CN103401426B - 一种高增益Boost电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高增益Boost电路,包括变压器(T1)、开关管(Q1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第一储能电容(C1)、第二储能电容(C2)及负载(R);所述变压器(T1)的第一次级绕组(W21)、第二次级绕组(W22)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)构成变压器升压模块(1);所述变压器(T1)的初级绕组(W1)、开关管(Q1)、第一二极管(D1)和第一储能电容(C1)构成Boost电路模块(2);所述第二储能电容(C2)和负载(R)构成输出模块。本发明解决了由于开关管数目增多,导致系统的稳定性下降的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子电路技术领域,具体涉及一种高增益Boost电路。
背景技术
随着生活和工业的发展,对电力电子电路的要求也日益苛刻。传统的Boost电路已经无法满足工业的需要,工业上需要更高增益的升压电路。传统的方法是通过多个Boost环节电路来级联升压,该方法成本较高,且由于开关管数目的增多,导致系统的稳定性下降,若其中一个环节崩溃,整个系统将会崩溃。
发明内容
为了克服现有技术存在的缺点与不足,本发明提供一种高增益Boost电路,适用于需要高增益的电力电子电路中。
本发明采用的技术方案:
一种高增益Boost电路,包括变压器T1、开关管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一储能电容C1、第二储能电容C2及负载R;
所述变压器T1的第一次级绕组W21、第二次级绕组W22、第二二极管D2和第三二极管D3构成变压器升压模块1;
所述变压器T1的初级绕组W1、开关管Q1、第一二极管D1和第一储能电容C1构成Boost电路模块2;
所述第二储能电容C2和负载R构成输出模块。
所述变压器T1的初级绕组W1的同名端与直流电源Vd的正极连接;
所述变压器T1的初级绕组W1的异名端、第一二极管D1的阳极和开关管Q1的源极连接于一点;
第一二极管D1的阴极、第一储能电容C1的一端、变压器T1的第一次级绕组W21的异名端和变压器T1的第二次级绕组W22的同名端连接于一点;
变压器T1的第一次级绕组W21的同名端和第二二极管D2的阳极连接于一点;
变压器T1的第二次级绕组W22的异名端和第三二极管D3的阳极连接于一点;
第二二极管D2的阴极、第三二极管D3的阴极、第二储能电容C2的一端和输出负载R的一端连接于一点;
第二储能电容C2的另一端、输出负载R的另一端、第一储能电容C1的另一端和开关管Q1的漏极与电源Vd的负极连接于一点。
所述变压器T1的初级绕组W1为升压电感,用于将变压器的第一次级绕组W21和第二次级绕组W22的输出叠加于第一储能电容C1上。
本发明的有益效果:
(1)本发明适用于高增益Boost电路电源;
(2)本发明只需要一个开关管得到较高的Boost升压效果,解决了传统方法中通过多个Boost环节电路来级联升压,由于开关管数目增多,导致系统的稳定性下降的问题。
附图说明
图1是本发明一种高增益Boost电路结构图;
图2(a)~图2(d)是图1所述电路在占空比D小于0.5和大于0.5两种情况下的工作过程图,其中,图2(a)是D小于0.5的情况下,开关管Q1导通,此时二极管D2导通,二极管D1和二极管D3处于关断状态时的电路工作图;图2(b)是D小于0.5的情况下,开关管Q1关断,此时二极管D1导通,二极管D2和二极管D3处于关断状态的电路工作图;图2(c)是D大于0.5的情况下,开关管Q1导通,此时二极管D1导通,二极管D2和二极管D3处于关断状态的电路工作图;图2(d)是D大于0.5的情况下,开关管Q1关断,此时二极管D3导通,二极管D1和二极管D2处于关断状态电路工作图;
图3是图1中开关管的驱动波形图及其对应的输出波形图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示,一种高增益Boost电路,包括变压器T1、开关管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一储能电容C1、第二储能电容C2及负载R;
所述变压器T1的第一次级绕组W21、第二次级绕组W22、第二二极管D2和第三二极管D3构成变压器升压模块1;
所述变压器T1的初级绕组W1、开关管Q1、第一二极管D1和第一储能电容C1构成Boost电路模块2;
所述第二储能电容C2和负载R构成输出模块。
具体连接:
所述直流电源Vd的正极与变压器T1的初级绕组W1的同名端连接;
所述变压器T1的初级绕组W1的异名端、第一二极管D1的阳极和开关管Q1的源极连接于一点;
第一二极管D1的阴极、第一储能电容C1的一端、变压器T1的第一次级绕组W21的异名端和变压器T1的第二次级绕组W22的同名端连接于一点;
变压器T1的第一次级绕组W21的同名端和第二二极管D2的阳极连接于一点;
变压器T1的第二次级绕组W22的异名端和第三二极管D3的阳极连接于一点;
第二二极管D2的阴极、第三二极管D3的阴极、第二储能电容C2的一端和输出负载R的一端连接于一点;
第二储能电容C2的另一端、输出负载R的另一端、第一储能电容C1的另一端和开关管Q1的漏极与电源Vd的负极连接于一点。
本发明变压器升压模块,与传统Boost电路模块的电压值叠加,将能量输送给输出模块。
所述变压器T1的初级绕组W1为升压电感,用于将变压器的第一次级绕组W21和第二次级绕组W22的输出叠加于第一储能电容C1上,起到高增益Boost电路的效果。
整个电路在传统的Boost电路的基础上,增加了一个升压变压器也就是变压器T1,且升压变压器的初次绕组W1也同时作为Boost电路的升压电感。整个电路只使用一个开关管,且开关管的电压应力较低,通过此方法可以得到较高增益的Boost电路。
图2(a)~图2(d)所示,本发明电路在占空比D小于0.5和大于0.5两种情况下的工作过程图。
在占空比D小于0.5的情况下:
阶段1,如图2(a):开关管Q1导通,此时二极管D2导通,二极管D1和二极管D3处于关断状态,变压器T1的次级绕组W21和电容C1给电容C2进行充电,W21和C1释放能量。
阶段2,如图2(b):开关管Q1关断,此时二极管D1导通,二极管D2和二极管D3处于关断状态,C2释放能量给负载。
在占空比D大于0.5的情况下:
阶段1,如图2(c):开关管Q1导通,此时二极管D1导通,二极管D2和二极管D3处于关断状态,C2释放能量给负载。
阶段2,如图2(d):开关管Q1关断,此时二极管D3导通,二极管D1和二极管D2处于关断状态,变压器T1的次级绕组W22和电容C1给电容C2进行充电,W22和C1释放能量。
综上两种情况,
设开关管占空比为D,变压器原边与副边的变比为:1:N:N。在一个周期内,输出电压为Uo。根据电感伏秒数守恒原理,得出以下的电压增益推导过程。
开关管Q1导通期间,所述变压器T1的初级绕组W1的电压等于输入电压Vd,导通时间为DT,T为开关周期;开关管Q1关断期间,所述变压器T1的初级绕组W1的电压等于输入电压Uo-NVd-Vd,导通时间为T-DT。由以上分析,并根据W1上电感伏秒数守恒关系可得:
VdD=(1-D)(Uo-NVd-Vd)
由上是化简可得到增益公式为:
显然对比传统的Boost电路增益有显著的提高。
本发明波形如图3所示,图上方的波形图为开关管的驱动波形图,图下方的波形图为输出电压的波形图,其中VC1为本发明的电容C1的输出电压,等于传统Boost电路的输出电压,本发明在负载端输出电压比传统Boost电路增加了NVd。
本发明解决了传统Boost电路的增益限制问题。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种高增益Boost电路,其特征在于,包括变压器(T1)、开关管(Q1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第一储能电容(C1)、第二储能电容(C2)及负载(R);
所述变压器(T1)的第一次级绕组(W21)、第二次级绕组(W22)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)构成变压器升压模块(1);
所述变压器(T1)的初级绕组(W1)、开关管(Q1)、第一二极管(D1)和第一储能电容(C1)构成Boost电路模块(2);
所述第二储能电容(C2)和负载(R)构成输出模块;
所述变压器(T1)的初级绕组(W1)的同名端与直流电源(Vd)的正极连接;
所述变压器(T1)的初级绕组(W1)的异名端、第一二极管(D1)的阳极和开关管(Q1)的漏极连接于一点;
第一二极管(D1)的阴极、第一储能电容(C1)的一端、变压器(T1)的第一次级绕组(W21)的异名端和变压器(T1)的第二次级绕组(W22)的同名端连接于一点;
变压器(T1)的第一次级绕组(W21)的同名端和第二二极管(D2)的阳极连接于一点;
变压器(T1)的第二次级绕组(W22)的异名端和第三二极管(D3)的阳极连接于一点;
第二二极管(D2)的阴极、第三二极管(D3)的阴极、第二储能电容(C2)的一端和负载(R)的一端连接于一点;
第二储能电容(C2)的另一端、输出负载(R)的另一端、第一储能电容(C1)的另一端和开关管(Q1)的源极与电源(Vd)的负极连接于一点。
2.根据权利要求1所述的一种高增益Boost电路,其特征在于,所述变压器(T1)的初级绕组(W1)为升压电感,用于将变压器的第一次级绕组(W21)和第二次级绕组(W22)的输出叠加于第一储能电容(C1)上。
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