磁性元素的含量增加而升高,但是由于受到材料晶体结构对外加元素固溶度的上限影响,在此基础上实现大幅度提高居里温度并达到室温的可能性微乎其微。因此,开发具有内秉室温磁性的新型磁性半导体材料一直都是该领域的研究热点和理想目标。
非晶态金属氧化物半导体具有独特的光学和电学特性,相比脆性Si基半导体材料在柔性透明电子器件的应用方面比如可穿戴式电脑等的优势已引起世界科学家的广泛关注。非晶材料结构上长程无序,不含晶体材料中常见且很难避免的晶界、位错等缺陷,容易制备出大面积结构均匀的无缺陷样品,适合大批量产业化生产应用。相比晶体结构,非晶材料原子排列相对松散,容易引入外加功能性元素,同时允许外加元素更大的固溶度。在具有内秉室温磁性的非晶材料基础上添加半导体功能元素制备新型磁性半导体可能为解决稀磁半导体居里温度远低于室温的难题开辟出一条新的技术路线。
发明内容
本发明的目的是提供一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法,其特征在于,所述室温透明铁磁半导体材料的成分为Cox(BaFebTac)yO100-x-y,其中x,y为原子百分数,取值范围为:10≤x≤40,19≤y≤55,a>b>c,cy≥3具有室温透明铁磁特性,为非晶态结构,是一种集光学、电学、磁学特性于一体的半导体材料。
一种室温透明铁磁半导体材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
⑴采用传统的物理气相沉积磁控溅射方法;
(2)采用三种方式制备磁控溅射靶材
i粉末靶材制备方法:原料为粉末,粉末尺度为100微米以下;将称量好的粉末材料充分混合后放入靶材容器中,表面压平即可用于磁控溅射镀膜;
ii氧化物靶材制备方法:原料为Co、Fe、Ta和B粉末,并将所述原料在氧气氛围下烧结成Co-Fe-Ta-B-O靶材;
iii金属合金靶材制备方法:原料为块体Co、Fe、Ta和B,并将所述原料混合后采用熔融铸造的方法制备靶材;
(3)对应粉末靶材和氧化物靶材,磁控溅射设备预抽真空至~10‐4Pa,通入高纯惰性气体Ar,工作气压为0.5‐10Pa,溅射时间为~5小时,溅射厚度小于400纳米;
(4)对应金属合金靶材,磁控溅射设备预抽真空至~10‐4Pa,通入惰性气体Ar和氧气,二者分压比为1‐9:1,工作气压为0.5‐10Pa,溅射时间为~2小时,溅射厚度小于400纳米;
所述高纯惰性气体Ar的纯度大于99.999wt%。
本发明的有益效果为:
1、本发明在具有内秉室温铁磁性的非晶材料基础上添加半导体功能元素制备新型铁磁半导体;采用工业化制备薄膜材料传统方法磁控溅射法制备出居里温度高于室温(约163摄氏度),兼具独特光学、电学、磁学特性于一体的非晶态室温透明铁磁半导体;解决了目前磁性半导体特别是稀磁半导体居里温度低于室温的技术难题。
2、本发明制备出的室温透明铁磁半导体材料为直接带隙半导体,光学带隙为~3.6eV,最大磁光法拉第偏转角约3.7×104度/cm,具有光致发光现象,可用于磁光、光电器件材料。
3、本发明制备出的室温透明铁磁半导体具有优异磁学软磁性能,表现出反常霍尔效应和异常磁阻现象,结合其半导体特性,可用于自旋场效应管和自旋发光二极管等自旋电子器件。
4、该室温透明铁磁半导体材料制备工艺简单、原材料价格便宜,且环境友好,是一种优异的自旋电子器件备选材料,且在自旋电子学领域有潜在应用。
附图说明
图1是实施例1Co20.3(B0.62Fe0.26Ta0.12)40.7O39.0的透射电镜图谱:(a)BF-STEM图像和(b)高分辨电子显微图像,插图为选区电子衍射图谱;
图2是实施例1Co20.3(B0.62Fe0.26Ta0.12)40.7O39.0的光学特性:透射谱;
图3是实施例2Co31.9(B0.47Fe0.36Ta0.17)40.2O27.9的电学特性:电阻率随温度变化曲线;
图4是实施例2Co31.9(B0.47Fe0.36Ta0.17)40.2O27.9的饱和磁化曲线;
图5是实施例2Co31.9(B0.47Fe0.36Ta0.17)40.2O27.9的磁光特性;
图6是实施例3Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4的磁学特性:场冷和零场冷却曲线;
图7是实施例3Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4的光垫特性:光致发光光谱;
图8是实施例3Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4的电磁特性:反常霍尔效应;
图9是实施例3Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4的电磁特性:异常磁阻现象。
具体实施方式
本发明提供一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法。下面结合实施例对本发明予以说明。
实施例1
采用粉末靶材制备出室温透明铁磁半导体Co20.3(B0.62Fe0.26Ta0.12)40.7O39.0材料。具体操作步骤如下:选用粉末粒度为100微米以下Co、Fe、Ta和B原料;将称量好的粉末材料充分混合;按照磁控溅射设备靶材尺寸,用线切割法制备Al质靶材容器;将充分混合的粉末原料放入靶材容器中,表面压平即可用于磁控溅射镀膜;磁控溅射设备预抽真空至~10-4Pa,通入高纯惰性气体Ar,工作气压为0.5-10Pa。
所制备的室温透明铁磁半导体Co20.3(B0.62Fe0.26Ta0.12)40.7O39.0材料由TEM和STEM进行结构表征,如图1所示薄膜结构为非晶态结构;电学测量:采用的仪器是Quantum Design公司的PPMS-9;透过率测试采用的是PERKINELMER公司的Lambda950型紫外/可见/近红外分光光度计,如图2所示在可见光光谱范围内薄膜的透光率超过80%,可以与ITO薄膜相媲美;光致发光光谱测试采用的是Renishaw RM1000型显微共焦激光拉曼光谱仪;磁学测量:M-T测试采用的是Quantum Design公司的MPMS SQUID VSM;磁光法拉第效应采用MCD技术测量。
实施例2
采用氧化物靶材制备出室温透明铁磁半导体Co31.9(B0.47Fe0.36Ta0.17)40.2O27.9材料。具体操作步骤如下:选用粉末烧结法制备出氧化物靶材;磁控溅射设备预抽真空至~10-4Pa,通入高纯惰性气体Ar,工作气压为0.5-10Pa。
所制备的室温透明铁磁半导体Co31.9(B0.47Fe0.36Ta0.17)40.2O27.9材料由TEM和STEM进行结构表征;电学测量:采用的仪器是Quantum Design公司的PPMS-9,如图3所示,电阻率随温度变化曲线呈现典型半导体材料的电阻率的负温度相关特征,低温区域(10K以下)呈现电子跳跃传导机制,相对高温区(10K以上)呈现受长程库仑力主导的导电机制;透过率测试采用的是PERKINELMER公司的Lambda950型紫外/可见/近红外分光光度计;光致发光光谱测试采用的是Renishaw RM1000型显微共焦激光拉曼光谱仪;磁学测量:M-T测试采用的是Quantum Design公司的MPMS SQUID VSM,如图4所示,该材料表现出优异的软磁性能,饱和磁化强度为280kA/m;磁光法拉第效应采用MCD技术测量,如图5所示,最大磁光法拉第偏转角达~3.7×104度/cm,这种特性可以用于制备磁光器件。
实施例3
采用金属合金靶材制备出室温透明铁磁半导体Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4材料。具体操作步骤如下:原料为块体Co、Fe、Ta和B,并将所述原料混合后采用熔融铸造的方法制备靶材;磁控溅射设备预抽真空至~10-4Pa,通入高纯惰性气体Ar和氧气,二者分压比为9:1,工作气压为0.5-10Pa。
所制备的室温透明铁磁半导体Co32.4(B0.66Fe0.44Ta0.09)35.2O32.4材料由TEM和STEM进行结构表征;电学测量:采用的仪器是Quantum Design公司的PPMS-9,如图8所示的铁磁材料中出现的典型反常霍尔效应,图9所示的磁阻异常现象;透过率测试采用的是PERKINELMER公司的Lambda950型紫外/可见/近红外分光光度计;光致发光光谱测试采用的是Renishaw RM1000型显微共焦激光拉曼光谱仪,如图7所示,光致发光光谱的吸收边所对应的的光学带隙为~3.6eV;磁学测量:M-T测试采用的是Quantum Design公司的MPMS SQUID VSM,如图6场冷和零场冷却曲线所示,该材料的居里温度为~163摄氏度,远高于室温,在低温区出现自选玻璃现象;磁光法拉第效应采用MCD技术测量。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种室温透明铁磁半导体材料,其特征在于,所述室温透明铁磁半导体材料的成分为Cox(BaFebTac)yO100-x-y,其中x,y为原子百分数,取值范围为:10≤x≤40,19≤y≤55,a>b>c,cy≥3,具有室温透明铁磁特性,为非晶态结构,是一种集光学、电学、磁学特性于一体的半导体材料。
2.一种室温透明铁磁半导体材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
⑴采用传统的物理气相沉积磁控溅射方法;
(2)采用三种方式制备磁控溅射靶材
i粉末靶材制备方法:原料为粉末,粉末尺度为100微米以下;将称量好的粉末材料充分混合后放入靶材容器中,表面压平即可用于磁控溅射镀膜;
ii氧化物靶材制备方法:原料为Co、Fe、Ta和B粉末,并将所述原料在氧气氛围下烧结成Co-Fe-Ta-B-O靶材;
iii金属合金靶材制备方法:原料为块体Co、Fe、Ta和B,并将所述原料混合后采用熔融铸造的方法制备靶材;
(3)对应粉末靶材和氧化物靶材,磁控溅射设备预抽真空至~10‐4Pa,通入高纯惰性气体Ar,工作气压为0.5‐10Pa,溅射时间为~5小时,溅射厚度小于400纳米;
(4)对应金属合金靶材,磁控溅射设备预抽真空至~10‐4Pa,通入惰性气体Ar和氧气,二者分压比为1‐9:1,工作气压为0.5‐10Pa,溅射时间为~2小时,溅射厚度小于400纳米。
3.根据权利要求2所述一种室温透明铁磁半导体材料的制备方法,其特征在于,所述高纯惰性气体Ar的纯度大于99.999wt%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310432802.5A CN103489557B (zh) | 2013-09-22 | 2013-09-22 | 一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310432802.5A CN103489557B (zh) | 2013-09-22 | 2013-09-22 | 一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103489557A true CN103489557A (zh) | 2014-01-01 |
CN103489557B CN103489557B (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=49829715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310432802.5A Active CN103489557B (zh) | 2013-09-22 | 2013-09-22 | 一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103489557B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106486596A (zh) * | 2016-11-02 | 2017-03-08 | 清华大学 | 室温p型磁性半导体p‑n‑p双重结器件和电控磁器件 |
CN106521442A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-03-22 | 清华大学 | 颜色透明度可调的非晶态硬质耐磨耐蚀涂层及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001073125A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-21 | Nikko Materials Co Ltd | Co−Ta系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US6210544B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic film forming method |
CN101351894A (zh) * | 2006-01-03 | 2009-01-21 | 巴斯夫欧洲公司 | 光电有源半导体材料以及光电池 |
CN101768728A (zh) * | 2010-01-15 | 2010-07-07 | 深圳大学 | 一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法 |
CN102652184A (zh) * | 2009-12-11 | 2012-08-29 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁性材料溅射靶 |
-
2013
- 2013-09-22 CN CN201310432802.5A patent/CN103489557B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6210544B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic film forming method |
JP2001073125A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-21 | Nikko Materials Co Ltd | Co−Ta系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN101351894A (zh) * | 2006-01-03 | 2009-01-21 | 巴斯夫欧洲公司 | 光电有源半导体材料以及光电池 |
CN102652184A (zh) * | 2009-12-11 | 2012-08-29 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁性材料溅射靶 |
CN101768728A (zh) * | 2010-01-15 | 2010-07-07 | 深圳大学 | 一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PARMANAND SHARMA等: "Temperature and thickness driven spin-reorientation transition in amorphous Co-Fe-Ta-B thin films", 《PHYSICAL REVIEW B》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106486596A (zh) * | 2016-11-02 | 2017-03-08 | 清华大学 | 室温p型磁性半导体p‑n‑p双重结器件和电控磁器件 |
CN106486596B (zh) * | 2016-11-02 | 2019-04-30 | 清华大学 | 室温p型磁性半导体p-n-p双重结器件和电控磁器件 |
CN106521442A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-03-22 | 清华大学 | 颜色透明度可调的非晶态硬质耐磨耐蚀涂层及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103489557B (zh) | 2016-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Li et al. | Recent developments of rare-earth-free hard-magnetic materials | |
CN100524623C (zh) | 电磁场约束电感耦合溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜的方法 | |
CN103173732B (zh) | 一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法 | |
Elilarassi et al. | Synthesis and characterization of ball milled Fe-doped ZnO diluted magnetic semiconductor | |
Hou et al. | Room-temperature ferromagnetism in n-type Cu-doped ZnO thin films | |
CN101710528B (zh) | 纳米复合物有机自旋阀 | |
Sun et al. | Electrical and magnetic properties of (Al, Co) co-doped ZnO films deposited by RF magnetron sputtering | |
Sarkar et al. | Synthesizing the hard magnetic low-temperature phase of MnBi alloy: Challenges and prospects | |
CN103489557B (zh) | 一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法 | |
CN101615467A (zh) | 一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 | |
CN107134341B (zh) | 一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法 | |
Chen et al. | Transparent magnetic semiconductor with embedded metallic glass nano-granules | |
Zhang et al. | Equiaxial nano-crystals Nb3Al superconductor prepared by optimized mechanically alloying | |
Crisan et al. | Development and structural characterization of exchange-spring-like nanomagnets in (Fe, Co)-Pt bulk nanocrystalline alloys | |
Aravind et al. | Magnetic and Raman scattering studies of Co-doped ZnO thin films grown by pulsed laser deposition | |
Zhao et al. | Room temperature ferromagnetism in Ni doped ZnO powders | |
Louzguine-Luzgin et al. | Investigation of transparent magnetic material formed by selective oxidation of a metallic glass | |
Chen et al. | Effect of magnetite nanoparticles doped glass with enhanced Verdet constant for magnetic optical current transducer applications | |
Zhen et al. | Room-temperature ferromagnetism in Si–SiO2 composite film on glass substrate | |
Masood et al. | A new class of materials for magneto-optical applications: transparent amorphous thin films of Fe–B–Nb and Fe–B–Nb–Y metallic glassy alloys | |
Li et al. | Homogeneous and inhomogeneous magnetic oxide semiconductors | |
Yan et al. | Large negative thermal expansion and magnetoelastic coupling in metamagnetic tetragonal (Mn, T) 2 Sb (T= Cr, V) alloys | |
Nehra et al. | Hydrogenation effect on electrical, optical and magnetic properties of ZnSe/Co bilayer DMS thin films | |
Song et al. | Structural and magnetic properties of micropolycrystalline cobalt thin films fabricated by direct current magnetron sputtering | |
CN101550507B (zh) | 一种半金属Heusler合金材料Co2Fe(Si1-xBx) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |