CN103488237A - 一种稳压电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种稳压电路,包括慢速回路和快速回路,所述慢速回路中PMOS管M1的源极连接PMOS管M3的漏极,栅极连接输出端OUT,漏极与PMOS管M2的漏极连接;所述PMOS管M2的源极连接快速回路中PMOS管M4的漏极,栅极连接参考电压REF;所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MP1的漏极,栅极与PMOS管M4的栅极连接;所述PMOS管MP1的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管M3的源极连接;所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管MP1的栅极连接,漏极连接PMOS管M4的源极;所述PMOS管MP0的源极连接电源电压VDD,栅极与PMOS管MP2的漏极连接,漏极连接负载。这种稳压电路慢速回路保证负载和负载拷贝低频电压的稳定,对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定,通过快速回路实现对高频信号的反应。
Description
技术领域
本发明涉及电路领域,尤其涉及一种稳压电路。
背景技术
稳压电路,一般是指确保输出电压稳定的电路。当输出负载变化,如输出电流变高时,以及输入电压如电源电压发生变化时,仍能保持输出的电压稳定。稳压电路对电源的噪声启动抑制作用。
已有的稳压电路一般采用米勒补偿,如附图1所示;CC是米勒电容,MP0是输出负载电流的管子,一般电流比较大,夸导比较大,有利于使用米勒补偿来降低主极点,增加系统稳定性;大的CC虽然有利系统稳定,但将把 PG点上的电源噪声传递到负载上,使得高频电源噪声抑制比下降严重。
另外一种两回路的拷贝补偿稳压电路如附图2所示,有一个负载拷贝,在一定比例上模拟负载,有个慢速回路,负载控制P1和P2的栅极,保证负载和负载拷贝的低频电压的稳定。对于高频电源噪声,和高频输出电压的稳定,通过一个快速回路,实现对高频信号的反应。主要缺点是需要负载拷贝,浪费电流,而且对于压控振荡器等负载,负载拷贝无法精确实现。同时需要两个放大器A1和A2,面积大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种能够调节输出电流,保持环路稳定的稳压电路。
为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:一种稳压电路,包括慢速回路和快速回路,所述慢速回路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP0和负载构成,所述快速回路由补偿电容MC、PMOS管M4、PMOS管MP0和负载构成;所述慢速回路中PMOS管M1的源极连接PMOS管M3的漏极,栅极连接输出端OUT,漏极与PMOS管M2的漏极连接;所述PMOS管M2的源极连接快速回路中PMOS管M4的漏极,栅极连接参考电压REF;所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MP1的漏极,栅极与PMOS管M4的栅极连接;所述PMOS管MP1的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管M3的源极连接;所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管MP1的栅极连接,漏极连接PMOS管M4的源极;所述PMOS管MP0的源极连接电源电压VDD,栅极与PMOS管MP2的漏极连接,漏极连接负载,所述补偿电容MC并联在所述负载与PMOS管MP0的漏极之间。
优选的,所述PMOS管M3的漏极和负载之间并联有一PMOS管M5,其中PMOS管M5的源极连接PMOS管M3的漏极,PMOS管的漏极连接负载.
优选的,所述补偿电容MC和负载上并联有一PMOS管M6,其中PMOS管M6的源极连接补偿电容MC,漏极连接负载,栅极与所述PMOS管M5的栅极连接。
与现有技术相比,本发明的有益之处是:这种稳压电路慢速回路保证负载和负载拷贝低频电压的稳定,对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定,通过快速回路实现对高频信号的反应。
附图说明:
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是已有的米勒补偿稳压电路结构示意图;
图2是已有的两回路拷贝补偿稳压电路结构示意图;
图3是本发明一种稳压电路结构示意图。
图中:1、慢速回路;2、快速回路;3、负载。
具体实施方式:
下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细描述:
图3所示一种一种稳压电路,包括慢速回路1和快速回路2,所述慢速回路1由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP0和负载3构成,所述快速回路2由补偿电容MC、PMOS管M4、PMOS管MP0和负载3构成;所述慢速回路中PMOS管M1的源极连接PMOS管M3的漏极,栅极连接输出端OUT,漏极与PMOS管M2的漏极连接;所述PMOS管M2的源极连接快速回路2中PMOS管M4的漏极,栅极连接参考电压REF;所述PMOS管M3的源极连接PMOS管MP1的漏极,栅极与PMOS管M4的栅极连接;所述PMOS管MP1的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管M3的源极连接;所述PMOS管MP2的源极连接电源电源VDD,栅极与PMOS管MP1的栅极连接,漏极连接PMOS管M4的源极;所述PMOS管MP0的源极连接电源电压VDD,栅极与PMOS管MP2的漏极连接,漏极连接负载3,所述补偿电容MC并联在所述负载3与PMOS管MP0的漏极之间;所述PMOS管M3的漏极和负载3之间并联有一PMOS管M5,其中PMOS管M5的源极连接PMOS管M3的漏极,PMOS管5的漏极连接负载3;所述补偿电容MC和负载3上并联有一PMOS管M6,其中PMOS管M6的源极连接补偿电容MC,漏极连接负载3,栅极与所述PMOS管M5的栅极连接。
具体的,所述快速回路2由于使用补偿电容MC隔离直流,使快速回路2的开环增益有一个低频的零点,为了降低零点,可以增大补偿电容MC,或者增大PMOS管M4的夸导,增大PMOS管M4的夸导可通过增大PMOS管M4的电流实现,为了不影响输入,增加的PMOS管M4的电流可通过辅助PMOS管M6旁路掉,为了保持电路对称,PMOS管M5也旁路掉一部分PMOS管M3的电流,而补偿电容 MC起到类似米勒电容的作用,用来保持环路的稳定性。
这种稳压电路慢速回路1保证负载3和负载拷贝低频电压的稳定,对于高频电源噪声和高频输出电压的稳定,通过快速回路2实现对高频信号的反应。
需要强调的是:以上仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (3)
1.一种稳压电路,包括慢速回路(1)和快速回路(2),其特征在于:所述慢速回路(1)由PMOS管(M1)、PMOS管(M2)、PMOS管(M3)、PMOS管(MP1)、PMOS管(MP2)、PMOS管(MP0)和负载(3)构成,所述快速回路(2)由补偿电容(MC)、PMOS管(M4)、PMOS管(MP0)和负载(3)构成;所述慢速回路中PMOS管(M1)的源极连接PMOS管(M3)的漏极,栅极连接输出端(OUT),漏极与PMOS管(M2)的漏极连接;所述PMOS管(M2)的源极连接快速回路(2)中PMOS管(M4)的漏极,栅极连接参考电压(REF);所述PMOS管(M3)的源极连接PMOS管(MP1)的漏极,栅极与PMOS管(M4)的栅极连接;所述PMOS管(MP1)的源极连接电源电源(VDD),栅极与PMOS管(M3)的源极连接;所述PMOS管(MP2)的源极连接电源电源(VDD),栅极与PMOS管(MP1)的栅极连接,漏极连接PMOS管(M4)的源极;所述PMOS管(MP0)的源极连接电源电压(VDD),栅极与PMOS管(MP2)的漏极连接,漏极连接负载(3),所述补偿电容(MC)并联在所述负载(3)与PMOS管(MP0)的漏极之间。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于:所述PMOS管(M3)的漏极和负载(3)之间并联有一PMOS管(M5),其中PMOS管(M5)的源极连接PMOS管(M3)的漏极,PMOS管(5)的漏极连接负载(3)。
3.根据权利要求1或2所述的稳压电路,其特征在于:所述补偿电容(MC)和负载(3)上并联有一PMOS管(M6),其中PMOS管(M6)的源极连接补偿电容(MC),漏极连接负载(3),栅极与所述PMOS管(M5)的栅极连接。
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