CN103426626A

CN103426626A - 薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法

Info

Publication number: CN103426626A
Application number: CN2012101563692A
Authority: CN
Inventors: 张怀禄; 张育嘉; 谢明峰; 许秀美; 傅国荣
Original assignee: Inpaq Technology Co Ltd
Current assignee: Inpaq Technology Co Ltd
Priority date: 2012-05-18
Filing date: 2012-05-18
Publication date: 2013-12-04

Abstract

本发明公开了一种采用干式聚亚酰胺膜形成绝缘层的薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法，包含下列步骤：形成至少一第一导电图案于一基板上；置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上；施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙；以及形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。

Description

薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法

技术领域

本发明关于一种薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法，特别是关于一种采用干式聚亚酰胺膜形成绝缘层的薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法。

背景技术

在薄膜元件中，聚亚酰胺膜已广泛地作为绝缘层，用以电气隔离不同层次的导电图案。在现有技术中，形成聚亚酰胺膜的方法一般采用旋转涂布技术，并期望形成的聚亚酰胺膜具有均匀的厚度。

图1及图2例示现有的薄膜元件10的制备方法。参考图1，现有技术进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第一导电图案13于一基板11上。之后，现有技术进行旋转涂布及热处理等工艺以形成一第一绝缘层15于该第一导电图案13上。

参考图2，现有技术进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第二导电图案17于该第一绝缘层15上。之后，现有技术进行旋转涂布及热处理等工艺以形成一第二绝缘层19于该第二导电图案17上而完成该薄膜元件10。

现有技术以旋转涂布技术形成的第一绝缘层15虽然可以电气隔离该第一导电图案13及该第二导电图案17。然而，旋转涂布技术形成的第一绝缘层15的表面并不平整，增加后续用以制备该第二导电图案17的微影工艺的对位难度，因而影响该第二导电图案17的位置。此外，该第一绝缘层15在该第一导电图案13及该第二导电图案17之间的厚度并不均匀，因而影响该薄膜元件10的电气特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用干式聚亚酰胺膜形成绝缘层的薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法。

本发明提供的薄膜元件的制备方法，包含下列步骤：形成至少一第一导电图案于一基板上；置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上；施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙；以及形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。

本发明提供的共模滤波器的制备方法，包含下列步骤：形成至少一第一导电图案于一基板上；置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上；施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙；以及形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。

上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点，以使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的申请专利权利要求范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离所附的申请专利权利要求范围所界定的本发明的精神和范围。

附图说明

藉由参照前述说明及下列图式，本发明的技术特征及优点得以获得完全了解。

图1及图2例示现有的薄膜元件的制备方法；

图3至图8例示本发明一实施例的薄膜元件的制备方法；

图9至图18例示本发明一实施例的共模滤波器的制备方法；以及

图19至图27例示本发明另一实施例的共模滤波器的制备方法。

其中，附图标记说明如下：

10 薄膜元件；

11 基板；

13 导电图案；

15 第一绝缘层；

17 导电图案；

19 第二绝缘层；

23 弹性体；

25 力量；

30 薄膜元件；

31 基板；

33A-33C 第一导电图案；

35 间隙；

37 干式聚亚酰胺膜；

39 孔洞；

41 连接件；

43A-43C 第二导电图案；

45 间隙；

47 干式聚亚酰胺膜；

100 共模滤波器；

111 磁性基板；

113 第一引线层；

114 第一线圈层；

1141 间隙；

115 第二线圈层；

1151 间隙；

116 第二引线层；

117 磁性材料层；

121 第一绝缘层；

122 第二绝缘层；

1221 孔洞；

123 第三绝缘层；

124 第四绝缘层；

1241 孔洞；

125 第五绝缘层；

200 共模滤波器；

211 非磁性介电基板；

212 磁性材料层；

213 第一线圈层；

2131 间隙；

214 引线层；

215 第二线圈层；

2151 间隙；

217 磁性材料层；

221 第一绝缘层；

222 第二绝缘层；

2221 孔洞；

223 第三绝缘层；

224 第四绝缘层。

具体实施方式

图3至图8例示本发明一实施例的薄膜元件30的制备方法。参考图3，进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第一导电图案33A-33C于一基板31上，其中该第一导电图案33A-33C之间具有间隙35。之后，置放一干式聚亚酰胺膜37于该第一导电图案33A-33C上，如图4所示。

参考图5，施加一力量25于该干式聚亚酰胺膜37，使得该干式聚亚酰胺膜37填入该第一导电图案33A-33C的空隙35。之后，进行一固化工艺，使得该干式聚亚酰胺膜37进行交联反应，以便作为一绝缘层以电气隔离该第一导电图案33A-33C。

在本发明的一实施例中，该力量25使用滚轮或液压经由一弹性体(例如橡胶或膜片)23施加于该干式聚亚酰胺膜37。在本发明的一实施例中，该力量25实质上在一真空环境中施加于该干式聚亚酰胺膜37。在本发明的一实施例中，该力量25在一预定温度(50°C及100°C)施加于该干式聚亚酰胺膜37，该预定温度不低于该干式聚亚酰胺膜37的玻璃转移温度。在本发明的一实施例中，该固化工艺是一热处理工艺，其工艺温度介于160°C及370°C之间。

参考图6，进行一图案化工艺以形成一孔洞39于该干式聚亚酰胺膜37之中，该孔洞39局部曝露该第一导电图案33B。在本发明的一实施例中，该图案化工艺包含微影工艺。

参考图7，进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第二导电图案43A-43C于该干式聚亚酰胺膜37上，其中该第二导电图案43A-43C之间具有间隙45。此外，该等工艺亦形成一连接件41，其连接该第一导电图案33B及该第二导电图案43B。之后，进行图4及图5所示的工艺以形成一干式聚亚酰胺膜47(作为绝缘层)，用以电气隔离该薄膜元件30的第二导电图案43A-43C，如图8所示。

图9至图18例示本发明一实施例的共模滤波器100的制备方法。参考图9，进行旋转涂布工艺以形成一聚亚酰胺层(作为第一绝缘层)121于一磁性基板111上。

参考图10，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第一引线层113于该第一绝缘层121上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺。

参考图11，形成一干式聚亚酰胺膜122(作为第二绝缘层)于该第一引线层113上，其中形成该干式聚亚酰胺膜122可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第一引线层113上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜覆盖该第一引线层113。之后，进行一图案化工艺以形成一孔洞1221于该第二绝缘层122之中，该孔洞1221局部曝露该第一引线层113。

参考图12，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第一线圈层114于该第二绝缘层122上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺。在本发明的一实施例中，该第一线圈层114包含以间隙1141分隔的导电图案。

参考图13，形成一干式聚亚酰胺膜123(作为第三绝缘层)于该第一线圈层114上，其中形成该干式聚亚酰胺膜123可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第一线圈层114上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一线圈层114的间隙1141。

参考图14，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第二线圈层115于该第三绝缘层123上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺。在本发明的一实施例中，该第二线圈层115包含以间隙1151分隔的导电图案。

参考图15，形成一干式聚亚酰胺膜124(作为第四绝缘层)于该第二线圈层115上，其中形成该干式聚亚酰胺膜124可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第二线圈层115上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第二线圈层115的间隙1151。之后，进行一图案化工艺以形成一孔洞1241于该第四绝缘层124之中，其中该孔洞1241局部曝露该第第二线圈层115。

参考图16，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第二引线层116。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺。

参考图17，形成一干式聚亚酰胺膜125(作为第五绝缘层)于该第二引线层116上，其中形成该干式聚亚酰胺膜125可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第二引线层116上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜覆盖该第二引线层116。

参考图18，进行网印工艺以形成一磁性材料层117于该第二引线层116上而完成该共模滤波器100。

图19至图27例示本发明另一实施例的共模滤波器200的制备方法。参考图19，形成一磁性材料层212于一非磁性介电基板211上。在本发明的一实施例中，该非磁性介电基板211包含氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、玻璃(glass)或石英(quartz)。在本发明的一实施例中，该磁性材料层212具高导磁率(high permeability)，其可包含铁氧体(ferrites)，例如镍锌铁氧体材料(NiZnferrite material)或锰锌铁氧体材料(MnZn ferrite material)。

参考图20，进行旋转涂布工艺以形成一第一绝缘层(例如聚亚酰胺层)221于该磁性材料层212上。

参考图21，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第一线圈层213于该第一绝缘层221上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺。在本发明的一实施例中，该第一线圈层213包含以间隙2131分隔的导电图案。

参考图22，形成一第二绝缘层222(例如干式聚亚酰胺膜)于该第一线圈层213上，其中形成该第二绝缘层222可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第一第一线圈层213上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一线圈层213的间隙2131。之后，进行一图案化工艺以形成一孔洞2221于该第二绝缘层222之中，该孔洞2221局部曝露该第一线圈层213。

参考图23，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一引线层214于该第二绝缘层222上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺，且在该孔洞2221内的引线层214接触该第一线圈层213。

参考图24，形成一第三绝缘层223(例如干式聚亚酰胺膜)于该引线层214上，其中形成该干式聚亚酰胺膜223可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该引线层214上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜隔离该引线层214。

参考图25，进行金属薄膜沉积工艺、微影工艺、电镀工艺及蚀刻工艺以形成一第二线圈层215于该第三绝缘层223上。在本发明的一实施例中，该金属薄膜沉积工艺是一溅镀工艺，且该第二线圈层215接触该第三绝缘层223内的引线层214。在本发明的一实施例中，该第二线圈层215包含以间隙2151分隔的导电图案。

参考图26，形成一第四绝缘层224(例如干式聚亚酰胺膜)于该第二线圈层215上，其中形成该干式聚亚酰胺膜224可采用图4及图5所示的工艺，亦即置放一干式聚亚酰胺膜于该第二线圈层215上，再施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第二线圈层215的间隙2151。

参考图27，进行网印工艺以形成一磁性材料层217于该第四绝缘层224上而完成该共模滤波器200。

本发明的技术内容及技术特点已揭示如上，然而本发明所属技术领域技术人员应了解，在不背离所附申请专利权利要求所界定的本发明精神和范围内，本发明的教示及揭示可作种种的替换及修饰。例如，上文揭示的许多工艺可以不同的方法实施或以其它工艺予以取代，或者采用上述二种方式的组合。

此外，本案的权利要求范围并不局限于上文揭示的特定实施例的工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。本发明所属技术领域技术人员应了解，基于本发明教示及揭示工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤，无论现在已存在或日后开发者，其与本案实施例揭示者以实质相同的方式执行实质相同的功能，而达到实质相同的结果，亦可使用于本发明。因此，申请专利权利要求范围是用以涵盖用以此类工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。

Claims

1.一种薄膜元件的制备方法，包含下列步骤：

形成至少一第一导电图案于一基板上；

置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上；

施加一力量于该干式聚亚酰胺膜，使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙；以及

形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。

2.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其中该力量使用滚轮施加于该干式聚亚酰胺膜。

3.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其中该力量使用液压施加于该干式聚亚酰胺膜。

4.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其中该力量经由一弹性体施加于该干式聚亚酰胺膜。

5.如权利要求4所述的薄膜元件的制备方法，其中该弹性体包含橡胶。

6.如权利要求4所述的薄膜元件的制备方法，其中该弹性体包含膜片。

7.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其中该力量实质上是在一真空环境中施加于该干式聚亚酰胺膜。

8.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其中该力量是在一预定温度施加于该干式聚亚酰胺膜，该预定温度不低于该干式聚亚酰胺膜的玻璃转移温度。

9.如权利要求1所述的薄膜元件的制备方法，其在形成至少一第二导电图案之前，另包含图案化该干式聚亚酰胺膜的步骤。

10.如权利要求9所述的薄膜元件的制备方法，其在形成至少一第二导电图案之前，另包含固化该干式聚亚酰胺膜的步骤。

11.如权利要求10所述的薄膜元件的制备方法，其中固化该干式聚亚酰胺膜的步骤是一热处理工艺，其工艺温度介于160°C及370°C之间。

12.一种共模滤波器的制备方法，包含下列步骤：

形成至少一第一导电图案于一基板上；

置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上；

形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。

13.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其中该力量使用滚轮施加于该干式聚亚酰胺膜。

14.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其中该力量使用液压施加于该干式聚亚酰胺膜。

15.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其中该力量经由一弹性体施加于该干式聚亚酰胺膜。

16.如权利要求15所述的共模滤波器的制备方法，其中该弹性体包含橡胶。

17.如权利要求15所述的共模滤波器的制备方法，其中该弹性体包含膜片。

18.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其中该力量实质上在一真空环境中施加于该干式聚亚酰胺膜。

19.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其中该力量在一预定温度施加于该干式聚亚酰胺膜，该预定温度不低于该干式聚亚酰胺膜的玻璃转移温度。

20.如权利要求12所述的共模滤波器的制备方法，其在形成至少一第二导电图案之前，另包含图案化该干式聚亚酰胺膜的步骤。

21.如权利要求20所述的共模滤波器的制备方法，其在形成至少一第二导电图案之前，另包含固化该干式聚亚酰胺膜的步骤。

22.如权利要求21所述的共模滤波器的制备方法，其中固化该干式聚亚酰胺膜的步骤是一热处理工艺，其工艺温度介于160°C及370°C之间。