CN103426537A

CN103426537A - 一种半导体屏蔽电缆

Info

Publication number: CN103426537A
Application number: CN2013102784428A
Authority: CN
Inventors: 许义彬
Original assignee: JING FENG GROUP
Current assignee: JING FENG GROUP
Priority date: 2013-07-03
Filing date: 2013-07-03
Publication date: 2013-12-04

Abstract

本发明公开了一种半导体屏蔽电缆，包括铝合金导体线材，所述铝合金的成分按质量百分比为：Cu 0.5-1.2%，Ce 0.01-0.02%，Zn 0.03-0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层喷镀Te的纳米碳纤维网；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。首先，铝合金导体表面经过去污抛光处理，减小了导体表面的气隙；另外，纳米ZnS薄膜以及纳米碳纤维网的添加，使得各层之间的接触更加的紧密，屏蔽性能大幅度提高。

Description

一种半导体屏蔽电缆

技术领域

本发明涉及电线电缆技术领域，尤其涉及一种半导体屏蔽电缆。

背景技术

现有技术中，电缆的导体一般为金属线材，或者由金属丝绞合而成的线束。电缆导体由多根导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙，再加上导体表面不光滑，会造成电场集中，因此会影响电缆信号的传输。现有技术中有很多中屏蔽手段，基本上是在导体的外周包覆一层镀银或者锡的纤维屏蔽网，其屏蔽效果有限。因此，如何提高电缆的屏蔽性能是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

为了解决上述存在的诸多问题，本发明旨在提供一种半导体屏蔽电缆，该半导体屏蔽电缆具有优良的屏蔽性能。

本发明提供一种半导体屏蔽电缆，包括导体，所述导体为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu0.5-1.2%，Ce0.01-0.02%，Zn0.03-0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的厚度为0.2-0.3mm，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层纳米碳纤维网，所述纳米碳纤维网上喷镀Te层；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。

进一步地，所述导体成分优选为Cu0.6-1.0%，Ce0.01-0.02%，Zn0.03-0.06%。

进一步地，所述纳米ZnS薄膜的厚度优选为0.25mm。

进一步地，所述硅橡胶防护层的厚度为0.5-1mm。

本发明提供一种半导体屏蔽电缆，包括导体，所述导体为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu0.5-1.2%，Ce0.01-0.02%，Zn0.03-0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的厚度为0.2-0.3mm，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层纳米碳纤维网，所述纳米碳纤维网上喷镀Te层；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。首先，铝合金导体表面经过去污抛光处理，减小了导体表面的气隙；另外，纳米ZnS薄膜以及纳米碳纤维网的添加，使得各层之间的接触更加的紧密，屏蔽性能大幅度提高。

附图说明

图1为本发明中一种半导体屏蔽电缆的截面结构示意图。

具体实施方式

实施例一

如图1所示，本发明实施例一提供一种半导体屏蔽电缆，包括导体1，所述导体1为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu1.2%，Ce0.02%，Zn0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体1的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜2，所述纳米ZnS薄膜2的厚度为0.3mm，所述纳米ZnS薄膜2的表面包覆一层聚乙烯绝缘层3，所述聚乙烯绝缘层3的外面包覆一层纳米碳纤维网4，所述纳米碳纤维网4上喷镀Te层5；所述纳米碳纤维网4的外面包覆一层聚乙烯绝缘层6，所述聚乙烯绝缘层6的外面挤包一层硅橡胶防护层7。所述纳米ZnS薄膜的厚度优选为0.25mm；所述硅橡胶防护层的厚度为1mm。

实施例二

如图1所示，本发明实施例二提供一种半导体屏蔽电缆，包括导体1，所述导体1为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu0.5%，Ce0.01%，Zn0.03%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体1的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜2，所述纳米ZnS薄膜2的厚度为0.2mm，所述纳米ZnS薄膜2的表面包覆一层聚乙烯绝缘层3，所述聚乙烯绝缘层3的外面包覆一层纳米碳纤维网4，所述纳米碳纤维网4上喷镀Te层5；所述纳米碳纤维网4的外面包覆一层聚乙烯绝缘层6，所述聚乙烯绝缘层6的外面挤包一层硅橡胶防护层7。所述纳米ZnS薄膜的厚度优选为0.25mm；所述硅橡胶防护层的厚度为0.5mm。

本发明上述实施例中，首先，铝合金导体表面经过去污抛光处理，减小了导体表面的气隙；另外，纳米ZnS薄膜以及纳米碳纤维网的添加，使得各层之间的接触更加的紧密，屏蔽性能大幅度提高。

上面实施例只是对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。

Claims

1.一种半导体屏蔽电缆，包括导体，其特征在于，所述导体为铝合金线材，所述铝合金的成分按质量百分比为，Cu0.5-1.2%，Ce0.01-0.02%，Zn0.03-0.1%，其余为Al以及不可避免的杂质，所述铝合金线材的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米ZnS薄膜，所述纳米ZnS薄膜的厚度为0.2-0.3mm，所述纳米ZnS薄膜的表面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面包覆一层纳米碳纤维网，所述纳米碳纤维网上喷镀Te层；所述纳米碳纤维网的外面包覆一层聚乙烯绝缘层，所述聚乙烯绝缘层的外面挤包一层硅橡胶防护层。

2.根据权利要求1所述的半导体屏蔽电缆，其特征在于，所述导体成分优选为Cu0.6-1.0%，Ce0.01-0.02%，Zn0.03-0.06%。

3.根据权利要求2所述的半导体屏蔽电缆，其特征在于，所述纳米ZnS薄膜的厚度优选为0.25mm。

4.根据权利要求3所述的半导体屏蔽电缆，其特征在于，所述硅橡胶防护层的厚度为0.5-1mm。