CN103426536A - 一种纳米屏蔽电缆 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米屏蔽电缆,包括导体,所述导体由多根铜丝线绞合而成,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜,所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层,所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈,所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层,所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。构成导体的铜丝线经过了去污抛光处理,使得铜丝线绞合更加紧密,减小了铜丝线之间的气隙;另外,导体与第一绝缘层之间的纳米金属锡膜,使得导体与第一绝缘层之间结合更加紧密,减小了气隙,增加了屏蔽性;还有,纳米聚丙烯腈的加入也减小了第二绝缘层与防护层之间的间隙,进一步增加了屏蔽性。
Description
技术领域
本发明涉及电线电缆技术领域,尤其涉及一种纳米屏蔽电缆。
背景技术
现有技术中,电缆的导体一般为金属线材,或者由金属丝绞合而成的线束。电缆导体由多根导线绞合而成,它与绝缘层之间易形成气隙,再加上导体表面不光滑,会造成电场集中,因此会影响电缆信号的传输。现有技术中有很多中屏蔽手段,基本上是在导体的外周包覆一层镀银或者锡的纤维屏蔽网,其屏蔽效果有限。因此,如何提高电缆的屏蔽性能是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
为了解决上述存在的诸多问题,本发明旨在提供一种纳米屏蔽电缆,该纳米屏蔽电缆具有优良的屏蔽性能。
本发明提供一种纳米屏蔽电缆,包括导体,所述导体由多根铜丝线绞合而成,所述铜丝线的直径为0.03-0.15mm,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜,所述纳米金属锡膜的厚度为0.1-0.3mm,所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层,所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈,所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层,所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。
进一步地,所述第一绝缘层由聚氯乙烯构成。
进一步地,所述第二绝缘层由聚氯乙烯构成。
进一步地,所述纳米聚丙烯腈的厚度为0.1-0.5mm。
本发明提供一种纳米屏蔽电缆,包括导体,所述导体由多根铜丝线绞合而 成,所述铜丝线的直径为0.03-0.15mm,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜,所述纳米金属锡膜的厚度为0.1-0.3mm,所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层,所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈,所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层,所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。
基于上述技术方案的公开,首先,构成导体的铜丝线经过了去污抛光处理,使得铜丝线绞合更加紧密,导体的表面更加光滑,减小了铜丝线之间的气隙,从而也减小了电场;另外,导体与第一绝缘层之间的纳米金属锡膜,使得导体与第一绝缘层之间结合更加紧密,减小了气隙,增加了屏蔽性;还有,纳米聚丙烯腈的加入也减小了第二绝缘层与防护层之间的间隙,进一步增加了屏蔽性。
附图说明
图1为本发明中一种纳米屏蔽电缆的截面结构示意图。
具体实施方式
实施例一
如图1所示,本发明实施例一提供一种纳米屏蔽电缆,包括导体1,所述导体1由多根铜丝线绞合而成,所述铜丝线的直径为0.03mm,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体1的表面覆盖一层纳米金属锡膜2,所述纳米金属锡膜2的厚度为0.1mm,所述纳米金属锡膜2的表面包覆一层第一绝缘层3,所述第一绝缘层3由聚氯乙烯构成,所述第一绝缘层3的外面包覆一层纳米聚丙烯腈4,,所述纳米聚丙烯腈的厚度为0.1mm,所述纳米聚丙烯腈4的外面包覆一层第二绝缘层5,所述第二绝缘层5的外面挤包一层橡胶防护层6。
实施例二
如图1所示,本发明实施例二提供一种纳米屏蔽电缆,包括导体1,所述导 体1由多根铜丝线绞合而成,所述铜丝线的直径为0.15mm,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体1的表面覆盖一层纳米金属锡膜2,所述纳米金属锡膜2的厚度为0.3mm,所述纳米金属锡膜2的表面包覆一层第一绝缘层3,所述第一绝缘层3的外面包覆一层纳米聚丙烯腈4,所述纳米聚丙烯腈4的厚度为0.5mm,所述纳米聚丙烯,4的外面包覆一层第二绝缘层5,所述第二绝缘层5由聚氯乙烯构成,所述第二绝缘层5的外面挤包一层橡胶防护层6。
本发明上述实施例中,首先,构成导体的铜丝线经过了去污抛光处理,使得铜丝线绞合更加紧密,导体的表面更加光滑,减小了铜丝线之间的气隙,从而也减小了电场;另外,导体与第一绝缘层之间的纳米金属锡膜,使得导体与第一绝缘层之间结合更加紧密,减小了气隙,增加了屏蔽性;还有,纳米聚丙烯腈的加入也减小了第二绝缘层与防护层之间的间隙,进一步增加了屏蔽性,。
上面实施例只是对本发明进行了示例性的描述,显然本发明的实现并不受上述方式的限制,只要采用了发明的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种纳米屏蔽电缆,包括导体,其特征在于,所述导体由多根铜丝线绞合而成,所述铜丝线的直径为0.03-0.15mm,所述铜丝线的表面经过去污抛光处理;所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜,所述纳米金属锡膜的厚度为0.1-0.3mm,所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层,所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈,所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层,所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。
2.根据权利要求1所述的纳米屏蔽电缆,其特征在于,所述第一绝缘层由聚氯乙烯构成。
3.根据权利要求2所述的纳米屏蔽电缆,其特征在于,所述第二绝缘层由聚氯乙烯构成。
4.根据权利要求3所述的纳米屏蔽电缆,其特征在于,所述纳米聚丙烯腈的厚度为0.1-0.5mm。
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---|---|---|---|
CN2013102784358A CN103426536A (zh) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | 一种纳米屏蔽电缆 |
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CN2013102784358A CN103426536A (zh) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | 一种纳米屏蔽电缆 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN103426536A true CN103426536A (zh) | 2013-12-04 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105185466A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-23 | 立讯精密工业股份有限公司 | 同轴线缆 |
CN107987429A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-04 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种抑制空间电荷积累的高压直流电缆材料及制备方法 |
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2013
- 2013-07-03 CN CN2013102784358A patent/CN103426536A/zh active Pending
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131204 |