CN103436923B - 超声提高su-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种通过超声技术来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法,属于微制造技术领域,特别涉及到提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。其特征是:在光刻过程中,在后烘之后、显影之前进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度,区别于传统的SU-8胶光刻工艺流程“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—显影”,该方法采用“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—超声处理—显影”。本发明的效果和益处是通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理,使SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度提高了58.7%,具有简单、高效、经济的特点,能够显著地提高胶模的尺寸精度和可靠性,从而提高微器件的成品率。
Description
技术领域
本发明属于微制造技术领域,特别涉及到提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。
背景技术
随着MEMS(微电子机械系统)技术的迅速发展,金属微器件的需求量在逐渐增加。基于SU-8光刻胶的UV-LIGA技术是制作金属微器件的有效方法之一。在以SU-8UV-LIGA技术制作金属微器件的过程中,人们开始考虑直接将金属作为基底制作器件,这样具有工序少,电铸时间短、基底不易损坏等优点。然而,SU-8光刻胶薄膜在光刻过程中与金属基底结合性能较差,容易产生胶体与基底结合失败,出现脱落现象,甚至造成图形的彻底损坏,严重影响了器件的成品率和可靠性。为了提高SU-8光刻胶与金属基底界面的结合强度,通常采用工艺参数优化和基底处理等方法:杂志Electrophoresis2006年第27卷、第16期、第3284~3296页中通过优化工艺参数的方法,即通过对曝光剂量、前烘时间的优化改善了SU-8光刻胶与金属基底之间的结合力。但这种方法一般都是针对某种微器件进行研究,研究的过程中需要进行大量的重复性实验才能选出最优的工艺参数,因此实验成本高、应用范围小。杂志MicroelectronicEngineering2005年第78~79卷第152~157页中通过使用附着力促进剂增加了SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度。然而,在电铸前的附着力促进剂去除过程中,附着力促进剂会不可避免的出现一定程度的侧蚀,导致电铸后微器件的侧壁产生台阶,这严重影响了电铸器件的尺寸精度。目前,在微电铸器件制造领域,建立一种简单、高效的提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法具有重要的实用意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过超声技术来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法,即通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理,从而改变SU-8光刻胶与金属基底界面间的结合强度,来解决工艺参数优化和基底处理方法的不足和应用的局限性。
本发明的技术方案是:通过控制光刻过程中超声输入功率,获得提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。其特征是:在光刻过程中,在后烘之后、显影之前进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度。区别于传统的光刻工艺流程“研磨和清洗金属基底——旋涂SU-8光刻胶——前烘——曝光——后烘——显影”,该方法采用“研磨和清洗金属基底——旋涂SU-8光刻胶——前烘——曝光——后烘——超声处理——显影”。制作SU-8光刻胶模的步骤如下:
a.研磨、清洗金属基底并旋涂SU-8光刻胶
用1000号砂纸对金属基底进行研磨,使表面粗糙度Ra小于0.06μm;用丙酮擦洗基底并将其置于丙酮中超声清洗20~25min,再置于乙醇中超声清洗20~25min,经去离子水冲洗和氮气吹干,然后烘干。将烘干后的金属基底冷却至室温,在其表面旋转涂覆SU-8光刻胶。
b.前烘、曝光和后烘
将涂覆了SU-8光刻胶的金属基底置于烘箱中进行前烘,采用阶梯式逐渐升温的方式,前烘温度和时间分别为:65℃,2.5h;75℃,2.5h;85℃,1h,然后冷却至室温;曝光时间为2~4min,曝光剂量为350mJ/cm2~400mJ/cm2;将其放置在热板上进行后烘,热板温度为85℃,后烘时间为2~3min。后烘结束后,将涂覆SU-8光刻胶膜的基底从热板上取下,使其缓慢自然冷却至室温。
c.超声处理
将旋涂了SU-8光刻胶的金属基底固定到超声装置的工作台上。通过调节激励电流来改变超声功率。激励电流为0.4~0.8A,超声输入功率为150~350W,超声频率为20kHz,超声时间为10min。
d.显影
对超声处理后的SU-8光刻胶膜进行显影,显影3~5min后得到微电铸胶模型。用去离子水冲洗干净,再用氮气吹干。
本发明的效果和益处是:提供一种通过光刻过程中在后烘之后、显影之前对SU-8光刻胶膜进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法,解决了工艺参数优化和基底处理方法的不足和应用的局限性,具有简单、高效、经济的特点,能显著地提高胶模的尺寸精度和可靠性,从而提高微器件的成品率。
附图说明
图1是SU-8胶光刻及超声处理工艺流程图。
图2是SU-8光刻胶与金属基底界面示意图。
在图2中:1金属基底;2SU-8光刻胶层;3胶膜型腔。
图3是曝光工序示意图。
图4是超声处理工序示意图。
图5是显影工序示意图。
在图3~图5中:①掩模板;②SU-8光刻胶;③金属基底;UV紫外光;US超声。
图6是超声处理示意图。
在图6中:4涂胶基板;5超声工作台;6超声变幅杆;7超声发生装置。
具体实施方式
以下结合技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施方式。
实施例:如附图2,将SU-8光刻胶1旋涂在尺寸为60mm×60mm×400μm的316L不锈钢基底2上,在后烘之后、显影之前对胶膜进行超声处理,超声电流选用0.8A/dm2。SU-8胶光刻及超声处理工艺的具体步骤如下:
1.研磨、清洗金属基底并旋涂SU-8光刻胶
用1000号砂纸对316L不锈钢基底进行研磨,使表面粗糙度Ra小于0.06μm;用丙酮擦洗基底然后将其先后置于丙酮和乙醇中各超声清洗20min,再经去离子水冲洗,用氮气吹干,然后置于120℃的烘箱内烘2h。将烘干后的金属基底冷却至室温,在其表面旋转涂覆SU-82075光刻胶,用台式匀胶机对其进行匀胶,转速为1350r/min,得到的胶膜厚度约为90μm。
2.前烘、曝光和后烘
将涂覆了SU-8光刻胶的316L不锈钢金属基底置于烘箱中进行前烘,采用阶梯式逐渐升温的方式:在65℃时烘2.5h,升温至75℃时烘2.5h,再升温至85℃烘1h,然后冷却至室温;采用曝光机对SU-8光刻胶进行曝光,如附图3,曝光时间为3min,曝光剂量为400mJ/cm2;将曝光后的片子放置在热板上进行后烘,热板温度为85℃,后烘时间为3min。后烘结束后,将片子从热板上取下,使其缓慢冷却,直至室温。
3.超声处理
将旋涂了SU-8光刻胶的316L不锈钢基底固定到超声工作台上。通过调节激励电流来改变超声功率。激励电流为0.8A,对应的超声输入功率为350W,超声频率为20kHz,超声时间为10min。超声后将片子取下。见附图4及附图6。
4.显影
对超声处理后的SU-8光刻胶膜进行显影,显影3min后得到SU-8光刻胶模型,见附图5。用去离子水冲洗干净,再用氮气吹干。
采用本发明提供的通过光刻过程中在后烘之后、显影之前对SU-8光刻胶膜进行超声处理的方法,与不加入超声处理过程的常规光刻工艺相比,SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度提高了58.7%。本方法能够提高胶模的尺寸精度和可靠性,从而提高微器件的成品率,具有简单、高效、经济的特点。
Claims (1)
1.一种超声提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法,通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度,其特征在于其步骤如下:
a.研磨、清洗金属基底并旋涂SU-8光刻胶
用1000号砂纸对金属基底进行研磨,使表面粗糙度Ra小于0.06μm;用丙酮擦洗基底并将其置于丙酮中超声清洗20~25min,再置于乙醇中超声清洗20~25min,经去离子水冲洗和氮气吹干,然后烘干;将烘干后的金属基底冷却至室温,在其表面旋转涂覆SU-8光刻胶;
b.前烘、曝光和后烘
将涂覆了SU-8光刻胶的金属基底置于烘箱中进行前烘,采用阶梯式逐渐升温的方式,前烘温度和时间分别为:65℃,2.5h;75℃,2.5h;85℃,1h,然后冷却至室温;曝光时间为2~4min,曝光剂量为350mJ/cm2~400mJ/cm2;将其放置在热板上进行后烘,热板温度为85℃,后烘时间为2~3min;后烘结束后,将涂覆SU-8光刻胶膜的基底从热板上取下,使其缓慢冷却,直至室温;
c.超声处理
将旋涂了SU-8光刻胶的金属基底固定到超声装置的工作台上,通过调节激励电流来改变超声功率,激励电流为0.4~0.8A,超声输入功率为150~350W,超声频率为20kHz,超声时间为10min;
d.显影
对超声处理后的SU-8光刻胶膜进行显影,显影3~5min后得到微电铸胶模型;用去离子水冲洗干净,再用氮气吹干。
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