CN103474883A - 无功功率补偿柜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种无功功率补偿柜,属于电力设施领域;包括由金属板构成的外壳,所述外壳两侧开设有散热区,所述外壳内部还贴设一层硅钢壳,所述硅钢壳的各个折角处由圆角过渡;所述硅钢壳的八个顶角由球形面过渡;所述硅钢壳在对应于所述外壳的散热区处开设有散热孔;所述硅钢壳的内表面还涂覆一层绝缘漆,以保持与内部电力部件的绝缘。该补偿柜可有效抑制柜体内部交变电磁场的外泄,具有良好的屏蔽作用。
Description
技术领域
本发明涉及电力设施领域,特别地,是涉及一种电力补偿柜。
背景技术
在电力基础设施领域,电力补偿柜是一种常见的柜体,其主要作用在于补偿其所在的电力系统中的无功功率,为此,其内部配备了大量的电容性及电感性原件,因此,将在补偿柜的壳体上激起大量的感生交变电磁场,该种感生交变电磁场,在补偿柜的壁面上可以被良好地屏蔽,使之不向外界继续辐射,然而,在补偿柜的各折角处,由于壳体的曲率发生急剧变化,因此,电磁回路在流经折角时,类似尖端放电现象,较大一部分电磁能将在各折角处向外泄露;因此,目前的无功功率补偿柜对于内部电磁场的屏蔽效果不佳。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种无功功率补偿柜,该补偿柜可有效抑制柜体内部交变电磁场的外泄,具有良好的屏蔽作用。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:该无功功率补偿柜包括由金属板构成的外壳,所述外壳两侧开设有散热区,所述外壳内部还贴设一层硅钢壳,所述硅钢壳的各个折角处由圆角过渡;所述硅钢壳的八个顶角由球形面过渡;所述硅钢壳在对应于所述外壳的散热区处开设有散热孔。
作为优选,所述硅钢壳的内表面还涂覆一层绝缘漆,以保持与内部电力部件的绝缘。
作为优选,所述硅钢壳上布满圆孔,从而为硅钢壳节约材料,同时,由于圆孔无尖锐边角,故而不造成电磁泄漏。
本发明的有益效果在于:该无功功率补偿柜在使用时,由电力部件产生的交变电磁场作用到硅钢壳表面,然后在硅钢壳内形成回路,由于硅钢壳周边由圆角及球形面圆滑过渡,因此,电磁回路的各处均无明显泄漏区,使得整个补偿柜对交变电磁场具有良好的屏蔽作用。
附图说明
图1是本无功功率补偿柜的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
在图1所示实施例中,该无功功率补偿柜包括由金属板构成的外壳1,该外壳1呈长方体状,所述外壳1两侧开设有散热区10,散热区10由一系列平行的条形孔和各条形孔上部的条形檐构成;所述外壳1内部还贴设一层硅钢壳2,所述硅钢壳2的各个折角处由圆角21过渡;所述硅钢壳2的八个顶角(未图示,可参考长方体的八个顶角)由球形面过渡;所述硅钢壳2在对应于所述外壳的散热区10处开设有散热孔(未标记)。
上述的无功功率补偿柜,所述硅钢壳2的内表面还涂覆一层绝缘漆,以保持与内部电力部件的绝缘。
另外,所述硅钢壳2上可以采用冲孔设备冲满圆孔,从而为硅钢壳节约材料,同时,由于圆孔无尖锐边角,故而不造成电磁泄漏。
上述无功功率补偿柜在使用时,由电力部件产生的交变电磁场作用到硅钢壳2表面,然后在硅钢壳2内形成回路,由于硅钢壳2周边由圆角及球形面圆滑过渡,因此,电磁回路的各处均无明显泄漏区,使得整个补偿柜对交变电磁场具有良好的屏蔽作用。
以上所述仅为本发明的较佳方式,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种无功功率补偿柜,包括由金属板构成的外壳(1),所述外壳两侧开设有散热区(10),所述外壳内部还贴设一层硅钢壳(2),所述硅钢壳的各个折角处由圆角(21)过渡;所述硅钢壳(2)的八个顶角由球形面过渡;所述硅钢壳(2)在对应于所述外壳的散热区处开设有散热孔。
2.根据权利要求1所述的无功功率补偿柜,其特征在于:所述硅钢壳(2)的内表面还涂覆一层绝缘漆。
3.根据权利要求1所述的无功功率补偿柜,其特征在于:所述硅钢壳(2)上布满圆孔。
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CN2013103702389A CN103474883A (zh) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | 无功功率补偿柜 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN103474883A true CN103474883A (zh) | 2013-12-25 |
Family
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Country Status (1)
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2013
- 2013-08-23 CN CN2013103702389A patent/CN103474883A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131225 |
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