CN103400786A

CN103400786A - 去胶设备的冷却和清扫装置

Info

Publication number: CN103400786A
Application number: CN2013103548013A
Authority: CN
Inventors: 潘无忌; 张东海
Original assignee: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Current assignee: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date: 2013-08-14
Filing date: 2013-08-14
Publication date: 2013-11-20

Abstract

本发明公开了一种去胶设备的冷却和清扫装置，包括：冷却腔，与大气传送腔连通，所述冷却腔中设有多层腔体；吹扫装置，一端与外部气源连接，另一端设有多个吹气口，所述多个吹气口分散设置在各层腔体中；以及排气管，设置于所述冷却腔底部所述吹气口的下风口处。本发明的去胶设备的冷却和清扫装置，能够去除冷却腔内水汽和晶片表面的挥发物质，使冷却腔内不再产成微小凝结物；还能去除冷却腔内其它缺陷颗粒。冷却和清扫系统具有吹扫装置，确保腔体内每一片晶片都被清扫干净。在冷却腔出口处下方增加排气管，将吹扫出的物质排出，确保其它晶片的安全。

Description

去胶设备的冷却和清扫装置

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种去胶设备的冷却和清扫装置。

背景技术

在等离子体去胶设备中，使用高温去胶工艺。晶片从高温工艺腔体传出后需要进行冷却。目前的冷却装置如图1所示，晶片30进入到冷却腔10中，冷却腔10与大气传送腔40相连通，并使用工厂循坏冷却水进行冷却。其中，由于工厂冷却水温度较低，低于生产车间温度，晶片30表面所在位置温度较高，冷却腔10四周温度最低。冷却腔10内空气中残留有少量水汽，水汽和高温晶片30表面的微量挥发物随热气上升，在冷却腔10内壁表面遇冷后容易与空气中水汽凝结形成微小的凝结物。这种凝结物最容易产生在温度最低处，即聚集在冷却腔10腔体顶部，冷却腔10腔体顶部的微粒20（包括水汽微粒、缺陷微粒和晶片表面挥发物质）容易落下到晶片30表面，形成缺陷，经颗粒缺陷扫描后可以看出，大量微小的颗粒20遍布晶片30表面，同时对于经处理后表面仍会留有大量光阻的晶片30，这种微粒20中包含的水分，非常容易腐蚀晶片30表面的光阻，造成形貌异常，对生产造成不良影响。

发明内容

本发明提供一种去胶设备的冷却和清扫装置，以清除晶片上的各种微粒，确保晶片安全。

为解决上述技术问题，本发明提供一种去胶设备的冷却和清扫装置，包括：冷却腔，与大气传送腔连通，所述冷却腔中设有多层腔体；吹扫装置，一端与外部气源连接，另一端设有多个吹气口，所述多个吹气口分散设置在各层腔体中；以及排气管，设置于所述冷却腔底部所述吹气口的下风口处。

作为优选，所述吹气口上还设置有分散装置。

作为优选，所述吹扫装置采用纯化氮气作为吹扫气体。

作为优选，所述冷却腔上还分别设有冷却水入口和冷却水出口。

作为优选，所述冷却水入口和冷却水出口均设置于所述冷却腔的顶部。

与现有技术相比，本发明的去胶设备的冷却和清扫装置，能够去除冷却腔内水汽和晶片表面的挥发物质，使冷却腔内不再产成微小凝结物；还能去除冷却腔内其它缺陷颗粒。冷却和清扫系统具有吹扫装置，确保腔体内每一片晶片都被清扫干净。在冷却腔出口处下方增加排气管，将吹扫出的物质排出，确保其它晶片的安全。

附图说明

图1为现有技术中去胶设备的冷却装置的结构示意图；

图2为本发明一具体实施方式中冷却和清扫装置的结构示意图。

图1中：10-冷却腔、20-微粒、30-晶片、40-大气传送腔。

图2中：100-冷却腔、110-腔体、120-冷却水出口、200-吹扫装置、210-吹气口、300-排气管、400-微粒、500-大气传送腔、600-晶片。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。需说明的是，本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参照图2，本发明提供的去胶设备的冷却和清扫装置，包括：

冷却腔100，与大气传送腔500连通，所述冷却腔100中设有多层腔体110，晶片600分别放置于所述各层腔体110中进行冷却；

吹扫装置200，其一端与外部气源连接，另一端设有多个吹气口210，所述多个吹气口210分散设置在各层腔体110中，确保冷却腔100内不同位置的晶片600都能被吹扫到；

以及排气管300，设置于所述冷却腔100底部，且位置与所述吹气口210对应，即，所述排气管300设置于所述吹扫装置200的下风口处，用于将晶片600上被吹扫出的物质排出。

作为优选，所述吹气口210上还设置有分散装置（图中未示出），确保腔体110内晶片600上被全部吹扫到，确保晶片600良率。

请继续参照图2，作为优选，所述吹扫装置200采用纯化氮气（PN2）作为吹扫气体。PN2在冷却腔100中自内向外吹扫，PN2能够去除冷却腔100内的微粒400（包括水汽、晶片600表面的挥发物质以及其他缺陷颗粒），这样，在腔体100内不会再生成微小凝结物，避免晶片600表面被腐蚀，提高了产品的良率。

请继续参照图2，作为优选，所述冷却腔100上还设有冷却水入口（图中未示出）和冷却水出口120。本发明采用工厂循环冷却水对晶片600进行冷却，冷却水由冷却水入口进入，在冷却腔100中流动后，由冷却水出口120流出。进一步的，所述冷却水入口和冷却水出口120均设置于所述冷却腔100的顶部，因此，冷却腔100的顶部的温度最低，冷却效果最好。

综上所述，本发明的去胶设备的冷却和清扫装置，包括：冷却腔100，与大气传送腔500连通，所述冷却腔100中设有多层腔体110；吹扫装置200，一端与外部气源连接，另一端设有多个吹气口210，所述多个吹气口210分散设置在各层腔体110中；以及排气管300，设置于所述冷却腔100底部所述吹气口210的下风口处。本发明的去胶设备的冷却和清扫装置，能够去除冷却腔100内水汽和晶片600表面的挥发物质，使冷却腔100内不再产成微小凝结物；还能去除冷却腔100内其它缺陷颗粒。冷却和清扫系统具有吹扫装置200，确保腔体110内每一片晶片600都被清扫干净。在冷却腔100出口处下方增加排气管300，将吹扫出的物质排出，确保其它晶片600的安全。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims

1.一种去胶设备的冷却和清扫装置，其特征在于，包括：

冷却腔，与大气传送腔连通，所述冷却腔中设有多层腔体；

吹扫装置，一端与外部气源连接，另一端设有多个吹气口，所述多个吹气口分散设置在各层腔体中；

以及

排气管，设置于所述冷却腔底部所述吹气口的下风口处。

2.如权利要求1所述的去胶设备的冷却和清扫装置，其特征在于，所述吹气口上还设置有分散装置。

3.如权利要求1所述的去胶设备的冷却和清扫装置，其特征在于，所述吹扫装置采用纯化氮气作为吹扫气体。

4.如权利要求1所述的去胶设备的冷却和清扫装置，其特征在于，所述冷却腔上还分别设有冷却水入口和冷却水出口。

5.如权利要求4所述的去胶设备的冷却和清扫装置，其特征在于，所述冷却水入口和冷却水出口均设置于所述冷却腔的顶部。