CN103380570A

CN103380570A - 用于将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路

Info

Publication number: CN103380570A
Application number: CN2011800650983A
Authority: CN
Inventors: 安德烈亚·巴尔别里; 杰尔马诺·尼科利尼
Original assignee: ST Ericsson SA
Current assignee: ST Ericsson SA
Priority date: 2010-11-15
Filing date: 2011-10-14
Publication date: 2013-10-30
Anticipated expiration: 2031-10-14
Also published as: EP2453574A1; US20130308795A1; CN103380570B; US9288573B2; WO2012065793A1

Abstract

本发明公开了一种接口电路(INT_C)，被适配为将麦克风电路(MC_D)连接至前置放大器(P_A)的接口电路(INT_X)，该麦克风电路(MC_D)包括麦克风(3)和至少一个输出节点(M_O、M_O′)，并且该前置放大器(P_A)包括被适配为经过所述接口电路(INT_C)连接至所述输出节点(M_O、M_O′)的至少一个输入节点(10，10′)。该接口电路(INT_C)包括用于将该输入节点(10，10′)从该输出节点(M_O，M_O′)DC去耦的至少一个去耦电容器(C_DEC)，该去耦电容器(C_DEC)具有连接至/可连接至该输入节点(10，10′)的第一端和连接至/可连接至该输出节点的第二端。该接口电路(INT_C)包括至少一个有源电路(UGAMP/-UGAMP′)，该有源电路包括电阻器(r)，该电阻器(r)具有连接至该去耦电容(C_DEC)的该第一端的第一端，该电阻器(r)被适配为可操作地作为阻抗倍增器并且具有这样一种等效阻抗，其中该等效阻抗与该去耦电容器(C_DEC)一起定义可操作地连接/可连接在该麦克风(3)与该前置放大器之间的高通滤波器。该接口电路包括连接至该电阻器的该第二端的偏置电路。

Description

用于将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路

技术领域

本发明涉及用于将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路。

背景技术

在电子设备(特别是移动设备)的发展中纳入考虑的主要方面中的一个是占用面积。在诸如移动电话的移动设备领域中，在不改变电话的尺寸的前提下创造具有更多功能的电话的一个关键点是减少印刷电路板(PCB)上的占用面积。多年来，一直关注尽可能将表现面积减少的主要限制的所有那些无源部件(如电阻器、电容器和电感器)集成集成到芯片内。在老一代电话内，这种部件是直接安装在主板上的SMD(表面贴装设备)。后来，由于技术的进步，这些器件位于芯片封装内部，被称为PDI(无源设备集成)方法，并且在一些情况中直接集成在芯片内。然而，当涉及到麦克风前置放大路径时，由于在麦克风和前置放大器之间需要的去耦电容器的巨大电容值，该方法的实施是不可能的。

图1和图2分别显示使用RC网络来偏置并将麦克风电路MC_S、MC_D连接至前置放大器PA_S、PA_D的两个已知方式，即单端方式和差分方式。麦克风电路MC_S、MC_D包括麦克风3和由偏置电压V_BIAS馈入的偏置电路R_MB1、R_MB2、R_MB3、C1、C2。

在麦克风电路MC_S、MC_D的输出节点Mo，Mo′处来自麦克风电路MC_S、MC_D的信号的DC偏置电压将唯一地取决于偏置电路R_MB1、R_MB2、R_MB3、C1、C2，并且其通常与前置放大器PA_S、PA_D的DC偏置输入电压不同。通常使用利用前置放大器PA_S、PA_D输入阻抗来产生具有通常低于20Hz的转角频率的一阶高通滤波器的去耦电容器C_DEC，获得麦克风3与前置放大器PA_S、PA_DDC偏置电压之间的电平移位，以避免带内音频信号扰动。

在图3(反相配置)和图4(非反相配置)中显示了差分前置放大器PA_D的更详细的表示。

在反相的情况中，由于噪声生成，输入电阻器R_1A和R_1B不能具有高阻抗值(典型地从10kOhm至50kOhm)，然而在非反相解决方案中，电阻器R_3A和电阻器R_3B仅用于偏置在地和电源电压之间的中间电压V_CM上的放大器OA输入。因此，电阻器R_3A和电阻器R_3B并不助于噪声生成并且可以用相对于反相情况的更大阻抗值(然而，由于占用面积而不大于几百kOhm)来制成。在两种情况中，需要大于100nF的去耦电容器C_DEC并且该大电容值将难以集成至芯片中。事实上，利用片上集成具有该大电容值的电容器的实际的技术将要求大于20mm²的面积，并且这个事实使得该集成方法实际上无法使用。US2002/0125949公开了由于去耦电容器C_DEC在芯片中的集成而造成的面积浪费的上述问题，证实去耦电容器C_DEC的集成只对于相对低的电容值可行。此外，不幸的是即使利用PDI方法，也不能实现去耦电容器C_DEC，这是因为它们的高电阻值和它们的任意端子都没有与固定电势连接的事实。这就是为什么所有现存的已知技术方案使用SMD电容器的原因。由于前置放大器经常具有多个输入(语音麦克风、单声道和立体声音频麦克风、单声道和立体声线路输入等)并且每个输入可以是差分的，所以显然在移动电话的PCB上有许多SMD去耦电容器C_DEC。

这对于面积减少策略来说明显是瓶颈，并且强烈感到需要试图找到这个问题的解决方案，但至今没有成功。与移动电话不同的其他消费者设备(如便携式MP3播放器、数码相机、数字录音机、摄像机)，并且通常在有音频通信和/或记录能力的设备中具有相同的上述问题。

在现有技术中例如在由Joseph Kreutz在ELECTOR的第一卷7/8第85页的“Mini Sixties Plus”的公开中并且从US 5,652,537已知阻抗倍增器。然而，在现有技术中，从未提议或建议在接口电路中采用这些倍增器将麦克风电路连接至前置放大器，以便能够集成去耦电容器C_DEC。这可能是由于难以找到这样一种技术方案的事实，其中该技术方案采用诸如在两个上述文献中公开的阻抗倍增器之类的阻抗倍增器并且同时还被适配为提供前置放大器的输入的正确偏置(即固定并且稳定的偏置)。

发明内容

鉴于麦克风电路和前置放大器之间的现有技术接口电路的上述限制，本发明的一个目的在于提供一种用于将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路，其被适配为解决上文所示的关于由于存在不能被集成在一个芯片上的一个或多个去耦电容器而导致不能将占用面积减少至期望值以下的问题。

由一种被适配为将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路实现以上目的，该麦克风电路包括麦克风和至少一个输出节点，并且该前置放大器包括被适配为通过该接口电路连接至该输出节点的至少一个输入节点。该接口电路包括用于将所述输入节点从所述输出节点DC去耦的至少一个去耦电容器，该去耦电容器具有连接/可连接至所述输入节点的第一端和连接/可连接至所述输出节点的第二端。该接口电路包括至少一个有源电路，该有源电路包括具有连接至该去耦电容器的该第一端的第一端的电阻器。此外，该接口电路包括连接至所述电阻器的第二端的偏置电路，以利用期望偏置电压来偏置该前置放大器的输入节点。有源电路被适配为可操作地作为阻抗倍增器并且具这样一种等效阻抗，其中该等效阻抗与该去耦电容器一起定义可操作地连接/可连接在该麦克风与该前置放大器之间的高通滤波器。由于等效阻抗理论上可被制成如所需要的一样高，所以去耦电容器可具有相对于上文所述的现有技术电路相对减小的电容值，允许去耦电容器的片上集成。此外，由于偏置电路的布置，可以对前置放大器的输入设置固定并且稳定的偏置电压。

根据一个实施方式，该有源电路包括单位增益放大器电路。

根据一个实施方式，该有源电路包括第一MOS源极跟随器和第二MOS源极跟随器，每个所述MOS源极跟随器具有各自的栅极端子、漏极端子和源极端子，该第二MOS源极跟随器的栅极端子被连接至该第一MOS源极跟随器的源极端子。该电阻器的该第一端连接至该第一MOS源极跟随器的该栅极端子并且该电阻器的该第二端连接至该第一MOS源极跟随器的该漏极端子和该第二MOS源极跟随器的该源极端子。

根据一个更具体的实施方式：

-该有源电路包括电流生成器，该电流生成器具有连接至该电阻器的该第二端的输出端子并且具有控制端子；并且

-该偏置电路包括运算放大器，该运算放大器具有连接至所述控制端子的输出端子。

附图说明

本发明的其他特征和优点将从如附图中所示出的本发明的以下示例性但非限制性的实施方式的详细描述变得更显而易见，其中：

图1示出包括麦克风电路和前置放大器的现有技术麦克风系统的第一实例的示意图；

图2示出包括麦克风电路和前置放大器的现有技术麦克风系统的第二实例的示意图；

图3示出用于图2的麦克风系统的已知前置放大器的第一实例的示意图；

图4示出用于图2的麦克风系统的已知前置放大器的第二实例的示意图；

图5示出具备录音和/或通信能力的设备的非常示意性的视图；

图6示出一种麦克风前置放大器电路，该麦克风前置放大器电路包括前置放大器和具备用于偏置该前置放大器的偏置电路的接口电路；

图7示出图6的接口电路的高级表示；

图8示出图6的麦克风前置放大器电路的局部视图，其中显示该偏置电路的第一实施方式；

图9示出图6的麦克风前置放大器电路的局部视图，其中显示该偏置电路的第二实施方式；以及

图10示出图6的麦克风前置放大器电路的局部视图，其中显示该偏置电路的第三实施方式。

具体实施方式

在附图中，将用相同的附图标记/符号指示相同的或相似的元件。

图5示出包括麦克风电路MC_D的移动终端5(如移动电话5)的实施方式的非常示意性的视图。根据一个实施方式，并且在不因为该原因而引入任何限制的前提下，麦克风电路MC_D可与图2中表示的差分麦克风电路MC_D相似。麦克风电路MC_D包括麦克风3、麦克风的偏置网络和两个差分输出节点Mo，Mo′。根据一个实施方式，该麦克风的偏置网络可与图2的已知偏置网络相同或相似。

移动电话5包括包括电路板6，电路板6包括集成麦克风前置放大器电路60。根据所示的实施方式，电路板6进一步包括模数转换器70和数字音频处理器80。

因为移动终端(如移动电话)的总体结构和操作是本领域技术人员所公知的，所以为了简洁起见，在本说明书的以下部分将不再进一步详述它们。相反，本说明书的以下部分将主要关注麦克风前置放大器电路60。重要的是注意到在与移动终端5不同的系统和/或设备中例如通常在具有音频通信或记录能力的设备(如数字录音机、MP3播放器、照相机等)中也可以使用该麦克风前置放大器电路60。

图6示出包括前置放大器P_A和被适配为将麦克风3或更精确而言麦克风电路MC_D连接至前置放大器P_A的接口电路INT_C。

根据所示的实施方式，前置放大器P_A是具有两个输入节点(10、10′)、两个运算前置放大器OA、三个电阻器(R1、R_2B、R_2B)的差分前置放大器。接口电路INT_C包括两个去耦电容器C_DEC和两个有源电路UG_AMP、UG_AMP′，其中有源电路UG_AMP、UG_AMP′中的每一个与对应的输入节点10，10′相关联。

因为所示实施方式中的接口电路60的结构是完全对称的，所以在本说明书中将仅具体描述接口电路INT_C的上部分支C_DEC、UG_AMP，即包括在输出节点M_O与输入节点10之间的分支，该上部分支与包括在输出节点M_O′与输入节点10′之间的下部分支C_DEC、UG_AMP′相似。此外，应当清楚的是，虽然在本说明书中将公开用于将差分麦克风电路M_CD连接至差分前置放大器P_A的接口电路INT_C，但是本领域中的技术人员可以容易地将本说明书的教导扩展到接口电路被适配为将单端麦克风电路连接至单端前置放大器的情况。

参考图6，去耦电容器C_EDC用于将前置放大器的输入节点10从输出节点M_O上DC去耦，并且具有连接至/可连接至输入节点10的第一端和连接至/可连接至输出节点M_O的第二端。

接口电路INT_C的有源电路UG_AMP连接至去耦电容器C_DEC的第一端并且被适配为可操作地作为阻抗倍增器，有源电路具有这样一种等效阻抗，该等效阻抗与去耦电容器C_DEC的电容一起定义可操作地连接/可连接在麦克风电路MC_D与前置放大器P_A之间的高通滤波器。根据一个实施方式，有源电路UG_AMP包括单位增益放大器电路。更具体而言，根据所示的实施方式，有源电路UG_AMP包括：-第一MOS源极跟随器M1和第二MOS源极跟随器M2，每个所述MOS源极跟随器具有各自的栅极端子g1，g2、漏极端子d1，d2和源极端子s1，s2，第二MOS源极跟随器M2的栅极端子g2被连接至第一MOS源极跟随器M1的源极端子s1；-电阻器R，电阻器R具有连接至第一MOS源极跟随器M1的栅极端子g1的第一端以及在公共节点20处连接至第一MOS源极跟随器M1的漏极端子d1并且连接至第二MOS源极跟踪器M2的源极端子s2的第二端。

前置放大器P_A的输入节点10表示在去耦电容器C_DEC的第一端、第一MOS源极跟随器M1的栅极端子g1与电阻器R的第一端之间的公共节点。

有源电路UG_AMP包括偏置电路B_Circ，用于利用预先确定的固定并且稳定的偏置电压将前置放大器P_A并且具体而言前置放大器P_A的输入节点10偏置到例如前置放大器P_A的共模电压V_CM。在图6的实施方式中，将偏置电路B_Circ连接至公共节点20即电阻器R的第二端。

根据所示实施方式，有源电路UG_AMP进一步包括第一电流生成器Ig1，第一电流生成器Ig1具有连接在节点20处的输出端子d4，并且具有连接至偏置电路B_Circ并被适配为对MOS源极跟随器M1和M2进行偏置的控制端子g4。在所示的具体实例中，电流生成器Ig1是MOS晶体管M4，并且所述电流生成器Ig1的控制端子和输出端子分别是所述MOS晶体管的栅极端子g4和漏极端子d4。

此外，根据所示实施方式，有源电路UG_AMP进一步包括第二电流生成器Ig2，在该实例中第二电流生成器Ig2包括用于对MOS源极跟随器M1进行偏置的MOS晶体管M3，并且具有以固定电压V_B馈入的栅极端子和以固定电压V_a1馈入的源极端子以及连接至MOS源极跟随器M1的源极端子s1的漏极端子。

在图7中显示了图6的有源电路UG_AMP的高级示意性的表示。有源电路UG_AMP包括用于产生阻抗倍增的单位增益放大器90(更精确而言具有非常接近1的增益A_V的放大器90)以及被适配为将节点10和节点20的DC电压固定为期望偏置电压V_CM的偏置电路B_Circ。由于该阻抗倍增，等效阻抗R_EQ为：

R_{EQ} = R \cdot \frac{1}{1 - A_{V}} .

在图6的实施方式中，其中使用两个MOS源极跟随器M1和M2来实现单位增益放大器90，并且因此其中出现在电阻器R的每个端子上的信号大致相同，等效阻抗R_EQ为：

R_{EQ} = R \cdot \frac{1}{1 - A_{V 12}}

其中A_V12是节点10和节点20之间的电压增益并且等于：

A_{V 12} &cong; \frac{gm 2}{gm 2 + 1 / Z_{2}}

其中：

-gm2是MOS源极跟随器M2的跨导，

-Z₂是节点20处的输出阻抗，等于：

\frac{1}{Z_{2}} &cong; gds 2 + gds 3 + gds 4 + \frac{gm 2}{gm 1} \cdot gds 3

其中：

-gm1是MOS源极跟随器M1的跨导；

-gds2是MOS源极跟随器M2的输出电导；

-gd3是MOS晶体管M3的输出电导；

-gd4是MOS晶体管M4的输出电导。

从本说明书清楚看出，由于R_EQ可能具有非常高的值(例如如果电阻器R的阻抗值为大约100KOhm则R_EQ为几百MOhm)，所以去耦电容器C_DEC可能(相对于现有技术接口电路)具有相对低的电容值例如从10pf至100pf，并且去耦电容器C_DEC因此可以被容易地集成在芯片上。

参考图8-10，在说明书的以下部分中将公开在图6的接口电路INT_C中可以使用的可能的偏置电路B_Circ的三个实施方式。该电路B_Circ在它们之间共享用于将节点20处的偏置电压强制为期望偏置值的功能，以及用于针对高于期望频率(用于语音/音频应用的大约20Hz)的频率变成高阻抗以便使得节点20跟随节点10处的信号即输入信号的功能，其中，在该具体实例中该期望偏置值等于前置放大器P_A的共模电压V_CM(例如电源电压的一半)。

参考图8，根据第一实施方式，偏置电路B_Circ包括运算放大器OA_B，运算放大器OA_B具有连接至第一电流生成器Ig1的控制端子g4的输出端子。偏置电路B_Circ进一步包括低通滤波器D1、C5，该低通滤波器包括反向极化二极管D1和具有连接在运算放大器OA_B的第一输出处的公共节点的电容器C5。二极管D1被进一步连接至有源电路UG_ZMP的公共节点20。运算放大器OA_B是开环放大器，其具有以期望偏置电压V_CM馈入的第二输入。在上文的偏置电路B_Circ中，反向极化二极管D1用于实现低通滤波器D1、C5的高阻抗(在0伏特处的P-N结)。

对于低于期望截止频率(例如大约20Hz)的频率，运算放大器OA_B的反馈有效，并且该放大器OA_B将节点20设置到期望偏置电压V_CM上。在图7的偏置电路B_Circ的以上实施方式中，运算放大器OA_B在它的输入与它的输出之间不具备直接反馈，而是处于开环配置。如果该放大器的增益相对低(＜10)，则这工作良好，然而对于更高的增益值，在运算放大器的输入与节点20之间的频率响应中存在峰值。

在图9显示的偏置电路B_Circ的第二实施方式中，可以用电阻反馈R_i、R_f封闭(close)运算放大器OA_B，从而改善上面所说明的图8的实施方式。电阻反馈R_i、R_f被适配为将运算放大器OA_B的增益固定为适当的值(例如不大于10)即为了在频率响应中避免峰值而选择的值。在该情况中，由于反馈电阻器R_i与反馈电阻器R_f之间的分割，应该将合适的电压值V_CM*应用于电阻器R_i以便将期望偏置电压值V_CM应用于运算放大器的输入。

在偏置电路B_Circ的第三实施方式中，可以进一步改善以上第一实施方式和第二实施方式。具体而言，在图10中显示的第三实施方式中，用开关电容器C7和RC低通滤波器R9、C6替换二极管D1，该RC低通滤波器R9、C6具有相对于由开关电容器C7和电容器C5所定义的低通滤波器的时间常数τ相对较小的时间常数。开关电容器C7等效于电阻器R7＝1/f_sC7，其中f_s是开关电容器C7的时钟频率。因此，可以实现时间常数等于：

τ＝R7xC5＝C5/(f_sxC7)。

仅通过使得C7和f_s尽可能地小就可以使得以上时间常数τ要多高有多高。此外，该时间常数τ有利地对过程跨度和温度变化不敏感，因为它仅取决于电容与精确时钟频率f_s之间的比例。

在图10的实施方式中，电阻器R9和电容器C6对于偏置电路B_Circ的正确运行而言不是严格必需的，但是建议使用它们来避免来自采样结构并且向节点20处的信号传播的可能的扰动。此外，在图10的实施方式中，取决于与之前参考图8和图9所述相同的考虑，运算放大器OA_B可以具有开环配置或闭环配置。在图10的实施方式中，需要具有频率f_s的时钟信号，但是这没问题，因为在被适配为处理语音和音频信号的芯片上通常存在时钟。

从以上描述中清楚看出，由于有源电路的阻抗倍增效果，接口电路的上述实施方式具有需要一个或多个具有相对低值的去耦电容器C_DEC因而能够将所述电容器集成到前置放大器P_A芯片中的优点。当在n个源例如n个麦克风电路之间共享前置放大器P_A时，在占用面积方面的优点甚至更好。在该情况下，能够将(例如用CMOS传输门实现的)复用器放置或者最好集成到正好在去耦电容器C_DEC前面，以便允许n个不同的源与前置放大器P_A之间的选择性连接。在该情况中，(如果是差分电路则)仅需要两个相对小的去耦电容器C_DEC代替2n个外部SMD电容器来获得占用面积/空间的大量降低。

自然地，为了满足偶然并且具体的要求，本领域技术人员可以应用上述接口电路的许多修改和变型，然而所有该修改和变型都被包括在由所附权利要求限定的本发明的保护范围内。

Claims

1.一种被适配为将麦克风电路(MC_D)连接至前置放大器(P_A)的接口电路(INT_C)，所述麦克风电路(MC_D)包括麦克风(3)和至少一个输出节点(M_O，M_O′)，并且所述前置放大器(P_A)包括被适配为经过所述接口电路(INT_C)连接至所述输出节点(M_O，M_O′)的至少一个输入节点(10，10′)，所述接口电路(INT_C)包括用于将所述输入节点(10，10′)从所述输出节点(M_O，M_O′)DC去耦的至少一个去耦电容器(C_DEC)，所述去耦电容器(C_DEC)具有连接至或被适配为连接至所述输入节点(10，10′)的第一端以及连接至或被适配为连接至所述输出节点(M_O，M_O′)的第二端，

其特征在于，所述接口电路(INT_C)包括：

-包括电阻器(R)的至少一个有源电路(UG_AMP，UG_AMP′)，所述电阻器具有被连接至所述去耦电容器(C_DEC)的所述第一端的第一端；和

-连接至所述电阻器(R)的第二端的偏置电路(B_Circ)，以利用期望偏置电压(V_CM)偏置所述前置放大器的所述输入节点(10，10′)；

接口电路，所述接口电路被适配为可操作地作为阻抗倍增器，并且具有取决于所述电阻器(R)的阻抗的等效阻抗，所述等效阻抗与所述去耦电容器(C_DEC)一起定义可操作地连接或被适配为连接在所述麦克风(3)与所述前置放大器(P_A)之间的高通滤波器。

2.根据权利要求1所述的接口电路(INT_C)，其中，所述有源电路(UG_AMP，UG_AMP′)包括单位增益放大器电路。

3.根据权利要求1或2所述的接口电路(INT_C)，其中：

-所述有源电路(UG_AMP，UG_AMP′)包括第一MOS源极跟随器(M1)和第二MOS源极跟随器(M2)，每个所述MOS源极跟随器具有各自的栅极端子(g1，g2)、漏极端子(d1，d2)和源极端子(s1，s2)，所述第二MOS源极跟随器(M2)的栅极端子(g2)连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述源极端子(s1)；并且

-所述电阻器(R)的所述第一端连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述栅极端子(g1)，并且所述电阻器(R)的所述第二端连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述漏极端子(d1)并且连接至所述第二MOS源极跟随器(M2)的所述源极端子(s2)。

4.根据权利要求3所述的接口电路(INT_C)，其中：

-所述有源电路包括电流生成器(Ig1)，所述电流生成器(Ig1)具有连接至所述电阻器(R)的所述第二端的输出端子(d4)并且具有控制端子(g4)；并且

-所述偏置电路(B_Circ)包括具有连接至所述控制端子(g4)的输出端子的运算放大器(OA_B)。

5.根据权利要求4所述的接口电路(INT_C)，其中，所述电流生成器(I_g1)包括具有栅极端子(g4)和漏极端子(d4)的MOS晶体管(M4)，其中，所述电流生成器(I_g1)的所述控制端子和输出端子分别是所述MOS晶体管(M4)的所述栅极端子(g4)和漏极端子(d4)。

6.根据权利要求1-5中的任意一个所述的接口电路(INT_C)，其中，所述前置放大器(P_A)是具有共模电压(V_CM)的前置放大器，并且其中，所述偏置电路(B_Circ)被适配为用所述共模电压(V_CM)偏置所述输入节点(10，10′)。

7.根据权利要求4-6中的任意一个所述的接口电路(INT_C)，其中，所述偏置电路(B_Circ)是包括反向极化二极管(D1)和电容器(C5)的低通滤波器(D1，C5)，所述反向极化二极管(D1)和电容器(C5)具有连接在所述运算放大器(OA_B)的第一输出处的公共节点。

8.根据权利要求7所述的接口电路(INT_C)，其中，所述运算放大器(OA_B)是具有用所述期望偏置电压(V_CM)馈入的第二输入的开环运算放大器。

9.根据权利要求8所述的接口电路(INT_C)，其中，所述偏置电路(B_Circ)包括所述运算放大器(OA_B)的电阻反馈网络(R_i，R_f)。

10.根据权利要求4-6中的任意一个所述的接口电路(INT_C)，其中，所述偏置电路(B_Circ)包括第一低通滤波器(C7，C5)，所述第一低通滤波器(C7，C5)包括开关电容器(C7)和附加电容器(C5)，所述开关电容器(C7)和附加电容器(C5)都具有可操作地连接或被适配为连接在所述运算放大器(OA_B)的第一输出处的公共节点，所述运算放大器(OA_B)具有用所述期望偏置电压(V_CM)馈入的第二输入。

11.根据权利要求10所述的接口电路(INT_C)，其中，所述偏置电路(B_Circ)进一步包括与所述第一低通滤波器(C7，C5)串联的RC型第二低通滤波器(R9，C6)，所述第二低通滤波器(R9，C6)具有相对于所述第一低通滤波器(C7，C5)时间常数相对小的时间常数。

12.根据任意一个前述权利要求所述的接口电路(INT_C)，包括用于将所述去耦电容器(C_DEC)的所述第二端选择性地连接至多个麦克风电路中的一个麦克风电路的复用器，所述复用器、所述去耦电容器(C_DEC)和所述前置放大器(P_A)被集成在同一芯片中。

13.一种包括根据任意一个前述权利要求所述的前置放大器(P_A)和接口电路(INT_C)的麦克风前置放大器电路(60)。

14.一种包括根据权利要去13所述的至少一个麦克风(3)和麦克风前置放大器电路(60)的麦克风系统(60，MC_D)。

15.一种具备录音能力的设备(5)，包括根据权利要求14所述的麦克风系统(60，MC_D)。