CN103474405A - 防电磁干扰的过压保护装置 - Google Patents

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CN103474405A CN 201210188091 CN201210188091A CN103474405A CN 103474405 A CN103474405 A CN 103474405A CN 201210188091 CN201210188091 CN 201210188091 CN 201210188091 A CN201210188091 A CN 201210188091A CN 103474405 A CN103474405 A CN 103474405A
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张小平
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Abstract

本发明公开了一种防电磁干扰的过压保护装置,包括有半导体封装框架及设于其上的过压保护芯片,其特征在于所述过压保护芯片为三个P-N结组成双端四层双向对称结构,每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层过压保护电路,并与一个低电容浪涌保护器和一个电磁干扰抑制电路相串连。作为改进,所述半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座,在凸点座上连接半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。本发明的优点是,结构简单,使用可靠,且具防浪涌和防电磁干扰功能。

Description

防电磁干扰的过压保护装置
技术领域
本发明涉及一种过压保护装置,尤其涉及一种防电磁干扰的过压保护装置。
背景技术
在通讯领域中,由于电感性和电容性瞬变、静电放电、雷电等原因形成的意外电压浪涌会造成整机系统的性能下降,出现误动作甚至损坏,因此对电压瞬变和浪涌的防护成为提高整机系统可靠性的一个重要组成部分。 
现有技术中,采用几个电压瞬变和浪涌的保护器件的组合形式,构成多极保护器件的方式得到较广泛的利用,其中,构成半导体保护器件最常用的过压保护装置是由封装框架及设于其上的半导体保护芯片组成,半导体保护芯片与封装框架的联接,是将芯片用导电胶粘接在框架的底座上;此方式存在有由于粘接过程的挤压,导电胶液被压出,出现芯片正面,反面短路现象,成品率低,产品质量不可靠。此外,此类装置往往不具有浪涌保护功能和防电磁干扰功能,从而限制了该装置的使用。
发明内容
本发明的目的是提供一种结构简单,使用可靠且具有浪涌保护和防电磁干扰功能的新型过压保护装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种防电磁干扰的过压保护装置,包括有半导体封装框架及设于其上的过压保护芯片,所述过压保护芯片为三个P-N结组成双端四层双向对称结构,每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层过压保护电路,并与一个低电容浪涌保护器和一个电磁干扰抑制电路相串连串连。
作为改进,所述半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座,在凸点座上连接半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。 
作为进一步改进,所述设于半导体框架载体上的凸点座与载体直接相连或是相互粘接或焊接而成。 
采用上述技术方案,使得本发明具有如下优点:由于过压保护芯片与一个低电容浪涌保护器相串连,可以起来良好的浪涌保护作用。同时该芯片设于导电凸点座上,不是传统的压在整个框架载体上,在用导电胶粘接过程中,不易出现导电胶使芯片正反面短路现象,使得工艺简单,同时芯片的承受电流功率能力增大,由此可靠性提高,生产成本也低。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步详细说明:
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
    如图1所示,一种防电磁干扰的过压保护装置,包括有封装框架1及设于其上的半导体过压保护芯片2,所述过压保护芯片为三个P-N结组成双端四层双向对称结构,每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层过压保护电路,并与一个低电容浪涌保护器和一个电磁干扰抑制电路相串连。在封装框架1的底座10上设有相互电连接的凸点3,凸点3上电联接有半导体过压保护芯片2。保护芯片2的正面及框架1的底座10上分别设有引脚20及11。在实际生产过程中,所述设于封装框架载体上的凸点3是在底座10上冲压而成。根据生产工艺,所述设于封装框架载体上的凸点3也可以是与载体相互粘
接或焊接而成。半导体过压保护装置中设于封装框架载体上的凸点座3与半导体过压保护芯片2之间的连接通过焊接或粘接而成。
本结构的过压保护芯片2与凸点座3的连接为固定连接,可以有多种方式,较好的方式为焊接。为了增加过压保护芯片2与凸点座3导电性,过压保护芯片2与凸点座3的焊接可以采用导电性好的金属焊接,如银、铜等。凸点座3的形状可以有多种形状,如为半球形、柱形等。
需要指出的是,上述实施例虽对本发明作了比较详细的文字描述,但这些文字描述只是对本发明设计思路的简单描述,而不是对本发明思路的限制。任何不超过本发明设计思路的组合、增加或修改,均落入本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种防电磁干扰的过压保护装置,包括有半导体封装框架及设于其上的过压保护芯片,其特征在于所述过压保护芯片为三个P-N结组成双端四层双向对称结构,每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层过压保护电路,并与一个低电容浪涌保护器和一个电磁干扰抑制电路相串连。
2. 根据权利要求1所述的防电磁干扰的过压保护装置,其特征在于所述半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座,在凸点座上连接半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。
3.根据权利要求1所述的防电磁干扰的过压保护装置,其特征在于,所述设于半导体框架载体上的凸点座与载体直接相连或是相互粘接或焊接而成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2017024981A1 (zh) * 2015-08-12 2017-02-16 深圳市槟城电子有限公司 一种端口防护电路集成封装件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106208529A (zh) * 2015-04-30 2016-12-07 韩磊 电动汽车电机控制器的电磁场屏蔽系统
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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