CN103412419B - 一种阵列基板及其制作方法 - Google Patents

一种阵列基板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103412419B
CN103412419B CN201310323825.2A CN201310323825A CN103412419B CN 103412419 B CN103412419 B CN 103412419B CN 201310323825 A CN201310323825 A CN 201310323825A CN 103412419 B CN103412419 B CN 103412419B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel cell
detection zone
viewing area
live width
marker space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310323825.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103412419A (zh
Inventor
郭建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201310323825.2A priority Critical patent/CN103412419B/zh
Priority to PCT/CN2013/085219 priority patent/WO2015014022A1/zh
Publication of CN103412419A publication Critical patent/CN103412419A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103412419B publication Critical patent/CN103412419B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133374Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254Checking; Testing

Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法,涉及显示技术领域,解决了现有的阵列基板检测区的检测结果无法反应真实的显示区域的薄膜晶体管的特性的问题。一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;周边区域包括检测区,在所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,所述周边区域还包括环绕所述检测区的分隔区,所述分隔区用于使得检测区的薄膜晶体管的特性均匀。

Description

一种阵列基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
液晶显示器包括:阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。如图1所示,阵列基板100在制作的前期,包括:显示区域101、走线区域102和周边区域103。显示区域101包括多个由交错设置的栅线和数据线形成的像素单元,每一像素单元对应一个薄膜晶体管。走线区域102为保证显示区域101的必需信号元件(例如显示区域101数据线信号的输入走线)电连接。由于显示区域101的各像素单元的薄膜晶体管受其他图层的干扰,很难对其的性能进行检测,因此,在所述基板的周边区域103还设置有检测区104,所述检测区104如图2所示,包括由交错设置的栅线和数据线形成的像素单元,且每一像素单元对应一个薄膜晶体管,用于检测基板上薄膜晶体管的特性。当阵列基板与彩膜基板贴合,形成显示面板后,周边区域103一般会被切掉。
但由于检测区104和显示区域101上薄膜晶体管的制作有差异,且检测区的薄膜晶体管特性不均匀,测试值相差较大,无法反应真实结果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法,所述阵列基板上的检测区的薄膜晶体管特性均匀,与显示区域的薄膜晶体管特性相近,测试结果更接近真实值。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;周边区域包括检测区,在所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,其中,所述周边区域还包括环绕所述检测区的分隔区,所述分隔区用于使得检测区的薄膜晶体管的特性均匀。
可选的,所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。
可选的,所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10。
可选的,所述分隔区与检测区之间设置有间隔。
可选的,所述分隔区和检测区之间间隔15-100μm。
可选的,所述检测区的第二像素单元以n*m的矩阵形式排布,且所述n和m均为大于3的正整数。
可选的,所述n和m分别为50。
可选的,所述分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元位于同一排。
可选的,在制作初期,周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;所述周边区域包括检测区以及环绕所述检测区的分隔区,其中,所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,分隔区用于使得检测区的第二像素单元的薄膜晶体管的特性均匀。
可选的,所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。
可选的,分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元同时制作。
可选的,所述周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。
本发明实施例提供的一种阵列基板及其制作方法,所述阵列基板的周边区域包括检测区和分隔区,所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,所述分隔区主要用于保证检测区第二像素单元的薄膜晶体管的均一性,进而保证检测结果与显示区域的像素单元中薄膜晶体管的特性更为接近,测试结果更准确。
附图说明
图1为现有的阵列基板俯视结构示意图;
图2为现有的阵列基板上周边区域的结构示意图;
图3为本发明实施提供的一种阵列基板上周边区域的结构示意图;
图4为本发明实施提供的另一种阵列基板上周边区域的结构示意图;
附图说明:
100-阵列基板;101-显示区域;102-走线区域;103-周边区域;104-检测区;105-分隔区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;周边区域包括检测区,在所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,所述周边区域还包括环绕所述检测区的分隔区,所述分隔区用于使得检测区的薄膜晶体管的特性均匀。
需要说明的是,所述每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,可以是每一像素单元对应设置有一个薄膜晶体管,也可以是一个像素单元对应设置有多个薄膜晶体管。本发明实施例中以每一像素单元对应设置有一个薄膜晶体管为例进行详细说明。在显示区域和周边区域之间,还可以包括走线区域(未示出),为保证显示区域的必需信号元件电连接。现有的在形成检测区时,由于检测区的像素单元较少,边缘的像素单元的药液的浓度较小,中间部分的药液浓度较大,因而,药液浓度的不均匀也导致了形成的薄膜晶体管的特性不一,无法反应显示区域薄膜晶体管的特性。本发明实施例中,如图3所示,在所述检测区104的四周设置有分隔区105,这样阵列基板在制作过程中,检测区像素单元的药液浓度的正常、均匀,进而提升检测区104的像素单元中薄膜晶体管与显示区域101像素单元的薄膜晶体管的特性的准确性。具体的,所述分隔区可以是堤结构,其可以将检测区包围起来,这样药液会聚集在检测区,其浓度比较均匀,形成的薄膜晶体管特性均匀。当然,分隔区还可以是可使得检测区的薄膜晶体管的特性均匀的其他结构。
本发明实施例提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区域和周边区域,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元,且每一像素单元对应设置有薄膜晶体管;周边区域包括检测区和分隔区,所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,所述分隔区主要用于保证检测区第二像素单元的薄膜晶体管的均一性,进而保证检测结果与显示区域的像素单元中薄膜晶体管的特性更为接近,测试结构更准确。
可选的,所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。具体的,所述分隔区包括多个非检测用的第三像素单元,且每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,所述第三像素单元以及对应设置的薄膜晶体管均不用于检测,其可以与检测区的第二像素单元同时制作,则在分隔区的药液浓度较小,检测区的药液浓度均匀,保证制作的检测区的第二像素单元对应的薄膜晶体管特性的均匀。
可选的,所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10。像素密度(PPi,pixelsperinch),是指每英寸屏幕所拥有的像素单元的个数,像素密度越大,显示画面细节就越丰富。现有的检测区,由于设置的像素单元较少,则检测区的像素单元的薄膜晶体管特性不均匀,致使检测结果差异较大。本发明实施例中,所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10,药液等在检测区的浓度一致,在边缘的分隔区的药液浓度较小,但由于分隔区域的薄膜晶体管不用于检测,所以这样可以保证检测区的第二像素单元的中薄膜晶体管的制作的均一性。
可选的,所述分隔区与检测区之间设置有间隔。具体的,如图3所示,分隔区105和检测区104之间间隔距离d。分隔区105和检测区104之间间隔一定距离,则药液可以沉积在此区域内,进而可以减轻分隔区药液浓度变化对检测区的影响。
进一步的,所述分隔区和检测区之间间隔15-100um。即如图3所示,分隔区105和检测区104之间间隔距离d在15-100um,包括15μm和100μm。需要说明的是,分隔区和检测区之间的间隔距离也不局限于15-100um,本发明实施例仅以其间隔距离在15-100um为优选的实施例为例进行说明,其间隔距离也可以是0um,即不设置间隔;也可以小于15um,但其间隔优选的不大于100um。
可选的,所述检测区的第二像素单元以n*m的矩阵形式排布,且所述n和m均为大于3的正整数。需要说明的是,现有的检测区,由于只是检测显示区域的薄膜晶体管的特性,因此,一般只是形成几个,例如形成有4个或者9个像素单元,即n和m分别为2或者n和m分别为3,再对其中的一两个进行检测,确定基板上薄膜晶体管的特性。由于,检测区制作的薄膜晶体管较少,制作时的药水浓度等分布不均,与显示区域薄膜晶体管的特性差别较大,无法真实反映显示区域的薄膜晶体管的特性。本发明实施例中,通过增加检测区的薄膜晶体管的数量,使其形成的薄膜晶体管的特性与显示区域的薄膜晶体管的特性相近。且优选的,所述n和m分别为50。图3中仅以n和m分别为6为例进行示例说明。
可选的,所述分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元位于同一排。检测区的第二像素单元以矩阵的形式排布,分隔区的第三像素单元与所述检测区的第二像素单元位于同一排,即第二像素单元与第三像素单元形成多排和多列,这样方便制作。
可选的,在制作前期,周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。需要说明的是,所述周边区域包括检测区和分隔区,所述线宽为数据线和/或栅线的线宽。优选的,检测区的第二像素单元的栅线和数据线的线宽以及分隔区的第三像素单元的栅线和数据线的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。由于制作工艺和周边环境的影响,在制作初期,显示区域的线宽和周边区域的线宽设置相同,但最终显示区域和周边区域形成的线宽不同,具体的周边区域形成的线宽大于显示区域的线宽,进而使得薄膜晶体管的特性差异较大。且经过多次实践检测,周边区域形成的线宽与显示区域形成的线宽相差0.8μm左右。则为了减小周边区域形成的像素单元的薄膜晶体管与显示区域的像素单元的薄膜晶体管的特性差异,在制作初期使得周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。
另外,显示区域第一像素单元的线宽和周边区域的第二像素单元以及第三像素单元的线宽具有以下关系:单位为μm,其中a为检测区的线宽,c为显示区域的线宽,b为检测区的线间距,x为像素密度。其中,检测区的线宽a以及线间距b如图3所示,显示区域的线宽c可以参照图3所示的检测区的线宽的设置。其中,所述线宽为数据线和/或栅线的线宽,所述线间距包括栅线之间的线间距和/或数据线之间的线间距;本发明实施中,以所述线宽为栅线的线宽,所述线间距为栅线之间的线间距为例进行说明。且像素密度越高,检测区和显示区域的线宽差异越大,检测区与显示区域的薄膜晶体管特性差别越大。则为了减小检测区与显示区域的薄膜晶体管特性的差异,使得检测区和显示区域的线宽差异越小,即减小a-c的差值。即在制作前期使得周边区域的线宽小于显示区域的线宽。又由于现有的显示面板上像素密度x一般为定值,则检测区的线宽a和检测区的线间距b的比为一定值。经过多次实践发现,检测区的线宽a和检测区的线间距b的比约为0.7。则可以根据检测区的线宽对线间距进行相应的设置。且当显示区域和周边区域的像素单元大小相同时,若周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽,则周边区域的像素单元的线间距大于显示区域的第一像素单元的线间距。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在衬底基板上形成显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;所述周边区域包括检测区以及环绕所述检测区的分隔区,其中,所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,分隔区用于使得检测区的第二像素单元的薄膜晶体管的特性均匀。
可选的,所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。具体的,所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10。所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10,药液等在检测区的浓度一致,在边缘的分隔区的药液浓度较小,但由于分隔区域的薄膜晶体管不用于检测,所以这样可以保证检测区的第二像素单元的中薄膜晶体管的制作的均一性。所述分隔区与检测区之间设置有间隔。如图3所示,分隔区105和检测区104之间间隔一定距离,则药液可以沉积在此区域内,进而可以减轻分隔区药液浓度变化对检测区的影响。所述分隔区和检测区之间间隔15-100μm,包括15μm和100μm。所述检测区的第二像素单元以n*m的矩阵形式排布,且所述n和m均为大于3的正整数。所述n和m分别为50。由于,检测区制作的薄膜晶体管较少,制作时的药水浓度等分布不均,与显示区域薄膜晶体管的特性差别较大,无法真实反映显示区域的薄膜晶体管的特性。本发明实施例中,通过增加检测区的薄膜晶体管的数量,使其形成的薄膜晶体管的特性与显示区域的薄膜晶体管的特性相近。
可选的,分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元同时制作。具体的,分隔区的栅线、数据线等与检测区的栅线、数据线等同时制作,其可以是通过同一步骤和工艺形成,这样方便制作。
可选的,所述周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。需要说明的是,所述周边区域包括检测区和分隔区,所述线宽包括数据线以及栅线的线宽,即检测区的第二像素单元的栅线和数据线的线宽以及分隔区的第三像素单元的栅线和数据线的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽,以使得检测区和显示区域的薄膜晶体管的特性更加接近。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;周边区域包括检测区,在所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,其特征在于,所述周边区域还包括环绕所述检测区的分隔区,所述分隔区用于使得检测区的第二像素单元的薄膜晶体管的特性均匀;
显示区域第一像素单元的线宽和周边区域的第二像素单元的线宽具有以下关系: a = c - ( x 200 - a b ) ,
其中a为检测区的线宽,c为显示区域的线宽,b为检测区的线间距,x为像素密度;
在制作初期,周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述分隔区的第三像素单元的像素密度不小于10。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述分隔区与检测区之间设置有间隔。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述分隔区和检测区之间间隔15-100μm。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述检测区的第二像素单元以n*m的矩阵形式排布,且所述n和m均为大于3的正整数。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述n和m分别为50。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元位于同一排。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成显示区域和周边区域,其中,显示区域包括多个用于显示的第一像素单元;所述周边区域包括检测区以及环绕所述检测区的分隔区,其中,所述检测区设置有用于检测的第二像素单元,每一像素单元对应设置有薄膜晶体管,分隔区用于使得检测区的第二像素单元的薄膜晶体管的特性均匀;
显示区域第一像素单元的线宽和周边区域的第二像素单元的线宽具有以下关系: a = c - ( x 200 - a b ) ,
其中a为检测区的线宽,c为显示区域的线宽,b为检测区的线间距,x为像素密度;
所述周边区域的像素单元的线宽小于显示区域的第一像素单元的线宽。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述分隔区设置有非检测用的第三像素单元。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,分隔区的第三像素单元与检测区的第二像素单元同时制作。
CN201310323825.2A 2013-07-30 2013-07-30 一种阵列基板及其制作方法 Active CN103412419B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310323825.2A CN103412419B (zh) 2013-07-30 2013-07-30 一种阵列基板及其制作方法
PCT/CN2013/085219 WO2015014022A1 (zh) 2013-07-30 2013-10-15 阵列基板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310323825.2A CN103412419B (zh) 2013-07-30 2013-07-30 一种阵列基板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103412419A CN103412419A (zh) 2013-11-27
CN103412419B true CN103412419B (zh) 2016-04-06

Family

ID=49605446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310323825.2A Active CN103412419B (zh) 2013-07-30 2013-07-30 一种阵列基板及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103412419B (zh)
WO (1) WO2015014022A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104090391A (zh) * 2014-06-27 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN104252098B (zh) * 2014-09-18 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN116794866A (zh) * 2023-06-29 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及母板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350802A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
CN1892393A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 中华映管股份有限公司 有源元件阵列以及有源元件阵列的检测方法
CN101013233A (zh) * 1997-07-23 2007-08-08 精工爱普生株式会社 液晶装置及电子设备
CN102169260A (zh) * 2010-10-15 2011-08-31 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd像素电极层结构、制备方法及其掩膜板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008197169A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013233A (zh) * 1997-07-23 2007-08-08 精工爱普生株式会社 液晶装置及电子设备
JP2002350802A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
CN1892393A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 中华映管股份有限公司 有源元件阵列以及有源元件阵列的检测方法
CN102169260A (zh) * 2010-10-15 2011-08-31 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd像素电极层结构、制备方法及其掩膜板

Also Published As

Publication number Publication date
CN103412419A (zh) 2013-11-27
WO2015014022A1 (zh) 2015-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103246092B (zh) 阵列基板及显示装置
CN105093593A (zh) 显示基板及其测试方法、显示装置
CN102016768A (zh) 具有变化的薄层电阻的触屏传感器
CN104362156B (zh) 一种显示基板、其测试方法及制备方法
CN108508637B (zh) 一种显示面板的检测方法、装置及自动光学检测设备
US9171869B1 (en) Array substrate and display device
CN103197478B (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
CN103412419B (zh) 一种阵列基板及其制作方法
CN106054442B (zh) 显示面板及其盒厚测试方法、显示装置
CN102692740B (zh) 一种液晶显示装置及其阵列基板、制造方法
CN107680523B (zh) 阵列基板十字线缺陷的检测方法
CN102253544A (zh) 液晶显示装置
CN106502060A (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN105404041A (zh) 显示基板母板及其制造和检测方法以及显示面板母板
CN104536176A (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104898342A (zh) 阵列基板母板及其制作方法
CN105116658A (zh) 曲面显示基板及其制作方法、液晶显示面板及显示装置
CN104777650A (zh) Tft阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
CN203164563U (zh) 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN107632441B (zh) 显示面板的制造方法和显示面板
CN203705750U (zh) 阵列基板和显示面板
CN104238215A (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN103713471B (zh) 一种关键尺寸测试的校正装置和方法
CN105974701A (zh) 一种阵列基板、显示装置及制作方法
CN202870441U (zh) 阵列基板、显示装置和线宽测量装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant