CN103489499B - 一种纳米硅银浆及其制备方法以及应用 - Google Patents

一种纳米硅银浆及其制备方法以及应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种纳米硅银浆及其制备方法以及该纳米硅银浆在生产正面接触p型太阳能电池时的应用方法以及生产出的太阳能电池的结构，所述纳米硅银浆在烧结太阳能电池金属电极时，纳米硅银浆中的添加剂刻蚀氮化硅（SiNx)减反射膜，使浆体直接与硅片基板接触；同时，纳米硅颗粒与银浆形成低温共融物，防止金属银穿透发射极，破坏p/n结；添加剂同时释放磷原子扩散到硅片中对纳米硅银浆覆盖区域进行掺杂，烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，增强银栅线粘附力，同时也简化了生产步骤。

Description

一种纳米硅银浆及其制备方法以及应用
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种纳米硅银浆及其制备方法以及应用方法。
背景技术
目前，生产普通正面接触p型太阳能电池的工艺流程可简单地概括为：1、硅片清洗制绒，2、POCl3扩散，3、清洗磷硅玻璃，4、沉积SiNx膜，5、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆，6、烧结银浆和铝浆金属电极。步骤2POCl3扩散是整个生产流程的核心部分。此步骤在硅片正面(即阳光面)进行磷扩散。将表面层转变成n型，并与p型基板形成p/n结，扩散条件决定n型层中磷的浓度和厚度。在太阳能电池中，n型层也称为发射极，其导电性通常用方阻值表示。扩散条件越强，磷掺杂浓度越高、扩散层越厚，发射极方阻值越低。反之亦然。发射极方阻值与太阳能电池的效率关系密切。高方阻发射极电池的效率通常要高出2-8％。目前，适用于高方阻发射极电池的银浆还处于发展中。主要问题在于正面银浆。烧结时，银栅线必须与硅片基板形成良好的接触，又不穿透发射极、破坏p/n结。针对这一问题，业界提出许多生产选择性发射极电池的工艺。其精髓可概括为两个方面。第一，对受光区(即银栅线之间的区域)采用轻掺磷。方阻值范围80-120Ω/□。由于扩散层磷杂质浓度低，电池蓝光效应好。这种电池开路电压高、短路电流大。因此，光电转换效率高。第二，对银栅线覆盖区选择重掺磷，方阻值在40Ω/□左右。重掺区容易与银电极形成欧姆接触，电子顺畅地从发射极导入电极。电池填充因子大，效率高。第三，重掺区扩撒层厚，发射极不易被烧穿，保护p/n结不受损伤。烧结工艺窗口大，成品率高。总之，选择性发射极电池光电二者兼顾，光电转换效率可提高相对10％。实验室结果已有报道提升6％，生产线上也实现提升3％。总体说来，生产选择性发射极电池工艺比较复杂。工艺路线繁多。比较常见的几种技术路线包括反刻法、掩膜法、和磷浆法。基本流程如下所述。
反刻法制备选择性发射极电池(参见CN 102637772 A)：
1、硅片清洗制绒，2、POCl3扩散，3、清除磷硅玻璃，4、印刷刻蚀浆料或印刷栅线掩护膜，5、刻蚀，6、清洗刻蚀浆料或清洗栅线掩护膜，7、沉积SiNx减反射层，8、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆，9、烧结银浆和铝浆金属电极。上述步骤2中的POCl3扩散通常使用重掺，方阻值在40Ω/□左右；扩散层厚度约1微米左右。步骤4在受光区印刷刻蚀浆料或在栅线覆盖区印刷掩护膜；步骤5对受光区进行刻蚀，减薄扩散层厚度，使其方阻增至80-100Ω/□。
掩膜法制备选择性发射极电池：
1、硅片清洗制绒，2、高温生长SiO2膜，3、印刷SiO2刻蚀浆料于栅线覆盖区或印刷掩护膜于受光区，4、刻蚀SiO2，5、清除SiO2刻蚀浆料或清除刻蚀掩护膜，6、POCl3扩散，7、清除磷硅玻璃和SiO2膜，8、沉积SiNx减反射层，9、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆，10、烧结银浆和铝浆金属电极。其中步骤4的目的是把将要被银栅线覆盖区域的SiO2膜刻蚀掉。同时，保留受光区域的SiO2膜。步骤6使用重扩散工艺对银栅线覆盖区进行重掺磷，方阻值在40Ω/□左右。由于SiO2膜对磷扩散的阻滞作用，受光区为轻掺磷，方阻控制在80-100Ω/□之间。
磷浆法制备选择性发射极电池：
1、硅片清洗制绒，2、印刷、烘干磷浆，3、清洗，4、POCl3扩散，5、清除磷硅玻璃，6、沉积SiNx减反射层，8、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆，9、烧结银浆和铝浆金属电极。上述步骤2在印刷银栅线前印刷一层磷浆，对栅线覆盖区进行重掺磷。步骤3清除磷浆印刷时带来的污染。步骤4采用轻掺磷工艺，控制发射极方阻在80-100Ω/□之间。由于磷浆的作用，栅线区方阻可控制在40Ω/□左右。
上述工艺的缺点如下：
反刻法的主要缺点有两条。第一，反刻法制备出的发射极方阻不均匀。主要原因在于制绒后的硅片表面是金字塔组成。塔尖与塔底的刻蚀速率不一样，导致塔尖扩散层薄塔底扩散层厚。电池p/n结厚薄不均，导致电池效率下降。第二，反刻法必须增加三个工艺步骤。它们是1)印刷刻蚀浆料或掩护膜；2)刻蚀；3)清洗刻蚀浆料或掩护膜。工艺复杂。成品率较低。
掩膜法的主要缺点也有两条。第一，高温生长氧化膜容易造成对硅片基板的损伤。缩短少数载流子寿命，降低电池效率。第二，化学腐蚀法刻蚀氧化膜必须增加三个步骤：1)印刷刻蚀浆料或掩护膜；2)刻蚀；3)清洗。然后进入下一步扩散。增加工艺复杂程度。增加硅片基板破碎率。
磷浆法的缺点主要来自于步骤3，这步清洗意在清除步骤2磷浆印刷时对硅片带来的污染。清洗时，大部分磷浆被洗掉，造成浪费，污染设备。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米硅银浆及其制备方法以及这种银浆在生产正面接触p型太阳能电池时的应用方法，在烧结太阳能电池金属电极时，纳米硅银浆中的添加剂刻蚀氮化硅(SiNx)减反射膜，使浆体直接与硅片基板接触；同时，纳米硅颗粒与银浆形成低温共融物，防止金属银穿透发射极，破坏p/n结；添加剂同时释放磷原子扩散到硅片中对纳米硅银浆覆盖区域进行掺杂。烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，增强银栅线粘附力，同时也简化了生产步骤。
本发明的另一目的是提供一种根据上述应用方法制得的选择性发射极电池的结构。
为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：
一种纳米硅银浆，其特征在于，包括如下组分：
所述添加剂的组分为1-10份表面活性剂如聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、20-60份磷酸或1-10份含铅玻璃粉以及5-20份去离子水；
所述有机溶剂为松油醇或檀香。
溶剂和添加剂的作用主要是分散银粉和硅粉，增强浆体的均匀性，调节浆料体系的触变性能，满足工业印刷的要求。
如上所述的纳米硅银浆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)采用等离子高温气化将10～100微米级硅粉制得平均粒径50nm的纳米硅颗粒，利用活性气体对纳米硅进行活化处理，将一种混合溶剂喷雾气化，收集纳米硅粉，得到纳米硅悬浊液；将悬浊液导入回流冷凝圆底烧瓶，引入一定量的接枝化合物，在60-230℃温度下回流2～5小时，并蒸发除去溶剂，得到磷包覆纳米硅粉；制得的纳米硅粉中含磷量为5～20％。
(2)取步骤(1)制得的磷包覆的纳米硅粉10～40份和10～80份的银粉于碾钵中，向碾钵中加入20～80份的檀香，碾磨10-30分钟至均匀糊状；所述银粉的平均直径为1-5微米；
(3)合成添加剂：取1-10份表面活性剂如聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物和20-60份磷酸或1-10份含铅玻璃粉，溶于5-20份去离子水中制得添加剂；
(4)取步骤(3)制得的10-20份添加剂和步骤(2)制得的10-40份纳米硅银粉糊状物，用2000rpm自转速度和800rpm公转速度进行搅拌2-10分钟制成最终产品即纳米硅银浆。
作为补充优化，所述步骤(1)中喷雾气化的混合溶剂的组成为1-5份三辛基氧化磷、5-15份稀丙基磷酸二乙酯和20-50份异丙醇；所述活性气体为氢气；所述接枝化合物是烯烃或炔烃的一种或多种的混合物。
进一步的，所述步骤(1)制备磷包覆纳米硅粉的方法具体为：
A)以10～100微米的硅粉为原料；
B)用送料气体将微米级硅粉传入高温等离子体腔，经过气化、成核、生长等三个过程形成纳米级硅粒；送料气体包括惰性气体，所述惰性气体为氩气和氦气中的一种或两种，所述送料气体流速范围为每分钟0.2～2立方米；
C)在等离子体发生器的中间段至尾部引入含有1％～3.5％氢气的冷却气流对纳米硅表面进行活化处理，所述冷却气流的流速范围为每小时1～5立方米；
D)活化反应完成后，将一种溶剂或混合溶剂喷雾气化，由于物理碰撞和分子间吸引，雾化的溶剂分子凝聚在纳米硅表面，使纳米硅粒沉降于悬浊液中；
E)在盛有硅粒悬浊液的圆底烧瓶中接上回流冷凝管，引入一定量的接枝化合物，加热至回流，温度控制在60℃-230℃,回流时间控制在2小时-5小时。反应完成后，蒸发除去溶剂。得到磷包覆的纳米硅颗粒。接枝反应过程中通入保护气氛。接枝反应在悬浊液回流的气氛下进行。更容易控制反应进程，提高硅颗粒的分散性和均匀性，也可进一步提高成品转化率；
作为优化，所述步骤D)中的喷雾收集溶剂含1-5份三辛基氧化磷、5-15份稀丙基磷酸二乙酯、20-50份异丙醇。收集5-20份纳米硅粉后，通过步骤E)中所述加热回流，完成接枝反应。然后，通过蒸发除去异丙醇。
作为补充优化，所述步骤(3)合成添加剂的另一配比方法为：在有氮气保护下的三颈圆底烧瓶中，加入20-50份植酸、20-50份磷酸或二氟氢铵、5-20份去离子水、20-40份丙二醇，接入回流管，搅拌10-30分钟至混合均匀，然后加热至沸腾，温度为150-350℃，回流2-4小时，冷却至室温后，收集粘稠状的添加剂于塑料容器里。
利用上述制备方法制得的纳米硅银浆应用于制备选择性发射极电池的方法，包括如下步骤：1、硅片清洗制绒；2、POCl3扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积SiNx减反射层；5、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆；6、烧结银浆和铝浆金属电极；所述步骤1-4为常规生产电池的工艺，其特征在于，所述步骤5-6的具体步骤为：
步骤5：使用邵氏硬度75-90的PU刮条将纳米硅银浆均匀地涂铺在300-400目的网版上；在刮条与网板30-60度角的方向施加70-90N的印刷压力，以150-200mm/s的印刷速度，将纳米硅银浆印刷在电池片的背面以及SiNx减反射层上面；室温干燥2-10分钟后，缓缓升温至150-400℃，烘干5-20分钟除去溶剂等挥发性物质；
步骤6：置于红外烧结炉中分两步进行烧结：a、以每分钟30-200℃的速度升温至400-600℃，延续1-5分钟；b、以每分钟30-200℃的速度升温至650-800℃，延续1-00秒钟；然后冷却至室温。
进一步的：上述应用方法的步骤5完成后将印有纳米硅银浆的硅片经干燥后于扩散炉中，扩散温度在800-830℃之间，扩散时间为10-40分钟，进一步将磷驱入磷浆覆盖区。
使用本发明含磷纳米硅银浆简化了选择性发射极电池的生产工艺，比反刻法少了三个步骤，比掩膜法少了四步，比磷浆法少了三步。步骤1、2、3、4、以及5中印刷、烘干背面银浆和铝浆参数与生产普通电池工艺参数完全一样。
利用如上所述应用方法制得的选择性发射极电池的结构，其特征在于：包括硅片，所述硅片上沉积有氮化硅减反射层，所述氮化硅减反射层上印有纳米硅银浆，所述纳米硅银浆穿透氮化硅减反射层与所述硅片直接接触，所述纳米硅银浆露出氮化硅减反射层之外的部分作为银栅线。
银浆应用的原理：本发明所述的纳米硅银浆是一种复合浆料，具有多种功能。第一，它可以刻蚀SiNx减反射层。第二，浆料可以对覆盖区进行磷掺杂。第三，在烧结金属电极时，纳米硅与金属银共晶析出，防止银穿透发射极，破坏p/n结。
在烧结太阳能电池金属电极时，添加剂发生热分解。刻蚀SiNx减反射层。同时释放磷原子对浆体覆盖区下面的硅片基板进行掺磷，增加发射极厚度。更重要的是，纳米硅与金属银作用，形成银硅低温共熔物。冷却时，共晶析出。纳米硅银浆既防止金属银穿透发射极破坏p/n结，又增强银栅线的附着力。
发明优点：
本发明所述的纳米硅银浆用于制备选择性发射极电池时具有如下优点：
1、使用本发明纳米硅银浆简化选择性发射极电池的生产工艺，比反刻法少了三个步骤，比掩膜法少了四步，比磷浆法少了三步；
2、纳米硅银浆中的添加剂刻蚀氮化硅(SiNx)减反射膜，使浆体直接与硅片基板接触；
3、纳米硅颗粒与银浆形成低温共融物，防止金属银穿透发射极，破坏p/n结；
4、纳米硅银浆中的添加剂同时释放磷原子扩散到硅片中对纳米硅银浆覆盖区域进行掺杂。烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，增强银栅线粘附力；
5、本发明所述方法简单易行，适合规模化生产。
附图说明
图1为本发明制备选择性发射极电池时的电池结构变化图；
图2为应用本发明所述方法制备的选择性发射极电池的结构示意图；
其中，101、硅片；102、氮化硅减反射层；103、纳米硅银浆。
具体实施方式
以下结合附图及优选实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
实施例1：
一种纳米硅银浆料，该浆料包括以下组分及含量的原料制成：
所述的纳米硅粉的含磷量8％；所述银粉的平均粒径未2μm；所述的有机溶剂选自松油醇。
所述添加剂的组分为5份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、20份磷酸，以及15份去离子水。
上述纳米硅银浆料的制造方法，包括以下工艺步骤：
(1)含磷纳米硅粉的制备
首先采用等离子高温气化将10～100微米级硅粉制得平均粒径50nm的纳米硅颗粒，利用氢气对纳米硅进行活化处理，将一定量的混合溶剂喷雾气化，收集纳米硅粉，得到纳米硅悬浊液；将悬浊液导入回流冷凝圆底烧瓶，引入一定量的接枝化合物，在80℃温度下回流5小时，并蒸发除去溶剂，得到磷包覆纳米硅粉；制得纳米硅粉含磷量为8％。上述喷雾气化的混合溶剂的组成为2份三辛基氧化磷、8份烯丙基磷酸二乙酯和20份异丙醇，上述接枝化合物选自1-己烯。
(2)添加剂的制备
取5份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物和20份磷酸，溶于15份去离子水中制得添加剂。
(3)纳米硅银浆料的制备
首先将磷包覆的纳米硅粉10份和60份的银粉于碾钵中，向碾钵中加入15份的松油醇，碾磨10-30分钟至均匀糊状；再加入15份添加剂，用2000rpm自转速度和800rpm公转速度进行搅拌2分钟制成最终产品即纳米硅银浆。
将上述纳米硅银浆料用于制作选择性发射极电池的电极，包括以下工艺步骤：1、硅片清洗制绒；2、POCl3扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积SiNx减反射层；5、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆；6、烧结银浆和铝浆金属电极；所述步骤1-4为常规生产电池的工艺，所述步骤5-6的具体步骤为：
(5)将纳米硅银浆印刷在电池片的SiNx减反射层上面；室温干燥5分钟后，缓缓升温至400℃，烘干5分钟除去溶剂等挥发性物质；然后将印有纳米硅银浆的硅片经干燥后于扩散炉中，扩散温度在830℃，扩散时间为10分钟，进一步将磷驱入磷浆覆盖区，形成良好的欧姆接触。
(6)置于红外烧结炉中分两步进行烧结：
a、以每分钟50℃的速度升温至400℃，延续5分钟；
b、以每分钟100℃的速度升温至800℃，延续60秒钟；然后冷却至室温。
用上述方法制得的选择性发射极电池结构如图2所示：包括硅片101，所述硅片101上沉积有氮化硅减反射层102，所述氮化硅减反射层102上印有纳米硅银浆103，所述纳米硅银浆103穿透氮化硅减反射层103与所述硅片101直接接触，所述纳米硅银浆103露出氮化硅减反射层102之外的部分作为银栅线。
实施例2：
一种纳米硅银浆料，该浆料包括以下组分及含量的原料制成：
所述的纳米硅粉的含磷量20％；所述银粉的平均粒径未3μm；所述的有机溶剂选自檀香。
所述添加剂的组分为10份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、40份磷酸以及20份去离子水。
上述纳米硅银浆料的制造方法，包括以下工艺步骤：
(1)含磷纳米硅粉的制备
首先采用等离子高温气化将10～100微米级硅粉制得平均粒径50nm的纳米硅颗粒，利用氢气对纳米硅进行活化处理，将一定量的混合溶剂喷雾气化，收集纳米硅粉，得到纳米硅悬浊液；将悬浊液导入回流冷凝圆底烧瓶，引入一定量的接枝化合物，在200℃温度下回流2小时，并蒸发除去溶剂，得到磷包覆纳米硅粉；制得纳米硅粉含磷量为20％。上述喷雾气化的混合溶剂的组成为5份三辛基氧化磷、15份烯丙基磷酸二乙酯和40份异丙醇，上述接枝化合物选自十二碳烯。
(2)添加剂的制备
取10份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物和40份磷酸，溶于20份去离子水中制得添加剂。
(3)纳米硅银浆料的制备
首先将磷包覆的纳米硅粉3份和77份的银粉于碾钵中，向碾钵中加入10份的檀香，碾磨30分钟至均匀糊状；再加入10份添加剂，用2000rpm自转速度和800rpm公转速度进行搅拌2分钟制成最终产品即纳米硅银浆。
将上述纳米硅银浆料用于制作选择性发射极电池的电极，包括以下工艺步骤：1、硅片清洗制绒；2、POCl3扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积SiNx减反射层；5、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆；6、烧结银浆和铝浆金属电极；所述步骤1-4为常规生产电池的工艺，所述步骤5-6的具体步骤为：
(5)将纳米硅银浆印刷在SiNx减反射层上面；室温干燥10分钟后，缓缓升温至180℃，烘干15分钟除去溶剂等挥发性物质；然后将印有纳米硅银浆的硅片经干燥后于扩散炉中，扩散温度在830℃，扩散时间为10分钟，进一步将磷驱入磷浆覆盖区，形成良好的欧姆接触。
(6)置于红外烧结炉中分两步进行烧结：
a、以每分钟100℃的速度升温至500℃，延续2分钟；
b、以每分钟100℃的速度升温至800℃，延续30秒钟；然后冷却至室温。
用上述方法制得的选择性发射极电池结构如图2所示：包括硅片101，所述硅片101上沉积有氮化硅减反射层102，所述氮化硅减反射层102上印有纳米硅银浆103，所述纳米硅银浆103穿透氮化硅减反射层103与所述硅片101直接接触，所述纳米硅银浆103露出氮化硅减反射层102之外的部分作为银栅线。
实施例3：
一种纳米硅银浆料，该浆料包括以下组分及含量的原料制成：
所述的纳米硅粉的含磷量15％；所述银粉的平均粒径未1μm；所述的有机溶剂选自松油醇。
所述添加剂的组分为3份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、7份含铅玻璃粉以及10份去离子水。
上述纳米硅银浆料的制造方法，包括以下工艺步骤：
(1)含磷纳米硅粉的制备
首先采用等离子高温气化将10～100微米级硅粉制得平均粒径50nm的纳米硅颗粒，利用氢气对纳米硅进行活化处理，将一定量的混合溶剂喷雾气化，收集纳米硅粉，得到纳米硅悬浊液；将悬浊液导入回流冷凝圆底烧瓶，引入一定量的接枝化合物，在150℃温度下回流3小时，并蒸发除去溶剂，得到磷包覆纳米硅粉；制得纳米硅粉含磷量为15％。上述喷雾气化的混合溶剂的组成为3份三辛基氧化磷、12份烯丙基磷酸二乙酯和30份异丙醇，上述接枝化合物选自十二碳烯：异戊烯为3:1。
(2)添加剂的制备
取3份聚氧乙烯聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物溶于10份去离子水中，加入7份含铅玻璃粉搅拌均匀制得添加剂。
(3)纳米硅银浆料的制备
首先将磷包覆的纳米硅粉6份和50份的银粉于碾钵中，向碾钵中加入30份的松油醇，碾磨30分钟至均匀糊状；再加入14份添加剂，用2000rpm自转速度和800rpm公转速度进行搅拌5分钟制成最终产品即纳米硅银浆。
将上述纳米硅银浆料用于制作选择性发射极电池的电极，包括以下工艺步骤：1、硅片清洗制绒；2、POCl3扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积SiNx减反射层；5、印刷、烘干背面银铝浆和正面银浆；6、烧结银浆和铝浆金属电极；所述步骤1-4为常规生产电池的工艺，所述步骤5-6的具体步骤为：
(5)将纳米硅银浆印刷在电池片SiNx减反射层上面；室温干燥5分钟后，缓缓升温至350℃，烘干20分钟除去溶剂等挥发性物质；然后将印有纳米硅银浆的硅片经干燥后于扩散炉中，扩散温度在830℃，扩散时间为10分钟，进一步将磷驱入磷浆覆盖区，形成良好的欧姆接触。
(6)置于红外烧结炉中分两步进行烧结：
a、以每分钟100℃的速度升温至500℃，延续2分钟；
b、以每分钟100℃的速度升温至800℃，延续30秒钟；然后冷却至室温。
用上述方法制得的选择性发射极电池结构如图2所示：包括硅片101，所述硅片101上沉积有氮化硅减反射层102，所述氮化硅减反射层102上印有纳米硅银浆103，所述纳米硅银浆103穿透氮化硅减反射层103与所述硅片101直接接触，所述纳米硅银浆103露出氮化硅减反射层102之外的部分作为银栅线。
通过上述方法制作的选择性发射极电池，性能参数如表1：开路电压高，填充因子大，电池效率高，极大地提高了电池的性能，降低了生产成本。
表1
实施例 Voc(mv) Jsc(mA/cm2) FF(％) η(％)
1 639 37.8 78.8 19.0
2 635 37.5 79.8 19.0
3 636 37.4 79.5 18.9
需要指出的是，以上所述者仅为用以解释本发明之较佳实施例，并非企图据以对本发明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之发明精神下所作有关本发明之任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护之范畴。

Claims (4)

1.一种纳米硅银浆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)采用等离子高温气化将10～100微米级硅粉制得平均粒径50nm的纳米硅颗粒，利用活性气体对纳米硅进行活化处理，将一种混合溶剂喷雾气化，收集纳米硅粉，得到纳米硅悬浊液；将悬浊液导入回流冷凝圆底烧瓶，引入一定量的接枝化合物，在60-230℃温度下回流2～5小时，并蒸发除去溶剂，得到磷包覆纳米硅粉；制得的磷包覆纳米硅粉中含磷量为5～20％；
(2)取步骤(1)制得的磷包覆纳米硅粉1～10份和40～80份的银粉于碾钵中，向碾钵中加入20～80份的檀香，碾磨10-30分钟至均匀糊状；所述银粉的平均直径为1-5微米；
(3)合成添加剂：取1-10份表面活性剂和20-60份磷酸混合，或者取1-10份表面活性剂和1-10份含铅玻璃粉，溶于5-20份去离子水中制得添加剂；
(4)取步骤(3)制得的10-20份添加剂和步骤(2)制得的10-40份纳米硅银粉糊状物，用2000rpm自转速度和800rpm公转速度进行搅拌2-10分钟制成最终产品即纳米硅银浆。
2.根据权利要求1所述的纳米硅银浆的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中喷雾气化的混合溶剂的组成为1-5份三辛基氧化磷、5-15份稀丙基磷酸二乙酯和20-50份异丙醇；所述活性气体为氢气；所述接枝化合物是烯烃或炔烃的一种或多种的混合物。
3.利用权利要求1～2任一项所述制备方法制得的纳米硅银浆应用于制备选择性发射极电池的方法，包括如下步骤：1、硅片清洗制绒；2、POCl3扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积SiNx减反射层；5、印刷、烘干背面铝浆和正面银浆；6、烧结银浆和铝浆金属电极；所述步骤1-4为常规生产电池的工艺，其特征在于，所述步骤5-6的具体步骤为：
步骤5：使用邵氏硬度75-90Ha的PU刮条将纳米硅银浆均匀地涂铺在300-400目的网板上；在刮条与网板30-60度角的方向施加70-90N的印刷压力，以150-200mm/s的印刷速度，将纳米硅银浆印刷在电池片的SiNx减反射层上面；室温干燥2-10分钟后，缓缓升温至150-400℃，烘干5-20分钟除去溶剂挥发性物质；
步骤6：置于红外烧结炉中分两步进行烧结：a、以每分钟30-200℃的速度升温至400-600℃，延续1-5分钟；b、以每分钟30-200℃的速度升温至650-800℃，延续1-00秒钟；然后冷却至室温。
4.利用权利要求3所述制备选择性发射极电池的方法制得的选择性发射极电池的结构，其特征在于：包括硅片，所述硅片上沉积有氮化硅减反射层，所述氮化硅减反射层上印有纳米硅银浆，所述纳米硅银浆穿透氮化硅减反射层与所述硅片直接接触，所述纳米硅银浆露出氮化硅减反射层之外的部分作为银栅线。
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