CN103406280B - 一种不良芯片筛选方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种不良芯片筛选方法，包括如下步骤：将共晶之前的芯片放置于载玻片上，再将放置有芯片的载玻片放置于加热台上进行加热处理，待加热完毕将带有芯片的载玻片置于显微镜下进行不良检测，根据检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。通过本发明的芯片筛选方法，可以将污染或清洁工作处理不当引起的不良芯片筛选剔除，有利于减少芯片在后续工艺中的材料浪费，提高芯片良品率和生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种不良芯片的筛选方法。
背景技术
在半导体芯片生产过程中极易受到多种污染的损害，主要的污染源有以下几大类：空气、厂房设备、洁净室工作人员、工艺使用化学试剂、工艺用胶、工艺化学气体、静电等。半导体芯片污染带来的严重后果是：直接影响材料的利用率、产品的良品率以及生产效率。
半导体芯片污染损害的具体表现是：芯片在镀膜前表面清洁处理不当或镀膜的保护做得不到位，导致芯片在共晶贴片过程中因受热而出现圆斑、镀膜脱落、镀膜起皮、镀膜气泡等问题。并且该不良现象在常温下不易被发现，只有在共晶加热后才容易被发现，但此时芯片与热沉之间、热沉与底座已被金锡焊料焊接固化。由于芯片的不合格导致热沉、底座等原材料的浪费，以及生产效率的降低，无形的增加了芯片生产成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对芯片共晶前出现不良问题，提供一种不良芯片筛选方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种不良芯片筛选方法，包括如下步骤:
步骤1:将共晶之前的芯片放置于载玻片上；
步骤2：将放置有芯片的载玻片放置在温度为280℃-330℃加热台上进行10-30s加热处理；
步骤3：待加热处理完毕，将带有芯片的载玻片放置于显微镜下进行不良检测；
步骤4：根据步骤3检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，步骤1中所述芯片放置于载玻片上的具体实现如下:将共晶处理之前的芯片，通过防静电镊子夹于耐高温载玻片上。
步骤1中所述防静电镊子，可以防止芯片在转移过程中受到静电污染；所述耐高温载玻片，可以在330℃以上的加热台上使用。
进一步，步骤2中所诉芯片加热处理的具体实现如下：将温度可控的加热台温度调整为280℃-330℃进行预热，再将带有芯片的载玻片放置于加热台上加热10-30s。
步骤2中所述加热温度、时间为本发明筛选方法最佳参数，但不局限于此温度、时间范围。
进一步，步骤3中所述显微镜下进行不良检测的具体实现如下：在显微镜观察下，将芯片后端面镀膜出现镀膜气泡、起皮、镀膜脱落、镀膜面圆斑现象的芯片判断为不良芯片。
步骤3中所述不良检测显微镜，无特定限制，能观察到所述芯片后端面镀膜不良现象的所有显微镜，都适用于本筛选方法。
本发明的有益效果是：通过本发明的芯片筛选方法，可以将污染或清洁工作处理不当引起的不良芯片筛选剔除，有利于减少芯片后续工艺中的材料浪费，提高芯片良品率和生产效率。
附图说明
图1为本发明所述一种不良芯片筛选方法流程图。
具体实施方式
一种不良芯片筛选方法，
如图1所示，方法步骤如下:
步骤1:将共晶之前的芯片放置于载玻片上；
步骤2：将放置有芯片的载玻片放置在温度为280℃-330℃加热台上进行10-30s加热处理；
步骤3：待加热处理完毕，将带有芯片的载玻片放置于显微镜下进行不良检测；
步骤4：根据步骤3检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。
步骤1中所述芯片放置于载玻片上的具体实现如下:将共晶处理之前的芯片，通过防静电镊子夹于耐高温载玻片上。
步骤1中所述防静电镊子，可以防止芯片在转移过程中受到静电污染；所述耐高温载玻片，可以在较高温度的加热台上使用，例如330℃以上的温度。
步骤2中所诉芯片加热处理的具体实现如下：将温度可控的加热台温度调整为280℃-330℃进行预热，再将带有芯片的载玻片放置于加热台上加热10-30s。
步骤2中所述加热温度、时间为本发明筛选方法最佳参数，但不局限于此温度、时间范围。
步骤3中所述显微镜下进行不良检测的具体实现如下：在显微镜观察下，将芯片后端面镀膜出现镀膜气泡、起皮、镀膜脱落、镀膜面圆斑现象的芯片判断为不良芯片。
步骤3中所述不良检测显微镜，无特定限制，能观察到所述芯片后端面镀膜不良现象的所有显微镜，都适用于本筛选方法。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种不良芯片筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1:将共晶之前的芯片放置于载玻片上；
步骤2：将放置有芯片的载玻片放置在温度为280℃-330℃加热台上进行10-30s加热处理；
步骤3：待加热处理完毕，将带有芯片的载玻片放置于显微镜下进行不良检测；
步骤4：根据步骤3检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。
2.根据权利要求1所述一种不良芯片筛选方法，其特征在于，步骤1中所述芯片放置于载玻片上的具体实现如下:将共晶处理之前的芯片，通过防静电镊子夹于耐高温载玻片上。
3.根据权利要求1所述一种不良芯片筛选方法，其特征在于，步骤2中所述芯片加热处理的具体实现如下：将温度可控的加热台温度调整为280℃-330℃进行预热，再将带有芯片的载玻片放置于加热台上加热10-30s。
4.根据权利要求1所述一种不良芯片筛选方法，其特征在于，步骤3中所述显微镜下进行不良检测的具体实现如下：在显微镜下观察，将芯片后端面镀膜出现镀膜气泡、起皮、镀膜脱落、镀膜面圆斑现象的芯片判断为不良芯片。
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