CN103400674A - 超薄合金片感测电阻的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种感测电阻元件的制造方法。本发明提供了一种超薄合金片感测电阻的制造方法,包括保护层成型和形成单颗元件的步骤,保护层成型的步骤为:A.在合金片的一边形成面保护层;B.在合金片的另一面线路成型;C.在线路成型的那一面形成一次线路保护层,使产品电阻本体上得到保护,并裸露出电极部分;D.通过电镀的方式,形成产品的电极部分,并进行电阻电极加工;E:二次线路保护,形成二次线路保护层,条状印刷保护,以覆盖电阻本体部分。本发明之电阻元件结构简单,产品厚度更薄,达到了0.4mm及以下;相较常规电阻元件,节省了基本材料,大大降低了材料成本;同时,工艺简单,符合市场上对电子元器件更薄更小的要求。

Description

超薄合金片感测电阻的制造方法
技术领域
本发明涉及一种感测电阻的制造方法。
背景技术
最近几年,精密型电流感测元件已经越来越广泛的使用在消费电子产品,如电脑,手机,家电等。随着这些消费类电子产品的轻易简便,小型化的要求,对精密电流感测元件也相应提出了更高的小型及超薄的需求。申请号为201110273288.6,申请日为2011年9月5日,名称为《合金板精密电流感测电阻的制造方法》公开了一种合金板电流感测电阻的制造方法,包含了以下步骤,1线路成型;2保护层成型;3形成单颗元件;4形成电极。但此种制造方法的感测电阻的厚度在0.6mm以上,如果采用更薄合金片来制造,此种方法制造出来的感测电阻在线路成型工艺上受到很大的限制,无法进行冲压成型,实际上,此种制造方法比较适用于厚度大于0.15mm或0.15mm以上的合金片材料加工,再经过封装保护层,导致成品厚度无法达到0.4mm以下;同时,此种制造方法生产的产品阻值覆盖范围也有限,均为超低阻值产品,即,适用于制造阻值在10mOhm以下的感测电阻。
发明内容
本专利发明在阻值覆盖范围则不受工艺限制,感测电阻值规格上可以根据客户需求进行定制加工,也实现了电阻元件更薄更小的市场趋势。
1、所要解决的技术问题:
现有技术中合金片电流感测电阻厚度太厚,在0.6mm以上,无法满足市场上对电子元器件更薄更小的要求。
2、技术方案:
为了解决以上问题,本发明提供了一种超薄合金板感测电阻的制造方法,包括保护层成型和形成单颗元件的步骤,保护层成型的步骤为:A.在合金片的一边形成面保护层;B.在合金片的另一面线路成型;C.在线路成型的那一面形成一次线路保护层,使产品电阻本体上得到保护;D.通过电镀的方式,形成产品的电极部分,并进行电阻电极加工;E:二次线路保护,形成二次线路保护层,条状印刷保护,以覆盖电阻本体部分。
为了能够在超薄的情况下保证电阻值精度,在步骤D和E之间还有阻值修正的步骤,通过激光或者机械的方式进行电阻值修正,使之达到使用要求的目标阻值。
A步骤中合金片通过丝印机印刷的方式进行单面保护。
A步骤中保护材料选用热固性或感光性耐老化性的高分子材料。
B步骤中对带有面保护层的合金片之合金面进行干膜贴合,线路显影,蚀刻工艺加工进行线路成型。
D步骤中,经过铜层,镍层和锡层表面处理技术进行电阻电极加工。
在保护层成型和形成单颗元件之间设有在产品的面保护上印刷可识别的字符的流程。
3、有益效果:
本发明之电阻元件结构简单,产品厚度更薄,达到了0.4mm及以下;相较常规陶瓷基电阻元件,节省了陶瓷片之基本材料,大大降低了材料成本;同时,工艺简单,符合市场上对电子元器件更薄更小的要求。
附图说明
图1为具体实施流程一示意图。
图2为具体实施流程二示意图。
图3合金片办成品示意图。
图4合金片单面保护层结构示意图。
图5合金片线路成型后结构示意图。
图6电阻电极加工或结构示意图。
图7为本发明产品成粒后外观示意图。
图8为具体实施流程一之产品结构示意图。
图9为具体实施流程二之产品结构示意图。
图10为实施流程二中印刷面保护完成后示意图。
1为电阻材料合金片,2为面保护层,3为合金片蚀刻后电阻本体部分,4为合金片蚀刻后电阻电极部分,5为电阻线路保护层,6为电镀表面处理后电阻电极部分,7为铜层,8为电镍层,9为锡层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
一般的合金片感测电阻制造方法按以下步骤进行:1线路成型;2保护层成型;3形成单颗元件;4形成电极。为了制造更薄的合金片感测电阻,将线路成型在形成电极及保护层成型的步骤中完成,也就是两个步骤,1.保护层成型;2.形成单颗元件。
实施例1
流程图如图1所示,先将精密电阻要用的合金片1用裁切刀裁剪为固定尺寸大小,该步也可用如冲床等其他冲片方式完成,完成后的半成品如图3所示。然后是保护层成型,保护层成型的步骤为,
A:将加工好的合金片的一面形成面保护层2,也就是对合金片进行单面保护,如图4所示,其中合金片通过丝印机印刷的方式进行单面保护,保护材料选用热固性或感光性耐老化性的高分子材料。
B.在合金片的另一面线路成型,A步骤中上述带有面保护层的合金片之合金面进行干膜贴合,线路显影,蚀刻工艺加工进行线路成型,得到合金片蚀刻后电阻本体部分3和合金片蚀刻后电阻电极部分4,该步采用传统工艺的黄光微影技术即可,也可选用其他线路成型工艺加工,完成后的半成品如图5所示。
C.在线路成型的那一面形成一次线路保护层,得到电阻线路保护层5,使产品电阻本体上得到保护,并裸露出电极部分。
D.通过电镀的方式,形成产品的电极部分,并进行电阻电极加工,如图6所示,也就对裸露出的电极部分分别经过铜层7,镍层8和锡层9表面处理技术进行电阻电极加工,得到电镀表面处理后电阻电极部分6。
E.二次线路保护,形成二次线路保护层,条状印刷保护,以覆盖电阻本体部分,线路保护层上有部分金属裸露,该步经过二次线路保护进行封装保护。
通过以上步骤保护层成型步骤完成。
F.分割成粒,形成单颗元件,通过钻石刀切割或者激光雕刻等分割方式将产品分割成粒状。
其中为了能够在超薄的情况下保证电阻值精度,在步骤D和E之间还有阻值修正的步骤,通过激光或者机械的方式进行电阻值修正,使之达到使用要求的目标阻值,此步骤同传统贴片式精密电阻工艺相同。
还可以在在保护层成型和形成单颗元件之间设有在产品的面保护上印刷可识别的字符的流程。
以上流程制造的为单面电极结构。本发明提供的方法还可以制造双面电极结构。
实施例2
流程图如图2所示,先将精密电阻要用的合金片用裁切刀裁剪为固定尺寸大小,该步也可用如冲床等其他冲片方式完成,完成后的半成品如图3所示。然后是保护层成型,保护层成型的步骤为,
A:将加工好的合金片的一面形成面保护层,也就是对合金片进行单面保护,如图4所示,其中合金片通过丝印机印刷的方式进行单面保护,保护材料选用热固性或感光性耐老化性的高分子材料。
B.在合金片的另一面线路成型,A步骤中上述带有面保护层的合金片之合金面进行干膜贴合,线路显影,蚀刻工艺加工进行线路成型,该步采用传统工艺的黄光微影技术即可,也可选用其他线路成型工艺加工,完成后的半成品如图5所示。
C.在线路成型的那一面形成一次线路保护层,使产品电阻本体上得到保护,并裸露出电极部分。
D.通过电镀的方式,形成产品的电极部分,并进行电阻电极加工,对裸露出的电极部分经过铜层表面处理技术进行电阻电极加工。
E.二次线路保护,形成二次线路保护层,条状印刷保护,以覆盖电阻本体部分,线路保护层上有部分金属裸露,该步经过二次线路保护进行封装保护。
通过以上步骤保护层成型步骤完成。
F.分割成粒,形成单颗元件,通过钻石刀切割或者激光雕刻等分割方式将产品分割成粒状。
G.在形成单颗元件后,分割成粒的单颗元件经过滚镀铜层,滚镀镍层和滚镀锡层的方式完成最终产品电极加工。
其中为了能够在超薄的情况下保证电阻值精度,在步骤D和E之间还有阻值修正的步骤,通过激光或者机械的方式进行电阻值修正,使之达到使用要求的目标阻值,此步骤同传统贴片式精密电阻工艺相同。
还可以在在保护层成型和形成单颗元件之间设有在产品的面保护上印刷可识别的字符的流程。
最终得到双面电极结构。
本发明的优点在于:
1该制造方法,先于电阻线路蚀刻成型前,形成一层特有的保护层,该保护层的厚度远远小于常规陶瓷基片之厚度,使产品达到了薄型化的要求,使产品的总厚度达到了0.4mm以下,远远薄于同类型产品。
2产品结构简单,外观如市场上精密电流感测电阻相同,如图7所示,精密电阻值的合金片中间为保护层保护,两端为电极结构。单面电极结构产品如图8所示;双面电极结构产品如图9所示。这比市场上陶瓷基体的同样电阻值的产品,节省了粘胶,陶瓷之原材料成本,使之产品生产成本大大降低。
3该发明所提供制造方法工艺也同样简单,众所周知,一般陶瓷电阻元件产品在电极成型时需要封端,在进行溅射,最后进行滚镀铜镍锡电极之复杂方式成型,而该发明所提供工艺就简单很多了,直接通过挂镀铜镍锡的方式,或者挂镀铜再通过简单的滚镀镍锡之方式完成电极成型,大大的提高了加工效率。
4本发明所提供的超薄型合金片感测电阻的制造方法,同样经过激光或机械的方式进行电阻值修正,电阻值精度符合市场要求。

Claims (9)

1.一种超薄合金片感测电阻的制造方法,包括保护层成型和形成单颗元件的步骤,其特征在于:保护层成型的步骤为:A.在合金片的一边形成面保护层;B.在合金片的另一面线路成型;C.在线路成型的那一面形成一次线路保护层,使产品电阻本体上得到保护,并裸露出电极部分;D.通过电镀的方式,形成产品的电极部分,并进行电阻电极加工;E:二次线路保护,形成二次线路保护层,条状印刷保护,以覆盖电阻本体部分。
2.如权利要求1所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:在步骤D和E之间还有阻值修正的步骤,通过激光或者机械的方式进行电阻值修正,使之达到使用要求的目标阻值。
3.如权利要求1或2所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:A步骤中合金片通过丝印机印刷的方式进行单面保护。
4.如权利要求3所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:保护材料选用热固性或感光性耐老化性的高分子材料。
5.如权利要求1所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:B步骤中对带有面保护层的合金片之合金面进行干膜贴合,线路显影,蚀刻工艺加工进行线路成型。
6.如权利要求1所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:D步骤中,经过铜层,镍层和锡层表面处理技术进行电阻电极加工。
7.如权利要求1所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:D步骤中,经过铜层表面处理技术进行电阻电极加工。
8.如权利要求7求所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:在形成单颗元件后,分割成粒的单颗元件经过滚镀铜层,滚镀镍层和滚镀锡层的方式完成最终产品电极加工。
9.如权利要求1、2、4、5、6、7任一权利要求所述的超薄合金片感测电阻的制造方法,其特征在于:在保护层成型和形成单颗元件之间设有在产品的面保护上印刷可识别的字符的流程。
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