CN103475981A - 扬声器振动系统 - Google Patents

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Abstract

本发明的公开了一种扬声器振动系统，包括振膜和结合于所述振膜一侧的音圈，所述振膜包括至少两层聚醚醚酮基膜，其中，所述振膜包括至少一层结晶聚醚醚酮基膜和至少一层非结晶聚醚醚酮基膜。这种振膜采用结晶聚醚醚酮基膜与非结晶聚醚醚酮基膜结合成型的结构，提高了振膜的声学性能，并且降低了产品的f0，从而可以提高产品的发声效果。

Description

扬声器振动系统
技术领域
本发明涉及电声产品技术领域，特别涉及一种扬声器振动系统。
背景技术
扬声器振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈，现有技术中的振膜采用单层结构或多层复合的结构形成，从而可以根据具体的要求调解扬声器振膜的具体声学性能。随着对扬声器要求的越来越高，现有技术对振膜的性能要求也越来越高，因此需要寻找能够满足这种高声学性能需求的振膜材料。
作为一种改进，目前多采用聚醚醚酮复合的振膜材料，为了保证扬声器的可靠性，目前均使用结晶状态的聚醚醚酮材料。但是这种结晶状态的聚醚醚酮虽然可以保证振膜的可靠性，但是目前已无法充分的满足产品对高声学性能的要求，并且结晶状态聚醚醚酮形成振膜的f0也较高无法满足产品对低f0的技术要求。因此，有必要对上述传统结构的振膜进行改进，使振膜能够满足高声学性能和低f0的需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种扬声器振动系统，使振膜同时具有高声学性能和低f0，从而可以提高产品的发声效果。
为解决上述技术问题，本发明的提供一种扬声器振动系统，包括振膜和结合于所述振膜一侧的音圈，所述振膜包括至少两层聚醚醚酮基膜，其中，所述振膜包括至少一层结晶聚醚醚酮基膜和至少一层非结晶聚醚醚酮基膜。
此外，优选的方案是相邻的两层聚醚醚酮基膜之间通过胶层或PU固定结合为一体。
此外，优选的方案是，所述振膜的其中一侧为一层非结晶聚醚醚酮基膜，所述音圈结合所述振膜于非结晶聚醚醚酮基膜的一侧。
此外，优选的方案是，结晶聚醚醚酮基膜的厚度在1-30μm的数值范围内，非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在1-30μm的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述结晶聚醚醚酮基膜的厚度在5-8μm之间的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述结晶聚醚醚酮基膜的厚度在8-12μm之间的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在3-9μm之间的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在9-16μm之间的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在16-30μm之间的数值范围内。
此外，优选的方案是，所述振膜上设置标记振膜正反面的防呆标记。
此外，优选的方案是，所述振膜包括两层结晶聚醚醚酮基膜和一层非结晶聚醚醚酮基膜。
此外，优选的方案是，所述振膜包括两层非结晶聚醚醚酮基膜和一层结晶聚醚醚酮基膜。
采用上述技术方案后，与传统结构相比，本发明的振膜采用结晶聚醚醚酮基膜与非结晶聚醚醚酮基膜结合形成，从而提高了振膜的声学性能，并且降低了产品的f0，从而可以提高产品的发声效果。
附图说明
通过下面结合附图对本发明进行描述，本发明的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。
图1是本发明扬声器振动系统振膜的剖面结构示意图；
图2是本发明振膜的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细的描述。
如图1和图2所示，扬声器振动系统包括振膜1和结合于振膜1一侧的音圈2，音圈2接通电信号后在扬声器的磁路系统形成的磁间隙中上下振动，音圈2的振动可同时带动振膜振动产生声音。振膜1的一些特性，包括刚性、材料等均会影响到其振动发出的声音的效果。本实施例振膜由至少两层的聚醚醚酮（PEEK）材料的基膜复合而成，聚醚醚酮具有刚性和柔性，抗疲劳性能凸出，拉伸强度大，而且具有良好的耐高温/低温特性，基于聚醚醚酮的上述特点采用这种材料可以显著的提升振膜的声学特性。
此外，聚醚醚酮还具有结晶态和非结晶态两种状态，本实施例中振膜同时采用两种状态的聚醚醚酮基膜结合而成，即至少包括一层结晶聚醚醚酮基膜和至少一层非结晶聚醚醚酮基膜。如图2所示，本实施例振膜包括一层结晶聚醚醚酮基膜11和与其结合的一层非结晶聚醚醚酮基膜12，其中结晶聚醚醚酮基膜11和非结晶聚醚醚酮基膜12之间可以通过胶层10固定结合为一体，优选的，采用阻尼特性较好的丙烯酸胶。需要说明的是，结晶聚醚醚酮基膜和非结晶聚醚醚酮基膜之间也可以通过PU（聚氨酯）固定结合为一体；结晶聚醚醚酮基膜和非结晶聚醚醚酮基膜的层数也不限于两层，只要振膜同时包括结晶和非结晶聚醚醚酮材料即可。
传统结构振膜要么仅采用结晶材料的聚醚醚酮，要么仅采用非结晶材料的聚醚醚酮。但是仅采用结晶状态的聚醚醚酮振膜可以保证产品的声学性能，但f0过高；而若仅采用非结晶状态的聚醚醚酮材料的振膜f0会降低，但是产品的性能较差。这种振膜采用结晶聚醚醚酮基膜11和非结晶聚醚醚酮基膜12结合的结构，一方面可以利用结晶聚醚醚酮基膜11的韧性来保证产品的声学性能，另一方面利用非结晶聚醚醚酮基膜12的特性来降低fo，从而可以有效的提高产品的发声效果。
非结晶聚醚醚酮分子是不规则排列的，而结晶聚醚醚酮分子是规则排列的，因此表面更平整一些。为了增加振膜1与音圈2之间结合的牢固程度，优选的，音圈2结合于非结晶聚醚醚酮12的一侧，如图1所示。由于非结晶聚醚醚酮12表面平整度差一些，与胶水更容易浸润，从而可以增加音圈2与振膜1之间的粘接力。音圈2与振膜1之间的牢固粘结可以增大产品的稳定性，防止工作过程中由于粘结不牢产生的音圈2与振膜1的分离。
其中，结晶聚醚醚酮基膜11的厚度在1-30μm的数值范围内，非结晶聚醚醚酮基膜12的厚度在μm的数值范围内。在上述数值范围内聚醚醚酮振膜可以同时兼顾高声学性能和低f0。
此外，优选的，结晶聚醚醚酮基膜11的厚度在5-8μm的数值范围内，根据不同的要求也可在8-12μm之间的数值范围内。如结晶聚醚醚酮基膜11的厚度可以为6μm、8μm或7μm等具体数值。
此外，优选的，非结晶聚醚醚酮基膜12的厚度在3-9μm的数值范围内，如可以为4μm、5μm或6μm。也可以在9-16μm的数值范围内，如可以为10μm或12μm。或者，在16-30μm之间的数值范围内，如可以为20μm等。
以上数值需要结合胶层厚度进行配合使用，如当结晶聚醚醚酮基膜11的厚度为8μm，胶层厚度为20μm，非结晶聚醚醚酮基膜12的厚度为12μm，这三种厚度的材料组合时可以得到良好的声学性能和较低的f0。
此外，由于本实施例振膜的一侧表面为结晶材料，另一侧为非结晶材料，因此有必要在振膜的一侧设置标记振膜正反面的防呆标记，以用于识别结晶面和非结晶面，防止在振膜成型或后续工艺（与音圈结合时）发生错误。防呆标记的具体设置不限，如可以用彩笔进行标注。
除上述实施例之外，本发明还可以有其他变形结构，如聚醚醚酮基膜的层数可以为2层以上，以三层为例，将聚醚醚酮用PEEK代替，各层基膜的排列顺序可以为：结晶PEEK、结晶PEEK、非结晶PEEK；非结晶PEEK、结晶PEEK、非结晶PEEK；结晶PEEK、非结晶PEEK、结晶PEEK；非结晶PEEK、非结晶PEEK、结晶PEEK。各相邻的两层聚醚醚酮基膜之间可通过胶层或PU固定结合为一体。这种改进同样可以兼顾振膜的声学性能和低f0。
在本发明的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进和变形，而这些改进和变形，都落在本发明的保护范围内，本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本发明的目的，本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (12)

1.一种扬声器振动系统，包括振膜和结合于所述振膜一侧的音圈，所述振膜包括至少两层聚醚醚酮基膜，其特征在于，所述振膜包括至少一层结晶聚醚醚酮基膜和至少一层非结晶聚醚醚酮基膜。
2.根据权利要求1所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，相邻的两层聚醚醚酮基膜之间通过胶层或PU固定结合为一体。
3.根据权利要求2所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述振膜的其中一侧为一层非结晶聚醚醚酮基膜，所述音圈结合所述振膜于非结晶聚醚醚酮基膜的一侧。
4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，结晶聚醚醚酮基膜的厚度在1-30μm的数值范围内，非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在1-30μm的数值范围内。
5.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述结晶聚醚醚酮基膜的厚度在5-8μm之间的数值范围内。
6.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述结晶聚醚醚酮基膜的厚度在8-12μm之间的数值范围内。
7.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在3-9μm之间的数值范围内。
8.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在9-16μm之间的数值范围内。
9.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述非结晶聚醚醚酮基膜的厚度在16-30μm之间的数值范围内。
10.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述振膜上设置标记振膜正反面的防呆标记。
11.根据权利要求4所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述振膜包括两层结晶聚醚醚酮基膜和一层非结晶聚醚醚酮基膜。
12.根据权利要求2或3所述的一种扬声器振动系统，其特征在于，所述振膜包括两层非结晶聚醚醚酮基膜和一层结晶聚醚醚酮基膜。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015027715A1 (zh) * 2013-08-27 2015-03-05 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动系统
CN104683923A (zh) * 2015-03-17 2015-06-03 歌尔声学股份有限公司 微型扬声器振膜
WO2015103731A1 (zh) * 2014-01-07 2015-07-16 易力声科技(深圳)有限公司 一种扬声器膜片及装配有该膜片的扬声器
CN104796843A (zh) * 2015-03-31 2015-07-22 歌尔声学股份有限公司 结晶peek膜和振膜的形成方法以及结晶peek振膜
WO2015180289A1 (zh) * 2014-05-26 2015-12-03 歌尔声学股份有限公司 扬声器振膜

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3240304A1 (en) 2016-04-26 2017-11-01 Isovolta AG Acoustic membrane
GB2567468A (en) * 2017-10-12 2019-04-17 Victrex Mfg Ltd Polymeric film
CN110708634B (zh) * 2019-10-31 2021-07-09 歌尔股份有限公司 发声装置的振膜以及发声装置
CN112261548A (zh) * 2020-09-29 2021-01-22 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 振膜及发声器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001016683A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Onkyo Corp ソフトドーム振動板
CN101998208A (zh) * 2009-08-20 2011-03-30 美律实业股份有限公司 磁性振膜
CN202652511U (zh) * 2012-01-05 2013-01-02 瑞声光电科技(常州)有限公司 扬声器振膜及扬声器
CN203590434U (zh) * 2013-08-27 2014-05-07 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298857B1 (ko) * 2006-01-23 2013-08-21 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 전기 음향 변환기용 진동판 및 그에 사용되는 필름
DE102007030665A1 (de) * 2007-07-02 2009-01-15 Norman Gerkinsmeyer Membrane mit mehrteiligem Aufbau
KR101000756B1 (ko) 2008-10-15 2010-12-13 주식회사 비에스이 마이크로 스피커용 일체형 진동판, 그 제조 방법 및 그 진동판을 포함하는 마이크로 스피커
JP2012010148A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 電気音響変換装置
KR101182196B1 (ko) * 2012-01-27 2012-09-12 박휘찬 마이크로 스피커의 진동판용 엣지재
DE102012208477A1 (de) * 2012-05-21 2013-11-21 Tesa Se Asymmetrische Mehrschichtmembran für elektroakustische Wandler
CN103475981B (zh) * 2013-08-27 2017-05-17 歌尔股份有限公司 扬声器振动系统

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001016683A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Onkyo Corp ソフトドーム振動板
CN101998208A (zh) * 2009-08-20 2011-03-30 美律实业股份有限公司 磁性振膜
CN202652511U (zh) * 2012-01-05 2013-01-02 瑞声光电科技(常州)有限公司 扬声器振膜及扬声器
CN203590434U (zh) * 2013-08-27 2014-05-07 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动系统

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015027715A1 (zh) * 2013-08-27 2015-03-05 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动系统
US9838792B2 (en) 2013-08-27 2017-12-05 Goertek Inc. Vibration system of a loudspeaker
WO2015103731A1 (zh) * 2014-01-07 2015-07-16 易力声科技(深圳)有限公司 一种扬声器膜片及装配有该膜片的扬声器
WO2015180289A1 (zh) * 2014-05-26 2015-12-03 歌尔声学股份有限公司 扬声器振膜
US9955266B2 (en) 2014-05-26 2018-04-24 Goertek Inc. Loudspeaker diaphragm
KR101858380B1 (ko) * 2014-05-26 2018-05-15 고어텍 인크 스피커 진동막
CN104683923A (zh) * 2015-03-17 2015-06-03 歌尔声学股份有限公司 微型扬声器振膜
CN104796843A (zh) * 2015-03-31 2015-07-22 歌尔声学股份有限公司 结晶peek膜和振膜的形成方法以及结晶peek振膜

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