CN103420360A - 石墨烯的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种石墨烯的制备方法,包括如下步骤:a)将磁性催化剂放置于衬底上,并将附有所述催化剂的所述衬底放置于化学气相沉积设备里密封;b)在所述衬底的垂直方向上施加磁场,通保护性气体50~200sccm,保持10~30分钟,排走反应室的氧气后开始对所述衬底加热;c)对所述衬底加热到低于所述磁性催化剂的居里温度时,开始通入含碳气体100~1000sccm,并保持30~300分钟的时间,使所述衬底开始生长垂直石墨烯。本发明的石墨烯的制备方法,产出的石墨烯均垂直于衬底,且一致性较好、均匀高。
Description
技术领域
本发明专利涉及材料合成制备领域,特别是涉及一种石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯是由正六边形碳原子环构成的一种二维碳原子晶体,2004年由英国曼彻斯特大学的安德烈·K·海姆等发现,其在具有自然界最薄结构的同时还有很高的化学稳定性、高机械强度和极为优异的电输运性能,再次引发了碳材料研究热潮。由于其独特的结构和光电性质使其成为碳材料、纳米技术、凝聚态物理和功能材料等领域的研究热点,吸引了诸多科技工作者。单层石墨烯拥有优良的导电、导热性能和低的热膨胀系数,并且其理论比表面积高达2630m 2 /g,可用于效应晶体管、电极材料、复合材料、液晶显示材料、传感器等。目前制备石墨烯的方法主要有两种:机械方法和化学方法。机械方法包括微石墨剥裂、超声剥离法、取向附生法和加热SiC法。化学方法包括化学氧化还原法、化学气相沉积法等。这些方法目前存在一些不足的地方,无法对其形貌进行有效控制,尤其是对垂直阵列形貌难于进行有效控制。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足,提供一种石墨烯的制备方法,利用催化剂在磁场控制下结合化学气相沉积来制备垂直阵列石墨烯。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种石墨烯的制备方法,该制备方法包括如下步骤:a) 将磁性催化剂放置于衬底上,并将附有所述催化剂的所述衬底放置于化学气相沉积设备里密封;b) 在所述衬底的垂直方向上施加磁场,通保护性气体50~200sccm,保持10~30分钟,排走反应室的氧气后开始对所述衬底加热;c) 对所述衬底加热到低于所述磁性催化剂的居里温度时,开始通入含碳气体100~1000sccm,并保持30~300分钟的时间,使所述衬底开始生长垂直石墨烯;d) 待反应结束后,停止加热,关闭含碳气体,在保护气体下冷却至室温后关闭所有气体,在所述衬底表面得到垂直阵列的石墨烯。
在所述的制备方法中,所述制备方法还包括步骤e):用浓度为0.01~1 mol/L的弱酸对在所述衬底表面得到的垂直阵列石墨烯进行清洗,去除催化剂,得到纯净的垂直阵列石墨烯。
在所述的制备方法中,所述弱酸为盐酸、硫酸、硝酸中的一种或它们的组合。
在所述的制备方法中,所述磁性催化剂为铁粉、钴粉中的一种或它们的组合。
在所述的制备方法中,所述衬底为硅片、二氧化硅片、石英玻璃中的一种或它们的组合。
在所述的制备方法中,所述磁场强度为0.01~1T。
在所述的制备方法中,所述含碳气体为甲烷、乙烷、乙炔、乙醇中的一种或它们的组合。
在所述的制备方法中,所述保护气体为氢气、氮气、氩气中的一种或它们的组合。
与现有技术相比,本发明的石墨烯的制备方法,是利用催化剂在磁场控制下结合化学气相沉积来制备石墨烯,产出的石墨烯均垂直于衬底,且一致性较好、均匀高。该制备方法同时具有设备简单,操作简易可行,易于实现自动化及工业化生产的优势。
附图说明
图1是本发明实施例1的石墨烯SEM图。
具体实施方式
以下结合附图与实施例,对本发明予以进一步地详尽阐述。
本发明利用磁性催化剂在磁场下制备石墨烯,制备方法概述如下:将磁性催化剂放置于硅或二氧化硅等衬底上,并将衬底放置在化学气相沉积设备里,密封。在衬底垂直方向施加磁场,通保护性气体一定时间,排走反应室的氧气后开始对衬底加热,但温度不能超过磁性催化剂的居里温度,以保持磁性催化剂不会发生磁性转变。加热到一定温度后开始通入含碳气体,并保持一定的时间。待反应结束后,停止加热,关闭含碳气体,在保护气体下冷却至室温后关闭所有气体,在衬底表面便得垂直生长的石墨烯。用弱酸对产物进行清洗,可去除催化剂,得到纯净的石墨烯。
具体操作流程如下:a) 将磁性催化剂放置于衬底上,并将附有催化剂的衬底放置于化学气相沉积设备里密封;b) 在衬底的垂直方向上施加磁场,通保护性气体50~200sccm,保持10~30分钟,排走反应室的氧气后开始对衬底加热;c) 对底加热到低于所述磁性催化剂的居里温度时,开始通入含碳气体100~1000sccm,并保持30~300分钟的时间,使衬底开始生长垂直石墨烯;d) 待反应结束后,停止加热,关闭含碳气体,在保护气体下冷却至室温后关闭所有气体,在衬底表面得到垂直生长的石墨烯。e) 用浓度为0.01~1 mol/L的弱酸对在所述衬底表面得到垂直生长的石墨烯进行清洗,去除催化剂,得到纯净的垂直石墨烯。
对本发明的石墨烯的制备方法,在具体参数条件下的操作流程,如实施例1中所述。
实施例1:1、将铁粉放置于硅片上,并将附有铁粉的硅片放置在化学气相沉积设备里,密封;2、在衬底垂直方向施加磁场,磁场强度为0.01T,通入50sccm的氩气30分钟,排走反应室的氧气后开始对衬底加热;3、加热到700℃(该温度低于铁粉的居里温度)后,开始通入100sccm的甲烷,并保持30分钟的时间,生长垂直石墨烯;4、待反应结束后,停止加热,关闭甲烷,在氩气保护下冷却至室温后关闭所有气体,在衬底表面便得垂直生长的石墨烯;5、用浓度为1mol/L的盐酸对产物进行清洗,可去除铁粉,得到纯净的垂直石墨烯。
图1是本发明实施例1的石墨烯SEM图,从图中可以看出,石墨烯高度均匀,约为800nm,厚度约为1~10nm,基本垂直于基底,整齐排列,有良好的场发射性能。
实施例2~8:下表1中分别列出了实施例2~8的石墨烯的制备过程中不同反应条件,在对石墨烯的制备上,实施例2~8重复实施例1中的操作,但用不同反应条件代替实施例1,具体操作条件参照表1。
需要说明的是,在制备过程中,对衬底垂直方向施加磁场,磁性催化剂会在磁场的作用下垂直于衬底,平行于磁场线直立起来以便得到垂直于衬底(垂直阵列)的石墨烯,此种石墨烯可应用于场发射器件、微过滤膜等众多方面。
本发明的石墨烯的制备方法,利用催化剂在磁场控制下结合化学气相沉积来制备石墨烯,产出的石墨烯均垂直于衬底,且一致性较好、均匀高。该制备方法同时具有设备简单,操作简易可行,易于实现自动化及工业化生产的优势。
上述内容,仅为本发明的较佳实施例,并非用于限制本发明的实施方案,本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神,可以十分方便地进行相应的变通或修改,故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种石墨烯的制备方法,该制备方法包括如下步骤:
a) 将磁性催化剂放置于衬底上,并将附有所述催化剂的所述衬底放置于化学气相沉积设备里密封;
b) 在所述衬底的垂直方向上施加磁场,通保护性气体50~200sccm,保持10~30分钟,排走反应室的氧气后开始对所述衬底加热;
c) 对所述衬底加热到低于所述磁性催化剂的居里温度时,开始通入含碳气体100~1000sccm,并保持30~300分钟的时间,使所述衬底开始生长垂直石墨烯;
d) 待反应结束后,停止加热,关闭含碳气体,在保护气体下冷却至室温后关闭所有气体,在所述衬底表面得到垂直阵列的石墨烯。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括步骤e):用浓度为0.01~1mol/L的弱酸对在所述衬底表面得到的垂直阵列石墨烯进行清洗,去除催化剂,得到纯净的垂直阵列石墨烯。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述弱酸为盐酸、硫酸、硝酸中的一种或它们的组合。
4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述磁性催化剂为铁粉、钴粉中的一种或它们的组合。
5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述衬底为硅片、二氧化硅片、石英玻璃中的一种或它们的组合。
6.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述磁场强度为0.01~1T。
7.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述含碳气体为甲烷、乙烷、乙炔、乙醇中的一种或它们的组合。
8.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述保护气体为氢气、氮气、氩气中的一种或它们的组合。
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