CN103415933A - 用于安装光学元件的结构和基板以及提供它的方法和器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的方法包括生成包括安装部分的基板表面形貌，其中安装部分比界定出安装部分周边的缓冲部分更高。

Description

用于安装光学元件的结构和基板以及提供它的方法和器件
技术领域
本发明涉及半导体器件的涂层。具体地，本发明涉及向安装在基板上的光学元件施加光学材料。在特定的实施例中，本发明涉及在向基于半导体的发光器件例如基于发光二极管的器件中的光学元件施加光学涂层例如荧光体和/或其他颗粒物时结合使用的基板。在另一些实施例中，本发明涉及用荧光体和/或其他颗粒物喷涂光学元件。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转化为光的半导体器件。无机LED通常包括在两个相对的掺杂层之间形成的半导体材料有源层。在跨越有源区域施加偏置电压时，空穴和/或电子被注入有源区域内。空穴和电子在有源区域内复合以产生能够从LED发出的光。有源区域可以包括单异质结和/或双异质结、量子阱或具有对应势垒层的多种量子阱结构并且可以包括其他层。器件的结构及其构成材料决定了由器件发出的光的强度和波长。近来在LED技术方面的进步已经得到了超过白炽光源和卤素光源效率的高效固态光源，相对于输入功率提供具有同等或更高亮度的照明。
常规LED发出窄带宽的基本为单色的光。但是，我们希望利用固态光源发出多色光例如白光。一种由常规LED生成白光的方法是组合来自不同LED的不同波长的光。例如，通过组合来自红色、绿色和蓝色发光LED的光或者组合来自蓝色和琥珀色LED的光即可生成白光。但是，这种方法需要使用多个LED来生成单一颜色的光，这可能会潜在地增加整体成本、尺寸、复杂性和/或由此类器件产生的热量。另外，不同颜色的光也可以从不同类型的由不同材料系统制成的LED发出。组合不同的LED类型以构成白灯可能需要成本高昂的制造技术并且可能需要复杂的控制电路，原因在于每一个器件都可能具有不同的电气要求和/或可能在变化的工作条件(例如温度、电流或时间)下表现不同。
已经通过用黄色荧光体例如掺铈钇铝石榴石(Ce:YAG)包围LED而将来自蓝色发光LED的光转化为白光。荧光体材料吸收并“降频转换”由LED发出的部分蓝光。也就是说，荧光体材料响应于吸收蓝光而发光例如发出黄光。因此，由LED发出的部分蓝光即被转化为黄光。但是，来自LED的部分蓝光会无改变地穿过荧光体。整体的LED/荧光体结构发出蓝光和黄光，这两种光组合起来以提供被感知为白光的光。
已经通过在LED上散布大量包含荧光体的封装材料(例如环氧树脂或硅树脂)覆盖LED而将LED与荧光层组合。但是在这些方法中可能难以控制荧光层的几何形状和/或厚度。因此，以不同角度从LED发出的光可能会穿过不同数量的转换材料，这就会导致LED具有作为视角函数而非均匀的色温。因为几何形状和厚度难以控制，所以还可能难以稳定地重复生产具有相同或类似发光特性的LED。
另一种用于LED的涂覆方法采用了液滴沉积，其中使用了类似于喷墨印刷装置中的系统。从打印头喷射包含荧光体的材料液滴。响应于通过热气泡和/或通过压电晶体振动在打印头内产生的压力而从打印头上的喷嘴喷射包含荧光体的液滴。
施加荧光体和/或其他光学材料的常规方法存在的问题可能包括增加了成本、复杂性、结块、滴液、沉淀、分层和/或分离，这可能会导致降低了由此施加的光学材料的一致性和/或均匀性。
发明内容
本发明的某些实施例包括用于安装半导体器件的基板。例如，基板可以包括在位于第一高度的第一平面内具有第一形状的安装面。安装面可以被设置用于接纳至少一个半导体器件，其中包括基本类似于第一形状的第二形状并且包括比第一平面内的第一形状更大的区域。某些实施例提供了设置用于跟第二平面相交的缓冲（relief）面，第二平面基本平行于第一平面并且位于比第一高度更低的第二高度。缓冲面可以被设置为连续地邻接安装面的周边。
在某些实施例中，缓冲面包括在基板内围绕安装面形成的沟槽。某些实施例规定在安装至安装面时半导体器件被设置为跟一部分缓冲面重叠。在某些实施例中，沟槽包括至少约100μm的宽度和至少约25μm的深度。某些实施例规定安装面包括基板上的基座。
某些实施例包括第三表面，第三表面邻接缓冲面并且包括比第一高度更高的第二高度。在某些实施例中，第三表面包括被设置用于接收从至少一个半导体器件的侧面发出的光并且将接收的光沿基本垂直于安装面的至少一个方向反射的反射面。某些实施例规定第三表面相对于第一平面形成斜角。
本发明的某些实施例包括发光结构。根据某些实施例，发光结构可以包括其中包含有源区域的半导体发光二极管(LED)。结构可以包括具有第一侧面的基板，其中包括被设置用于支撑LED的安装面。第一侧面可以包括邻接安装面的周边并且相对于安装面的平面以一定深度从安装面内凹以围绕安装面的周边形成空腔的缓冲面。
在某些实施例中，LED沿安装面的周边伸出安装面直到高于一部分空腔的位置。某些实施例规定在LED上形成封装剂。封装剂可以包括跟未固化封装剂的弯月面相对应的固化形状。在某些实施例中，封装剂包括多种光转换颗粒。某些实施例规定封装剂伸入空腔内且不接触基板的第一表面。在某些实施例中，封装剂包括低于LED安装面高度的部分。某些实施例规定封装剂并不接触缓冲面。在某些实施例中，封装剂包括多种光转换颗粒。某些实施例规定光转换材料包括荧光体颗粒。
某些实施例包括直接位于LED上的保形层。保形层可以包括沿安装面周边位于一部分空腔上的边缘。某些实施例规定LED包括第一热膨胀系数并且保形层包括大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。空腔可以被设置用于提供对应于保形层热膨胀的缓冲。在某些实施例中，保形层包括荧光体颗粒和粘合材料。
某些实施例规定安装面相对于第一侧面的其他部分包括基座。在某些实施例中，缓冲面包括设置在第一侧面上的沟槽。
某些实施例包括空腔内的第一材料以及在LED上形成并接合第一材料的第二材料。第一材料可以包括第一弹性模量并且第二材料可以包括大于第一弹性模量的第二弹性模量。在某些实施例中，第一材料包括跟第二材料的热膨胀系数不同的热膨胀系数。某些实施例规定第二材料的热膨胀系数大于第一材料的热膨胀系数。在某些实施例中，第一材料在第二材料之前施加并且第二材料被形成在LED的底面上，LED伸出安装面直到高于一部分空腔的位置。
本发明的某些实施例包括多种方法，所述方法包括生成包括安装部分的基板表面形貌，其中安装部分比界定出安装部分周边的缓冲部分更高。某些实施例规定基板表面形貌可以通过给跟界定出安装部分周边的缓冲部分相对应的基板开槽而生成。在某些实施例中，基板可以被蚀刻以形成对应于缓冲部分的沟槽。某些实施例规定通过跟围绕安装面周边的空腔的深度相比包括不同深度的部分来中断沟槽。某些实施例规定可以使用至少一层安装面材料在基板上构建安装部分。
某些实施例包括将半导体发光二极管(LED)以伸出安装部分周边的位置定位在安装部分上。LED可以被定位在安装部分的第一表面上并且封装剂可以被形成在LED上。封装剂可以形成伸出安装部分且不接触安装部分第一表面的弯月面。某些实施例规定封装剂包括多种光转换颗粒。在某些实施例中，封装剂伸入对应于缓冲部分的空腔内。
某些实施例规定封装剂通过在LED顶面上以小液滴分配一定流体量的封装剂而形成。LED可以在分配封装剂之前相对于封装剂进行加热。加热LED可以在向LED施加封装剂时降低其粘度。
在将LED定位在安装部分上之前，可以向LED的顶面施加保形涂层。保形涂层的边缘在安装LED时可以被定位在跟缓冲部分相对应的一部分空腔上。某些实施例规定施加保形涂层包括向晶片上的多个LED施加保形涂层并随后在将LED定位到安装部分上之前分离LED。
某些实施例包括在跟缓冲部分相对应的空腔内施加包括第一弹性模量的第一材料以及施加在LED上形成并接合第一材料的第二材料。第二材料包括可以大于第一弹性模量的第二弹性模量。在某些实施例中，第一材料包括第一热膨胀系数并且第二材料包括大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。第一材料可以在施加第二材料之前施加，并且第一材料可以位于伸出安装面的LED底面以下的空间内。
某些实施例包括在晶片上生成基板表面形貌，晶片包括多个安装部分，所述安装部分比界定出其中一个安装部分相应周边的多个缓冲部分更高。某些实施例包括将多个发光二极管(LED)中的个体定位在安装部分的个体上。在某些实施例中，LED中的个体可以基于LED个体的相对发光特性来定位。
本发明的某些实施例包括发光结构，其中包括半导体发光二极管(LED)，所述半导体发光二极管包括第一表面以及跟第一表面实质相反的第二表面。封装剂被形成在LED的第一表面上并且包括低于LED第二表面高度的部分。
在某些实施例中，第一表面包括发光面并且其中第二表面包括所处高度低于发光面高度的安装面。某些实施例规定封装剂包括多种光转换颗粒。在某些实施例中，至少一种光转换材料包括荧光体颗粒。
某些实施例规定封装剂包括直接位于LED上的保形层以及从LED周边伸出的凸缘。某些实施例包括安装结构，其中包括围绕安装面的空腔。在某些实施例中，LED具有第一热膨胀系数并且封装剂具有大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。空腔被设置用于提供对应于保形层热膨胀的缓冲。
某些实施例规定封装剂包括荧光体颗粒和粘合材料。
附图说明
包括在本申请内以提供对本发明的进一步理解且并入本申请和构成本申请一部分的附图示出了本发明的某些实施例。
图1A和图1B分别是示意性顶视截面图和侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板。
图2A和图2B分别是示意性顶视截面图和侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板。
图3是示意性侧视截面图，示出了安装在常规基板上的封装半导体器件。
图4是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件。
图5A和图5B是根据本发明的某些实施例得到的基板上已封装半导体器件的示意性侧视截面图，其中包括不同的封装剂弯月形轮廓。
图6是根据本发明的某些实施例得到的用于分配封装剂材料以供封装发光器件使用的系统示意图。
图7是根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板的示意性顶视图。
图8是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件的透视图。
图9是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件的顶视图。
图10是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了包括多块基板的晶片以及安装在其上的封装半导体器件的顶视图。
图11是示意性顶视图，根据本发明的某些实施例示出了包括多块基板的晶片的顶视图。
图12是示意性顶视图，根据本发明的某些实施例示出了包括多块基板的晶片的顶视图。
图13是示意性侧视截面图，示出了安装在无缓冲部分的基板上的带有保形涂层的半导体器件。
图14是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的带有保形涂层的半导体器件。
图15是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的带有保形涂层的半导体器件。
图16是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的带有保形涂层的半导体器件。
图17是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。
图18是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。
图19是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。
图20A和图20B是截面图，根据本发明的某些实施例示出了包括离散荧光体承载区域的发光二极管结构的切割。
图21A-21C是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在不同的相应基板上的带有保形涂层的半导体器件。
具体实施方式
现参照示出了本发明实施例的附图在下文中更加完整地介绍本发明的实施例。但是，本发明可以用多种不同的形式实施并且不应被解读为受限于本文中所述的实施例。相反地，提供这些实施例是为了使本公开详尽且完整，并且能够向本领域技术人员完整地表达本发明的保护范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
本发明的某些实施例涉及向安装在基板上的光学元件施加光学材料。光学元件可以包括半导体发光器件。
本文中介绍本发明用于封装半导体发光器件的各种实施例。如本文所用的术语半导体发光器件可以包括发光二极管、激光二极管和/或包含一个或多个半导体层的其他半导体器件，所述半导体层可以包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其他的半导体材料，基板可以包括蓝宝石、硅、碳化硅和/或其他的微电子基板，还有一个或多个接触层可以包括金属和/或其他的导电层。在某些实施例中可以提供紫外线、蓝光和/或绿光的发光二极管。也可以提供红色和/或琥珀色的LED。半导体发光器件的设计和制造对于本领域技术人员是公知的，因此无需在本文中详细介绍。
例如，半导体发光器件可以是例如由北卡罗来纳州Durham市的Cree公司生产和销售的那些基于氮化镓的LED或者装配在碳化硅基板上的激光器。本发明可以适用于例如在美国专利US6201262、US6187606、US6120600、US5912477、US5739554、US5631190、US5604135、US5523589、US5416342、US5393993、US5338944、US5210051、US5027168、US5027168、US4966862和/或US4918497中介绍的LED和/或激光器，通过就像全部在本文中阐述那样引用上述专利的公开内容而将其并入本文。其他适合的LED和/或激光器在2003年1月9日公开的公开号为US2003/0006418A1且发明名称为“Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With aQuantum Well and Superlattice,Group III Nitride Based QuantumWell Structures and Group III Nitride Based SuperlatticeStructures”的美国专利申请以及公开号为US2002/0123164A1且发明名称为“Light Emitting Diodes Including Modifications for LightExtraction and Manufacturing Methods Therefor”的美国专利申请中有所介绍。而且例如在公开号为US2004/0056260A1且发明名称为“Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including TaperedSidewalls and Fabrication Methods Therefor”的美国专利申请中介绍的涂有荧光体的LED也可以适用于本发明的实施例，通过就像全部在本文中阐述那样引用上述专利申请的公开内容而将其并入本文。LED和/或激光器可以被设置用于工作以使发光通过基板来进行。在这样的实施例中，基板可以被图案化从而增强器件的光输出，就像例如在上述的公开号为US2002/0123164A1的美国专利申请中介绍的那样。而且，本发明可以适用于例如在美国专利US7326583、US7442564、US7521728和US7646035中介绍的那些发光器件及其所用方法，通过就像全部在本文中阐述那样引用上述专利的公开内容而将其并入本文。
光学材料可以包括波长转换材料、荧光材料、散射颗粒和/或滤光器等。如本文中所述的颗粒可以包括小直径和/或大直径的颗粒物。例如，某些实施例规定小颗粒可以是约5微米或更小平均直径的颗粒尺寸并且可以包括纳米粒子。大直径颗粒可以包括约15微米或更大例如17微米或更大的平均直径尺寸。
颗粒例如荧光体颗粒可以包含和/或悬浮在能够沉积到LED芯片上的封装剂中。在某些实施例中，封装剂作为液滴或小液滴沉积到LED芯片上，固化为跟小液滴沉积到LED上时形成的弯月面相对应的形状。如果在固化之前小液滴的弯月面破裂，那么荧光体相对于LED发光图案的位置就可能会不稳定，这可以导致发光性能方面不合需要的偏差。在加至安装在常规基板上的LED时，弯月面可能会下沉并且在某些情况下触及或“吻合”基板，这可能会导致弯月面破裂。如本文中所述，围绕安装部分包括缓冲部分的基板可以允许小液滴即使在发生下沉时也能保持弯月面。
沉积在LED上的封装剂/荧光体颗粒的数量可以影响器件的发光性能。在这方面，以可重复的方式沉积小液滴即可提供稳定的发光性能。因此，本文中的某些实施例规定在沉积操作之前先加热封装剂以用于降低封装剂的粘度，这样就提高了小液滴从分配器分离的可重复性。但是，粘度的下降可以降低弯月面的强度，这可能会导致比较高粘度流体中更大的下沉。
现参照图1A和图1B进行说明，它们分别是示意性顶视截面图和侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板。如本文中所用的基板可以是子基板并且可以包括上表面102A和下表面102B。子基板可以包括印刷电路板(PCB)、铝块、氧化铝、氮化铝或硅片或者任意其他合适的基板材料。另外，某些实施例规定子基板包括形成在上表面102A上的多种图案化金属特征(在此未示出)。图案化的金属特征可以包括例如管芯附接焊盘、接线焊盘和/或电极等。
上表面102A上的导电特征可以利用例如电镀工艺形成。电镀工艺可以被用于在基板上电镀较薄或较厚的金属膜。在典型的电镀工艺中，钛粘附层和铜晶种被相继喷镀到基板上。然后，一定厚度的铜可以被电镀到铜晶种上。由此，电镀工艺即可被用于形成具有特征性结构的金属膜。沉积的金属膜可以利用标准的光刻工艺图案化以在基板上制作出具有所需图案的金属膜。可选地，粘附层和晶种可以利用例如金属掩模涂镀以形成所需的图案。电镀工艺也可以被用于形成穿过子基板100的导电金属通孔。
基板100包括被设置用于接纳至少一个半导体器件的安装面110。某些实施例规定安装面110包括跟半导体器件的形状基本类似的形状。例如用于包括基本为正方形或矩形面积的半导体的基板100可以包括具有对应于半导体器件的基本为正方形或矩形形状的安装面110。在某些实施例中，安装面110可以被形成为小于半导体器件以使一部分半导体器件从安装面110伸出。如图1B所示，安装面110可以跟上表面102A处于同一平面内，不过实施例并非受限于此。
基板100包括围绕安装面110的周边设置的缓冲面120。如图1B所示，缓冲面120低于安装面110并且可以被形成为基板100的上表面102A内的沟槽。缓冲面120可以用这种方式在围绕安装面110的沟槽内界定出空腔。
现参照图2A和图2B进行简要说明，它们分别是示意性顶视截面图和侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板100。某些实施例规定安装面110被设置为高出缓冲面120的基座。基座可以通过在基板100上选择性增加和/或形成一层或多层和/或通过去除基板100上对应于缓冲部分120的部分来构建。
现参照图3进行说明，这是示意性侧视截面图，示出了安装在常规基板上的封装半导体器件。基板50包括上表面52A以及跟上表面52A相反的下表面52B。上表面52A上的安装面54被设置用于支撑半导体器件。如本文中公开的半导体器件可包括LED10等。尽管本文中并未示出，但金属化层可以设置在LED10和安装面54之间。
封装剂的液滴也就是如上所述的小液滴60A-C可以被沉积到LED10上。如上所述，封装剂可以包括光学材料例如波长转换材料、荧光材料、散射颗粒和/或滤光器等。例如，荧光体颗粒可以包含和/或悬浮在封装剂中，可操作用于将从LED发射出的一部分光转化为具有不同波长的光。在沉积时，固化小液滴60A的初始形状可以不接触基板50并且所述形状可以对应于完整的弯月面。但是多种因素均可导致小液滴60B接触到基板50。例如降低的粘度可以导致较弱的弯月面并允许小液滴60B沿LED10的侧面和/或边缘下沉或滑落。另外，如果基板50的安装面54不与重力的方向平齐或垂直，那么小液滴60B的一侧也可能会下沉或下移从而接触到基板50。
一旦小液滴60B接触到基板50，那么由此形成的弯月面就可能会破裂，造成散布在基板50的上表面52A上的小液滴60C。一旦弯月面破裂，封装剂内的一部分光学材料相对于从LED射出的光就不再可用，并且总体发光性能就会因此而改变和/或有所损失。例如，如果光学材料是荧光体，那就只有较少的荧光体颗粒可以被设置用于接收并转化来自LED的光，这样可能会改变从器件发出的组合光的感知色。
现参照图4进行说明，这是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件。如以上关于图1A-2B所述的那样，基板100包括围绕安装面110的周边设置的缓冲面120。由于缓冲面120低于安装面110，因此如果封装剂的小液滴130移动或下沉到LED10的底部，那么安装面110的基座周围的空间就允许弯月面在跟基板100接触之后得以保持而不是破裂。
现参照图5A和图5B进行简要说明，它们是根据本发明的某些实施例得到的基板上已封装半导体器件的示意性侧视截面图，其中包括不同的封装剂弯月形轮廓。某些实施例规定图5A和图5B中的缓冲面120可以是围绕在支撑LED10的安装面110周围的沟槽。如图5B所示，小液滴130可以通过跟缓冲面120相对应的空腔122实现不接触基板100的明显下沉。
在某些实施例中，安装面110可以被形成为使得LED10的占地面积大于安装面110。在这方面，当安装至基板100时，LED10可以覆盖一部分缓冲面120。尽管没有示出，但是LED10的底部边缘可以包括边缘处理例如倒角等。
基板100的示范性实施例规定基座的高度(或沟槽的深度)可以介于15μm到100μm之间、20μm到50μm之间或者20μm到30μm之间的范围内。例如，在某些实施例中，安装面110和缓冲面120之间的高度差可以是约25μm。
基板100的示范性实施例规定沟槽(缓冲面120)的宽度可以介于50μm到200μm之间、70μm到150μm之间或者80μm到120μm之间的范围内。例如，在某些实施例中，对应于缓冲面120的沟槽宽度可以是约100μm。
现参照图6进行说明，这是根据本发明的某些实施例得到的用于分配封装材料以供封装发光器件使用的系统示意图。系统400包括机架402，机架可以连接至被设置用于可控地将机架402沿X,Y和Z轴移动的关节臂(未示出)。针阀安装元件404被安装在机架402上，并且封装剂供应管线406被耦合至针阀安装元件404以用于向安装在针阀安装元件404上的中空分配针阀408提供一定量的封装剂材料。在某些实施例中，加热器412可以被设置用于加热LED10以降低封装剂的粘度从而在向LED10上分配封装剂130时调节其分离特性。某些实施例规定加热器412包括导热的加热面，在分配封装剂之前通过加热面将热量由基板100传输至LED10。在某些实施例中，加热器412可以使用传热介质例如加热空气和/或气体以向LED10传输热量。加热器412的实施例可以包括电阻性和/或传导性和/或涉及燃烧的发热元件。在某些实施例中，当封装剂约为20摄氏度时，LED10可以被加热至从约25摄氏度到约40摄氏度的温度范围。某些实施例规定当封装剂约为20摄氏度时，上述温度范围可以是从约30摄氏度到约35摄氏度。在某些实施例中，当封装剂约为20摄氏度时，LED10的温度可以是至少约33摄氏度。
封装剂130的液珠可以在分配针阀408的尖端形成。如上所述，封装剂130的液珠可以通过使封装剂130接触到基板100和/或LED芯片10的表面而被分配到基板10和/或LED芯片10上。用于分配的材料的粘度、数量和/或其他性质可以被选择为使得能够流通过沉积封装剂130的弯月面而形成小液滴。
现参照图7进行说明，这是根据本发明的某些实施例示出了用于安装半导体器件的基板的示意性顶视图。基板100包括被缓冲部分120围绕的安装部分110。基板可以进一步包括一个或多个金属化表面124以及可以形成在其中的一条或多条分离通道126。
现参照图8进行简要说明，该图是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件的透视图。半导体器件包括基板100和安装在其上的LED10。封装剂130的小液滴在LED10上形成并且基本保持施加封装剂时的弯月面形状。还示出了从LED10的一侧延伸至LED10另一侧的分离通道126。
现参照图9进行简要说明，该图是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的封装半导体器件的局部顶视图。基板100包括被安置的LED10遮挡的安装部分以及围绕安装部分周边的缓冲部分120。要注意的是LED10可以伸出安装部分以局部地覆盖对应于缓冲部分120的空腔。封装剂130被形成在LED10上并且基本保持施加封装剂时的弯月面形状。还示出了从LED10下方伸出的分离通道126。
现参照图10进行简要说明，该图是放大的照片，根据本发明的某些实施例示出了包括多个区域(每一个区域都是基板)的晶片以及安装在其上的封装半导体器件的顶视图。某些实施例规定多个区域被设置在晶片150上以跟多块基板100相对应。多块基板100中的每一块都可以包括安装部分和围绕安装部分周边的缓冲部分。如照片所示，LED和对应封装都形成在跟多块基板100相对应的每一个区域。
在某些实施例中，LED可以根据预先决定的发光特性设置在相应的基板100上。某些实施例规定LED根据发光特性例如色温、色品和/或亮度等被分入不同的分组和/或类别（bin）。在这方面，晶片150的不同区域可以被定义为使得对应于特定分组和/或类别的LED可以被放置在特定的区域。例如，LED在晶片150上的位置可以根据LED的发光特性来映射。一旦LED根据发光特性来映射，那么沉积在LED上的封装剂含量即可与之相应地有所改变。例如，根据LED特定分组的发光特性，可以施加包括不同类型和/或数量荧光体的封装剂以适应组间差异。用这种方式，各组LED发光特性的整体一致性的提高就能够有所改善。
现参照图11和图12进行简要说明，它们是示意性顶视图，根据本发明的某些实施例示出了包括多块基板的晶片的顶视图。参照图11，晶片150可以包括多个安装部分110，它们比围绕安装部分110的缓冲部分120更高。换句话说，图11示出的晶片包括被设置为基座的多个安装部分。因此，非基座部分就可以是缓冲部分120。相比之下，参照图12，晶片150可以包括多个安装部分110，每一个安装部分都可以被缓冲部分120围绕。如图所示，缓冲部分120可以被形成为晶片150表面内的沟槽或凹陷。各块基板可以在其上安装LED之前或之后分离。
现参照图13进行说明，这是示意性侧视截面图，示出了安装在无缓冲部分的基板上的带有保形涂层的半导体器件。例如，半导体器件可以包括LED10。包括例如光学材料的保形涂层70可以被加至LED10。保形涂层70可以在批量操作中利用接触涂层和/或喷涂方法等被加至大量的LED10。例如，包含光学材料的载液可以被传输至喷嘴。载液通过喷嘴喷涂到LED上。具体地，通过高压气源管线提供给喷嘴的加压气体可以雾化载液并将光学材料引向要在此保形沉积光学材料的光学元件。
大量的LED10可以按照用于批量涂覆的高密度设置方式设置在薄框架内。LED10可以被设置为拣选的（sorted）管芯板，其中具有类似发光特性的个体LED10以紧密封装阵列设置在一起。
一旦保形涂层70固化，这一批LED10即可被分离以供单独使用。一旦分离，带有保形涂层的LED10可以包括从LED基极伸出并且其底面可以跟LED10的底面基本共面的保形涂层边缘71。当带有保形涂层的LED10被安装至常规基板并投入使用时，由LED10产生的热能即可被传导性地传输至保形涂层。由于保形涂层70可以具有比LED10更高的热膨胀系数，因此保形涂层70的边缘部分71就可以向基板50施加向下的压力，促使LED10升高并且跟基板50部分或者完全分离。这样的分离可以导致功能性器件的低产量。
一种或多种焊接连接(未示出)均可将LED10接至基板50。如果焊接连接的面积由于LED10和基板50之间的分离而减小，那么就会导致开路和/或高电阻状态。在高电阻状态的情况下，电流密度可能会不利地增加。在某些情况下，焊接和/或粘接操作时产生的热量可以将保形涂层加热到足以在焊料固化之前就促使LED10从基板50上升。
现参照图14和图15进行说明，它们均是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在各自不同基板上的带有保形涂层的半导体器件。如以上参照图13所述的那样，保形涂层170可以被加至LED10。参照图14，带有保形涂层的LED10可以被装至基板100的安装部分110。缓冲部分120可以围绕安装部分110。安装部分110和缓冲部分120可以被形成为使得LED10可以覆盖一部分缓冲部分120。因此，保形涂层170的边缘部分171可以位于基板100的缓冲部分120上方并由此不跟基板100接触。
尽管安装部分110可以被形成为基板100顶面上的基座，图15示出了缓冲部分120可以被设置为围绕安装部分110的沟槽。为此，边缘部分171可以位于由沟槽界定出的空腔122上方。
无论实施为基座还是沟槽，安装部分110和缓冲部分120都提供成保形涂层170的边缘部分171不能跟基板100直接接触。为此，如果保形涂层170由于热条件或其他条件而经历结构和/或尺寸变形，那么就可以避免倾向于使LED10跟基板100分离的作用力。某些实施例规定空腔122可以利用具有比保形涂层170更低弹性模量的材料部分和/或全部填充。例如，在空腔122内可以设置更有挠性、更有韧性和/或可压缩的材料。
现参照图16进行说明，这是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在基板上的带有保形涂层的半导体器件。如上所述，半导体器件可以包括LED10，但是本发明并不受限于此。填充材料184可以被设置在由基板100的缓冲部分120内的沟槽界定出的空腔122内。LED10可以装至基板100。一旦LED10被装至基板100并且填充材料184位于空腔内，就可以向其上施加保形涂层180。如本文中所述的那样，保形涂层180可以包括可操作用于修改从LED10接收的光的放射特性的光学材料。
通过在施加保形涂层180之前用填充材料184填充空腔122，就可以避免将保形涂层180填入空腔122并且更具体地避免其进入LED10的底面12下方。为此即可避免基于保形涂层180的膨胀而加至LED10的向上的作用力。
某些实施例规定填充材料184可以是跟保形涂层180和/或LED10相比具有较低弹性模量和/或较低热膨胀系数的材料。例如，填充材料184可以是相对于LED和/或保形涂层180而言更有挠性、更有韧性和/或可压缩的材料。例如，填充材料184可以被用于阻止保形涂层180进入LED10下方。填充材料可以包括硅胶和/或聚合物，包括例如可以用作焊料掩模的光致可成像聚合物。也可以使用其他这样的包括低热膨胀系数和/或低弹性模量的材料。
现参照图17进行说明，这是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。操作可以包括生成包括安装部分和缓冲部分的基板表面形貌(模块210)。安装部分可以高于缓冲部分。例如，缓冲部分可以基本上界定安装部分的周边。某些实施例规定基板表面形貌通过在基板内设置对应于缓冲部分的沟槽而生成。沟槽可以基本界定出安装部分的周边。沟槽可以通过用蚀刻、切割和/或研磨等手段去除基板材料而形成。某些实施例规定沟槽可以通过在基板的非沟槽部分上堆积某种材料图案来界定。例如，基板上的安装部分可以利用一层或多层安装面材料来堆积。
操作可以包括将半导体发光二极管(LED)以覆盖缓冲部分的位置定位在安装部分上(模块212)。例如，LED的底部边缘可以伸出安装部分的周边以覆盖一部分缓冲部分。在这方面，一旦LED在基板的安装部分上就位，安装部分的顶面就被LED完全覆盖。
封装剂可以在装至基板的LED上形成(模块214)。如本文中所述，封装剂可以包括多种类型和/或数量的光转换颗粒。封装剂可以形成伸出安装部分但不接触由LED覆盖的安装部分顶面的弯月面。形成封装剂可以包括在LED顶面上以小液滴分配一定流体量的封装剂。
邻接安装部分的缓冲部分可以界定出允许弯月面保持不被基板触及的空腔。用这种方式，弯月面的作用力就不会通过跟基板接触而被破坏并且封装剂可以保持弯月面的形状。如果没有缓冲部分，那么弯月面可能会以其他方式接触基板表面并且在基板上散开超出LED，这样就会导致均匀性下降和/或增加跟不从LED接收光放射的封装材料相关联的材料成本。
某些实施例规定弯月面可以在封装剂固化之前下沉。在此，封装剂可以伸入对应于缓冲部分的空腔内。这种效果可以由于封装剂的粘度增加而更加明显。但是，封装剂粘度的增加可以在封装剂的分离特性方面提供更大的均匀性，这就会导致跟分配的封装剂数量相关的均匀性的对应增加。为此，封装剂可以在分配到LED上之前先进行加热(模块216)。封装剂粘度的增加可以弱化提供弯月面的粘合力，导致弯月面更加脆弱。因此，提供允许弯月面底部区域不被基板触及的缓冲部分就可以允许弯月面保持完整。
尽管并未示出，但是LED的尺寸性质可以小于安装部分的尺寸性质并因此不会超过缓冲部分。因此安装面可用作弯月面控制特征。
现参照图18进行说明，这是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。操作可包括生成包括安装部分和缓冲部分的基板表面形貌(模块220)。以上已经详细介绍了对应于生成基板表面形貌的操作，并且因此不再提供跟以上说明内容相重复的介绍。
操作可以包括向LED的顶面施加保形涂层(模块222)。某些实施例规定保形涂层可以加至晶片上的多个LED和/或设置为阵列例如拣选的管芯阵列的多个LED。例如，LED晶片可以包括确定发光二极管结构的多个薄外延层。外延层由基板支撑，其中可以包括生长基板和/或承载基板。LED晶片的外延区域可以通过例如台面和/或植入物隔离而被分为多个离散的器件区域。在某些实施例中，LED晶片内可能已经形成有切割道(也就是利用切割机来切割晶片的线性区域)和/或位置线。LED晶片上可以形成有多个电接触。
例如，参照图20A和图20B进行简要说明，它们是截面图，根据本发明的某些实施例示出了包括离散荧光体承载区域的发光二极管结构的切割。如图中所示，晶片350包括其上的多个发光器件360。晶片350可以是发光器件在其上生长的生长晶片和/或可以是在其上安装发光器件的承载晶片。发光器件360包括其上的多个离散的含荧光体区域，这些区域由发光器件360上的阴影层370示意性地示出。发光器件360之间可以对应于切割道的区域390不能包括离散的含荧光体区域370。例如，参照对图11B进行的简要说明，其中示出了晶片350可以被切割以提供其上包含离散的含荧光体区域370的个体发光二极管395。
电接触上可以形成有牺牲性图案。牺牲性图案可以包括例如可溶聚合物和/或玻璃等材料，可以利用常规的光刻技术施加和图案化这些材料。牺牲性图案可以跟下面的电接触对齐。可选地，牺牲性图案可以仅覆盖一部分电接触而露出其余部分的电接触。在某些实施例中，牺牲性图案可以比电接触更宽，以使LED晶片邻接电接触的表面部分也被牺牲性图案所覆盖。
根据某些实施例，保形涂层包括可以喷涂到LED上的光学材料。某些实施例规定保形涂层利用例如浇注、浸渍、滚涂、刷涂和/或压印等应用技术来施加。光学材料可以包括悬浮在包含挥发性溶剂的溶液中的波长转换颗粒和粘合材料。某些实施例规定挥发性液体通过例如热能来蒸发。某些实施例规定溶液包括例如可以通过热能来固化的非挥发性液体。
在LED彼此分离后(模块226)，操作可以包括将LED以促使LED边缘覆盖和/或部分伸入和/或在缓冲部分上延伸的位置定位在基板的安装部分上(模块224)。在某些实施例中，保形涂层在LED上的边缘被定位在跟缓冲部分相对应的一部分空腔上。用这种方式，由于保形涂层的边缘可以位于跟缓冲部分相对应的空腔上方，因此即使保形涂层因为热条件和/或其他条件的改变而膨胀，保形涂层的边缘部分也不会跟基板形成接触。因此就可以避免相对于基板向LED施加分离的偏压。
现参照图19进行说明，这是流程图，根据本发明的某些实施例示出了用于提供基板的操作。操作可以包括生成包括安装部分和缓冲部分的基板表面形貌(模块230)并将半导体发光二极管(LED)以覆盖缓冲部分的位置定位在安装部分上(模块232)。以上已经参照图17详细介绍了对应于生成基板表面形貌的操作，并且因此不再提供跟以上说明内容相重复的介绍。
一旦LED在安装面上就位，就可以向对应于缓冲部分的空腔施加第一材料(模块234)。在某些实施例中，第一材料可以是包括的弹性模量能够跟有挠性、有韧性、可变形和/或可压缩的特性相对应的填充材料。填充材料可以基本上填满缓冲部分的空腔。例如，对应于缓冲部分的沟槽可以用填充材料填充以使在缓冲部分上方延伸的LED底部边缘下方的空间包括填充材料。在某些实施例中，填充材料可以完全和/或部分地填满对应于缓冲部分的空腔。某些实施例规定空腔可以过填充以使填充材料的体积略大于空腔的容积。
可以施加在LED上形成并接合填充材料的第二材料(模块236)。第二材料可以是保形涂层材料，其中可以包括比填充材料的弹性模量更大的弹性模量。例如，保形涂层材料可以跟以上参照图16和图18介绍的内容相类似。在某些实施例中，第一材料包括第一热膨胀系数并且保形涂层材料包括大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。
某些实施例规定将填充材料填入超出安装面并且在缓冲部分上延伸的LED底面以下的空间内。用这种方式，当随后施加保形涂层时，就可以避免保形涂层材料流入伸出安装面的LED边缘以下的空间内。通过避免保形涂层材料进入LED的边缘下方，就可以避免LED由于保形涂层材料的膨胀而从基板升高。
现参照图21A-21C进行说明，它们是示意性侧视截面图，根据本发明的某些实施例示出了安装在各自不同基板上的带有保形涂层的半导体器件。如上参照图14-15所述，保形涂层170可以加至LED10并且带有保形涂层的LED10可以装至基板100的安装部分110。缓冲部分120可以围绕安装部分110。安装部分110和缓冲部分120可以被形成为使得LED10可以覆盖一部分缓冲部分120。因此，保形涂层170的边缘部分171可以位于基板100的缓冲部分120上方并由此不跟基板100接触。边缘部分171可以位于由沟槽界定出的空腔122上方。
如图21A所示，反射面190可以被设置用于接收通过边缘部分171传输的光。反射部分190可以包括比安装部分110更高的部分。通过反射来自边缘部分171的光就可以提高远场颜色的一致性。如图21A所示，反射部分190可以包括相对于由安装部分110界定的平面基本垂直的表面，但是本公开并不因此而受限。例如参照图21B进行简要说明，其中反射部分190包括相对于安装部分110基本上形成斜角的表面。另外，反射部分190如图21C所示可以包括基本为平面的轮廓和/或曲线轮廓。用这种方式即可根据本文中的实施例提供大角度下更好的颜色一致性。
无论实施为基座还是沟槽，安装部分110和缓冲部分120都提供为保形涂层170的边缘部分171不会跟基板100直接接触。为此，如果保形涂层170由于热条件或其他条件而经历结构和/或尺寸变形，那么就可以避免倾向于使LED10跟基板100分离的作用力。某些实施例规定空腔122可以利用具有比保形涂层170更低弹性模量的材料部分和/或全部填充。例如，在空腔122内可以设置更有挠性、更有韧性和/或可压缩的材料。
应该理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将元件彼此区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地第二元件也可以被称为第一元件，这并不背离本发明的保护范围。如本文中所用，术语“和/或”包括一种或多种相关列举项目的任意和全部的组合。
本文中所用术语仅仅是为了描述特定的实施例，而并不是要限制本发明。如本文中所用，单数形式“一”、“一个”和“这个”应理解为也包括复数形式，上下文中清楚地另有说明除外。进一步应该理解的是术语“包括”和/或“包含”在本文中使用时明确了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除存在或附加有一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其群组。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括科技术语)都具有跟本发明所属领域普通技术人员的一般理解相同的含义。进一步应该理解本文中使用的术语应该解读为具有与其在本说明书的上下文和相关领域中的含义相一致的含义，并且除非是在本文中有明确定义，否则不应被解读为理想化或过于正式的意义。
应该理解当某一个元件例如一层、一个区域或一块基板被称为“位于另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，它可以直接位于另一个元件上或者直接延伸到另一个元件上或者也可以存在中间元件。相反地，当某一个元件被称为“直接位于另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，那就不存在任何中间元件。还应该理解当某一个元件被称为“连接至”或“耦合至”另一个元件时，它可以直接连接至或耦合至另一个元件或者也可以存在中间元件。相反地，当某一个元件被称为“直接连接至另一个元件”或“直接耦合至另一个元件”时，那就不存在任何中间元件。
相对术语例如“下方”或“上方”或者“上部”或“下部”或者“水平”或“垂直”在本文中可以被用于描述一个要素、一层或一个区域如图所示相对于另一个要素、另一层或另一个区域的关系。应该理解这些术语意在涵盖除图中所示取向以外的不同的器件取向。
本文中参照构成本发明理想实施例(和中间结构)示意图的截面图示介绍了本发明的实施例。附图中各层和各区域的厚度为了清楚起见可能有所放大。另外应该预见到由于例如加工技术和/或容差而造成的图示形状的改变。因此本发明的实施例不应被解读为受限于本文所示区域的特定形状，而是应该包括例如由于加工而造成的形状偏差。
已经在附图和说明书中公开了本发明的典型实施例，并且尽管使用了一些特定的术语，但这些术语仅是以一般性和说明性的意义使用而并不是为了限制在所附权利要求书中阐明的本发明的保护范围。

Claims (50)

1.一种基板，包括：
位于第一高度的安装面，所述安装面被设置用于接纳至少一个半导体器件；以及
从安装面凹入基板内并且被设置为与基本平行于第一平面的第二平面相交的缓冲面。
2.如权利要求1所述的基板，
其中所述安装面包括第一平面内的第一形状，
其中所述至少一个半导体器件包括基本类似于第一形状的第二形状并且包括比第一平面内的第一形状更大的区域。
3.如权利要求1所述的基板，其中所述缓冲面被设置为连续地邻接安装面的周边。
4.如权利要求1所述的基板，其中所述缓冲面包括在基板内围绕安装面形成的沟槽。
5.如权利要求4所述的基板，其中所述至少一个半导体器件在安装至安装面时被设置为与一部分缓冲面重叠。
6.如权利要求4所述的基板，其中所述沟槽包括至少约100μm的宽度和至少约25μm的深度。
7.如权利要求1所述的基板，其中所述安装面包括基板上的基座。
8.如权利要求1所述的基板，进一步包括第三表面，所述第三表面邻接缓冲面并且包括比第一高度更高的第二高度。
9.如权利要求8所述的基板，其中所述第三表面包括被设置用于接收从所述至少一个半导体器件的侧面发出的光并且将接收的光沿基本垂直于安装面的至少一个方向反射的反射面。
10.如权利要求9所述的基板，其中所述第三表面相对于第一平面形成斜角。
11.一种发光结构，包括：
包括有源区域的半导体发光二极管(LED)；以及
包括第一侧面的基板，其中包括：
被设置用于支撑LED的安装面；以及
邻接安装面的周边并且相对于安装面的平面以一定深度从安装面内凹以围绕安装面的周边形成空腔的缓冲面。
12.如权利要求11所述的发光结构，其中LED伸出安装面至沿安装面的周边的空腔的一部分的上方的位置。
13.如权利要求11所述的发光结构，进一步包括封装剂，所述封装剂在LED上形成并且横向伸入到沿安装面的周边的空腔的上方的一部分内。
14.如权利要求13所述的发光结构，其中所述封装剂伸入空腔内且不接触基板的第一表面。
15.如权利要求11所述的发光结构，进一步包括在LED上形成的封装剂，其中所述封装剂包括低于LED的安装面的高度的部分。
16.如权利要求15所述的发光结构，其中所述封装剂不接触缓冲面。
17.如权利要求15所述的发光结构，其中所述封装剂包括多种光转换颗粒。
18.如权利要求17所述的发光结构，其中所述多种光转换材料中至少一种包括荧光体颗粒。
19.如权利要求11所述的发光结构，进一步包括直接位于LED上的保形层并且包括位于沿安装面的周边的空腔的一部分上方的边缘。
20.如权利要求19所述的发光结构，其中LED具有第一热膨胀系数，且保形层具有大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，并且
其中所述空腔被设置用于提供对应于保形层的热膨胀的缓冲。
21.如权利要求19所述的发光结构，其中所述保形层包括荧光体颗粒和粘合材料。
22.如权利要求11所述的发光结构，其中所述安装面相对于基板的第一侧面的其他部分包括基座。
23.如权利要求11所述的发光结构，其中所述缓冲面包括设置在第一侧面上的沟槽。
24.如权利要求23所述的发光结构，其中通过与围绕安装面的周边的空腔的深度相比包括不同深度的部分来中断沟槽。
25.如权利要求11所述的发光结构，进一步包括空腔内的第一材料以及在LED上形成并接合第一材料的第二材料，第一材料包括第一弹性模量，第二材料包括大于第一弹性模量的第二弹性模量。
26.如权利要求25所述的发光结构，
其中第一材料包括第一热膨胀系数并且第二材料包括大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，
其中第一材料在第二材料之前施加，并且
其中第二材料被形成在所述LED的底面上，所述LED伸出安装面至空腔的一部分的上方的位置。
27.一种方法，包括：
在基板的第一表面上生成包括安装部分和缓冲部分的基板表面形貌，所述安装部分相对于基板的第一表面而言比缓冲部分更高。
28.如权利要求27所述的方法，其中生成基板的表面形貌包括：生成缓冲部分以界定出安装部分的周边。
29.如权利要求27所述的方法，其中生成基板的表面形貌包括：与界定出安装部分的周边的缓冲部分相对应地给基板开槽。
30.如权利要求29所述的方法，其中给基板开槽包括：与界定出安装部分的周边的缓冲部分相对应地蚀刻基板。
31.如权利要求27所述的方法，其中生成基板的表面形貌包括：使用至少一层安装面材料在基板上构建安装部分。
32.如权利要求27所述的方法，进一步包括：将半导体发光二极管(LED)以伸出安装部分的周边的位置定位在安装部分上。
33.如权利要求32所述的方法，其中定位LED包括：将LED定位在安装部分的第一表面上，
所述方法进一步包括：将封装剂形成在LED上，所述封装剂形成伸出安装部分且不接触第一表面的弯月面。
34.如权利要求33所述的方法，其中所述封装剂伸入对应于缓冲部分的空腔内。
35.如权利要求33所述的方法，其中形成封装剂包括：在LED的顶面上以小液滴分配一定流体量的封装剂。
36.如权利要求35所述的方法，在分配一定流体量的封装剂之前，进一步包括：将LED加热至比封装剂更高的温度以在分配封装剂时降低封装剂的粘度。
37.如权利要求32所述的方法，在将LED定位在安装部分上之前，进一步包括：向LED的顶面施加保形涂层，
其中保形涂层的边缘被定位在与缓冲部分相对应的一部分空腔之上。
38.如权利要求37所述的方法，其中施加保形涂层包括：向晶片上的多个LED施加保形涂层，
所述方法进一步包括：在将LED定位到安装部分上之前先分离多个LED。
39.如权利要求32所述的方法，进一步包括：
在与缓冲部分相对应的空腔内施加包括第一弹性模量的第一材料；以及
施加在LED上形成并接合第一材料的第二材料，所述第二材料包括大于第一弹性模量的第二弹性模量。
40.如权利要求39所述的方法，其中第一材料包括第一热膨胀系数并且第二材料包括大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，
其中施加第一材料在施加第二材料之前进行，并且
其中第一材料位于伸出安装面的LED的底面下方的空间内。
41.如权利要求27所述的方法，其中生成基板的表面形貌包括：在包括多个安装部分的晶片上生成基板表面形貌，所述安装部分比界定出所述多个安装部分之一的相应周边的多个缓冲部分更高。
42.如权利要求41所述的方法，进一步包括：将多个发光二极管(LED)中的个体定位在多个安装部分中的个体上。
43.如权利要求42所述的方法，其中定位多个LED中的个体包括：基于多个LED中的个体的相对发光特性来定位多个LED中的个体。
44.一种发光结构，包括：
半导体发光二极管(LED)，所述半导体发光二极管包括第一表面和与第一表面实质相反的第二表面；以及
封装剂，所述封装剂被形成在LED的第一表面上并且包括低于LED的第二表面的高度的部分。
45.如权利要求44所述的发光结构，
其中第一表面包括发光面，并且其中第二表面包括所处高度低于发光面的高度的安装面。
46.如权利要求44所述的发光结构，其中所述封装剂包括多种光转换颗粒。
47.如权利要求46所述的发光结构，其中所述多种光转换材料中至少一种包括荧光体颗粒。
48.如权利要求44所述的发光结构，其中所述封装剂包括直接位于LED上的保形层并且包括从LED的周边伸出的凸缘。
49.如权利要求44所述的发光结构，进一步包括安装结构，所述安装结构包括围绕安装面的空腔，
其中所述LED具有第一热膨胀系数，且封装剂具有大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，并且
其中空腔被设置用于提供对应于保形层的热膨胀的缓冲。
50.如权利要求44所述的发光结构，其中所述封装剂包括荧光体颗粒和粘合材料。
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